JPH0250968B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0250968B2 JPH0250968B2 JP59191643A JP19164384A JPH0250968B2 JP H0250968 B2 JPH0250968 B2 JP H0250968B2 JP 59191643 A JP59191643 A JP 59191643A JP 19164384 A JP19164384 A JP 19164384A JP H0250968 B2 JPH0250968 B2 JP H0250968B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hydrogen
- amorphous
- temperature
- intermetallic compound
- storage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 44
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 44
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 23
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 6
- 238000005280 amorphization Methods 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 4
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 4
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000005300 metallic glass Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 238000001493 electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910018580 Al—Zr Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000007734 materials engineering Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
- B22F9/002—Making metallic powder or suspensions thereof amorphous or microcrystalline
- B22F9/004—Making metallic powder or suspensions thereof amorphous or microcrystalline by diffusion, e.g. solid state reaction
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C16/00—Alloys based on zirconium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C45/00—Amorphous alloys
- C22C45/10—Amorphous alloys with molybdenum, tungsten, niobium, tantalum, titanium, or zirconium or Hf as the major constituent
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S420/00—Alloys or metallic compositions
- Y10S420/90—Hydrogen storage
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
本発明は材料工学における金属のアモルフアス
化方法に関するものであり、特に化学反応による
Zr3―Al又はBr2Al或いはその混合物よりなる金
属間化合物のアモルフアス化方法に関するもので
ある。 （従来の技術） アモルフアス金属は、その優れた物理的ならび
に化学的特性の故に、最近、工学の広範な分野で
機能性に富んだ新素材として注目されている。 これらアモルフアス金属の製作法としては、こ
れまでに液体急冷法と蒸着法の２つの手法が確率
されているが、現在主流となつている前者は、対
象とする金属を融体から急速冷却してアモルフア
ス金属を得るものである。また、後者は、真空中
で加熱溶解して生じた金属蒸気を液体ヘリウムや
液体窒素の温度に保つた基板に蒸着させて得るも
のである。 （発明が解決しようとする問題点） これらの手法のうち液体急冷法は、一般に(1)製
品の形状がリボン状または線状のものに制約さ
れ、肉厚のものは勿論所要の部分だけをアモルフ
アス化することができない、(2)急冷速度を制御す
ることが困難であるために、得られる製品の実用
範囲が狭く限定されている。 また、蒸着法は、液体急冷法の場合よりも更に
極薄の被膜よりなる製品しか製作できない上に、
その価格も極めて高いものである。 （問題点を解決するための手段） 本発明は水素を用いて化学反応によつてアモル
フアス金属を作製するもので、通常強固な水素化
物を形成するZrなどの単一金属にAlなどの元素
を加えて金属間化合物を形成させ、それに水素を
加えることによつてアモルフアス化させるもので
ある。 すなわち、本発明はZr3―Al又はZr2Al或はそ
の混合物よりなる金属間化合物を少くとも１気圧
以上の水素を含むガス中で加熱処理して水素を吸
蔵させることによつて金属間化合物をアモルフア
ス化させるもので、吸蔵条件の選定により任意の
十分厚いアモルフアスを作製できる方法である。 （作用） 本発明でいう金属間化合物とは、水素吸蔵能を
有するZr―Al合金であつて、具体的にはZr3Al、
Zr2Al或はそれらの混合物を言う。これらの金属
間化合物に水素を吸蔵させるには少くとも77℃〜
427℃（350K〜700K）に加熱処理すると水素は
急速に吸蔵されて、水素(H)とZr―Al系金属間化
合物とが反応し、Zr―Al―Ｈ系のアモルフアス
相が得られる。ここで水素の供給圧力は少くとも
１気圧以上が必要であり、水素圧が１気圧の水素
吸蔵温度範囲は77℃〜600℃（350K〜873K）で
ある。水素供給圧を１気圧以上に高めれば、水素
吸蔵温度は低くなり、吸蔵時間も短くてよい。ま
た水素吸蔵温度が低いと吸蔵時間は長くしなけれ
ばならないが、約15〜30分位の吸蔵時間でよい。
水素吸蔵時間を１気圧より相当あげると、15分以
下の吸蔵時間でもよいが、作業上の都合から15〜
30分位の吸蔵時間とするのが便宜であり、あまり
短い吸蔵時間とする作業上不便である。従つて、
作業上都合のよい時間を選び、これに対応して圧
力と温度の関係を定めるとよい。水素圧が１気圧
以下となると、水素吸蔵温度をあげ吸蔵時間も30
分を超えて長くしなければならないので、圧力、
温度及び時間の相関関係で選定するのがよい。 以下本発明の構成を、さらに図面に基づき詳細
に説明する。 第１図において、対象とするZr3Al、Zr2Al或
はその混合物よりなる水素吸蔵能のある金属間化
合物の結晶１をヒーター２を備える電気炉３によ
つて、水素を含むガス中（純H2ガス、Arガスな
どの不活性ガス＋H2ガス等）で、所定の温度に
加熱処理を施す。加熱温度及び加熱時間は金属間
化合物の種類・性質、アモルフアス化の条件等に
より変えることができる。この加熱処理によつて
結晶１に水素を吸蔵させ、この水素と他の原子
Zr、Al等との化学反応を利用してZr―Al―Ｈの
アモルフアス相を形成させる。この際、水素ガス
圧を高くし、結晶を微細化させることによつてア
モルフアス化を促進させることができる。また、
加熱温度の選定も重要であり、アモルフアスの結
晶化温度下で加熱温度を高くする方が水素を急速
に吸蔵させるために効果的である。 このようなアモルフアス用の形成に必要な水素
吸蔵の具体的条件をZr―Al合金に場合について
次表に示す。
化方法に関するものであり、特に化学反応による
Zr3―Al又はBr2Al或いはその混合物よりなる金
属間化合物のアモルフアス化方法に関するもので
ある。 （従来の技術） アモルフアス金属は、その優れた物理的ならび
に化学的特性の故に、最近、工学の広範な分野で
機能性に富んだ新素材として注目されている。 これらアモルフアス金属の製作法としては、こ
れまでに液体急冷法と蒸着法の２つの手法が確率
されているが、現在主流となつている前者は、対
象とする金属を融体から急速冷却してアモルフア
ス金属を得るものである。また、後者は、真空中
で加熱溶解して生じた金属蒸気を液体ヘリウムや
液体窒素の温度に保つた基板に蒸着させて得るも
のである。 （発明が解決しようとする問題点） これらの手法のうち液体急冷法は、一般に(1)製
品の形状がリボン状または線状のものに制約さ
れ、肉厚のものは勿論所要の部分だけをアモルフ
アス化することができない、(2)急冷速度を制御す
ることが困難であるために、得られる製品の実用
範囲が狭く限定されている。 また、蒸着法は、液体急冷法の場合よりも更に
極薄の被膜よりなる製品しか製作できない上に、
その価格も極めて高いものである。 （問題点を解決するための手段） 本発明は水素を用いて化学反応によつてアモル
フアス金属を作製するもので、通常強固な水素化
物を形成するZrなどの単一金属にAlなどの元素
を加えて金属間化合物を形成させ、それに水素を
加えることによつてアモルフアス化させるもので
ある。 すなわち、本発明はZr3―Al又はZr2Al或はそ
の混合物よりなる金属間化合物を少くとも１気圧
以上の水素を含むガス中で加熱処理して水素を吸
蔵させることによつて金属間化合物をアモルフア
ス化させるもので、吸蔵条件の選定により任意の
十分厚いアモルフアスを作製できる方法である。 （作用） 本発明でいう金属間化合物とは、水素吸蔵能を
有するZr―Al合金であつて、具体的にはZr3Al、
Zr2Al或はそれらの混合物を言う。これらの金属
間化合物に水素を吸蔵させるには少くとも77℃〜
427℃（350K〜700K）に加熱処理すると水素は
急速に吸蔵されて、水素(H)とZr―Al系金属間化
合物とが反応し、Zr―Al―Ｈ系のアモルフアス
相が得られる。ここで水素の供給圧力は少くとも
１気圧以上が必要であり、水素圧が１気圧の水素
吸蔵温度範囲は77℃〜600℃（350K〜873K）で
ある。水素供給圧を１気圧以上に高めれば、水素
吸蔵温度は低くなり、吸蔵時間も短くてよい。ま
た水素吸蔵温度が低いと吸蔵時間は長くしなけれ
ばならないが、約15〜30分位の吸蔵時間でよい。
水素吸蔵時間を１気圧より相当あげると、15分以
下の吸蔵時間でもよいが、作業上の都合から15〜
30分位の吸蔵時間とするのが便宜であり、あまり
短い吸蔵時間とする作業上不便である。従つて、
作業上都合のよい時間を選び、これに対応して圧
力と温度の関係を定めるとよい。水素圧が１気圧
以下となると、水素吸蔵温度をあげ吸蔵時間も30
分を超えて長くしなければならないので、圧力、
温度及び時間の相関関係で選定するのがよい。 以下本発明の構成を、さらに図面に基づき詳細
に説明する。 第１図において、対象とするZr3Al、Zr2Al或
はその混合物よりなる水素吸蔵能のある金属間化
合物の結晶１をヒーター２を備える電気炉３によ
つて、水素を含むガス中（純H2ガス、Arガスな
どの不活性ガス＋H2ガス等）で、所定の温度に
加熱処理を施す。加熱温度及び加熱時間は金属間
化合物の種類・性質、アモルフアス化の条件等に
より変えることができる。この加熱処理によつて
結晶１に水素を吸蔵させ、この水素と他の原子
Zr、Al等との化学反応を利用してZr―Al―Ｈの
アモルフアス相を形成させる。この際、水素ガス
圧を高くし、結晶を微細化させることによつてア
モルフアス化を促進させることができる。また、
加熱温度の選定も重要であり、アモルフアスの結
晶化温度下で加熱温度を高くする方が水素を急速
に吸蔵させるために効果的である。 このようなアモルフアス用の形成に必要な水素
吸蔵の具体的条件をZr―Al合金に場合について
次表に示す。
【表】
また、アモルフアス相の厚さは雰囲気ガスの水
素圧とその吸蔵温度、吸蔵時間を適宜選択するこ
とによつて、自由に制御することができる。 （実施例） 実施例 １ 30at.％のアルミニウムをスポンジジルコンと
共にアーク溶接してZr―Al合金を作製した。こ
れを第１図に示す。この合金の平衡状態図を第２
図に示す。次いで放電加工機により0.2mm厚さに
切り出し、酢酸：過塩素酸＝９：１の混合液によ
つて電解研摩し、電顕用試料とした。この試料を
0.1MPaのAr＋10％H2の混合ガス雰囲気の電気
炉中で温度及び加熱時間を順次500℃×15分、550
℃×15分、600℃×10分の加熱処理を施して、試
料の水素吸蔵を行つた。試料は上記の処理の都
度、室温に炉冷して同一視野の電子顕微鏡観察を
繰り返した。その結果を第３図に示す。第３図の
ａは水素吸蔵前の組織写真であり、第３図ｂ，
ｃ，ｄは上記条件により加熱処理した後の組織写
真であり、Ａと印された結晶粒がZr2Alで、他は
Zr3Alである。この図から、水素吸蔵が進むにつ
れてZr3Al全体がアモルフアス化していくことが
判る。そして、Zr3Alの方がZr2Alよりも水素に
よるアモルフアス化の速度が早いことが第３図ｃ
及びｄの比較から結論できる。 実施例 ２ 実施例１と同様の方法でZr―Al合金（Zr―
Zr3Al、Zr3Al―Zr2Al）をそれぞれ電解研摩して
試料を作製し、１気圧のH2ガス雰囲気中で温度
197℃〜600℃、加熱時間15分〜30分の範囲で加熱
処理し、同一場所の電子顕微鏡観察の範囲で加熱
処理し、同一場所の電子顕微鏡観察をくり返し行
い、水素吸蔵による試料の変化を観察し、アモル
フアス化を確認した。 これら実施例の結果を要約すると、 Zr―Al合金はいずれも水素を吸蔵すること
により、安定な水素化物を形成せず、アモルフ
アス化する。 水素吸蔵を繰り返し行うことにより完全なア
モルフアス化が観察された。 アモルフアス化はZr3Alの方がZr2Alよりも
容易である。 アモルフアス化は試料エツジの薄い側から進
行し、また、粒界、異相界面、転位などの点
状、線状或は面状の格子欠陥に優先的に進行す
る。 アモルフアス化したZr―Al合金は、水素を
吸蔵し熱処理温度より高い温度での真空中単純
焼鈍では、何れも結晶化しなかつた。 （発明の効果） 本発明は水素吸蔵能のあるZr3Al、Zr2Al或は
その混合物よりなる金属間化合物の結晶が水素吸
蔵によつてアモルフアス化することを利用したも
のであり、吸蔵条件（圧力、温度、時間）を適当
に選定することにより十分厚い（１cmまたはそれ
以上）アモルフアス材を作製するこができる。本
発明の方法は従来のアモルフアス作製法では望み
得ない本発明方法独特のものである。 また本発明の方法では アモルフアス領域の厚さは水素の吸蔵条件を
制御することにより任意に制御できること、 アモルフアス化が材料の表面より進行するた
めに、他の手法で予め製品化した極めて複雑な
形状も含めて如何なる形状の材料でもアモルフ
アス化が可能であること、 形成されたアモルフアスが広い温度範囲に亘
つて安定であること、 これらアモルフアス材を粉砕することによつ
て極めて微細なアモルフアス粉末を作製できる
こと、 アモルフアス材をその結晶化温度以上に加熱
することによつて水素を放出した微細な合金粉
末を容易に作製するこができること、 アモルフアス材の結晶化温度が一定している
ことを用いればアモルフアス材を一定温度で水
素を放出させる水素吸蔵合金としても繰り返し
利用できること、 などの工業上大なる効果が期待できる。 従つて、本発明方法には次のような用途が考え
られる。 (1) 十分厚いアモルフアス材の作製 (2) 一度他の手法で製品となつた複雑形状なもの
の表面層または全体のアモルフアス化 (3) 超微細アモルフアス粉末の製造 (4) 一定温度で水素を放出できる固体による水素
吸蔵素子。
素圧とその吸蔵温度、吸蔵時間を適宜選択するこ
とによつて、自由に制御することができる。 （実施例） 実施例 １ 30at.％のアルミニウムをスポンジジルコンと
共にアーク溶接してZr―Al合金を作製した。こ
れを第１図に示す。この合金の平衡状態図を第２
図に示す。次いで放電加工機により0.2mm厚さに
切り出し、酢酸：過塩素酸＝９：１の混合液によ
つて電解研摩し、電顕用試料とした。この試料を
0.1MPaのAr＋10％H2の混合ガス雰囲気の電気
炉中で温度及び加熱時間を順次500℃×15分、550
℃×15分、600℃×10分の加熱処理を施して、試
料の水素吸蔵を行つた。試料は上記の処理の都
度、室温に炉冷して同一視野の電子顕微鏡観察を
繰り返した。その結果を第３図に示す。第３図の
ａは水素吸蔵前の組織写真であり、第３図ｂ，
ｃ，ｄは上記条件により加熱処理した後の組織写
真であり、Ａと印された結晶粒がZr2Alで、他は
Zr3Alである。この図から、水素吸蔵が進むにつ
れてZr3Al全体がアモルフアス化していくことが
判る。そして、Zr3Alの方がZr2Alよりも水素に
よるアモルフアス化の速度が早いことが第３図ｃ
及びｄの比較から結論できる。 実施例 ２ 実施例１と同様の方法でZr―Al合金（Zr―
Zr3Al、Zr3Al―Zr2Al）をそれぞれ電解研摩して
試料を作製し、１気圧のH2ガス雰囲気中で温度
197℃〜600℃、加熱時間15分〜30分の範囲で加熱
処理し、同一場所の電子顕微鏡観察の範囲で加熱
処理し、同一場所の電子顕微鏡観察をくり返し行
い、水素吸蔵による試料の変化を観察し、アモル
フアス化を確認した。 これら実施例の結果を要約すると、 Zr―Al合金はいずれも水素を吸蔵すること
により、安定な水素化物を形成せず、アモルフ
アス化する。 水素吸蔵を繰り返し行うことにより完全なア
モルフアス化が観察された。 アモルフアス化はZr3Alの方がZr2Alよりも
容易である。 アモルフアス化は試料エツジの薄い側から進
行し、また、粒界、異相界面、転位などの点
状、線状或は面状の格子欠陥に優先的に進行す
る。 アモルフアス化したZr―Al合金は、水素を
吸蔵し熱処理温度より高い温度での真空中単純
焼鈍では、何れも結晶化しなかつた。 （発明の効果） 本発明は水素吸蔵能のあるZr3Al、Zr2Al或は
その混合物よりなる金属間化合物の結晶が水素吸
蔵によつてアモルフアス化することを利用したも
のであり、吸蔵条件（圧力、温度、時間）を適当
に選定することにより十分厚い（１cmまたはそれ
以上）アモルフアス材を作製するこができる。本
発明の方法は従来のアモルフアス作製法では望み
得ない本発明方法独特のものである。 また本発明の方法では アモルフアス領域の厚さは水素の吸蔵条件を
制御することにより任意に制御できること、 アモルフアス化が材料の表面より進行するた
めに、他の手法で予め製品化した極めて複雑な
形状も含めて如何なる形状の材料でもアモルフ
アス化が可能であること、 形成されたアモルフアスが広い温度範囲に亘
つて安定であること、 これらアモルフアス材を粉砕することによつ
て極めて微細なアモルフアス粉末を作製できる
こと、 アモルフアス材をその結晶化温度以上に加熱
することによつて水素を放出した微細な合金粉
末を容易に作製するこができること、 アモルフアス材の結晶化温度が一定している
ことを用いればアモルフアス材を一定温度で水
素を放出させる水素吸蔵合金としても繰り返し
利用できること、 などの工業上大なる効果が期待できる。 従つて、本発明方法には次のような用途が考え
られる。 (1) 十分厚いアモルフアス材の作製 (2) 一度他の手法で製品となつた複雑形状なもの
の表面層または全体のアモルフアス化 (3) 超微細アモルフアス粉末の製造 (4) 一定温度で水素を放出できる固体による水素
吸蔵素子。
第１図は本発明実施例に用いる電気炉の概略
図、第２図は本発明実施例に用いるZr―Al合金
の平衡状態図、第３図ａ，ｂ，ｃ，ｄは本発明実
施例によるZr―Al合金の水素吸蔵前後における
電子顕微鏡写真による結晶の組織を示す電子顕微
鏡写真図である。 １…金属間化合物の結晶、２…ヒーター、３…
電気炉。
図、第２図は本発明実施例に用いるZr―Al合金
の平衡状態図、第３図ａ，ｂ，ｃ，ｄは本発明実
施例によるZr―Al合金の水素吸蔵前後における
電子顕微鏡写真による結晶の組織を示す電子顕微
鏡写真図である。 １…金属間化合物の結晶、２…ヒーター、３…
電気炉。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Zr3―Al又はZr2Al或はその混合物よりなる
金属間化合物を、少くとも１気圧以上の水素を含
むガス中で加熱処理して水素を吸蔵させアモルフ
アス相を形成することを特徴とする化学反応によ
る金属間化合物のアモルフアス化方法。 ２ 前記金属間化合物を77℃〜600℃の温度に加
熱処理して水素を吸蔵させる特許請求の範囲第１
項記載の化学反応による金属間化合物のアモルフ
アス化方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59191643A JPS6169931A (ja) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | 化学反応による金属間化合物のアモルフアス化方法 |
| US06/711,442 US4639363A (en) | 1984-09-14 | 1985-03-12 | Process for preparing amorphous phases of intermetallic compounds by a chemical reaction |
| EP85301794A EP0178034B1 (en) | 1984-09-14 | 1985-03-14 | Process for preparing amorphous of intermetallic compounds by a chemical reaction |
| DE8585301794T DE3568348D1 (en) | 1984-09-14 | 1985-03-14 | Process for preparing amorphous of intermetallic compounds by a chemical reaction |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59191643A JPS6169931A (ja) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | 化学反応による金属間化合物のアモルフアス化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6169931A JPS6169931A (ja) | 1986-04-10 |
| JPH0250968B2 true JPH0250968B2 (ja) | 1990-11-06 |
Family
ID=16278064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59191643A Granted JPS6169931A (ja) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | 化学反応による金属間化合物のアモルフアス化方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4639363A (ja) |
| EP (1) | EP0178034B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6169931A (ja) |
| DE (1) | DE3568348D1 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH665849A5 (de) * | 1986-05-29 | 1988-06-15 | Cendres & Metaux Sa | Verfahren zur herstellung amorpher legierungen. |
| AU620155B2 (en) * | 1988-10-15 | 1992-02-13 | Koji Hashimoto | Amorphous aluminum alloys |
| US5015305A (en) * | 1990-02-02 | 1991-05-14 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | High temperature hydrogenation of gamma titanium aluminide |
| JPH04362105A (ja) * | 1991-06-06 | 1992-12-15 | Nisshin Steel Co Ltd | 金属間化合物微粉末の製造方法 |
| JP2005350720A (ja) * | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Ykk Corp | 疲労強度に優れた非晶質合金 |
| TWI539918B (zh) | 2013-06-07 | 2016-07-01 | Cushion manufacturing method and its structure | |
| CN113025933B (zh) * | 2021-03-08 | 2022-03-08 | 燕山大学 | 一种金属间化合物强韧化异质结构锆合金及其制备方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA988748A (en) * | 1973-05-11 | 1976-05-11 | Donald J. Cameron | High strenght corrosion-resistant zirconium aluminum alloys |
| US4231816A (en) * | 1977-12-30 | 1980-11-04 | International Business Machines Corporation | Amorphous metallic and nitrogen containing alloy films |
| US4564396A (en) * | 1983-01-31 | 1986-01-14 | California Institute Of Technology | Formation of amorphous materials |
-
1984
- 1984-09-14 JP JP59191643A patent/JPS6169931A/ja active Granted
-
1985
- 1985-03-12 US US06/711,442 patent/US4639363A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-03-14 DE DE8585301794T patent/DE3568348D1/de not_active Expired
- 1985-03-14 EP EP85301794A patent/EP0178034B1/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6169931A (ja) | 1986-04-10 |
| EP0178034B1 (en) | 1989-02-22 |
| EP0178034A1 (en) | 1986-04-16 |
| US4639363A (en) | 1987-01-27 |
| DE3568348D1 (en) | 1989-03-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6010661A (en) | Method for producing hydrogen-containing sponge titanium, a hydrogen containing titanium-aluminum-based alloy powder and its method of production, and a titanium-aluminum-based alloy sinter and its method of production | |
| Chu et al. | Annealing-induced full amorphization in a multicomponent metallic film | |
| JPS6229388B2 (ja) | ||
| Chang et al. | Structure evolution in sputtered thin films of Ti x (Ni, Cu) 1− x I: Diffusive transformations | |
| JPH0250968B2 (ja) | ||
| Bowman, Jr | Preparation and properties of amorphous hydrides | |
| Sandrock | The metallurgy and production of rechargeable hydrides | |
| US4719077A (en) | Method for the preparation of an alloy of nickel and titanium | |
| EP0177110B1 (en) | Process for accelerating amorphization of intermetallic compounds by a chemical reaction using lattice defects | |
| US6764561B1 (en) | Palladium-boron alloys and methods for making and using such alloys | |
| Cadien et al. | Phase transformations in ion‐mixed metastable (GaSb) 1− x (Ge2) x semiconducting alloys | |
| El-Eskandarany | Amorphization process by rod-milling TixAl100− x and the effect of annealing | |
| US7381368B2 (en) | Palladium-boron alloys and methods for making and using such alloys | |
| US4797166A (en) | Method for producing an at least partly amorphous alloy piece | |
| JP4241123B2 (ja) | β‐ＦｅＳｉ２の製造方法 | |
| Jiang et al. | Pressure effect on crystallization temperature in Zr 70 Pd 30 metallic glass | |
| Suzuki et al. | CsCl-Type Order-Disorder Transition in δ-VMn Solid Solution | |
| JPH0471985B2 (ja) | ||
| JP2001270710A (ja) | クラスレート化合物の製造方法 | |
| JPS5928624B2 (ja) | 水素吸蔵用合金の製造法 | |
| Alexeeva et al. | Preparation of hydride-forming intermetallic films | |
| Wallace et al. | Crystallization study of the Ta 55–Ir 45 amorphous alloy | |
| Shikhmanter et al. | The crystallization of amorphous Dy-Cu thin films | |
| Schänzer et al. | AMORPHIZATION OF Nb-TM SYSTEMS BY MECHANICAL ALLOYING OF THE PURE METALS | |
| JPS5939493B2 (ja) | チタン−コバルト多元系水素吸蔵用合金 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |