JPH0250600B2 - - Google Patents
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- JPH0250600B2 JPH0250600B2 JP60012510A JP1251085A JPH0250600B2 JP H0250600 B2 JPH0250600 B2 JP H0250600B2 JP 60012510 A JP60012510 A JP 60012510A JP 1251085 A JP1251085 A JP 1251085A JP H0250600 B2 JPH0250600 B2 JP H0250600B2
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- plasma
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- short circuit
- electrode
- discharge switch
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、プラズマX線発生装置に係り、特
に、半導体集積回路製造のための微細パターン転
写用露光装置に用いて好適な高出力にして高安定
な軟X線を発生するプラズマX線発生装置に関す
る。
に、半導体集積回路製造のための微細パターン転
写用露光装置に用いて好適な高出力にして高安定
な軟X線を発生するプラズマX線発生装置に関す
る。
プラズマX線発生装置は、放電によりプラズマ
を生成し、プラズマに数100kAの大電流を流すこ
とによつて、電流の作る磁場とプラズマとの電磁
作用によりプラズマを自己収束(ピンチ)させ
て、高温・高密度のプラズマを形成し、その高
温・高密度プラズマからX線を発生させる装置で
ある。このように、大電流を流してプラズマを形
成する装置であることから、装置の構造がそのX
線発生に大きな影響を及ぼし、特に、電流波形に
発生X線は強く依存する。
を生成し、プラズマに数100kAの大電流を流すこ
とによつて、電流の作る磁場とプラズマとの電磁
作用によりプラズマを自己収束(ピンチ)させ
て、高温・高密度のプラズマを形成し、その高
温・高密度プラズマからX線を発生させる装置で
ある。このように、大電流を流してプラズマを形
成する装置であることから、装置の構造がそのX
線発生に大きな影響を及ぼし、特に、電流波形に
発生X線は強く依存する。
第6図は、従来のプラズマX線発生装置の電気
回路図である。コンデンサ1に充電した後、放電
スイツチ2を閉じて、プラズマ生成用電極3に電
圧を印加しプラズマ4を生成し、X線5を発生さ
せる。この場合、電流のピーク値を高くするた
め、放電回路のインダクタンス成分と抵抗値を小
さくする。例えば、インダクタンスは100nH以下
とし、抵抗値は数mΩとする。
回路図である。コンデンサ1に充電した後、放電
スイツチ2を閉じて、プラズマ生成用電極3に電
圧を印加しプラズマ4を生成し、X線5を発生さ
せる。この場合、電流のピーク値を高くするた
め、放電回路のインダクタンス成分と抵抗値を小
さくする。例えば、インダクタンスは100nH以下
とし、抵抗値は数mΩとする。
しかし、このような放電回路では、通常、その
回路定数から定まる電流波形は、減衰振動波形を
呈することになる。放電でプラズマを形成すると
き、電流値が最も大きくなる最初の1/4周期内で
プラズマを収束させてピンチさせる場合に、プラ
ズマは最も強くピンチする。しかし、従来のよう
な減衰振動波形の電流では、プラズマがピンチし
た後、遅くとも半周期後には電流値が零となり、
ピンチしたプラズマは崩壊することになり、それ
以降、プラズマはピンチせず、X線は発生しなく
なる。さらに、電流が減衰振動するので、コンデ
ンサの充電電圧程度の逆電圧がコンデンサに印加
されることになる。そのため、コンデンサの耐圧
を高くする必要が生ずるとともに、コンデンサの
寿命も短かくなる。また、プラズマがピンチして
X線が発生した後でも、減衰振動する電流が、コ
ンデンサ1、放電スイツチ2及びプラズマ生成用
電極3に流れているため、これらの電極は、放電
により激しく消耗され、発熱することになる。
回路定数から定まる電流波形は、減衰振動波形を
呈することになる。放電でプラズマを形成すると
き、電流値が最も大きくなる最初の1/4周期内で
プラズマを収束させてピンチさせる場合に、プラ
ズマは最も強くピンチする。しかし、従来のよう
な減衰振動波形の電流では、プラズマがピンチし
た後、遅くとも半周期後には電流値が零となり、
ピンチしたプラズマは崩壊することになり、それ
以降、プラズマはピンチせず、X線は発生しなく
なる。さらに、電流が減衰振動するので、コンデ
ンサの充電電圧程度の逆電圧がコンデンサに印加
されることになる。そのため、コンデンサの耐圧
を高くする必要が生ずるとともに、コンデンサの
寿命も短かくなる。また、プラズマがピンチして
X線が発生した後でも、減衰振動する電流が、コ
ンデンサ1、放電スイツチ2及びプラズマ生成用
電極3に流れているため、これらの電極は、放電
により激しく消耗され、発熱することになる。
以上のように、従来のプラズマX線発生装置で
は、電流が減衰振動するために、X線発生量が少
ないことに加えて、コンデンサ、放電スイツチ、
プラズマ生成用電極の消耗、発熱が激しく、この
結果、発生するX線の強度が低く、安定性に欠
き、装置部品の寿命が短かいという問題点があつ
た。
は、電流が減衰振動するために、X線発生量が少
ないことに加えて、コンデンサ、放電スイツチ、
プラズマ生成用電極の消耗、発熱が激しく、この
結果、発生するX線の強度が低く、安定性に欠
き、装置部品の寿命が短かいという問題点があつ
た。
本発明は、コンデンサ放電を用いたプラズマX
線発生装置における従来の技術での上記した問題
点を解決し、X線を発生するプラズマの寿命を長
くしてX線出力を上げ、さらに、プラズマ生成用
電極、コンデンサ、放電スイツチ等の消耗を低減
化することのできるプラズマX線発生装置を提供
することを目的とするものである。
線発生装置における従来の技術での上記した問題
点を解決し、X線を発生するプラズマの寿命を長
くしてX線出力を上げ、さらに、プラズマ生成用
電極、コンデンサ、放電スイツチ等の消耗を低減
化することのできるプラズマX線発生装置を提供
することを目的とするものである。
本発明の特徴は、上記した問題点を解決するた
めに、プラズマ生成用の一組の電極が放電スイツ
チを介してコンデンサに接続され、このコンデン
サが電流制限抵抗を介して充電用電源に接続され
る充放電回路に、上記プラズマ生成用電極と並列
に短絡器を設け、かつ、上記放電スイツチが閉じ
てから設定可変の遅れ時間経過後に上記短絡器を
閉じる制御手段を設ける構成とするにある。
めに、プラズマ生成用の一組の電極が放電スイツ
チを介してコンデンサに接続され、このコンデン
サが電流制限抵抗を介して充電用電源に接続され
る充放電回路に、上記プラズマ生成用電極と並列
に短絡器を設け、かつ、上記放電スイツチが閉じ
てから設定可変の遅れ時間経過後に上記短絡器を
閉じる制御手段を設ける構成とするにある。
本発明では、上記したように、放電スイツチを
介してコンデンサに接続しているプラズマ生成用
電極に並列に短絡器を設け、さらに、放電スイツ
チ及び短絡器の開閉を制御する制御手段を設けた
構成としたことにより、プラズマ生成用電極に流
れる電流の波形が制御可能となる。即ち、プラズ
マ生成用電極間でプラズマがピンテした直後に短
絡器を強制的に短絡させることによつて、放電回
路の電流が減衰振動することを抑えることができ
るようになり、これにより、上記した諸問題点を
解決することが可能となる。
介してコンデンサに接続しているプラズマ生成用
電極に並列に短絡器を設け、さらに、放電スイツ
チ及び短絡器の開閉を制御する制御手段を設けた
構成としたことにより、プラズマ生成用電極に流
れる電流の波形が制御可能となる。即ち、プラズ
マ生成用電極間でプラズマがピンテした直後に短
絡器を強制的に短絡させることによつて、放電回
路の電流が減衰振動することを抑えることができ
るようになり、これにより、上記した諸問題点を
解決することが可能となる。
第1図は本発明の実施例の電気回路図であり、
1〜5は第6図従来回路の場合と同じ部品を示
し、7はコンデンサ1の充電用電源、6は充電電
流を制限する電流制限抵抗、8は安定化抵抗、9
はプラズマ生成用電極3と並列に接続された短絡
器、10は放電スイツチ2及び短絡器9の開閉を
制御するもので放電スイツチ2が閉じてから設定
可変の遅れ時間が経過した時点に短絡器9を閉じ
させる制御を行なう制御回路である。
1〜5は第6図従来回路の場合と同じ部品を示
し、7はコンデンサ1の充電用電源、6は充電電
流を制限する電流制限抵抗、8は安定化抵抗、9
はプラズマ生成用電極3と並列に接続された短絡
器、10は放電スイツチ2及び短絡器9の開閉を
制御するもので放電スイツチ2が閉じてから設定
可変の遅れ時間が経過した時点に短絡器9を閉じ
させる制御を行なう制御回路である。
短絡器9としては、フイールドデイストーシヨ
ン型の放電スイツチ、真空型の短絡用放電スイツ
チ等が使用される。また、プラズマ生成用電極3
としては、例えば(イ)真空中の対向した電極間に高
速開閉ガスバルブを介してガスを注入しながら放
電させてプラズマを形成するガス注入型の放電方
式のもの、(ロ)定常ガス中で円筒形のプラズマを発
生させ、電流の作る磁場との相互作用で電極の先
端にプラズマを収束させるプラズマフオーカス方
式のもの、(ハ)真空中の電極間で放電させる真空放
電方式のもの、等のいずれかに適する電極構成と
する。
ン型の放電スイツチ、真空型の短絡用放電スイツ
チ等が使用される。また、プラズマ生成用電極3
としては、例えば(イ)真空中の対向した電極間に高
速開閉ガスバルブを介してガスを注入しながら放
電させてプラズマを形成するガス注入型の放電方
式のもの、(ロ)定常ガス中で円筒形のプラズマを発
生させ、電流の作る磁場との相互作用で電極の先
端にプラズマを収束させるプラズマフオーカス方
式のもの、(ハ)真空中の電極間で放電させる真空放
電方式のもの、等のいずれかに適する電極構成と
する。
第2図は第1図回路を具体的に実現する実施例
装置の構成を示し、放電スイツチ、短絡器、プラ
ズマ生成用電極、電力伝送ラインは断面を示して
いる。11は放電スイツチ2と短絡器9を制御す
るトリガ信号を発生する基準パルス発生器、12
は基準パルス発生器11のパルスを受けて、設定
可変の一定時間だけ遅れたパルス信号を発生する
遅延パルサ、13−1は基準パルス発生器11か
らのパルスを受けて、放電スイツチ2を駆動する
ための高電圧パルスを発生する第1の高電圧パル
サ、13−2は遅延パルサ12からのパルスを受
けて、短絡器9を駆動するための高電圧パルスを
発生する第2の高電圧パルサである。放電スイツ
チ2は、コンデンサ1と電気的に接続されている
高電圧電極15と、トリガ電極16と、低電圧電
極17と、さらに、これらの電極を囲む放電スイ
ツチ容器18と、この容器からトリガ電極16の
入力端子を絶縁するトリガ入力端19とから構成
されている。低電圧電極17は安定化抵抗8によ
り、放電開始前は常に接地電位となり、これによ
り、安定に放電スイツチ2が点火するようになつ
ている。21は高圧側電力伝送板であり、低圧側
電力伝送板22とで絶縁板23を挟む構造となつ
ており、これらの板状体21〜23で電力伝送ラ
インを構成しており、そして、放電スイツチ2の
低電圧電極17は高圧側電力伝送板21に、放電
スイツチ容器18は低圧側電力伝送板22に接続
されている。
装置の構成を示し、放電スイツチ、短絡器、プラ
ズマ生成用電極、電力伝送ラインは断面を示して
いる。11は放電スイツチ2と短絡器9を制御す
るトリガ信号を発生する基準パルス発生器、12
は基準パルス発生器11のパルスを受けて、設定
可変の一定時間だけ遅れたパルス信号を発生する
遅延パルサ、13−1は基準パルス発生器11か
らのパルスを受けて、放電スイツチ2を駆動する
ための高電圧パルスを発生する第1の高電圧パル
サ、13−2は遅延パルサ12からのパルスを受
けて、短絡器9を駆動するための高電圧パルスを
発生する第2の高電圧パルサである。放電スイツ
チ2は、コンデンサ1と電気的に接続されている
高電圧電極15と、トリガ電極16と、低電圧電
極17と、さらに、これらの電極を囲む放電スイ
ツチ容器18と、この容器からトリガ電極16の
入力端子を絶縁するトリガ入力端19とから構成
されている。低電圧電極17は安定化抵抗8によ
り、放電開始前は常に接地電位となり、これによ
り、安定に放電スイツチ2が点火するようになつ
ている。21は高圧側電力伝送板であり、低圧側
電力伝送板22とで絶縁板23を挟む構造となつ
ており、これらの板状体21〜23で電力伝送ラ
インを構成しており、そして、放電スイツチ2の
低電圧電極17は高圧側電力伝送板21に、放電
スイツチ容器18は低圧側電力伝送板22に接続
されている。
短絡器9は、本実施例では放電スイツチであ
り、高圧電極31、低圧電極32及びトリガ電極
33と、これらの電極を囲む短絡器用容器35
と、さらに、この容器からトリガ電極33の入力
端子を絶縁するトリガ入力端34とから成る。そ
して、高圧電極31は短絡器用容器35を介して
高圧側電力伝送板21に接続され、低圧電極32
は低圧側電力伝送板22に接続されている。
り、高圧電極31、低圧電極32及びトリガ電極
33と、これらの電極を囲む短絡器用容器35
と、さらに、この容器からトリガ電極33の入力
端子を絶縁するトリガ入力端34とから成る。そ
して、高圧電極31は短絡器用容器35を介して
高圧側電力伝送板21に接続され、低圧電極32
は低圧側電力伝送板22に接続されている。
プラズマ生成用電極3は、高圧側電力伝送板2
1に接続されている高圧側放電電極25と、低圧
側電力伝送板22に接続されている低圧側放電電
極26とから構成される。プラズマ生成用電極3
は、放電容器27によつて適当な圧力下に設定さ
れ、放電容器27は絶縁体28を介して低圧側電
力伝送板22に取付けられる。29は、放電容器
27に設けられた、X線を透過するX線取出し窓
であり、例えば、Be箔で形成される。30はア
ライメント装置で、露光しようとする半導体ウエ
ハ、X線マスク等(図示省略)を精度よく位置合
せする。
1に接続されている高圧側放電電極25と、低圧
側電力伝送板22に接続されている低圧側放電電
極26とから構成される。プラズマ生成用電極3
は、放電容器27によつて適当な圧力下に設定さ
れ、放電容器27は絶縁体28を介して低圧側電
力伝送板22に取付けられる。29は、放電容器
27に設けられた、X線を透過するX線取出し窓
であり、例えば、Be箔で形成される。30はア
ライメント装置で、露光しようとする半導体ウエ
ハ、X線マスク等(図示省略)を精度よく位置合
せする。
なお、第2図実施例では、放電スイツチ2とプ
ラズマ生成用電極3との間の電力伝送ラインに短
絡器9が設けられる場合を示したが、本発明で
は、これらの2,3,9の電力伝送ライン上での
配置は、第2図実施例の配置に限定されるもので
はない。
ラズマ生成用電極3との間の電力伝送ラインに短
絡器9が設けられる場合を示したが、本発明で
は、これらの2,3,9の電力伝送ライン上での
配置は、第2図実施例の配置に限定されるもので
はない。
以上の構成を備えた第2図実施例装置は、次の
ように動作する。放電スイツチ2、プラズマ生成
用電極3及び短絡器9を、適当な雰囲気、例え
ば、放電スイツチ2、短絡器9はそれぞれ所定の
電圧で放電するように高圧乾燥空気雰囲気にし、
プラズマ生成用電極3は真空に排気する。充電用
電源7によりコンデンサ1を所定の電圧に充電す
ると、放電スイツチ2の高電圧電源15もコンデ
ンサ充電電圧と同じ電位となる。次に、プラズマ
生成用電極3をプラズマ発生に適する状態、例え
ばガスを封入した状態、とした後、基準パルス発
生器11を動作して、第1の高電圧パルサ13−
1を駆動させることにより、放電スイツチのトリ
ガ電極16に電圧を印加し、高電圧電極15と低
電圧電極17間で放電を生じて導通し、高圧側電
力伝送板21を介してプラズマ生成用電極3の高
圧側放電電極25に高電圧が印加され、低圧側放
電電極26との間で放電が生じ、プラズマが生成
される。電流は、コンデンサ1、放電スイツチ
2、高圧側電力伝送板21、プラズマ4、低圧側
電力伝送板22の経路を流れる。電流が流れてプ
ラズマ4がピンチし、X線5が発生した後、遅延
パルサ12で設定された遅れ時間後に第2の高圧
パルサ13−2が駆動して、所定の時間に短絡器
9のトリガ電極33に電圧が印加されることによ
り、短絡器9の高圧電極31と低圧電極32間に
放電が生じて両電極間が短絡する。短絡器9の両
電極間が短絡したことにより、放電電流の大部分
が短絡器9を介して流れることになり、短絡器9
とプラズマ生成用電極3とで定まる波形の電流が
流れる。
ように動作する。放電スイツチ2、プラズマ生成
用電極3及び短絡器9を、適当な雰囲気、例え
ば、放電スイツチ2、短絡器9はそれぞれ所定の
電圧で放電するように高圧乾燥空気雰囲気にし、
プラズマ生成用電極3は真空に排気する。充電用
電源7によりコンデンサ1を所定の電圧に充電す
ると、放電スイツチ2の高電圧電源15もコンデ
ンサ充電電圧と同じ電位となる。次に、プラズマ
生成用電極3をプラズマ発生に適する状態、例え
ばガスを封入した状態、とした後、基準パルス発
生器11を動作して、第1の高電圧パルサ13−
1を駆動させることにより、放電スイツチのトリ
ガ電極16に電圧を印加し、高電圧電極15と低
電圧電極17間で放電を生じて導通し、高圧側電
力伝送板21を介してプラズマ生成用電極3の高
圧側放電電極25に高電圧が印加され、低圧側放
電電極26との間で放電が生じ、プラズマが生成
される。電流は、コンデンサ1、放電スイツチ
2、高圧側電力伝送板21、プラズマ4、低圧側
電力伝送板22の経路を流れる。電流が流れてプ
ラズマ4がピンチし、X線5が発生した後、遅延
パルサ12で設定された遅れ時間後に第2の高圧
パルサ13−2が駆動して、所定の時間に短絡器
9のトリガ電極33に電圧が印加されることによ
り、短絡器9の高圧電極31と低圧電極32間に
放電が生じて両電極間が短絡する。短絡器9の両
電極間が短絡したことにより、放電電流の大部分
が短絡器9を介して流れることになり、短絡器9
とプラズマ生成用電極3とで定まる波形の電流が
流れる。
第3図は第2図実施例装置を上から見た図であ
り、放電スイツチ容器18と放電容器27の位置
を破線で、短絡器用容器35を実線で示してい
る。第3図では、放電電流の流れる回路のインダ
クタンスと抵抗を小さくするために、コンデンサ
放電スイツチを3回路並列に設けている。また、
短絡用放電スイツチも、回路のインダクタンスを
小さくするために、3回路並列に設ける構造とし
ている。
り、放電スイツチ容器18と放電容器27の位置
を破線で、短絡器用容器35を実線で示してい
る。第3図では、放電電流の流れる回路のインダ
クタンスと抵抗を小さくするために、コンデンサ
放電スイツチを3回路並列に設けている。また、
短絡用放電スイツチも、回路のインダクタンスを
小さくするために、3回路並列に設ける構造とし
ている。
第4図は第2図及び第3図で示した実施例装置
における放電時の電気的等価回路図である。第4
図において、1はコンデンサ、2は放電スイツ
チ、8は安定化抵抗、9は短絡器、38はプラズ
マ生成用電極3で生じる抵抗成分、39は同じく
インダクタンス、40はコンデンサ1と放電スイ
ツチ2及び放電スイツチ2から短絡器9に至るま
での電力伝送板が有する抵抗、41は同じくイン
ダクタンス、42は短絡器9が有する抵抗、43
は同じくインダクタンス、44は短絡器9からプ
ラズマ生成用電極3に至るまでの電力伝送板が有
する抵抗、45は同じくインダクタンス、をそれ
ぞれ示している。
における放電時の電気的等価回路図である。第4
図において、1はコンデンサ、2は放電スイツ
チ、8は安定化抵抗、9は短絡器、38はプラズ
マ生成用電極3で生じる抵抗成分、39は同じく
インダクタンス、40はコンデンサ1と放電スイ
ツチ2及び放電スイツチ2から短絡器9に至るま
での電力伝送板が有する抵抗、41は同じくイン
ダクタンス、42は短絡器9が有する抵抗、43
は同じくインダクタンス、44は短絡器9からプ
ラズマ生成用電極3に至るまでの電力伝送板が有
する抵抗、45は同じくインダクタンス、をそれ
ぞれ示している。
第5図は、プラズマに流れる電流波形の例を示
している。ここで、短絡器9を開いた状態では、
プラズマに流れる電流は、第4図で示したコンデ
ンサ1、抵抗40,44、インダクタンス41,
45、ならびにプラズマ部分の抵抗38、インダ
クタンス39で、その波形が定まる。放電電流を
大きくし、プラズマを強くピンチさせるには、抵
抗やインダクタンスの値を小さくするほど有利で
あるので、通常、インダクタンス41,45は
10nH程度、抵抗40,44は1〜5mΩ程度の
値となる。一方、プラズマのインダクタンスは、
プラズマ状態により大きく変化し、数nHから
100nH程度に大きくなる場合もある。プラズマ抵
抗は数mΩと通常考えられるので、例えば、コン
デンサ1の容量を5μFとすると、電流は減衰振動
波形を呈することになる。プラズマのピンチは電
流が最大に大きくなるとき、即ち、電流が流れ始
めてからほぼ1/4周期で、ピンチが起こる場合が
最も有効にX線が放射される。短絡器9を開いた
状態では、第5図に曲線50として示すように、
半周期で電流が零となり、ピンチしたプラズマは
維持されなくなり、崩壊して、X線も発生しなく
なる。
している。ここで、短絡器9を開いた状態では、
プラズマに流れる電流は、第4図で示したコンデ
ンサ1、抵抗40,44、インダクタンス41,
45、ならびにプラズマ部分の抵抗38、インダ
クタンス39で、その波形が定まる。放電電流を
大きくし、プラズマを強くピンチさせるには、抵
抗やインダクタンスの値を小さくするほど有利で
あるので、通常、インダクタンス41,45は
10nH程度、抵抗40,44は1〜5mΩ程度の
値となる。一方、プラズマのインダクタンスは、
プラズマ状態により大きく変化し、数nHから
100nH程度に大きくなる場合もある。プラズマ抵
抗は数mΩと通常考えられるので、例えば、コン
デンサ1の容量を5μFとすると、電流は減衰振動
波形を呈することになる。プラズマのピンチは電
流が最大に大きくなるとき、即ち、電流が流れ始
めてからほぼ1/4周期で、ピンチが起こる場合が
最も有効にX線が放射される。短絡器9を開いた
状態では、第5図に曲線50として示すように、
半周期で電流が零となり、ピンチしたプラズマは
維持されなくなり、崩壊して、X線も発生しなく
なる。
一方、プラズマがピンチしてX線が発生した直
後、短絡器9が閉じたとすると、プラズマを流れ
る電流はその大部分が、短絡用放電スイツチを介
して流れることになり、第4図のインダクタンス
39,43,45及び抵抗38,42,44で構
成される回路でその波形が定まることになる。例
えば、短絡器9の抵抗42の値を、抵抗38と4
4の和に比べ充分小さくすると、第5図に曲線5
1として示すように、電流は長く持続することに
なり、プラズマも長時間存在し、X線も長時間に
わたつて発生する。また、短絡器9のインダクタ
ンス43を充分小さくして10nH程度とし、抵抗
42を数10mΩとすると、第5図に曲線52とし
て示すように、プラズマに流れる電流は急激に減
少することになり、減衰振動電流の減衰率は大き
くなる。
後、短絡器9が閉じたとすると、プラズマを流れ
る電流はその大部分が、短絡用放電スイツチを介
して流れることになり、第4図のインダクタンス
39,43,45及び抵抗38,42,44で構
成される回路でその波形が定まることになる。例
えば、短絡器9の抵抗42の値を、抵抗38と4
4の和に比べ充分小さくすると、第5図に曲線5
1として示すように、電流は長く持続することに
なり、プラズマも長時間存在し、X線も長時間に
わたつて発生する。また、短絡器9のインダクタ
ンス43を充分小さくして10nH程度とし、抵抗
42を数10mΩとすると、第5図に曲線52とし
て示すように、プラズマに流れる電流は急激に減
少することになり、減衰振動電流の減衰率は大き
くなる。
また、短絡器9を閉じることによつて、コンデ
ンサ1に流れ込む電流は減少する。このため、反
転した電流がコンデンサ1に流れ込む際に生ずる
逆方向誘起電圧も小さくなり、発熱も小さくな
る。同様に放電スイツチ2の発熱も小さくなる。
ンサ1に流れ込む電流は減少する。このため、反
転した電流がコンデンサ1に流れ込む際に生ずる
逆方向誘起電圧も小さくなり、発熱も小さくな
る。同様に放電スイツチ2の発熱も小さくなる。
従つて、短絡器9を設けることによつて、プラ
ズマに流れる電流波形は、容易に制御されること
になり、電流が長時間持続され、プラズマの寿命
も長くなつてX線も長時間発生し、X線の発生効
率が向上する。さらに、コンデンサや放電スイツ
チに流れる電流が減少し、発生する熱が減少し、
それらの寿命が延びることになる。即ち、プラズ
マX線発生装置のX線発生効率が高くなり、寿命
が長くなり、安定化することとなる。
ズマに流れる電流波形は、容易に制御されること
になり、電流が長時間持続され、プラズマの寿命
も長くなつてX線も長時間発生し、X線の発生効
率が向上する。さらに、コンデンサや放電スイツ
チに流れる電流が減少し、発生する熱が減少し、
それらの寿命が延びることになる。即ち、プラズ
マX線発生装置のX線発生効率が高くなり、寿命
が長くなり、安定化することとなる。
以上説明したように、本発明によれば、プラズ
マ生成用電極と並列に接続した短絡器を、プラズ
マ生成用電極間でプラズマがピンチした直後に強
制的に短絡させる構成とすることによつて、プラ
ズマに流れる電流波形が制御され、例えば、電流
が減衰振動することを抑え、電流が長時間持続す
るようにすることにより、プラズマが長時間、高
温、高密度に維持され、それから発生するX線量
が増大し、さらに、コンデンサや放電スイツチ、
プラズマ生成用電極の消耗も減少し、即ち、X線
出力が向上し、装置の特性が安定し、寿命も長く
なるという利点がある。
マ生成用電極と並列に接続した短絡器を、プラズ
マ生成用電極間でプラズマがピンチした直後に強
制的に短絡させる構成とすることによつて、プラ
ズマに流れる電流波形が制御され、例えば、電流
が減衰振動することを抑え、電流が長時間持続す
るようにすることにより、プラズマが長時間、高
温、高密度に維持され、それから発生するX線量
が増大し、さらに、コンデンサや放電スイツチ、
プラズマ生成用電極の消耗も減少し、即ち、X線
出力が向上し、装置の特性が安定し、寿命も長く
なるという利点がある。
本方式のプラズマX線発生装置は、X線源とし
て利用できる他に、可視、紫外、真空紫外線領域
の光源としても使用可能であり、半導体装置製造
時の薄膜形成、加工等に利用できる。
て利用できる他に、可視、紫外、真空紫外線領域
の光源としても使用可能であり、半導体装置製造
時の薄膜形成、加工等に利用できる。
第1図は本発明の一実施例の回路図、第2図は
その一部断面を含む側面図、第3図はその上面
図、第4図はその電気的等価回路図、第5図はプ
ラズマに流れる電流波形の例を示す図、第6図は
従来装置の回路図である。 <符号の説明>、1……コンデンサ、2……放
電スイツチ、3……プラズマ生成用電極、4……
プラズマ、5……X線、6……電流制限抵抗、7
……充電用電源、8……安定化抵抗、9……短絡
器、12……遅延パルサ、15……高電圧電極、
16,33……トリガ電極、17……低電圧電
極、18……放電スイツチ容器、19,34……
トリガ入力端、21……高圧側電力伝送板、22
……低圧側電力伝送板、23……絶縁板、25…
…高圧側放電電極、26……低圧側放電電極、2
7……放電容器、29……X線取出し窓、30…
…アライメント装置、31……高電圧電極、32
……低電圧電極、35……短絡器容器。
その一部断面を含む側面図、第3図はその上面
図、第4図はその電気的等価回路図、第5図はプ
ラズマに流れる電流波形の例を示す図、第6図は
従来装置の回路図である。 <符号の説明>、1……コンデンサ、2……放
電スイツチ、3……プラズマ生成用電極、4……
プラズマ、5……X線、6……電流制限抵抗、7
……充電用電源、8……安定化抵抗、9……短絡
器、12……遅延パルサ、15……高電圧電極、
16,33……トリガ電極、17……低電圧電
極、18……放電スイツチ容器、19,34……
トリガ入力端、21……高圧側電力伝送板、22
……低圧側電力伝送板、23……絶縁板、25…
…高圧側放電電極、26……低圧側放電電極、2
7……放電容器、29……X線取出し窓、30…
…アライメント装置、31……高電圧電極、32
……低電圧電極、35……短絡器容器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 プラズマ生成用の一組の電極が放電スイツチ
を介してコンデンサに接続され、上記コンデンサ
は電流制限抵抗を介して充電用電源に接続されて
おり、上記プラズマ生成用電極と並列に短絡器を
設け、かつ、上記放電スイツチが閉じてから設定
可変の遅れ時間経過後に上記短絡器を閉じる制御
手段を設けたことを特徴とするプラズマX線発生
装置。 2 前記プラズマ生成用電極は、(イ)真空中の対向
した電極間に高速開閉ガスバルブを介してガスを
注入して放電させてプラズマを形成するガス注入
型の電極構成、(ロ)定常ガス中で円筒形のプラズマ
を発生させ、電流の作る磁場との相互作用で電極
の先端にプラズマを収束させるプラズマフオーカ
ス方式の電極構成、(ハ)真空中の電極間で放電させ
る真空放電方式の電極構成、のいずれかの電極構
成を備えたものであることを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載のプラズマX線発生装置。 3 前記短絡器が、(イ)フイールドデイストーシヨ
ン型の放電スイツチ、(ロ)真空型の短絡用放電スイ
ツチ、のいずれかを用いる短絡器であることを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載のプラズマX
線発生装置。 4 前記プラズマ生成用電極、前記放電スイツチ
及び前記短絡器は、絶縁板を中間に挟んでその一
方側に高圧側電力伝送板となる導電板が、他方側
に低圧側電力伝送板となる導電板が密着状に設け
られて成る板状体を介して接続されていることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載のプラズマ
X線発生装置。 5 前記制御手段は、基準パルス信号を発生する
回路手段と、この基準パルスを受けて前記放電ス
イツチを閉じるトリガ信号を発生する回路手段
と、上記基準パルスを受けて所定時間だけ遅れた
パルス信号を発生する回路手段と、この遅延パル
スを受けて前記短絡器を閉じるトリガ信号を発生
する回路手段とから成る制御手段であることを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載のプラズマX
線発生装置。 6 前記放電スイツチ及び前記短絡器はそれぞれ
複数個が並列状に前記板状体を介して一組のプラ
ズマ生成用電極に接続されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第4項記載のプラズマX線発生
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60012510A JPS61173496A (ja) | 1985-01-28 | 1985-01-28 | プラズマx線発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60012510A JPS61173496A (ja) | 1985-01-28 | 1985-01-28 | プラズマx線発生装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61173496A JPS61173496A (ja) | 1986-08-05 |
JPH0250600B2 true JPH0250600B2 (ja) | 1990-11-02 |
Family
ID=11807339
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60012510A Granted JPS61173496A (ja) | 1985-01-28 | 1985-01-28 | プラズマx線発生装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61173496A (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA2241116C (en) | 1998-06-19 | 2009-08-25 | Liyan Zhang | Radiation (e.g. x-ray pulse) generator mechanisms |
WO2005116902A2 (en) | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | System for the noninvasive determination of tracer concentration in blood |
DE102004058500A1 (de) * | 2004-12-04 | 2006-06-08 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Betreiben einer elektrischen Entladevorrichtung |
WO2006120942A1 (ja) * | 2005-05-06 | 2006-11-16 | Tokyo Institute Of Technology | プラズマ発生装置及びプラズマ発生方法 |
US7502446B2 (en) * | 2005-10-18 | 2009-03-10 | Alft Inc. | Soft x-ray generator |
JP6303894B2 (ja) * | 2014-07-28 | 2018-04-04 | 株式会社Ihi | プラズマ光源システム |
-
1985
- 1985-01-28 JP JP60012510A patent/JPS61173496A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61173496A (ja) | 1986-08-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |