JPH0250616A - トランジスタ駆動回路 - Google Patents

トランジスタ駆動回路

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Publication number
JPH0250616A
JPH0250616A JP63202334A JP20233488A JPH0250616A JP H0250616 A JPH0250616 A JP H0250616A JP 63202334 A JP63202334 A JP 63202334A JP 20233488 A JP20233488 A JP 20233488A JP H0250616 A JPH0250616 A JP H0250616A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
pulse transformer
resistor
primary winding
winding
Prior art date
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Pending
Application number
JP63202334A
Other languages
English (en)
Inventor
Noriyuki Fukumori
福盛 律之
Masaaki Uchihashi
聖明 内橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Priority to JP63202334A priority Critical patent/JPH0250616A/ja
Publication of JPH0250616A publication Critical patent/JPH0250616A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野J 本発明は、トランジスタをパルストランス等を用いて駆
動するトランジスタ駆動回路に関するものである。
[従来の技術] 第6図は従来のトランジスタ駆動回路の具体回路図であ
る。直流電源Vceの出力端には、コンデンサCIと抵
抗R3との並列回路と、パルストランスPTの1大巻M
nlと、トランジスタQ2との直列回路が接続しである
。このパルストランスPTの2 次S線n2はトランジ
スタQ、のベース・エミッタ間と並列に接続してあり、
パルストランスPTの3大巻#In、の一燈はトランジ
スタQ1のエミッタに接続しである。
第7図は従来例を説明するためのトランジスタQ1を用
いた基本回路例であり、交流電源1をダイオードブリッ
ジDBで整流し、トランジスタQ、を介してコイル上1
ダイオードD1コンデンサC等にて平滑し、負荷2に電
源を供給するようになっている。また、抵抗Rsの両端
には制御回路3が接続されている。尚、トランジスタQ
、のコレクタ電流は漸増電流である。第8図は第6図の
通常時の動作波形図である。
第8図の(3点はトランジスタQ2がオンした瞬間で、
同図(b)に示すようにパルストランスPTの1大巻#
in+に急峻な電流If’TIが流れ、2次巻線n2に
トランジスタQ、を逆バイアスする方向に電圧を発生さ
せ、トランジスタQ、をオフしている。この急峻な電流
IPTIが流れた後も、同図のjzJαまではトランジ
スタQ2はオン状態であるので、電流I PT+(= 
I C02)は流れ続け、パルストランスPTにエネル
ギーが蓄積される。尚、Ic02はトランジスタQ、の
コレクタ電流である。t2でトランジスタQ2がオフと
なると、パルストランスPTの1次巻線n1に逆起電圧
が発生し、トランジスタQ、を順バイアスする方向にパ
ルストランスPTの2次巻線n2に電圧を発生させる。
トランジスタQ1のオン時のベース電mIB。
は次のようになる。すなわち、パルストランスPTの2
大巻#in2+:(次巻線n、の巻数を夫々n21n:
lとすると、通常、 I  Bol ” (n3/n2)T  Cotのコレ
クタ電流IC0Iに比例したベース電流rBa−2が流
れる(第8図(cl))、尚、上記のr11/n2は通
常トランジスタの直流増幅率hfeに設定され、このh
reに応じたIBOIを提供できる。しかし、実際には
、トランジスタQ2がオフし、トランジスタQ、がオン
した時、パルストランスPTの1次巻線n、の蓄積エネ
ルギーが2次巻41n2に伝達され、それらによるベー
ス電流Iaa+−+(第8図(C))が合成されるため
、トランジスタQ1のベース電流lBO3は第8図の(
e)と(d)の合成された(e)のような波形の電流が
流れることになる。尚、第8図(a)はトランジスタQ
2のコレクタ・エミッタ間の電圧VCEO2であり、ま
た、同図Cf>はトランジスタQ、のコレクタ電流IC
0Iを示している。
第7図の抵抗Rsは負荷電流検出用であり、制御回路3
で抵抗Rsの両端電圧を検出し、トランジスタQ、のオ
ンデユーテイを制御している。
例えば、負荷電流が通常より増加すると、制御回路3を
介して第6図のトランジスタQ2のオン時間は通常より
長くなる。トランジスタQ2がオンの間は、トランジス
タQ1はオフの状態を継続するので、トランジスタQ、
のオン時開は通常より短くなる。第9図にこのタイムチ
ャートを示している。トランジスタQ2のオン時開が長
くなると、パルストランスPTの1大巻@ n 、に流
れる電流IPT+も第9図(b)に示すように徐々に増
加していき、パルストランスPTに蓄積されるエネルギ
ーはそれだけ大きくなり、第8図(c)に示すトランジ
スタQ1のベース電流I Bol−+も大となる。その
ため、トランジスタQ、のベース電流IBOIが大きく
なり、オーバードライブとなり、トランジスタQ1のロ
スが大きくなる。
パルストランスPTに蓄積されるエネルギーを小さくす
る手段として、@6図の抵抗R8の値を大きくして、パ
ルストランスPTの1大巻#in。
に流れる電流IPTIを小さくするという考え方ができ
る。しかしながら、この方法によると、トランジスタQ
、をオフするためのエネルギーも小さくなる。つまり、
第8図(b)に示すY部のエネルギーは小さくなるが、
X部のエネルギーも小さくなる。
[発明が解決しようとする課題1 本発明は、上述の煮に鑑みて提供したものであって、ト
ランジスタのオンデユーテイが短くなることにより、オ
ーバードライブとなることを防止することを目的とした
トランジスタ駆動回路を提供するものである。
(課題を解決するための手段1 本発明は、パルストランスの1次巻線に蓄積されるエネ
ルギーが一定以上にならないように制御する制御手段を
設けたものである。
[作用] 制御手段によりパルストランスの1次巻線に蓄積される
エネルギーを一定以上にならないようにしている。
(実施例1) 以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。本発
明は、トランジスタをオンするためのエネルギーを必要
以上にパルストランスに蓄積させないようにパルストラ
ンスの1次巻線に流れる電流を制限するようにしたもの
であり、第1図に具体回路図を、第2図はタイムチャー
トを夫々示しでいる。l$1図において、従来の回路構
成に抵抗R2とスイッチ要素であるスイッチSとの並列
回路を、抵抗R8に直列に接続し、このスイッチSを制
御する制御回路10を付加している。尚、上記抵抗R2
とスイッチSとでパルストランスPTの1次@ #i 
n 、に流れる電流を制限する制御手段を構成している
。第2図(、)はトランジスタQ2のコレクタ・エミッ
タ開電圧vlJ!o2を、同図(b)はパルストランス
PTの1次巻線n、の電流IPT+を、同図(e)はト
ランジスタQ1のベース電流1 no1ヲ、同図(d)
はトランジスタQ、のコレクタ電流10口を夫々示して
いる。
第2図のし3点はトランジスタQ2がオンした瞬間であ
り、パルストランスPTの1次巻線n1に急峻な電流が
流れ、トランジスタQ1のオフの電流となる。その後も
トランジスタQ2がオン状態を継続すると、電流I P
T、(= I co2)が流れ続け、パルストランスP
Tにエネルギーが181される。
ある時間以上トランジスタQ2のオン状態が続くと、第
1図のスイッチSがオフとなる(第2図のt、i、)、
すると、抵抗R2が抵抗R8に直列に接続されることに
なるため、パルストランスPTの1次巻線n、に流れる
電流IPT+が減少し、パルストランスPTに蓄積され
るエネルギーは制限されることになる。尚、通常状態に
おいては、スイッチSはオンとなっていて、抵抗R2を
短絡している。
制御回路10は2つの汎用のタイマーIC,。
IC2(例えば、NEC社製μPCl555)と、オア
デー)G1等から構成されており、上記スイッチSの開
閉の制御を行なう。このタイマーIC。
は、2番ビンの入力がVccの1/3より低くなると抵
抗RT+及びコンデンサCT、で決まる時間だけ3番ビ
ンの出力がHレベルとなる。他方のタイマー I CZ
も同様である。第3図は第1図の制御回路10のタイム
チャートを示し、A−Dは夫々対応した波形である。タ
イマーIC1の出力波形は、第3図(c)に示すように
インバータI、の出力のA′の立ち下がりの点から時間
tBだけHレベルとなる。この時間1.は抵抗RTIと
コンデンサCT。
とで決まる。
オアデー) G +の出力Cは、A’ 、Bのいずれも
Lレベルの時のみ、Lレベルとなる。オアデートG、の
出力CはタイマーIC2の入力となり、タイマーIC,
と同じ動作をし、タイマーIC2の出力は、第3図のし
1点より、時間toだけHレベルとなる。つまり、トラ
ンジスタQ2のオン時間がタイマーIC3の動作時間t
8より短い場合には、第3図(e)に示すようにタイマ
ー■C2の出力りはLレベルであり、スイッチSは閉成
状態を維持する。そして、第3図(a)に示すように、
トランジスタQ2のオン状態が、第3図(C)に示すよ
うに時開1Bより長くなると、同図(e)に示すように
タイマーIC,の出力Bの立ち下がりでタイマーIC2
にトリ〃信号が入り、タイマーIC2のHレベルの信号
により時間tDだけスイッチSをオフにする。このしD
の時間はトランジスタQ、がオンするまでにスイッチS
がオフからオンになるように設定しである。従って、時
刻し、から、同図(f)に示すようにパルストランスP
Tの1次巻線n、に流れる電mIpy+は減少し、トラ
ンジスタQ、のベース電流IBOIは同図(g)のよう
になる。尚、スイッチSはトランジスタ、サイリスク等
の素子でも、また、リレーを用いてもよい。
このように構成することにより、トランジスタQ2があ
る時間以上オン状態が継続されると、スイッチSがオフ
となり、パルストランスPTの1次巻線n、の電流IP
T+が制限され、トランジスタQ、のベース電流IBO
Iがオーバードライブとなることを防止することができ
る。
(実施例2) 第4図は実施例2を示し、直流電源VccにスイッチS
を直列に設け、第1図の実施例と同じ制御回路10でス
イッチSをオンオフし、パルストランスPTの1次巻線
n1の電流IPTIを制限するようにしている。
(実施例3) 第5図は実施例3を示し、パルストランスPTの1大巻
#in+に並列に抵抗R2とスイッチSの直列回路を接
続したものである。この実施例は、ある時間以上トラン
ジスタQ2のオン状態が継続すると、スイッチSがオン
となり、パルストランスPTの1次巻線n+の電流I 
PT+を制限するようにしている。また、この実施例に
おいて、スイッチSをと9抵抗のみでも良(、トランジ
スタQのベースドライブを制限しつつ、且つトランジス
タQ1をオフさせるエネルギーを減少させずにドライブ
させることができるものである。
〔発明の効果] 本発明は上述のように、パルストランスの1次巻線に蓄
積されるエネルギーが一定以上にならないように制御す
る制御手段を設けたものであるから、この制御手段によ
りパルストランスの1次巻線に蓄積されるエネルギーを
一定以上にならないようにすることができ、トランジス
タのオフエネルギーを減少させずにオーバードライブを
防ぐことができる効果を奏するものである。
また、制御手段として第2の抵抗とスイッチ要素との並
列回路で構成し、該並列回路を上記第1の抵抗に直列に
接続し、所定の期間経過後にスイッチ要素を11!!處
することで、ある一定期間パルストランスの1次巻線に
流れる電流を制限することができ、トランジスタのオー
バードライブを防止することができる。
また、制御手段として第3の抵抗とスイッチ要素との直
列回路とで構成し、この直列回路をパルストランスの1
次巻線の両端に並列に接続し、所定の期間経過後にスイ
ッチ要素を開成することで、ある一定期間パルストラン
スの1次巻線に流れる電流を制限することができて、ト
ランジスタのオーバードライブを防止することができる
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例の具体回路図、第2図は同上の
タイムチャート、第3図は同上のタイムチャート、第4
図は同上の実施例2の具体回路図、第5図は同上の実施
例3の具体回路図、第6図は従来例の具体回路図、第7
図は同上の回路図、第8図は同上のタイムチャート、第
9図は同上のタイムチャートである。 Q、はトランジスタ、PTはパルストランス、n、は1
次巻線、R2は2次巻線、n、は3次巻線、R1は第1
の抵抗、R2は第2の抵抗、Vccは直流電源である。 代理人 弁理士 石 1)長 七

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)直流電源出力端に少なくともコンデンサと第1の
    抵抗との並列回路と、パルストランスの1次巻線と、ス
    イッチング素子とからなる直列回路を接続し、上記パル
    ストランスの2次巻線の出力端をトランジスタのベース
    ・エミッタ間に接続し、パルストランスの3次巻線の一
    端をトランジスタのエミッタに接続して、該3次巻線に
    上記トランジスタのコレクタ電流が流れるようにしたト
    ランジスタ駆動回路であって、上記スイッチング素子の
    オン期間にはパルストランスの2次巻線の両端にトラン
    ジスタと逆バイアスされる方向に電圧を発生させるよう
    に2次巻線を1次巻線に対して巻装し、トランジスタが
    オンの期間、3次巻線に流れるコレクタ電流に比例した
    ベース電流をトランジスタに供給するようにしたトラン
    ジスタ駆動回路において、上記パルストランスの1次巻
    線に蓄積されるエネルギーが一定以上にならないように
    制御する制御手段を設けて成ることを特徴とするトラン
    ジスタ駆動回路。
  2. (2)制御手段として第2の抵抗とスイッチ要素との並
    列回路で構成し、該並列回路を上記第1の抵抗に直列に
    接続し、所定の期間経過後にスイッチ要素を開成するよ
    うにした請求項1記載のトランジスタ駆動回路。
  3. (3)制御手段として第3の抵抗とスイッチ要素との直
    列回路とで構成し、この直列回路をパルストランスの1
    次巻線の両端に並列に後続し、所定の期間経過後にスイ
    ッチ要素を開成するするようにした請求項1記載のトラ
    ンジスタ駆動回路。
JP63202334A 1988-08-12 1988-08-12 トランジスタ駆動回路 Pending JPH0250616A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08502515A (ja) * 1992-10-27 1996-03-19 ストール、リサーチ、エンド、ディベロプメント、コーポレーション 抗炎症因子、単離法および使用
US6107860A (en) * 1991-12-11 2000-08-22 Vlt Corporation High efficiency floating gate driver circuit using leakage-inductance transformer

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6107860A (en) * 1991-12-11 2000-08-22 Vlt Corporation High efficiency floating gate driver circuit using leakage-inductance transformer
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