JPH024993B2 - - Google Patents

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JPH024993B2
JPH024993B2 JP58245736A JP24573683A JPH024993B2 JP H024993 B2 JPH024993 B2 JP H024993B2 JP 58245736 A JP58245736 A JP 58245736A JP 24573683 A JP24573683 A JP 24573683A JP H024993 B2 JPH024993 B2 JP H024993B2
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JP
Japan
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ceramic substrate
electrode wire
platinum
electrode
terminal
Prior art date
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Application number
JP58245736A
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English (en)
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JPS60143579A (ja
Inventor
Akio Takami
Toshitaka Matsura
Akira Nakano
Yoshiaki Kuroki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Niterra Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH024993B2 publication Critical patent/JPH024993B2/ja
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  • Measuring Oxygen Concentration In Cells (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
  • Multi-Conductor Connections (AREA)
  • Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はセラミツク基板の端子構造に関するも
のである。
[従来技術] 従来より、セラミツク材からなる基板上に金又
は白金族の貴金属を主体とした貴金属ペーストに
てパターンを形成し、焼結することによつて、電
子回路の小型化、計量化を図るといつたことが行
なわれている。
ここで、この種のセラミツク基板における信号
を入・出力するための端子構造としては、例えば
第1図に図示する如く、基板1の端面に上記貴金
属ペーストにて電極パターン2を形成し、銅等か
らなる通常のリード線3を半田付けAするように
しているもの、あるいは第2図に示す如く、セラ
ミツク基板4に形成された上記貴金属ペーストの
パターン5上に、貴金属からなるリード線、例え
ば白金リード線6を設け、その上からセラミツク
板7を密着し、一体焼結させることによつてこの
白金リード線6を端子とするものがある。
ところで上記前者の半田付けによる端子構造の
場合、リード線3に外力が加わつたり基板自体が
振動するような場合には、電極パターン2と基板
1との間が剥がれるといつた問題があり、また半
田付けによる接続であるため高温での使用は不可
能であつた。一方上記後者の白金リード線を用い
てセラミツク基板と一体成形した場合には、耐熱
性は有するものであるが白金自体強度が小さいこ
とからリード線に外力が加わつたり、振動するよ
うな場所では使用することができなかつた。
[発明の目的] そこで本発明は、耐熱性を有すると共に高強度
のセラミツク基板の端子構造を提供することによ
つて、セラミツク基板を高温、高振動の場所に設
置したような場合にも充分に耐え得るようにする
ことを目的としている。
[発明の構成] かかる目的を達するための本発明の構成は、セ
ラミツク基板に一体形成された導電部に接続さ
れ、焼結固着された白金族を主成分とする第1の
電極線と、上記第1の電極線と接合されたニツケ
ル又はニツケル合金からなる第2の電極線と、上
記第1の電極線と第2の電極線との接合部分及び
上記基板の一部を覆うガラス材からなる電極保護
層と、を有するセラミツク基板の端子構造を要旨
としている。
ここで上記第1の電極線として白金族を主成分
とするものとしたのは、セラミツク基板の導電部
と焼結晶固着する際に他の金属では酸化されてし
まい使用できなくなるからであつて、この電極線
は白金、イリジウム、パラジウム、ルテニウム、
ロジウム、オスミウムの白金族のものであればよ
く、特に耐熱性と価格の点で白金を用いた方が望
ましい。
また、上記第2の電極線としてニツケル又はニ
ツケルの合金としたのは強度、耐熱性の点から適
しているからである。
次にガラス材としてはホウケイ酸ガラス、リン
酸ガラス、ホウ酸鉛ガラス等を用いることがで
き、そのうちでも特に低温でシールでき、金具の
酸化消耗が少なくなることからホウ酸鉛ガラスを
用いることが好ましい。
[実施例] 以下、本発明の端子構造を有するセラミツク基
板をガス成分又はその濃度を検出する検出部と
し、内燃機関の排気中の酸素濃度を検出する酸素
センサに適用した場合を例にとり説明する。
第3図は酸素センサの部分断面側面図である。
図において10はセラミツク基板上に検出素子1
1を備え、酸素濃度を検出するための検出部、1
2は検出部10を把持すると共に本センサを内燃
機関に取り付けるための筒状に形成された主体金
具、13は主体金具12の内燃機関側先端部12
aに取り付けられ、検出部10を保護するための
プロテクタ、14は主体金具12と共に検出部1
0を把持するための内筒であり、検出部10はス
ペーサ15、充填粉末16及びガラスシール17
を介して主体金具12及び内筒14に把持されて
いる。また主体金具12の外周には内燃機関付用
のねじ部12bが刻設されており、内燃機関壁面
当接部分には排気が漏れないようガスケツト18
が設けられている。
ここで充填粉末16は滑石及びガラスの1:1
の混合粉末からなり、検出部10を内筒14内に
固定するためのもの、ガラスシール17は低融点
ガラスからなり、検出ガスの漏れを防止すると共
に検出部10の端子を保護するように、検出部1
0の基板の一部及び後述する白金リード線と端子
との接続部を覆い内筒14内に充填されている。
尚、このガラスシール17は、本発明を構成する
電極保護層に相当する。
19は内筒14を覆うように主体金具12に取
り付けられる外筒、20はシリコンゴムからなる
シール材であつて、リード線21ないし23と、
第4図に示すガラスシール17より突出された検
出部10からの端子31ないし33との接続部を
絶縁保護するためのものである。またこのリード
線21ないし23と端子31ないし33との接続
は、第5図に示す如く、予め外筒19内にシール
材20及びリード線21ないし23を収めると共
に、各リード線21ないし23の先端に加締金具
24ないし26を接続し、その後加締金具24な
いし26を端子31ないし33と加締接続するこ
とによつて行なわれる。尚、上記端子31ないし
33は本発明を構成する第2の電極線に相当す
る。
次に検出部10は第6図ないし第9図に示す如
き手順に従つて作成される。尚、第6図ないし第
9図に示すイは検出部10の正面図を示し、ロは
A−A線断面図を示している。
ここで上記第6図ないし第9図の各図におい
て、40及び41は平均粒径1.5μmのAl2O392重
量%、SiO24重量%CaO2重量%及びMgO2重量%
からなる混合粉末100重量部に対してブチラール
樹脂12重量部及びジブチルフタレート(DBP)
6重量部を添加し、有機溶剤中で混合してスラリ
ーとし、ドクタープレートを用いて形成されたグ
リーンシートであり、グリーンシート40は厚さ1
mm、グリーンシート41は厚さ0.2mmに予め作成
されたものである。また42ないし47はPtに
対し7%のAl2O3を添加した白金ペーストで厚膜
印刷したパターンであつて前述の導電部に相当
し、42及び43は検出素子11の電極となる電
極パターン、14は検出素子11を加熱するため
のヒータとなる発熱抵抗体パターン、45ないし
47は発熱抵抗体パターン44や検出素子11に
電源を印加あるいは検出信号を抽出するための電
極パターンである。
本検出部10の製造は、第6図に示す如く、ま
ずグリーンシート40上に上記42ないし47の
各パターンを白金ペーストで厚膜印刷することに
より始められ、次いで第7図に示す如く、電極パ
ターン45ないし47上に直径0.2mmの白金リー
ド線48ないし50が夫々配設される。
次に第8図から明らかな如く、グリーンシート
41に電極パターン42及び43の先端部が露出
するよう打ち抜きによつて開口51が形成され、
電極パターン42及び43の先端部を除く全ての
パターンを覆うべく、グリーンシート40上にグ
リーンシート41が積層熱圧着される。ここで上
記白金リード線48ないし50は、本発明を構成
する第1の電極線に相当し、積層熱圧着後もその
一部は外部に突出される。
このようにして、白金リード線48ないし50
の一部が突出され、電極パターン42及び43の
先端部が露出された積層板が作成されると、今度
はこの積層板を1500℃の大気中に2時間放置する
ことによつて、セラミツク基板が焼成される。
次に第9図に示す如く、上記焼成されたセラミ
ツク基板の開口51に検出素子11を設けること
となるのであるが、この検出素子11は平均粒径
1.2μmのTiO2粉末100モル部に対し1モル部の白
金ブラツクを添加し、更に全粉末に対して3重量
%のエチルセルロースを添加しブチルカルビトー
ル(2−(2−ブトキシエトキシ)エタノールの
商品名)中で混合し300ポイズに粘度調整した
TiO2ペーストを、開口49を充塞しかつ電極パ
ターン42及び43の先端に被着するよう厚膜印
刷した後、1200℃の大気中に1時間放置して焼き
付けることによつて形成される。
このようにして作成された検出部10の、外部
に突出された白金リード線48ないし50と端子
31ないし33との接続は第10図に示す如く行
なわれる。尚、図においてイは正面図、ロは右側
面図を示している。
第10図に示す如く、端子31ないし33は予
め厚さ0.3mmのニツケル板にエツチング加工によ
つて一体形成されており、各端子を白金リード線
48ないし50に夫々配設し、その部分をスポツ
ト溶接することによつて端子の接合が行なわれ
る。ここでこの白金リード線と端子との接合は熱
や振動によつて外れることがなければどのような
接続方法であつてもよく、また端子31ないし3
3が一体形成されたニツケル板は検出部10が主
体金具12に固定され、その後検出部10の基板
の一部及び白金リード線48ないし50と端子3
1ないし33との接合部分がガラスシール17に
よつて保護され、内筒14内に固定された後に所
定の長さに切断される。
そして端子31及び端子33間に加熱用の電源
を印加することによつて発熱抵抗体パターン44
を加熱し、検出素子11を活性化させ、端子32
及び端子33間の抵抗値の変化を検出することに
よつて、酸素濃度を検知することができるように
なる。
以上本実施例の酸素センサにおけるセラミツク
基板の端子構造は、セラミツク基板と一体形成さ
れた白金リード線と、ニツケル板からなる端子と
を、スポツト溶接によつて接合し、更にその接合
部分をセラミツク基板と共に内筒内に低融点ガラ
スを用いて固定し保護するようにしている。従つ
て白金リード線と端子との接合部分は熱によつて
外れることがなく、また白金リード線も低融点ガ
ラスにて補強されることとなるので振動にも強
く、さらに端子にニツケル板を使用しているので
端子自体が劣化するといつたことも防止できる。
このため本酸素センサは耐熱性、耐振性及び耐久
性を有するものとなり、内燃機関のような高温で
かつ高振動の場所にでも充分に耐え得るようにな
る。
[発明の効果] 以上詳述した如く、本発明のセラミツク基板の
端子構造においては、セラミツク基板に焼結固着
された白金族の電極線と、ニツケル又はニツケル
合金からなる電極線とを接合し、更にセラミツク
基板の一部を含む接合部をガラス材からなる保護
層により保護するようにしている。従つて熱や振
動に強く、セラミツク基板を高温でかつ振動する
場所に設置した場合にも充分耐え得る端子構造と
することができ、耐久性のある端子構造を提供す
ることができるようになる。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は従来のセラミツク基板の端
子構造を示す斜視図、第3図ないし第10図は本
発明の端子構造を酸素センサに適用した実施例を
示し、第3図ないし第5図は本センサの構造を示
す部分断面図、第6図ないし第9図は検出部10
の組み立て工程を示す正面図イ及びA−A線断面
図ロ、第10図は電極線と端子との接続を示す正
面図イ及び右側面図ロである。 10……検出部、17……ガラスシール、3
1,32,33……端子、48,49,50……
白金リード線。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 セラミツク基板に一体形成された導電部に接
    続され、焼結固着された白金族を主成分とする第
    1の電極線と、 上記第1の電極線と接合されたニツケル又はニ
    ツケル合金からなる第2の電極線と、 上記第1の電極線と第2の電極線との接合部分
    及び上記基板の一部を覆うガラス材からなる電極
    保護層と、 を有するセラミツク基板の端子構造。 2 第1の電極線が白金を主成分とする電極線で
    ある特許請求の範囲第1項記載のセラミツク基板
    の端子構造。
JP58245736A 1983-12-29 1983-12-29 セラミツク基板の端子構造 Granted JPS60143579A (ja)

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