JPH0249432A - ヘテロバイポーラトランジスタ - Google Patents
ヘテロバイポーラトランジスタInfo
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Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔)既 要〕
シリコン系ヘテロバイポーラトランジスタ(HBT)の
構造に関し、 低コレクタ電流領域での電流増幅率を向上させることを
目的とし、 水素化マイクロクリスタルシリコン(μc−5i:H)
系材料をエミッタとしてシリコンベースにヘテロ接合し
たシリコン系ヘテロバイポーラトランジスタにおいて、
エミッタ・ベース接合界面をヘテロ接合界面よりベース
側に移動させた構造に構成する。
構造に関し、 低コレクタ電流領域での電流増幅率を向上させることを
目的とし、 水素化マイクロクリスタルシリコン(μc−5i:H)
系材料をエミッタとしてシリコンベースにヘテロ接合し
たシリコン系ヘテロバイポーラトランジスタにおいて、
エミッタ・ベース接合界面をヘテロ接合界面よりベース
側に移動させた構造に構成する。
本発明はシリコン系ヘテロバイポーラトランジスタの構
造に関する。
造に関する。
ヘテロバイポーラトランジスタ(HB T)は−層の性
能向上が望まれている。
能向上が望まれている。
通常構造のバイポーラトランジスタは電流増幅率hFE
を大きくしようとするとベースの不純物濃度を低くする
必要があり、そうするとベース抵抗が増大するために、
その制約のために動作の高速化に限界があった。これに
対して、ヘテロバイポーラトランジスタ(HBT)はベ
ース・エミッタ接合をヘテロ接合とすることで、hFE
の低下を招くことなくベースの不純物濃度を高くして、
通常のトランジスタに比べて薄いベース層で低いベース
抵抗にすることができ、−mの高速動作を可能にする構
造である。
を大きくしようとするとベースの不純物濃度を低くする
必要があり、そうするとベース抵抗が増大するために、
その制約のために動作の高速化に限界があった。これに
対して、ヘテロバイポーラトランジスタ(HBT)はベ
ース・エミッタ接合をヘテロ接合とすることで、hFE
の低下を招くことなくベースの不純物濃度を高くして、
通常のトランジスタに比べて薄いベース層で低いベース
抵抗にすることができ、−mの高速動作を可能にする構
造である。
第5図はそれを説明するためのHBTのバンド構造図で
、ベース・エミッタ間にVBEO順バイアス、ベース・
コレクタ間にVBGの逆バイアスが印加された状態を示
している。電子(・)はポテンシャルバリアqVnを乗
り越えてエミッタからベースに注入されるが、ベースか
らエミッタに注入される正孔(○)はqVpだけのポテ
ンシャルバリアを乗り越えねばならない。通常のシリコ
ン系トランジスタはqVn=qVpとなっているが、H
BTではQVPがエミッタとベースを構成する材料のバ
ンドギャップΔEgだけqVnより大きくなって、ベー
スからエミッタへの正孔の注入が抑制され、その結果、
ベースの不純物濃度を高めることができる。これが原理
である。
、ベース・エミッタ間にVBEO順バイアス、ベース・
コレクタ間にVBGの逆バイアスが印加された状態を示
している。電子(・)はポテンシャルバリアqVnを乗
り越えてエミッタからベースに注入されるが、ベースか
らエミッタに注入される正孔(○)はqVpだけのポテ
ンシャルバリアを乗り越えねばならない。通常のシリコ
ン系トランジスタはqVn=qVpとなっているが、H
BTではQVPがエミッタとベースを構成する材料のバ
ンドギャップΔEgだけqVnより大きくなって、ベー
スからエミッタへの正孔の注入が抑制され、その結果、
ベースの不純物濃度を高めることができる。これが原理
である。
このようなHBTはA lGaAs / GaAs系な
どの化合物半導体材料が最初に開発されて、例えばエミ
ッタをバンドギャップの大きいAlGaAs、ベースお
よびコレクタをGaAsで構成し、エミッタ・ベースを
ヘテロ接合したH B Tが良く知られている。また、
最近、発明者らはシリコン系HBTとしてエミッタに水
素化マイクロクリスタルシリコン(μc −Si:H)
系材料を用い、これをシリコンベースとへテロ接合した
構造を提案した(電子情報通信学会、 ED87−66
参照)。
どの化合物半導体材料が最初に開発されて、例えばエミ
ッタをバンドギャップの大きいAlGaAs、ベースお
よびコレクタをGaAsで構成し、エミッタ・ベースを
ヘテロ接合したH B Tが良く知られている。また、
最近、発明者らはシリコン系HBTとしてエミッタに水
素化マイクロクリスタルシリコン(μc −Si:H)
系材料を用い、これをシリコンベースとへテロ接合した
構造を提案した(電子情報通信学会、 ED87−66
参照)。
第6図はそのμc −Si : Hエミッタを用いた従
来のシリコン系HBTの構造断面図を示しており、■は
基板、2はn+型コレクタコンタクト、3はn−型コレ
クタ、4はp+型−1−ス、5はn型μc −5i :
Hエミッタ、6は絶縁膜、?、8.9はそれぞれコレ
クタ電極、ベース電極、エミッタ電極である。このよう
なμc −3i : H膜は平行平板型プラズマCVD
(化学気相成長)装置によって形成することができる
。また、シリコンのエネルギーギャップ1.12eVに
対し、p c −3i : Hのエネルギーギャップは
1.81eVであり、ヘテロ界面における伝導帯側のバ
ンドのとびが0.16eV、価電子帯側のバンドのとび
が0.53eVで、そのためにベースからエミッタへの
正孔による拡散電流成分が十分抑えられ、高い電流増幅
率が得られるものである。
来のシリコン系HBTの構造断面図を示しており、■は
基板、2はn+型コレクタコンタクト、3はn−型コレ
クタ、4はp+型−1−ス、5はn型μc −5i :
Hエミッタ、6は絶縁膜、?、8.9はそれぞれコレ
クタ電極、ベース電極、エミッタ電極である。このよう
なμc −3i : H膜は平行平板型プラズマCVD
(化学気相成長)装置によって形成することができる
。また、シリコンのエネルギーギャップ1.12eVに
対し、p c −3i : Hのエネルギーギャップは
1.81eVであり、ヘテロ界面における伝導帯側のバ
ンドのとびが0.16eV、価電子帯側のバンドのとび
が0.53eVで、そのためにベースからエミッタへの
正孔による拡散電流成分が十分抑えられ、高い電流増幅
率が得られるものである。
ところが、上記のようなHBTの構造はμc5i:H(
水素化マイクロクリスタルシリコン)と単結晶シリコン
とのへテロ接合面がベース・エミッタ接合面と一致して
いるため、ヘテロ接合界面に結晶欠陥が多く、ギヤリア
の再結合が生じて大きな再結合電流が流れ、特に、低コ
レクタ電流領域での電流増幅率が低いと云う問題があっ
た。
水素化マイクロクリスタルシリコン)と単結晶シリコン
とのへテロ接合面がベース・エミッタ接合面と一致して
いるため、ヘテロ接合界面に結晶欠陥が多く、ギヤリア
の再結合が生じて大きな再結合電流が流れ、特に、低コ
レクタ電流領域での電流増幅率が低いと云う問題があっ
た。
第7図はそれを説明する従来のHBTのバンド構造図を
示しており、ヘテロ接合における欠陥のために電子(・
)と正孔(○)とが再結合する様子を図示したものであ
る。
示しており、ヘテロ接合における欠陥のために電子(・
)と正孔(○)とが再結合する様子を図示したものであ
る。
本発明はこのような問題点を低減させ、低コレクタ電流
領域での電流増幅率を向上することを目的としたシリコ
ン系HBTを提案するものである。
領域での電流増幅率を向上することを目的としたシリコ
ン系HBTを提案するものである。
その課題は、μc −Si : H系材料からなるエミ
ッタとシリコンからなるベースをヘテロ接合したシリコ
ン系HBTにおいて、エミッタ・ベース接合界面をヘテ
ロ接合界面よりベース側に移動させた構造とすることに
よって解決される。
ッタとシリコンからなるベースをヘテロ接合したシリコ
ン系HBTにおいて、エミッタ・ベース接合界面をヘテ
ロ接合界面よりベース側に移動させた構造とすることに
よって解決される。
即ち、本発明は、エミッタ・ベース接合界面を欠陥の多
いヘテロ接合界面から欠陥の少ないベース側に少し移動
させることによって、エミッタ・ベース接合界面の結晶
性が改善され、従って、キャリアの再結合電流が減少し
て電流増幅率hFEが向上する。
いヘテロ接合界面から欠陥の少ないベース側に少し移動
させることによって、エミッタ・ベース接合界面の結晶
性が改善され、従って、キャリアの再結合電流が減少し
て電流増幅率hFEが向上する。
〔実施例〕
以下、図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第1図は本発明にかかるシリコン系HBTの構造断面図
を示しており、11は基板、 12はn+型コレクタコ
ンタクト、13はn−型コレクタ、14はp“型ベース
、 10はn型エミッタ、15はn型μc−5i :
Hエミッタ、16は絶縁膜、 17.18.19はそれ
ぞれコレクタ電極、ベース電極、エミッタ電極である。
を示しており、11は基板、 12はn+型コレクタコ
ンタクト、13はn−型コレクタ、14はp“型ベース
、 10はn型エミッタ、15はn型μc−5i :
Hエミッタ、16は絶縁膜、 17.18.19はそれ
ぞれコレクタ電極、ベース電極、エミッタ電極である。
且つ、n型エミッタ10の幅は小数キャリアの拡散長よ
りも短くする必要があり、通常のμc−5i : Hを
用いたHBTの場合、1000人程度以下にすれば問題
はない。
りも短くする必要があり、通常のμc−5i : Hを
用いたHBTの場合、1000人程度以下にすれば問題
はない。
第2図は本発明にがかるHBTのバンド構造図を示し、
ヘテロ接合界面における欠陥がエミッタ・ベース接合界
面から外れているために電子(・)と正孔(0)との再
結合が減少することを図示したものである。
ヘテロ接合界面における欠陥がエミッタ・ベース接合界
面から外れているために電子(・)と正孔(0)との再
結合が減少することを図示したものである。
この構造の製造方法の概要を説明すると、第3図に一製
造工程図を示している。まず、コレクタ13、ベース1
4を通常のシリコンバイポーラトランジスタと同様に形
成し、絶縁膜16にエミッタ電極窓を開けた後、第3図
に示すように、数百人程度の薄い燐シリケートガラス(
PSG)膜20をCVD(気相成長)法で成長し、それ
を温度700〜800℃、時間10−15分程度で熱処
理して拡散し、n型エミッタ10を形成する。その後、
PSG膜20を取り除く。次いで、n型μc −St
: Hを成長してエミッタ15を形成するが、その成長
法は通常の太陽電池用のアモルファスシリコンの作成条
件と比べて放電パワーを大きくし、水素ガスを多く流入
させることによって、水素化マイクロクリスタルシリコ
ンを成長する。
造工程図を示している。まず、コレクタ13、ベース1
4を通常のシリコンバイポーラトランジスタと同様に形
成し、絶縁膜16にエミッタ電極窓を開けた後、第3図
に示すように、数百人程度の薄い燐シリケートガラス(
PSG)膜20をCVD(気相成長)法で成長し、それ
を温度700〜800℃、時間10−15分程度で熱処
理して拡散し、n型エミッタ10を形成する。その後、
PSG膜20を取り除く。次いで、n型μc −St
: Hを成長してエミッタ15を形成するが、その成長
法は通常の太陽電池用のアモルファスシリコンの作成条
件と比べて放電パワーを大きくし、水素ガスを多く流入
させることによって、水素化マイクロクリスタルシリコ
ンを成長する。
なお、n型エミッタ10は上記の固体拡散法の代わりに
、ホスフィンプラズマを発生させてプラズマドーピング
をおこなっても形成できる。また、最初にn型μc−3
i:Hを成長させて、そこから熱処理によってn型エミ
ッタ10を形成しても良い。
、ホスフィンプラズマを発生させてプラズマドーピング
をおこなっても形成できる。また、最初にn型μc−3
i:Hを成長させて、そこから熱処理によってn型エミ
ッタ10を形成しても良い。
しかし、いずれの場合も熱処理温度範囲を700〜80
0℃にすることが重要で、700℃以下では拡散がおこ
なわれず、800℃以上では深く拡散し過ぎるために、
この熱処理温度に確実に制御しなければならない。
0℃にすることが重要で、700℃以下では拡散がおこ
なわれず、800℃以上では深く拡散し過ぎるために、
この熱処理温度に確実に制御しなければならない。
第3図はトランジスタ特性の比較図で、横軸はVER,
縦軸はIb、Ic、実線が本発明にがかるHBTのIb
、Ic値1点線が従来のHBTの■b、Ic値である。
縦軸はIb、Ic、実線が本発明にがかるHBTのIb
、Ic値1点線が従来のHBTの■b、Ic値である。
電流増幅率はhFE= Ic / 1bであるから、こ
の図から、従来のHBTに比べて本発明にかかるHBT
は低コレクタ電流領域においてhFEが顕著に大きくな
ることが判る。
の図から、従来のHBTに比べて本発明にかかるHBT
は低コレクタ電流領域においてhFEが顕著に大きくな
ることが判る。
上記実施例は水素化マイクロクリスタルシリコン系材料
としてμc−5i:H(水素化マイクロクリスタルシリ
コン)を用いた例であるが、その他の水素化マイクロク
リスタルシリコンカーバイド(μc −5iC: H)
、水素化マイクロクリスタルシリコンナイトライド(
μc −5iN : H) 、水素化マイクロクリスタ
ルシリコンゲルマニュウム(μc −5iGe : H
)などを用いても同様の結果が得られるものである。
としてμc−5i:H(水素化マイクロクリスタルシリ
コン)を用いた例であるが、その他の水素化マイクロク
リスタルシリコンカーバイド(μc −5iC: H)
、水素化マイクロクリスタルシリコンナイトライド(
μc −5iN : H) 、水素化マイクロクリスタ
ルシリコンゲルマニュウム(μc −5iGe : H
)などを用いても同様の結果が得られるものである。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば再結合
電流が減少して電流増幅率が大きくなり、特に、低電流
領域における電流増幅率が向上したシリコン系HBTが
作成できる効果がある。
電流が減少して電流増幅率が大きくなり、特に、低電流
領域における電流増幅率が向上したシリコン系HBTが
作成できる効果がある。
第1図は本発明にかかるシリコン系HBTの構造断面図
、 第2図は本発明にかかるHBTのバンド構造図、第3図
は一製造工程図、 第4図はトランジスタ特性の比較図、 第5図はHBTのバンド構造図、 第6図は従来のシリコン系HBTの構造断面図、第7図
は従来のHBTのバンド構造図である。 図において、 IOはn型エミッタ、 11は基板、 12はn+型コレクタコンタクト、 13はn−型コレクタ、 14はp+型ベース、 15はn型p c −Si : Hエミッタ、16は絶
縁膜、 17はコレクタ電極、 l8はベース電極、 19はエミッタ電極、 20はPSG膜 を示している。
、 第2図は本発明にかかるHBTのバンド構造図、第3図
は一製造工程図、 第4図はトランジスタ特性の比較図、 第5図はHBTのバンド構造図、 第6図は従来のシリコン系HBTの構造断面図、第7図
は従来のHBTのバンド構造図である。 図において、 IOはn型エミッタ、 11は基板、 12はn+型コレクタコンタクト、 13はn−型コレクタ、 14はp+型ベース、 15はn型p c −Si : Hエミッタ、16は絶
縁膜、 17はコレクタ電極、 l8はベース電極、 19はエミッタ電極、 20はPSG膜 を示している。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 水素化マイクロクリスタルシリコン(μc−Si:H)
系材料をエミッタとしてシリコンベースにヘテロ接合し
たシリコン系ヘテロバイポーラトランジスタにおいて、 エミッタ・ベース接合界面をヘテロ接合界面よりベース
側に移動させた構造を有することを特徴とするヘテロバ
イポーラトランジスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20097588A JPH0249432A (ja) | 1988-08-10 | 1988-08-10 | ヘテロバイポーラトランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20097588A JPH0249432A (ja) | 1988-08-10 | 1988-08-10 | ヘテロバイポーラトランジスタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0249432A true JPH0249432A (ja) | 1990-02-19 |
Family
ID=16433430
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20097588A Pending JPH0249432A (ja) | 1988-08-10 | 1988-08-10 | ヘテロバイポーラトランジスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0249432A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06174130A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-06-24 | Fuji Koki Seisakusho:Kk | 電動流量制御弁 |
US5340755A (en) * | 1989-09-08 | 1994-08-23 | Siemens Aktiegensellschaft | Method of making planar heterobipolar transistor having trenched isolation of the collector terminal |
US6426266B1 (en) | 1997-12-22 | 2002-07-30 | Nec Corporation | Manufacturing method for an inverted-structure bipolar transistor with improved high-frequency characteristics |
-
1988
- 1988-08-10 JP JP20097588A patent/JPH0249432A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5340755A (en) * | 1989-09-08 | 1994-08-23 | Siemens Aktiegensellschaft | Method of making planar heterobipolar transistor having trenched isolation of the collector terminal |
JPH06174130A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-06-24 | Fuji Koki Seisakusho:Kk | 電動流量制御弁 |
US6426266B1 (en) | 1997-12-22 | 2002-07-30 | Nec Corporation | Manufacturing method for an inverted-structure bipolar transistor with improved high-frequency characteristics |
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