JPH0252328U - - Google Patents

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JPH0252328U
JPH0252328U JP12893088U JP12893088U JPH0252328U JP H0252328 U JPH0252328 U JP H0252328U JP 12893088 U JP12893088 U JP 12893088U JP 12893088 U JP12893088 U JP 12893088U JP H0252328 U JPH0252328 U JP H0252328U
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plasma cvd
microwave plasma
cvd apparatus
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    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Description

【図面の簡単な説明】
第１図には本考案マイクロ波プラズマＣＶＤ装
置の概略図、第２図は従来のマイクロ波プラズマ
ＣＶＤ装置の概略図である。 １，１１……反応室、２，２０……基板、５，
１６……マイクロ波導入用窓、６，１７……導波
管、１２……仕切り板、１３……第１の領域、１
４……第２の領域。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 反応室内部に第１の領域並びに成膜用基体
    を配置した第２の領域を空間的に区切る仕切り板
    を形成し、第１の領域にガスを導入するとともに
    マイクロ波を印加して上記ガスを励起ガスとし、
    この励起ガスを仕切り板に形成した複数のガス通
    過孔を介して第２の領域に導入し、更に第２の領
    域に成膜用ガスを導入して前記基体上に成膜形成
    することを特徴とするマイクロ波プラズマＣＶＤ
    装置。 (2) 第１の領域のガス圧が第２の領域に比べて
    大きくなつている請求項(1)記載のマイクロ波プ
    ラズマＣＶＤ装置。 (3) 基体の上にアモルフアス半導体膜を形成す
    る請求項(1)記載のマイクロ波プラズマＣＶＤ装
    置。 (4) 第１の領域のガス圧が０．０５Ｔｏｒｒ以
    上である請求項(1)，(2)又は(3)記載のマイクロ
    波プラズマＣＶＤ装置。 (5) 第２の領域のガス圧が０．５Ｔｏｒｒ以下
    である請求項(1)，(2)又は(3)記載のマイクロ波
    プラズマＣＶＤ装置。 (6) 第１の領域に導入するガスとしてＨ２，Ｈ
    ｅ，Ａｒ，Ｘｅ，Ｎｅ，Ｏ２，Ｎ２，ＮＨ３，Ｎ
    Ｏ，Ｎ２Ｏ，ＮＯ２，ＣＦ４，ＳｉＦ４，ＳＦ６
    が単独で又は組合せて用いられる請求項(1)，(2)
    又は(4)記載のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000074127A1 (fr) * 1999-05-26 2000-12-07 Tokyo Electron Limited Dispositif de traitement au plasma

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000074127A1 (fr) * 1999-05-26 2000-12-07 Tokyo Electron Limited Dispositif de traitement au plasma
US6830652B1 (en) 1999-05-26 2004-12-14 Tokyo Electron Limited Microwave plasma processing apparatus

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