JPH051565B2 - - Google Patents
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- JPH051565B2 JPH051565B2 JP61199801A JP19980186A JPH051565B2 JP H051565 B2 JPH051565 B2 JP H051565B2 JP 61199801 A JP61199801 A JP 61199801A JP 19980186 A JP19980186 A JP 19980186A JP H051565 B2 JPH051565 B2 JP H051565B2
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 30
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Chemical compound [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 11
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910000807 Ga alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は温度補償用誘電体磁器組成物に関
し、特に、積層コンデンサの誘電体磁器として用
いられる温度補償用誘電体磁器組成物に関する。
し、特に、積層コンデンサの誘電体磁器として用
いられる温度補償用誘電体磁器組成物に関する。
(従来技術)
従来、この種の温度補償用誘電体磁器組成物と
しては、MgTiO3−CaTiO3系の磁器が用いられ
ていた。
しては、MgTiO3−CaTiO3系の磁器が用いられ
ていた。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、MgTiO3−CaTiO3系の磁器で
は、その焼結温度が1300℃以上と高いため、焼成
コストが高くつき、また、積層コンデンサの誘電
体磁器として用いる際には、内部電極として高融
点かつ高温で酸化しにくい効果なPdやPtを使用
しなければならず、積層コンデンサのコスト低減
の障害となつていた。さらに、非酸化性雰囲気中
で焼成した場合には、磁器が還元されて絶縁抵抗
値が著しく低下するという問題点を有していた。
は、その焼結温度が1300℃以上と高いため、焼成
コストが高くつき、また、積層コンデンサの誘電
体磁器として用いる際には、内部電極として高融
点かつ高温で酸化しにくい効果なPdやPtを使用
しなければならず、積層コンデンサのコスト低減
の障害となつていた。さらに、非酸化性雰囲気中
で焼成した場合には、磁器が還元されて絶縁抵抗
値が著しく低下するという問題点を有していた。
それゆえに、この発明の主たる目的は、1000℃
以下で焼結でき、かつ、非酸化性雰囲気中で焼成
しても磁器の比抵抗値が1012Ωcm以上と高い温度
補償用誘電体磁器組成物を提供することである。
以下で焼結でき、かつ、非酸化性雰囲気中で焼成
しても磁器の比抵抗値が1012Ωcm以上と高い温度
補償用誘電体磁器組成物を提供することである。
(問題点を解決するための手段)
この発明は、酸化バリウム、酸化ストロンチウ
ム、酸化ケイ素および酸化ジルコニウムを主成分
として含み、酸化バリウムをBaOに換算して
X・(1−a)重量部とし、酸化ストロンチウム
をSrOに換算してX・a重量部とし、酸化ケイ素
をSiO2に換算してY重量部とし、酸化ジルコニ
ウムをZrO2に換算してZ重量部としたとき、X、
Y、Zおよびaの値が、50≧X≧15、84≧Y≧
20、55≧Z≧1、X+Y+Z=100、そして0.9≧
a>0の範囲内に含まれる、温度補償用誘電体磁
器組成物である。
ム、酸化ケイ素および酸化ジルコニウムを主成分
として含み、酸化バリウムをBaOに換算して
X・(1−a)重量部とし、酸化ストロンチウム
をSrOに換算してX・a重量部とし、酸化ケイ素
をSiO2に換算してY重量部とし、酸化ジルコニ
ウムをZrO2に換算してZ重量部としたとき、X、
Y、Zおよびaの値が、50≧X≧15、84≧Y≧
20、55≧Z≧1、X+Y+Z=100、そして0.9≧
a>0の範囲内に含まれる、温度補償用誘電体磁
器組成物である。
(発明の効果)
この発明によれば、1000℃以下の、たとえば
N2ガス、Arガス、CO2ガス、COガスあるいは
H2ガスなどにより形成される比酸化性雰囲気中
で焼成でき、1012Ωcm以上の高い比抵抗を有し、
しかも、1000以上の高いQ値を有する温度補償用
誘電体磁器組成物を得ることができる。
N2ガス、Arガス、CO2ガス、COガスあるいは
H2ガスなどにより形成される比酸化性雰囲気中
で焼成でき、1012Ωcm以上の高い比抵抗を有し、
しかも、1000以上の高いQ値を有する温度補償用
誘電体磁器組成物を得ることができる。
また、この温度補償用誘電体磁器組成物を積層
コンデンサの誘電体磁器として用いれば、焼結温
度が1000℃以下と低いため、焼成コストを低くす
ることができ、かつ、抵抗値が低く安価な銅、銅
系合金あるいはその他の卑金属を内部電極として
用いることができるので、従来に比べて積層コン
デンサのコストダウンを図ることができる。
コンデンサの誘電体磁器として用いれば、焼結温
度が1000℃以下と低いため、焼成コストを低くす
ることができ、かつ、抵抗値が低く安価な銅、銅
系合金あるいはその他の卑金属を内部電極として
用いることができるので、従来に比べて積層コン
デンサのコストダウンを図ることができる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴お
よび利点は、図面を参照して行う以下の実施例の
詳細な説明から一層明らかとなろう。
よび利点は、図面を参照して行う以下の実施例の
詳細な説明から一層明らかとなろう。
(実施例)
原料として、BaCO3、SrCO3、SiO2、ZrO2お
よびAl2O3を、別表1の組成となるように秤量
し、ボールミルで16時間湿式混合した後、蒸発乾
燥して混合粉末を得た。次いで、この混合粉末を
850℃で2時間仮焼し、これに結合剤として酢酸
ビニルを5重量部加え、再びボールミルで16時間
湿式混合・粉砕した。この粉砕物を蒸発乾燥して
篩に通して整粒し、果粒状粉末を得た。こうして
得た果粒状粉末を乾式プレス機で2ton/cm2の圧力
で加圧し、直径22mm厚さ1.0mmの円板に成形した。
次いで、この円板をN2ガス雰囲気中で別表2に
示した各温度条件で2時間保持して焼成を行つ
た。そして、これらの焼成物に、電極形成の際に
磁器が特性の変化を受けることを避けるため、In
−Ga合金を塗布して電極を形成し試料とした。
よびAl2O3を、別表1の組成となるように秤量
し、ボールミルで16時間湿式混合した後、蒸発乾
燥して混合粉末を得た。次いで、この混合粉末を
850℃で2時間仮焼し、これに結合剤として酢酸
ビニルを5重量部加え、再びボールミルで16時間
湿式混合・粉砕した。この粉砕物を蒸発乾燥して
篩に通して整粒し、果粒状粉末を得た。こうして
得た果粒状粉末を乾式プレス機で2ton/cm2の圧力
で加圧し、直径22mm厚さ1.0mmの円板に成形した。
次いで、この円板をN2ガス雰囲気中で別表2に
示した各温度条件で2時間保持して焼成を行つ
た。そして、これらの焼成物に、電極形成の際に
磁器が特性の変化を受けることを避けるため、In
−Ga合金を塗布して電極を形成し試料とした。
そして、これらの試料について、次に示す各特
性をそれぞれの条件や測定方法で測定し、その結
果を別表2に示した。
性をそれぞれの条件や測定方法で測定し、その結
果を別表2に示した。
(1) 焼成温度
(2) 比誘電率:周波数1MHz、温度25℃の条件
(3) Q値(品質係数):周波数1MHz、温度25℃の
条件 (4) 容量温度係数(ppm/℃):25℃の容量を基
準とし、これと125℃の容量とから次の式によ
つて算出した。
条件 (4) 容量温度係数(ppm/℃):25℃の容量を基
準とし、これと125℃の容量とから次の式によ
つて算出した。
容量温度係数=C2−C1/C1×1/(125−25)×106
(ただし、C1:25℃での容量、C2:125℃での
容量) (5) 比抵抗:25℃で500Vの直流電圧を印加して
電流値を測定し算出した値 なお、別表1および別表2中で*印を付したも
のは、この発明の範囲外のものであり、それ以外
はこの発明の範囲内のものである。
容量) (5) 比抵抗:25℃で500Vの直流電圧を印加して
電流値を測定し算出した値 なお、別表1および別表2中で*印を付したも
のは、この発明の範囲外のものであり、それ以外
はこの発明の範囲内のものである。
さらに、別表1および別表2に示した各実験例
の結果を、主成分組成図中に示した。この図面に
おいて丸印を付した数字は各試料番号を示す。な
おこの図面において、発明の範囲内にある主成分
の組成比を示す領域は、頂点A、B、CおよびD
を有する4角形で示されている。すなわち、上述
の3成分の組成比において、BaOおよびSrOを合
わせてX重量部、SiO2をY重量部およびZrO2を
Z重量部としたとき、この発明の主成分の範囲
(X、Y、Z)は、A(50、49、1)、B(50、20、
30)、C(15、20、65)、D(15、84、1)の4点の
頂点で囲まれる領域内の組成比に相当するのであ
る。ただし、この主成分組成図において、BaO
をX・(1−a)重量部とし、SrOをX・a重量
部とした場合に0.9≧a>0の関係が成り立つこ
とは表されていない。
の結果を、主成分組成図中に示した。この図面に
おいて丸印を付した数字は各試料番号を示す。な
おこの図面において、発明の範囲内にある主成分
の組成比を示す領域は、頂点A、B、CおよびD
を有する4角形で示されている。すなわち、上述
の3成分の組成比において、BaOおよびSrOを合
わせてX重量部、SiO2をY重量部およびZrO2を
Z重量部としたとき、この発明の主成分の範囲
(X、Y、Z)は、A(50、49、1)、B(50、20、
30)、C(15、20、65)、D(15、84、1)の4点の
頂点で囲まれる領域内の組成比に相当するのであ
る。ただし、この主成分組成図において、BaO
をX・(1−a)重量部とし、SrOをX・a重量
部とした場合に0.9≧a>0の関係が成り立つこ
とは表されていない。
以下、別表1、別表2および主成分組成図に従
い、この発明の温度補償用誘電体磁器組成物にお
ける組成の限定理由を説明する。
い、この発明の温度補償用誘電体磁器組成物にお
ける組成の限定理由を説明する。
(1) 主成分組成図において、頂点AおよびBを結
ぶ線分ABの外側の組成物(試料番号6参照)
では、Q値が1000以下となりかつ容量温度係数
が+100ppm/℃以上となり、しかも、焼結磁
器素体の表面上にガラス質が浮くので好ましく
ない。
ぶ線分ABの外側の組成物(試料番号6参照)
では、Q値が1000以下となりかつ容量温度係数
が+100ppm/℃以上となり、しかも、焼結磁
器素体の表面上にガラス質が浮くので好ましく
ない。
(2) 主成分組成図において、頂点AおよびDを結
ぶ線分ADの外側の組成物(試料番号5参照)
では、Q値が1000以下となりかつ容量温度係数
が+100ppm/℃以上となり、しかも、焼結磁
器素体の表面上にガラス質が浮くので好ましく
ない。
ぶ線分ADの外側の組成物(試料番号5参照)
では、Q値が1000以下となりかつ容量温度係数
が+100ppm/℃以上となり、しかも、焼結磁
器素体の表面上にガラス質が浮くので好ましく
ない。
(3) 主成分組成図において、頂点BおよびCを結
ぶ線分BCの外側の組成物(試料番号7参照)
では、1150℃の温度で焼成しても緻密な焼結体
が得られないので好ましくない。
ぶ線分BCの外側の組成物(試料番号7参照)
では、1150℃の温度で焼成しても緻密な焼結体
が得られないので好ましくない。
(4) 主成分組成図において、頂点BおよびDを結
ぶ線分BDの外側の組成物(試料番号8参照)
では、1150℃の温度で焼成しても緻密な焼結体
が得られないので好ましくない。
ぶ線分BDの外側の組成物(試料番号8参照)
では、1150℃の温度で焼成しても緻密な焼結体
が得られないので好ましくない。
(5) 主成分に酸化バリウムが全く含まれない場
合、すなわちa=1の場合(試料番号14参照)
は、1150℃の温度で焼成しても緻密な焼結体が
得られないので8好ましくない。
合、すなわちa=1の場合(試料番号14参照)
は、1150℃の温度で焼成しても緻密な焼結体が
得られないので8好ましくない。
(6) Al2O3を主成分100重量部に対して、20重量
部以下添加含有させると、磁器の特性にばらつ
きが少なくなりかつ特性が一定の水準で揃う。
しかし、Al2O3の添加が20重量部を超えると
(試料番号11参照)、焼結温度が1150℃以上と高
くなるため好ましくない。
部以下添加含有させると、磁器の特性にばらつ
きが少なくなりかつ特性が一定の水準で揃う。
しかし、Al2O3の添加が20重量部を超えると
(試料番号11参照)、焼結温度が1150℃以上と高
くなるため好ましくない。
図面は、この発明の組成物の主成分組成比を示
す主成分組成図である。
す主成分組成図である。
【表】
【表】
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 酸化バリウム、酸化ストロンチウム、酸化ケ
イ素および酸化ジルコニウムを主成分として含
み、 前記酸化バリウムをBaOに換算してX・(1−
a)重量部とし、 前記酸化ストロンチウムをSrOに換算してX・
a重量部とし、 前記酸化ケイ素をSiO2に換算してY重量部と
し、 前記酸化ジルコニウムをZrO2に換算してZ重
量部としたとき、 X、Y、Zおよびaの値が 50≧X≧15 84≧Y≧20 55≧Z≧1 X+Y+Z=100 0.9≧a>0 の範囲内に含まれる、温度補償用誘電体磁器組成
物。 2 前記主成分100重量部に対して、さらに酸化
アルミニウムをAl2O3に換算して20重量部以下
(0重量部を含まず)添加含有した、特許請求の
範囲第1項記載の温度補償用誘電体磁器組成物。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61199801A JPS6355815A (ja) | 1986-08-25 | 1986-08-25 | 温度補償用誘電体磁器組成物 |
US07/088,878 US4816429A (en) | 1986-08-25 | 1987-08-24 | Temperature compensating dielectric ceramic composition |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61199801A JPS6355815A (ja) | 1986-08-25 | 1986-08-25 | 温度補償用誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6355815A JPS6355815A (ja) | 1988-03-10 |
JPH051565B2 true JPH051565B2 (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=16413852
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61199801A Granted JPS6355815A (ja) | 1986-08-25 | 1986-08-25 | 温度補償用誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6355815A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07232577A (ja) * | 1994-02-25 | 1995-09-05 | Ikeda Bussan Co Ltd | シートスライド装置 |
-
1986
- 1986-08-25 JP JP61199801A patent/JPS6355815A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07232577A (ja) * | 1994-02-25 | 1995-09-05 | Ikeda Bussan Co Ltd | シートスライド装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6355815A (ja) | 1988-03-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |