JPH0250616A - トランジスタ駆動回路 - Google Patents
トランジスタ駆動回路Info
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- JPH0250616A JPH0250616A JP63202334A JP20233488A JPH0250616A JP H0250616 A JPH0250616 A JP H0250616A JP 63202334 A JP63202334 A JP 63202334A JP 20233488 A JP20233488 A JP 20233488A JP H0250616 A JPH0250616 A JP H0250616A
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- JP
- Japan
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- transistor
- pulse transformer
- resistor
- primary winding
- winding
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Links
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 5
- 101150085452 IPT1 gene Proteins 0.000 abstract 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 101100235549 Caenorhabditis elegans lin-53 gene Proteins 0.000 description 1
- HEFNNWSXXWATRW-UHFFFAOYSA-N Ibuprofen Chemical compound CC(C)CC1=CC=C(C(C)C(O)=O)C=C1 HEFNNWSXXWATRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
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- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野J
本発明は、トランジスタをパルストランス等を用いて駆
動するトランジスタ駆動回路に関するものである。
動するトランジスタ駆動回路に関するものである。
[従来の技術]
第6図は従来のトランジスタ駆動回路の具体回路図であ
る。直流電源Vceの出力端には、コンデンサCIと抵
抗R3との並列回路と、パルストランスPTの1大巻M
nlと、トランジスタQ2との直列回路が接続しである
。このパルストランスPTの2 次S線n2はトランジ
スタQ、のベース・エミッタ間と並列に接続してあり、
パルストランスPTの3大巻#In、の一燈はトランジ
スタQ1のエミッタに接続しである。
る。直流電源Vceの出力端には、コンデンサCIと抵
抗R3との並列回路と、パルストランスPTの1大巻M
nlと、トランジスタQ2との直列回路が接続しである
。このパルストランスPTの2 次S線n2はトランジ
スタQ、のベース・エミッタ間と並列に接続してあり、
パルストランスPTの3大巻#In、の一燈はトランジ
スタQ1のエミッタに接続しである。
第7図は従来例を説明するためのトランジスタQ1を用
いた基本回路例であり、交流電源1をダイオードブリッ
ジDBで整流し、トランジスタQ、を介してコイル上1
ダイオードD1コンデンサC等にて平滑し、負荷2に電
源を供給するようになっている。また、抵抗Rsの両端
には制御回路3が接続されている。尚、トランジスタQ
、のコレクタ電流は漸増電流である。第8図は第6図の
通常時の動作波形図である。
いた基本回路例であり、交流電源1をダイオードブリッ
ジDBで整流し、トランジスタQ、を介してコイル上1
ダイオードD1コンデンサC等にて平滑し、負荷2に電
源を供給するようになっている。また、抵抗Rsの両端
には制御回路3が接続されている。尚、トランジスタQ
、のコレクタ電流は漸増電流である。第8図は第6図の
通常時の動作波形図である。
第8図の(3点はトランジスタQ2がオンした瞬間で、
同図(b)に示すようにパルストランスPTの1大巻#
in+に急峻な電流If’TIが流れ、2次巻線n2に
トランジスタQ、を逆バイアスする方向に電圧を発生さ
せ、トランジスタQ、をオフしている。この急峻な電流
IPTIが流れた後も、同図のjzJαまではトランジ
スタQ2はオン状態であるので、電流I PT+(=
I C02)は流れ続け、パルストランスPTにエネル
ギーが蓄積される。尚、Ic02はトランジスタQ、の
コレクタ電流である。t2でトランジスタQ2がオフと
なると、パルストランスPTの1次巻線n1に逆起電圧
が発生し、トランジスタQ、を順バイアスする方向にパ
ルストランスPTの2次巻線n2に電圧を発生させる。
同図(b)に示すようにパルストランスPTの1大巻#
in+に急峻な電流If’TIが流れ、2次巻線n2に
トランジスタQ、を逆バイアスする方向に電圧を発生さ
せ、トランジスタQ、をオフしている。この急峻な電流
IPTIが流れた後も、同図のjzJαまではトランジ
スタQ2はオン状態であるので、電流I PT+(=
I C02)は流れ続け、パルストランスPTにエネル
ギーが蓄積される。尚、Ic02はトランジスタQ、の
コレクタ電流である。t2でトランジスタQ2がオフと
なると、パルストランスPTの1次巻線n1に逆起電圧
が発生し、トランジスタQ、を順バイアスする方向にパ
ルストランスPTの2次巻線n2に電圧を発生させる。
トランジスタQ1のオン時のベース電mIB。
は次のようになる。すなわち、パルストランスPTの2
大巻#in2+:(次巻線n、の巻数を夫々n21n:
lとすると、通常、 I Bol ” (n3/n2)T Cotのコレ
クタ電流IC0Iに比例したベース電流rBa−2が流
れる(第8図(cl))、尚、上記のr11/n2は通
常トランジスタの直流増幅率hfeに設定され、このh
reに応じたIBOIを提供できる。しかし、実際には
、トランジスタQ2がオフし、トランジスタQ、がオン
した時、パルストランスPTの1次巻線n、の蓄積エネ
ルギーが2次巻41n2に伝達され、それらによるベー
ス電流Iaa+−+(第8図(C))が合成されるため
、トランジスタQ1のベース電流lBO3は第8図の(
e)と(d)の合成された(e)のような波形の電流が
流れることになる。尚、第8図(a)はトランジスタQ
2のコレクタ・エミッタ間の電圧VCEO2であり、ま
た、同図Cf>はトランジスタQ、のコレクタ電流IC
0Iを示している。
大巻#in2+:(次巻線n、の巻数を夫々n21n:
lとすると、通常、 I Bol ” (n3/n2)T Cotのコレ
クタ電流IC0Iに比例したベース電流rBa−2が流
れる(第8図(cl))、尚、上記のr11/n2は通
常トランジスタの直流増幅率hfeに設定され、このh
reに応じたIBOIを提供できる。しかし、実際には
、トランジスタQ2がオフし、トランジスタQ、がオン
した時、パルストランスPTの1次巻線n、の蓄積エネ
ルギーが2次巻41n2に伝達され、それらによるベー
ス電流Iaa+−+(第8図(C))が合成されるため
、トランジスタQ1のベース電流lBO3は第8図の(
e)と(d)の合成された(e)のような波形の電流が
流れることになる。尚、第8図(a)はトランジスタQ
2のコレクタ・エミッタ間の電圧VCEO2であり、ま
た、同図Cf>はトランジスタQ、のコレクタ電流IC
0Iを示している。
第7図の抵抗Rsは負荷電流検出用であり、制御回路3
で抵抗Rsの両端電圧を検出し、トランジスタQ、のオ
ンデユーテイを制御している。
で抵抗Rsの両端電圧を検出し、トランジスタQ、のオ
ンデユーテイを制御している。
例えば、負荷電流が通常より増加すると、制御回路3を
介して第6図のトランジスタQ2のオン時間は通常より
長くなる。トランジスタQ2がオンの間は、トランジス
タQ1はオフの状態を継続するので、トランジスタQ、
のオン時開は通常より短くなる。第9図にこのタイムチ
ャートを示している。トランジスタQ2のオン時開が長
くなると、パルストランスPTの1大巻@ n 、に流
れる電流IPT+も第9図(b)に示すように徐々に増
加していき、パルストランスPTに蓄積されるエネルギ
ーはそれだけ大きくなり、第8図(c)に示すトランジ
スタQ1のベース電流I Bol−+も大となる。その
ため、トランジスタQ、のベース電流IBOIが大きく
なり、オーバードライブとなり、トランジスタQ1のロ
スが大きくなる。
介して第6図のトランジスタQ2のオン時間は通常より
長くなる。トランジスタQ2がオンの間は、トランジス
タQ1はオフの状態を継続するので、トランジスタQ、
のオン時開は通常より短くなる。第9図にこのタイムチ
ャートを示している。トランジスタQ2のオン時開が長
くなると、パルストランスPTの1大巻@ n 、に流
れる電流IPT+も第9図(b)に示すように徐々に増
加していき、パルストランスPTに蓄積されるエネルギ
ーはそれだけ大きくなり、第8図(c)に示すトランジ
スタQ1のベース電流I Bol−+も大となる。その
ため、トランジスタQ、のベース電流IBOIが大きく
なり、オーバードライブとなり、トランジスタQ1のロ
スが大きくなる。
パルストランスPTに蓄積されるエネルギーを小さくす
る手段として、@6図の抵抗R8の値を大きくして、パ
ルストランスPTの1大巻#in。
る手段として、@6図の抵抗R8の値を大きくして、パ
ルストランスPTの1大巻#in。
に流れる電流IPTIを小さくするという考え方ができ
る。しかしながら、この方法によると、トランジスタQ
、をオフするためのエネルギーも小さくなる。つまり、
第8図(b)に示すY部のエネルギーは小さくなるが、
X部のエネルギーも小さくなる。
る。しかしながら、この方法によると、トランジスタQ
、をオフするためのエネルギーも小さくなる。つまり、
第8図(b)に示すY部のエネルギーは小さくなるが、
X部のエネルギーも小さくなる。
[発明が解決しようとする課題1
本発明は、上述の煮に鑑みて提供したものであって、ト
ランジスタのオンデユーテイが短くなることにより、オ
ーバードライブとなることを防止することを目的とした
トランジスタ駆動回路を提供するものである。
ランジスタのオンデユーテイが短くなることにより、オ
ーバードライブとなることを防止することを目的とした
トランジスタ駆動回路を提供するものである。
(課題を解決するための手段1
本発明は、パルストランスの1次巻線に蓄積されるエネ
ルギーが一定以上にならないように制御する制御手段を
設けたものである。
ルギーが一定以上にならないように制御する制御手段を
設けたものである。
[作用]
制御手段によりパルストランスの1次巻線に蓄積される
エネルギーを一定以上にならないようにしている。
エネルギーを一定以上にならないようにしている。
(実施例1)
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。本発
明は、トランジスタをオンするためのエネルギーを必要
以上にパルストランスに蓄積させないようにパルストラ
ンスの1次巻線に流れる電流を制限するようにしたもの
であり、第1図に具体回路図を、第2図はタイムチャー
トを夫々示しでいる。l$1図において、従来の回路構
成に抵抗R2とスイッチ要素であるスイッチSとの並列
回路を、抵抗R8に直列に接続し、このスイッチSを制
御する制御回路10を付加している。尚、上記抵抗R2
とスイッチSとでパルストランスPTの1次@ #i
n 、に流れる電流を制限する制御手段を構成している
。第2図(、)はトランジスタQ2のコレクタ・エミッ
タ開電圧vlJ!o2を、同図(b)はパルストランス
PTの1次巻線n、の電流IPT+を、同図(e)はト
ランジスタQ1のベース電流1 no1ヲ、同図(d)
はトランジスタQ、のコレクタ電流10口を夫々示して
いる。
明は、トランジスタをオンするためのエネルギーを必要
以上にパルストランスに蓄積させないようにパルストラ
ンスの1次巻線に流れる電流を制限するようにしたもの
であり、第1図に具体回路図を、第2図はタイムチャー
トを夫々示しでいる。l$1図において、従来の回路構
成に抵抗R2とスイッチ要素であるスイッチSとの並列
回路を、抵抗R8に直列に接続し、このスイッチSを制
御する制御回路10を付加している。尚、上記抵抗R2
とスイッチSとでパルストランスPTの1次@ #i
n 、に流れる電流を制限する制御手段を構成している
。第2図(、)はトランジスタQ2のコレクタ・エミッ
タ開電圧vlJ!o2を、同図(b)はパルストランス
PTの1次巻線n、の電流IPT+を、同図(e)はト
ランジスタQ1のベース電流1 no1ヲ、同図(d)
はトランジスタQ、のコレクタ電流10口を夫々示して
いる。
第2図のし3点はトランジスタQ2がオンした瞬間であ
り、パルストランスPTの1次巻線n1に急峻な電流が
流れ、トランジスタQ1のオフの電流となる。その後も
トランジスタQ2がオン状態を継続すると、電流I P
T、(= I co2)が流れ続け、パルストランスP
Tにエネルギーが181される。
り、パルストランスPTの1次巻線n1に急峻な電流が
流れ、トランジスタQ1のオフの電流となる。その後も
トランジスタQ2がオン状態を継続すると、電流I P
T、(= I co2)が流れ続け、パルストランスP
Tにエネルギーが181される。
ある時間以上トランジスタQ2のオン状態が続くと、第
1図のスイッチSがオフとなる(第2図のt、i、)、
すると、抵抗R2が抵抗R8に直列に接続されることに
なるため、パルストランスPTの1次巻線n、に流れる
電流IPT+が減少し、パルストランスPTに蓄積され
るエネルギーは制限されることになる。尚、通常状態に
おいては、スイッチSはオンとなっていて、抵抗R2を
短絡している。
1図のスイッチSがオフとなる(第2図のt、i、)、
すると、抵抗R2が抵抗R8に直列に接続されることに
なるため、パルストランスPTの1次巻線n、に流れる
電流IPT+が減少し、パルストランスPTに蓄積され
るエネルギーは制限されることになる。尚、通常状態に
おいては、スイッチSはオンとなっていて、抵抗R2を
短絡している。
制御回路10は2つの汎用のタイマーIC,。
IC2(例えば、NEC社製μPCl555)と、オア
デー)G1等から構成されており、上記スイッチSの開
閉の制御を行なう。このタイマーIC。
デー)G1等から構成されており、上記スイッチSの開
閉の制御を行なう。このタイマーIC。
は、2番ビンの入力がVccの1/3より低くなると抵
抗RT+及びコンデンサCT、で決まる時間だけ3番ビ
ンの出力がHレベルとなる。他方のタイマー I CZ
も同様である。第3図は第1図の制御回路10のタイム
チャートを示し、A−Dは夫々対応した波形である。タ
イマーIC1の出力波形は、第3図(c)に示すように
インバータI、の出力のA′の立ち下がりの点から時間
tBだけHレベルとなる。この時間1.は抵抗RTIと
コンデンサCT。
抗RT+及びコンデンサCT、で決まる時間だけ3番ビ
ンの出力がHレベルとなる。他方のタイマー I CZ
も同様である。第3図は第1図の制御回路10のタイム
チャートを示し、A−Dは夫々対応した波形である。タ
イマーIC1の出力波形は、第3図(c)に示すように
インバータI、の出力のA′の立ち下がりの点から時間
tBだけHレベルとなる。この時間1.は抵抗RTIと
コンデンサCT。
とで決まる。
オアデー) G +の出力Cは、A’ 、Bのいずれも
Lレベルの時のみ、Lレベルとなる。オアデートG、の
出力CはタイマーIC2の入力となり、タイマーIC,
と同じ動作をし、タイマーIC2の出力は、第3図のし
1点より、時間toだけHレベルとなる。つまり、トラ
ンジスタQ2のオン時間がタイマーIC3の動作時間t
8より短い場合には、第3図(e)に示すようにタイマ
ー■C2の出力りはLレベルであり、スイッチSは閉成
状態を維持する。そして、第3図(a)に示すように、
トランジスタQ2のオン状態が、第3図(C)に示すよ
うに時開1Bより長くなると、同図(e)に示すように
タイマーIC,の出力Bの立ち下がりでタイマーIC2
にトリ〃信号が入り、タイマーIC2のHレベルの信号
により時間tDだけスイッチSをオフにする。このしD
の時間はトランジスタQ、がオンするまでにスイッチS
がオフからオンになるように設定しである。従って、時
刻し、から、同図(f)に示すようにパルストランスP
Tの1次巻線n、に流れる電mIpy+は減少し、トラ
ンジスタQ、のベース電流IBOIは同図(g)のよう
になる。尚、スイッチSはトランジスタ、サイリスク等
の素子でも、また、リレーを用いてもよい。
Lレベルの時のみ、Lレベルとなる。オアデートG、の
出力CはタイマーIC2の入力となり、タイマーIC,
と同じ動作をし、タイマーIC2の出力は、第3図のし
1点より、時間toだけHレベルとなる。つまり、トラ
ンジスタQ2のオン時間がタイマーIC3の動作時間t
8より短い場合には、第3図(e)に示すようにタイマ
ー■C2の出力りはLレベルであり、スイッチSは閉成
状態を維持する。そして、第3図(a)に示すように、
トランジスタQ2のオン状態が、第3図(C)に示すよ
うに時開1Bより長くなると、同図(e)に示すように
タイマーIC,の出力Bの立ち下がりでタイマーIC2
にトリ〃信号が入り、タイマーIC2のHレベルの信号
により時間tDだけスイッチSをオフにする。このしD
の時間はトランジスタQ、がオンするまでにスイッチS
がオフからオンになるように設定しである。従って、時
刻し、から、同図(f)に示すようにパルストランスP
Tの1次巻線n、に流れる電mIpy+は減少し、トラ
ンジスタQ、のベース電流IBOIは同図(g)のよう
になる。尚、スイッチSはトランジスタ、サイリスク等
の素子でも、また、リレーを用いてもよい。
このように構成することにより、トランジスタQ2があ
る時間以上オン状態が継続されると、スイッチSがオフ
となり、パルストランスPTの1次巻線n、の電流IP
T+が制限され、トランジスタQ、のベース電流IBO
Iがオーバードライブとなることを防止することができ
る。
る時間以上オン状態が継続されると、スイッチSがオフ
となり、パルストランスPTの1次巻線n、の電流IP
T+が制限され、トランジスタQ、のベース電流IBO
Iがオーバードライブとなることを防止することができ
る。
(実施例2)
第4図は実施例2を示し、直流電源VccにスイッチS
を直列に設け、第1図の実施例と同じ制御回路10でス
イッチSをオンオフし、パルストランスPTの1次巻線
n1の電流IPTIを制限するようにしている。
を直列に設け、第1図の実施例と同じ制御回路10でス
イッチSをオンオフし、パルストランスPTの1次巻線
n1の電流IPTIを制限するようにしている。
(実施例3)
第5図は実施例3を示し、パルストランスPTの1大巻
#in+に並列に抵抗R2とスイッチSの直列回路を接
続したものである。この実施例は、ある時間以上トラン
ジスタQ2のオン状態が継続すると、スイッチSがオン
となり、パルストランスPTの1次巻線n+の電流I
PT+を制限するようにしている。また、この実施例に
おいて、スイッチSをと9抵抗のみでも良(、トランジ
スタQのベースドライブを制限しつつ、且つトランジス
タQ1をオフさせるエネルギーを減少させずにドライブ
させることができるものである。
#in+に並列に抵抗R2とスイッチSの直列回路を接
続したものである。この実施例は、ある時間以上トラン
ジスタQ2のオン状態が継続すると、スイッチSがオン
となり、パルストランスPTの1次巻線n+の電流I
PT+を制限するようにしている。また、この実施例に
おいて、スイッチSをと9抵抗のみでも良(、トランジ
スタQのベースドライブを制限しつつ、且つトランジス
タQ1をオフさせるエネルギーを減少させずにドライブ
させることができるものである。
〔発明の効果]
本発明は上述のように、パルストランスの1次巻線に蓄
積されるエネルギーが一定以上にならないように制御す
る制御手段を設けたものであるから、この制御手段によ
りパルストランスの1次巻線に蓄積されるエネルギーを
一定以上にならないようにすることができ、トランジス
タのオフエネルギーを減少させずにオーバードライブを
防ぐことができる効果を奏するものである。
積されるエネルギーが一定以上にならないように制御す
る制御手段を設けたものであるから、この制御手段によ
りパルストランスの1次巻線に蓄積されるエネルギーを
一定以上にならないようにすることができ、トランジス
タのオフエネルギーを減少させずにオーバードライブを
防ぐことができる効果を奏するものである。
また、制御手段として第2の抵抗とスイッチ要素との並
列回路で構成し、該並列回路を上記第1の抵抗に直列に
接続し、所定の期間経過後にスイッチ要素を11!!處
することで、ある一定期間パルストランスの1次巻線に
流れる電流を制限することができ、トランジスタのオー
バードライブを防止することができる。
列回路で構成し、該並列回路を上記第1の抵抗に直列に
接続し、所定の期間経過後にスイッチ要素を11!!處
することで、ある一定期間パルストランスの1次巻線に
流れる電流を制限することができ、トランジスタのオー
バードライブを防止することができる。
また、制御手段として第3の抵抗とスイッチ要素との直
列回路とで構成し、この直列回路をパルストランスの1
次巻線の両端に並列に接続し、所定の期間経過後にスイ
ッチ要素を開成することで、ある一定期間パルストラン
スの1次巻線に流れる電流を制限することができて、ト
ランジスタのオーバードライブを防止することができる
。
列回路とで構成し、この直列回路をパルストランスの1
次巻線の両端に並列に接続し、所定の期間経過後にスイ
ッチ要素を開成することで、ある一定期間パルストラン
スの1次巻線に流れる電流を制限することができて、ト
ランジスタのオーバードライブを防止することができる
。
第1図は本発明の実施例の具体回路図、第2図は同上の
タイムチャート、第3図は同上のタイムチャート、第4
図は同上の実施例2の具体回路図、第5図は同上の実施
例3の具体回路図、第6図は従来例の具体回路図、第7
図は同上の回路図、第8図は同上のタイムチャート、第
9図は同上のタイムチャートである。 Q、はトランジスタ、PTはパルストランス、n、は1
次巻線、R2は2次巻線、n、は3次巻線、R1は第1
の抵抗、R2は第2の抵抗、Vccは直流電源である。 代理人 弁理士 石 1)長 七
タイムチャート、第3図は同上のタイムチャート、第4
図は同上の実施例2の具体回路図、第5図は同上の実施
例3の具体回路図、第6図は従来例の具体回路図、第7
図は同上の回路図、第8図は同上のタイムチャート、第
9図は同上のタイムチャートである。 Q、はトランジスタ、PTはパルストランス、n、は1
次巻線、R2は2次巻線、n、は3次巻線、R1は第1
の抵抗、R2は第2の抵抗、Vccは直流電源である。 代理人 弁理士 石 1)長 七
Claims (3)
- (1)直流電源出力端に少なくともコンデンサと第1の
抵抗との並列回路と、パルストランスの1次巻線と、ス
イッチング素子とからなる直列回路を接続し、上記パル
ストランスの2次巻線の出力端をトランジスタのベース
・エミッタ間に接続し、パルストランスの3次巻線の一
端をトランジスタのエミッタに接続して、該3次巻線に
上記トランジスタのコレクタ電流が流れるようにしたト
ランジスタ駆動回路であって、上記スイッチング素子の
オン期間にはパルストランスの2次巻線の両端にトラン
ジスタと逆バイアスされる方向に電圧を発生させるよう
に2次巻線を1次巻線に対して巻装し、トランジスタが
オンの期間、3次巻線に流れるコレクタ電流に比例した
ベース電流をトランジスタに供給するようにしたトラン
ジスタ駆動回路において、上記パルストランスの1次巻
線に蓄積されるエネルギーが一定以上にならないように
制御する制御手段を設けて成ることを特徴とするトラン
ジスタ駆動回路。 - (2)制御手段として第2の抵抗とスイッチ要素との並
列回路で構成し、該並列回路を上記第1の抵抗に直列に
接続し、所定の期間経過後にスイッチ要素を開成するよ
うにした請求項1記載のトランジスタ駆動回路。 - (3)制御手段として第3の抵抗とスイッチ要素との直
列回路とで構成し、この直列回路をパルストランスの1
次巻線の両端に並列に後続し、所定の期間経過後にスイ
ッチ要素を開成するするようにした請求項1記載のトラ
ンジスタ駆動回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63202334A JPH0250616A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | トランジスタ駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63202334A JPH0250616A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | トランジスタ駆動回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0250616A true JPH0250616A (ja) | 1990-02-20 |
Family
ID=16455830
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63202334A Pending JPH0250616A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | トランジスタ駆動回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0250616A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08502515A (ja) * | 1992-10-27 | 1996-03-19 | ストール、リサーチ、エンド、ディベロプメント、コーポレーション | 抗炎症因子、単離法および使用 |
US6107860A (en) * | 1991-12-11 | 2000-08-22 | Vlt Corporation | High efficiency floating gate driver circuit using leakage-inductance transformer |
-
1988
- 1988-08-12 JP JP63202334A patent/JPH0250616A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6107860A (en) * | 1991-12-11 | 2000-08-22 | Vlt Corporation | High efficiency floating gate driver circuit using leakage-inductance transformer |
JPH08502515A (ja) * | 1992-10-27 | 1996-03-19 | ストール、リサーチ、エンド、ディベロプメント、コーポレーション | 抗炎症因子、単離法および使用 |
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