JPH0248988A - 光情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は光デイスクメモリや光カードなどレーザビーム
の照射により情報の記録再生を行なう光情報記録媒体の
構成に係り、特に情報の多値記録が可能な高密度タイプ
の光情報記録媒体を提供し、記録の多重化を可能ならし
める。

（従来の技術） 従来の追記型光情報記録媒体にレーザビームを照射して
記録再生を行なった場合、再生信号変調度と記録用レー
ザビームパワーとの相関は第３図に示すようになる。第
３図において、Ａは書込み閾値、Ｂは変調度が飽和値ａ
に達するパワーである。この種の記録媒体にディジタル
信号を記録する場合、低レベル（０）と飽和レベル（ａ
）との２値に信号を対応させている。

（発明が解決しようとする課題） 上記第３図に示したような記録媒体の場合、レーザビー
ムのスポットサイズに制限され、記録密度の現状以上の
飛躍的な増大が望めないという問題がある。

本発明は、記録用レーザビームのパワーを制御すること
により再生信号変調度を、低レベル、中間レベル、飽和
レベルのマルチレベル化しようとするものである。すな
わち、情報の多値記録が可能な高密度タイプの光情報記
録媒体を提供することを目的とする。叙上について、例
えば３値記録を行なった場合、従来の２値記録に比べて
単位面積当りの情報量は１．５８倍に達する。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段） この発明にかかる光情報記録媒体は、記録用レーザビー
ムのパワーが小さい場合基体上に設けられた記録膜に隆
起部が形成され、パワーが大なる場合孔部が形成される
マルチモード記録媒体であって、かつ、この記録膜が基
板上に順次積層された有機物薄膜からなる第１層と、少
なくとも一つが、金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物
、金属硫化物、およびこれらの２種以上の混合物から選
択された微粒子と、金属微粒子と有機物を含む混合物薄
膜からなる第２層と、あるいは、さらに誘電体薄膜から
なる第３層とを具備してなることを特徴とする。また、
上記金属酸化物がＩｎ２Ｏ，であり、かつ金属微粒子が
Ｉｎであることを特徴とする。

（作　用） この発明にかかる記録膜を用いた記録媒体は、記録用レ
ーザビームのパワーをより小さくすることによりバブル
と称される隆起変形部が形成でき、パワーをより大きく
することによりホールと称される孔部が形成できる。バ
ブル部分から得られる再生信号変調度はホール部分から
の変調度より小さい。従って、記録用レーザビームのパ
ワーを制御することにより、再生信号変調度をマルチレ
ベル化、即ち、情報の多値記録ができる。

バブル、および、ホールを形成できる前記記録膜中第２
層の混合物薄膜は、例えば−例として、Ｉｎターゲット
をメタン（ＣＨ４）、酸素（０□）、フロン１４　（Ｃ
Ｆ、　）を含む混合ガスでスパッタリングして形成でき
る。こうして製作した薄膜は、Ｉｎ２Ｏ，微粒子と金属
微粒子と有機物との混合物である。

ここで、有機物薄膜からなる記録膜中の第１層は記録媒
体の記録感度を向上させる機能があり、誘電体薄膜から
なる記録膜中の第３層は、バブルの形成できる記録条件
を拡大する機能がある。

（実施例） 本発明にかかる光情報記録媒体の記録膜につき一例の３
層構造を第１図（ｂ）に断面図で示す。光情報記録媒体
１０は基板１１と、有機物薄膜１２の第１層と、金属酸
化物、または金属窒化物、金属炭化物、金属硫化物、金
属硅化物、金属硼化物の内から選択された一つの化合物
微粒子と金属微粒子と有機物薄膜を含む混合物薄膜１３
の第２層と、さらに誘電体薄膜１４の第３層とを順次積
層した記録膜１５とからなっている。

また、上記有機物膜１２と混合物薄膜１３との間に形成
されたボイド１６によって、この記録膜用にバブル１７
が形成されている。次に、　１８はホールで、この底面
には有機物薄膜１２が露出し、このホール１８の周辺に
生じた記録膜の盛上り部はリム１９と称されている。

記録膜用を構成する第１暦の有機物薄膜１２としては、
記録用レーザビームが照射された場合、容易に蒸発して
混合物薄膜１３の隆起、即ち、バブル１７の形成を促進
する機能があればいかなる有機物も使用できる。

このような有機物薄膜１２は、有機物ターゲットのスパ
ッタリング、有機物膜ツマ−のプラズマ重合、有機材料
の真空蒸着、有機材料のスピンコードなどの方法で形成
することができる。

有機物ターゲットとしては、ポリ３弗化エチレン、ポリ
４弗化エチレン、ポリ６弗化プロピレン、ポリ弗化ビニ
ル、ポリ弗化ビニリデンなどのポリ弗化オレフィンが使
用できる。

有機物モノマーとしては、ＣＨ，、Ｃ，Ｈ，、Ｃ，１１
，などのパラフィン系炭化水素、Ｃ，Ｈ４、Ｃ，ＨＧな
どのオレフィン系炭化水素、ＣＦｌ、Ｃ，Ｆ、、Ｃ□Ｆ
８、ＣＨＦ、などのパラフィン系フルオロカーボン、０
２Ｆ４、Ｃ３Ｆｌ。

などのオレフィン系フルオロカーボン、Ｃ−Ｃ４Ｆ、　
。

Ｃ＠ＦＬＩ、Ｃ，Ｆ、などの環状フルオロカーボンが使
用できる。フルオロカーボンとしては、公害防止の観点
から塩素を含まないことが望ましい。

真空蒸着用の有機材料としては、銅フタロシアニンなど
の色素や、ステアリン酸などのカルボン酸や、パラフィ
ンなどが使用できる。スピンコード用の有機材料として
はニトロセルロースなどが秀れている。

これら第１層の有機物薄膜１２の薄膜は１０〜２０００
ｎｍの範囲が適当である。採用する有機材料、形成方法
に応じて選択すれば良い。

記録膜１５を構成する第２層の混合物薄膜１３は。

既に例示した製作法の他、より一般的には構成する成分
に対応したマルチターゲットや複合ターゲットのステア
リン酸、あるいは、構成成分の共蒸着によって形成する
ことができる。

混合物薄膜中３中の一例の金属酸化物微粒子としては、
記録媒体長寿命化の観点から大気中に保管された場合、
水分等に対し安定な金属酸化の微粒子ならいずれも使用
できる。即ち、ＺｎＯ１ＡＱ、　０３、Ｉｎ２Ｏ３、Ｇ
ａ２Ｏ，、Ｙ、０３、Ｓｉｎ、、Ｇｅｍ、、　ＳｎＯ，
、Ｌａ、Ｏ。

等の希土類金属の酸化物ＴｉＯ□、■２０いＣｒ２０．
、Ｍｎ、ＯイＦｅ、０．、Ｃｏｄ、　Ｎｉ０５Ｃｕｂ、
　ＺｒＯ，、Ｎｂ、０．、Ｍｏｂ、、　ＨｆＯ，、Ｔａ
２Ｏ３、および、これらの複合酸化物である。

次に、混合物薄膜１３における１例の金属窒化物微粒子
としては、同じく記録媒体長寿命化の観点から大気中に
保管された場合、水分等に対し安定な金属窒化物の微粒
子ならいずれも使用できる。

具体的には以下のものが適当である。即ち、ＢＮ、＾Ｑ
Ｎ、　ＧａＮ、ＩｎＮ、　Ｓｉ、Ｎ４．　Ｇｅ、Ｎ、、
　ＩｉＮ、ＶＮ、　ＣｒＮ、ＺｒＮ、　ＮｂＮ、　Ｍｏ
ｎ、１ｌｆＮ、　ＴａＮ、　ＷＮである。これら単独の
他、混合させて用いることもできる。また、これらは成
膜時に酸素を含むこともあるが、この場合にも使用可能
である。

次に、混合物薄膜１３における一例の金属炭化物微粒子
としては、同じく記録媒体長寿命化の観点から大気中に
保管された場合、水分等に対し安定な金属炭化物の微粒
子なら、いずれも使用できる。

具体的には以下のものが適当である。即ち、５ｉＣ５Ｂ
、Ｃ１ＴｉＣ％ＺｒＣ，ＨｆＣ，ＶＣ，ＮｂＣ，ＴａＣ
，ＭｏＣ，ＶＣ。

ＶＣ，、ＴａＣ，、ＭｏＣｚ−’ｊｃｚである。これら
は単独の他、混合させて用いることもできる。

次に、混合物薄膜１３中の金属硫化物微粒子としては、
同じく記録媒体長寿命化の観点から大気中に保管された
場合、水分等に対し安定な金属硫化物の微粒子なら、い
ずれも使用できる。具体的には、以下のものが適当であ
る。即ち、Ｃｕ、　Ｓ、　Ａｇ２Ｓ、Ｃｒ、Ｓ、　Ｎ１
２Ｓ、　ＣｒＳ、　ＭｎＳ、　ＦｅＳ、　ＣｏＳ、　Ｎ
ｉＳ、　ＣｕＳ、ＺｎＳ、　ＳｎＳ、ＰｂＳ、　Ｃｒ２
５３、Ｃｏ、　Ｓ、、Ｉｒ＋、Ｓ、、　５ｂ２ｓ、、Ｔ
ｅ２Ｓ、、Ｇａｓ、　Ｍｏ５ｚ、　ＦｅＳ２、ＳｎＳ、
、および、Ｌａ、　Ｓ。

などの希土類硫化物である。これらは単独の他、混合さ
せて用いることもできる。

次に、混合物薄膜１３中の金属硅化物微粒子としては、
同じく記録媒体寿命化の観点から大気中に保管された場
合、水分等に対して安定な金属硅化物の微粒子なら、い
ずれも使用できる。具体的には、以下のものが適当であ
る。即ち、ＴｉＳｉ、、Ｚｒ５ｉｚ、ＨｆＳｉ２、ＶＳ
ｉ、、Ｎｂ、Ｓｉ、、Ｔａ５ｉｚ、　ＣｒＳｉ、、Ｍｏ
Ｓｉ２、ＷＳｉ、　、などが使用できる。これらは単独
で、あるいは混合させて用いることができる。

次に、混合物薄膜１３中の金属硼化物微粒子としては、
同じく記録媒体長寿命化の観点から大気中に保管された
場合、水分等に対して安定な金属硼化物の微粒子なら、
いずれも使用できる。具体的には、以下のものが適当で
ある。即ち、ＶＢ、。

ＶＢ□、、ＡＱＢ、、　Ｌａｄ、、　Ｔｉｅ、　Ｔｉｎ
２、ＺｒＢ、　ＺｒＢ□ｚ−１１ｆＢ、、ＶＢ、　Ｎｂ
Ｂ、　ＴａＢ２．　Ｔａ、Ｂ４．　Ｃｒｙ、　ＣｒＢ、
、Ｃｒ、　Ｂ４、Ｃｒ、Ｂ−Ｃｒ、Ｂ、　ＭｎＢ、　Ｍ
ｎＢ、、Ｆｅ８％Ｆｅ２Ｂ、Ｃｏ、Ｂ、　Ｎｉ３Ｂなど
が使用できる。これらは単独で、あるいは混合させて用
いることができる。

混合物薄膜１３中の金属微粒子としては、同じく。

著しく活性、不安定なものでなければ、いずれも使用可
能である。記録感度向上の観点から低融点金属は特に適
当なものである。具体的には、融点１０００℃以下のＧ
ｅ、Ｉｎ、　Ｓｎ、　Ｓｂ、　Ｔｅ、Ｂｉなど、および
、これらの合金の微粒子である。

混合物薄膜中の有機物としては、沸点が４００℃以下の
有機物であればいかなるものも使用可能である。具体的
には、ポリ４弗化エチレン、ポリエチレンなどの種々の
重合物や水素フタ口シアニンなど、種々の色素や有機錯
体が適当である。

混合物薄膜の構造、例えば、組成１粒系、薄膜、結晶性
は記録媒体としての種々の特性、中でも寿命、記録感度
、分光特性を大きく変化させる。

混合物薄膜の組成、即ち、−例の金属酸化物微粒子と金
属微粒子と有機物との比率としては、有機物が１〜１０
ｗｔ％、金属微粒子が５〜２０ｗｔ％、その残部が金属
酸化物微粒子というのが適当である。

そして、−例の金属酸化物１例えばＩｎ２Ｏ，等の微粒
子、および、金属微粒子１例えばＩｎの粒径は微細であ
ることが望ましい。これは混合物薄膜の薄膜にもよるが
、生ずるホールの径が約　１μ田程度であることを考慮
すると、１１００ｎ以下が順当である。

混合物薄膜の薄膜としては１０〜５００ｎｍ、より望ま
しくは３０〜３００ｎ＋ｓが良い。また、薄膜は記録感
度や分光特性を適性化するため、組成に応じ最適化する
ことが重要である。例えば、分光特性としては、反射率
が１０〜６０％の範囲にあることが、再生信号をＣＮ比
良く処理する上で必要である。

混合物薄膜中の一例の金属酸化物微粒子、例えばＩｎ２
Ｏ，微粒子、および金属微粒子１例えばＩｎ微粒子は、
未記録状態において非晶質状態にあることが望ましい。

これは、非晶質状態にある方が結晶質状態にある場合に
比べ、長寿命、即ち、大気中に保管されたときの安定性
が高いためである。

混合物薄膜における以と挙げた組成、粒径、薄厚、結晶
性は、いずれも成膜時の条件、即ち、スバタリングであ
れば、ガス組成、放電圧力、印加電力、放電時間を制御
することで所定のものにすることができる。

第３層の誘電体薄膜は、バブルの形成を著しく阻害しな
いものであれば特に制限はない。特に望ましいものとし
て延び率の大きい材料、例えば有機物薄膜が挙げられる
。そこで、第１Ｍとして使用可能なものとして先に挙げ
たスバタリング法、プラズマ重合法、真空蒸着法、スピ
ンコード法で形成できる有機物薄膜はいずれも使用可能
である。

また、炭素薄膜のような無機質の薄膜も使用できる。

次に、本発明の光情報記録媒体にバブル、および、ホー
ルが形成される機構を説明する。

記録用レーザビームが照射されると、その一部が金属微
粒子に吸収される。その結果、金属微粒子の温度が上昇
し、次いで例えば、−例の金属酸化物微粒子、有機物も
加熱される。有機物の沸点は約４００℃以下と低いため
、レーザビームが照射されれば直ちに蒸発する。また、
混合物薄膜層の熱量は一部第１層の有機物薄膜に流出し
、有機物薄膜の表面層を蒸発させる。これらの２種類の
有機系材料の蒸発は、ガス圧力として昌合物薄膜１３と
有機物薄膜１２との界面に作用する。その結果、混合物
薄膜１３はボイド１６を形成しながら隆起変形し、バブ
ル１７が形成される。誘電体薄膜１４は、バブルの形成
される記録用レーザビームの範囲を拡大する。

次に、本発明情報記録媒体に多値記録を行なう方法を述
べる。

第２図は本発明記録媒体にレーザビームを照射して記録
再生を行なったときの再生信号変調度と記録用レーザビ
ームパワーとの関係である。

第２図において５Ａは書込み閾値であって、このパワー
以上の書込みでバブルが形成される。記録用パワーがＡ
からＢの間、変調度は０からａの間単調に増加する・。

ところが、記録用パワーがＢからＣの間の書込みの場合
、変調度がほぼ一定のａの値をとる。これは、ＢＣ間の
パワーによる書込みの場合、バブル形状は多少変化する
が、変調度の値そのものは一時的に飽和しているためで
ある。記録用パワーがＣに達するとバブルの一部にピン
ホールが形成される。ＣからＤの間ピンホールの径の拡
大に伴なって変調度はａからｂ八と再び増加する。記録
用パワーがＤに達したときバブルは消滅してホールが形
成される。変調度すの値はホール形成部の飽和値であっ
て、それ以後パワーが増大しても増加しない。

そこで、記録用レーザビームパワーをＢＣ間の所定の値
とＤより大きい所定の値との２者用いて書込みを行なっ
た場合、再生信号の変調度は低レベル（０）と中間レベ
ル（ａ）と高いレベル（ｂ）との３値をとることができ
る。中間レベル（ａ）の変調度の値は、高レベル（ｂ）
に比べ約１７２程度であるから両者の識別は容易である
。

（１）　　本発明の第１の光情報記録媒体として、２Ｍ
構成の記録膜におけるバブル、および、ホールが形成さ
れた状態の断面模式図を第１図（ａ）に示す。

第１図（ａ）において、１１は基板、３２は記録膜であ
る。３２２は第１Ｍの有機物薄膜、３２１はＩｎ２Ｏ３
微粒子とＩｎ微粒子と有記物とを含む第２暦の混合物薄
膜である。

叙上の構成になる記録膜３２にバブル、および、ホール
が形成される機構につき以下に説明する。

記録用レーザビームが照射されると、その一部が混合物
薄膜中３２１のＩｎ微粒子に吸収される。吸収された熱
量により、Ｉｎ微粒子だけでなく、隣接したＩｎ２Ｏ，
微粒子や有機物の温度が上昇する。この混合物薄膜の温
度上昇は混合物薄膜のみにとどまらず、第１層の有機物
薄膜３２２の温度上昇へと継続される。混合物薄膜３２
１中の有機物や第１＃の有機物薄膜３２２の沸点は３０
０℃以下である。そこで、記録用レーザビームが照射さ
れれば、これら混合物薄膜中３２１の有機物薄膜３２２
は直ちに蒸発する。これら２種類の有機系分子の蒸発は
、ガス圧力として混合物薄膜３２１と有機物薄膜３２２
との界面に作用する。その結果、混合物薄膜３２１はボ
イド３４を形成しながら隆起変形し、バブル３３が形成
される。

以上は記録用レーザビームのパワーがより小さい場合で
あるが、さらにパワーの大きいレーザビームが照射され
た場合、有機系分子の蒸発量が増大し、ボイド３４は拡
大、膨張する。さらにパワーが増加すると、ガス圧によ
りバブル頂部にピンホールが形成される。ピンホールの
径は、照射レーザビームのパワーが増大すれば拡大し、
最終的にはホール３５が形成される。そして、ホール３
５の周辺には混合物薄膜が盛上りリム３６が形成される
。

なお、第１層の有機物層としては、先に挙げた３層構成
の光情報記録媒体における第１層の有機物薄膜が全て使
用可能である。

第２層の混合物薄膜は、前記したようにＩｎｎターゲラ
１〜ＣＩ＋４などの炭化水素と酸素、あるいはＣＦ４な
どのフルオロカーボンからなる混合ガスでスパタリング
すれば形成できる。

混合物薄膜の構造、例えば、組成、粒径、膜厚、結晶性
は記録媒体として種々の特性１例えば、寿命、記録感度
、分光特性を大きく変化させる。

組成、即ち、Ｉｎ２Ｏ，の′微粒子と有機物との比率と
しては、有機物がｉ＝ｌＯｗｔ％、Ｉｎ微粒子が５〜２
０ｗｔ％、その残部がＩｎ２Ｏ，微粒子というのが適切
である。

Ｉｎ２Ｏ，微粒子、および、Ｉｎ微粒子の粒径としては
微細である程望ましい。混合物薄膜の薄膜にもよるが、
ホール３５の径が約１μｍ程度であることを考慮すれば
、１００μｍ以下が順当である。

混合物薄膜の薄膜として１０〜ｂ しくは３０〜３００ｎｍが良い。また、膜厚は混合物薄
膜の記録感度や分光特性を適正化するため、組成に応じ
、適切化することが重要である。例えば、分光特性とし
ては、反射率が１０〜６０％の範囲にあることが再生信
号をＣＮＲよく処理する上で重要である。

Ｉｎ、　０．微粒子、および、Ｉｎ微粒子は、成膜時の
混合膜中において非晶質状態にあることが望ましい。こ
れは、非晶質状態にある方が結晶質状態にある場合に比
べ長寿命、即つ、大気中に保管されたときの安定化が高
いためである。

混合物薄膜における以上挙げた組成、粒径、膜厚、結晶
性は、いずれも成膜時のガス組成、放電圧力、印加電圧
、放電時間を制御することで所定のものにすることがで
きる。例えば、放電圧力としては１〜］００ｍＴｏｒｒ
の範囲で成膜できるが、放電圧力の高い程Ｉｎ微粒子の
含有量が減少し、有機物の含有物が増加する。

なお、本発明にかかる情報記録媒体に多値記録を行なう
方法については、先に説明したところと変わらないので
省略する。

（１−ｉ）　　第１の光情報記録媒体にかかる第１実施
例で記録膜が有機薄膜と混合物薄膜の２層構造を第１図
（ａ）を参照して以下に説明する。

径１２７ｍ＋＊のポリ４弗化エチレンターゲツトをＡｒ
ガスとＣ，Ｆ、ガスとの混合ガスでスパタリングして径
１３０閣、厚１．２ｍのｐｃ基板上に第１層の有機薄膜
を形成した。スパタリング装置はＲＦマグネトロンタイ
プのものである。印加電圧は８０Ｗ、放電圧力は３０ｓ
Ｔｏｒｒ、放電時間は１０分間とした。

第２層の混合物薄膜は、径１２７ａｓのＩｎターゲット
をＣＨいＣＦ４．０．混合ガスでスパタリングして形成
した。印加電力は５００Ｗ、放電圧力は３０ｓＴｏｒｒ
、放電時間は５分間、混合ガスの組成はＣＨ４／　ＣＦ
Ｉ　１０□＝　６４．４　／　８．０　／　２７．６と
した。

このようにして製作した光ディスクをＣＡＶ　１８００
ｒｐ−で回転させ、ｒ＝５０ａｍの位置において記録再
生特性を調べた。レーザビームの波長は８３０ｎｍ、対
物レンズのＮＡは０．６である。

パルス幅を＋５０ｎｓｅｃ一定とし、記録用レーザビー
ムパワーと再生信号変調度との関係を求めた。

第２図のＢに対応するパワーは約４ｍＶ、ａに対応する
変調度の中間レベルの値は０．３６であった。

なお、変調度は未記録部分からの反射光レベルをＲＩ＋
、記録部分からの反射光レベルをＲ□として（ＲＯ−１
／（Ｒｏ　＋Ｒ，）で定義した。次に、第２図のＤに対
応するパワーを約９＋ｎＷ、ｂに対応する変調度の飽和
値は０．７５であった。

変調度０．３６、および、　０．７５の書込みのできた
媒体の領域を光学顕微鏡で観察したところ、０．３６の
領域にはバブル、　０．７０の領域にはホールの形成さ
れているのが認められた。

（１−２）　　第１の光情報記録媒体にかかる第２実施
例を以下に説明する。

上記（１−１）実施例と同様にして光ディスクを製作し
た。基板は径１３０ｍａ、厚１．２ｎｎのＰＣ基板であ
る。

まず、第１層の有機物薄膜はＣ−Ｃ４Ｆ、　（フロン３
１８）のプラズマ重合膜とした。形成装置は上記実施例
と同様のＲＦマグネトロンスパタリング装置を用いた。

印加電圧は６０Ｗ、放電圧力は４０ｍｔｏｒｒ、放電時
間は５分間とした。

次に、第２層の混合物薄膜は径１２７＋ｎｎ＋の１ｎタ
ーゲツトをＣＨ４，ＣＦ、、０２の混合ガスでスパッタ
リングして形成した。印加電力は５００Ｗ　、放電圧力
は２０ｓＴｏｒｒ、　　放電時間は５分間、混合ガスの
組成はＣＨ４／　Ｃ，Ｆ−／　Ｏ□＝７１．１１５．２
／２３．７とした。

このようにして製作した光ディスクを上記実施例と同様
にして記録再生特性を調べた。

本実施例の光ディスクの場合、第２図のＢに対応するパ
ワーは約４ａ＋１、ａに対応する変調度の中間レベルの
値は０．４０であった。第２図のＤに対応するパワーは
約８１、ｂに対応する飽和レベルの値は０．７６であっ
た。

（１−３）　　第１の光情報記録媒体にかかる第３実施
例を以下に説明する。

径１３０ｍｍ、厚１．２ｍｍのｐｃ基板上に、第１層の
有機薄膜としてニトロセルロース膜をスピンコード法で
形成した。第２層の混合物薄膜は実施例−１の混合物薄
膜と同様にして形成した。

本実施例の光ディスクの場合、第２図のＢに対応するパ
ワーは約３ｍＪ　ａに対応する変調度の中間レベルの値
は０．４２であった。第２図のＤに対応するパワーは約
７ａ＋ｌｔ、　ｂに対応する飽和レベルの値は０．７７
であった。

（１−４）　　第１の光情報記録媒体にかかる第４実施
例を以下に説明する。

径１２７−のポリ６弗化プロピレンターゲツトをＡｒガ
スとＣ−Ｃ４Ｆ、ガスとの混合ガスでスパタリングし、
８６Ｘ５４Ｘ０．４ｍのｐｃ基板上に第１層の有機薄膜
を形成した。印加電圧は８０Ｗ、放電圧力は３゜ｍＴｏ
ｒｒ、放電時間は１０分間とした。

次に、第２層の混合物薄膜は、径１２７ｍのＩｎターゲ
ットをＣＩｌいＣ２Ｆ４．０□の混合ガスでスバタリン
グして形成した。印加電力は５００Ｗ、放電圧力は２０
ｓＴｏｒｒ、放電時間は５分間、混合ガスの組成はＣ１
，／Ｃ２Ｆ、１０□＝７１．１１５．２／２３．７とし
た。

次に、８６Ｘ５４Ｘ０．４ｍの塩化ビニール樹脂製保護
基板をホットメルト系接着剤で積層した。

このようにして製作した光カードの記録再生特性を調べ
た。線速は５０＋＊／ｓｅｅ、レーザビームの波長は７
８０ｎｍ、対物レンズのＮＡは０．２である。

パルス幅を６０μ５ｅｃ一定とし、記録用レーザビーム
パワーと再生信号変調度との関係を求めた。

第２図のＢに対応するパワーは約４ｍす、ａに対応する
変調度の中間レベルの値は０．４１であった。

第２図のＤに対応するパワーは約８ｍＷ、　ｂに対応す
る変調度の値は０．７８であった。

変調度０．４１．および、０．７８の書込みのできた媒
体の領域を光学顕微鏡で観察したところ、０．４１の領
域にはバブル、０．７８の領域にはホールが形成されて
いるが認められた。

（１１）　　以下に記す本発明の第２の光情報記録媒体
の実施例は、記録膜中の第２Ｗ！Ｊ混合物薄膜が金属酸
化物微粒子を構成要素としている。

（Ｉｔ−１）　　第２の光情報記録媒体にかかる第１実
施例を以下に説明する。

径２００１１ｍのポリ４弗化エチレンターゲツトをＡｒ
ガスと０２Ｆ４ガスとの混合ガスでスパタリングして径
１３０ｎｎ、厚１．２ａ＋＋のｐｃ基板上に第１層の有
機物薄膜を形成した。スパタリング装置は、ＲＦダイオ
ードタイプのものである。印加電力は８０Ｗ、放電圧力
は３０■Ｔｏｒｒ、放電時間は１０分間とした。

第２層として、径２００　ｍの５ｉｎ２ターゲツト上に
Ｉｎ金属ペレット、ポリ４弗化エチレンペレツトを所定
数並べ、ＡｒガスとＣＦ４ガスとの混合ガスでスパタリ
ングを施して先の第１層に積層した。印加電力は３００
Ｗ、放電圧力は２０■Ｔｏｒｒ、放電時間は５分間とし
た。

第３／！Ｆとして径２００　ｔｒｍのポリ４弗化エチレ
ンターゲツトをＡｒガスとＣ，Ｆ、ガスとの混合ガスで
スパタリングし、先の第２層に積層した。印加電力は８
０Ｗ、放電圧力は３０■Ｔｏｒｒ、放電時間は５分間と
した。

このようにして製作した光ディスクをＣＡＶ　１８００
ｒｐｍで回転させ、ｒ＝５０ｍの位置において実施例（
１）と同様に記録再生特性を調べた。

パルス幅を１５０ｎｓｅｃ一定とし、記録用レーザビー
ムパワーと再生信号変調度との関係を求めた。

第２図のＢに対応するパワーは約４１、ａに対応する変
調度の中間レベルの値は０．４０であった。

次に、第２図のＤに対応するパワーは約９ｍＷ。

ｂに対応する変調度の飽和値は０．７８であった。

変調度０．４０、および、０．７８の書込みのできた記
録媒体の領域を光学顕微鏡で観察したところ、０．４０
の領域にはバブル、０．７８の領域にはホールの形成さ
れているのが認められた。

（ｎ−２）　　第２の光情報記録媒体にかかる第２実施
例を以下に説明する６ 径２００ｍのポリ６弗化プロピレンターゲツトをＡｒガ
スとＣＦ４　ガスとの混合ガスでスパッタリングして径
１３０ｍｍ、厚１．２瞳のｐｃ基板上に第１層の有機物
薄膜を形成した。スパタリング装置は実施例（１）と同
一のＲＦダイオードタイプのものである。

印加電力は８０Ｗ、放電圧力は３０ｎＴｏｒｒ、放電時
間は１０分間とした。

第２層として、径２００　ｍのＴｉｅ、ターゲット上に
Ｔｅ金属ペレット、ポリ４弗化エチレンペレツトを所定
に並べ、ＡｒガスとＣ２Ｆ、ガスとの混合ガスでスパタ
リングして、先の第１暦に積層した。印加電力は２５０
Ｗ、放電圧力は１５■Ｔｏｒｒ、放電時間は５分間とし
た。

第３層として径２００　ｔｍのポリ６弗化プロピレンタ
ーゲツトをＡｒガスとＣ−Ｃ４Ｆ、ガスとの混合ガスで
スパタリングし、先の第２層に積層した。印加電力は８
０Ｗ、放電圧力は３０＋＊Ｔｏｒｒ、放電時間は５分間
とした。

このように製作した光ディスクを上記（ｎ−ｉ）の実施
例と同様にして記録再生特性を測定した。

第２図のＢに対応するパワーは約５−リ、ａに対応する
変調度の中間レベルの値は０．３８ｔ”あった。

第２図のＤに対応するパワーは約９■ｖ、ｂに対応する
変調度の値は０．７３であった。

（ＩＩ−３）　　第２の光情報記録媒体にかかる第３実
施例を以下に説明する。

径２００　ｍのポリ４弗化エチレンターゲツトをＡｒガ
スとＣ，Ｆ、ガスとの混合ガスでスバタリングして、８
６　Ｘ　５４　Ｘ　０．４ｔａ＋のｐｃ基板上に第１層
の有機物薄膜を形成した。スパタリング装置は上記（Ｉ
Ｉ−１）の実施例と同一のＲＦダイオードタイプのもの
である。

印加電力は８０Ｗ、放電圧力は３０■Ｔｏｒｒ、放電時
間は１０分間とした。

第２層として、径２００■のＳｎＯ□ターゲット上にＢ
ｉ金属ペレット、ポリ４弗化エチレンペレツトを所定数
並べ、ＡｒガスとＣＦ４ガスとの混合ガスでスバタリン
グして、先の第１層に積層した。印加電力は３００Ｗ、
放電圧力は２０■Ｔｏｒｒ、放電時間は５分間とした。

第３層として、径２００■のポリ４弗化エチレンターゲ
ツトをＡｒガスとＣ，Ｆ、ガスとの混合ガスでスパタリ
ングし、上記第２層に積層した。印加電力はａＯＷ、放
電圧力は３０■Ｔｏｒｒ、放電時間は１０分間とした。

このように製作した光カードの記録再生特性を（１−４
）と同様に調べた。

パルス幅を６０μ５ｅｃ一定とし、記録用レーザビーム
パワーと再生記号変調度との関係を求めた。

第２図のＢに対応するパワーは約４ｍＶ、ａに対応する
変調度の中間レベルの値は０．３５であった。

第２図のＤに対応するパワーは約９ｍＷ、ｂに対応する
変調度の値は０．７８であった。

変調度０．３５、および、０．７８の書込みのできた記
録媒体の領域を光学顕微鏡で観察したところ、０．３５
の領域にはバブル、０．７８の領域にはホールの形成が
認められた。

（ＩＩ−４）　　第２の光情報記録媒体にかかる第４実
施例を以下に説明する。

第１Ｍの有機物薄膜層、第３Ｈの誘電体薄膜層を共通の
構成とし、第２暦の混合物薄膜層のみが異なる８種の光
ディスクを以下のように製作した。

即ち、第１Ｍの形成法は径２００　ｍのポリ４弗化エチ
レンターゲツトをＡｒガスとＣ，Ｆ４ガスとの混合ガス
でスパタリングするものである。印加電力は８０Ｗ、放
電圧力は３０＋ｍＴｏｒｒ、放電時間は１０分間である
。基板は径１３０＋ｎのＰＣ基板である。

第２層の形成は真空蒸着法で行なった。混合物薄膜中の
有機物として銅フタロシアニンを共通に、金属微粒子が
Ｇｅであって、金属酸化物がＡＱ２０．、Ｇａ２Ｏ３、
Ｙ２Ｏ３、Ｇｅｍ、であるものと、金属微粒子がＳｎで
あって金属酸化物がＬａ２０．、　Ｃｒ２Ｏ３、Ｎｉ０
１ＺｒＯ，である８種である。＠フタロシアニンとＧｅ
とＳｎとは抵抗加熱蒸着法、酸化物は電子ビーム蒸着法
で成膜した。

第３層の形成は第１１と同様に径２００ｍのポリ４弗化
エチレンターゲツトのスパタリングで行なった。

このようにして製作した８種の光ディスクの記録再生特
性を、上記（ｎ−１）に示した実施例と同様にして測定
した。

求めた再生信号変調度と記録用レーザビームパワーとの
関係を次の第１表に示す。第２図のＢに対応するパワー
は５〜６ｍＷ、ａに対応する変調度の中間値は約０．４
．　Ｄに対応するパワーは８〜１０ｍｗ、　ｂに対応す
る変調度の飽和値は約０．８という良好な特性であるこ
とが判った。

第１表 （ｎ　−ｓ）　　第２の光情報記録媒体にかかる第５実
施例を以下に説明する。

上記（ｎ−４）の実施例と同様に第１層の有機物薄膜層
の第３層の誘電体薄膜層を共通の構成とし、第２層の混
合物薄膜層のみが異なる８種の光ディスクを製作した。

記録膜の構成と記録再生特性との関係を次の第２表に示
す、８種の光ディスクとも第２表に見られるように良好
な特性が得られた。

第２表 □□□閣■ （ＩＩＩ）　　以下に記す本発明の第３の光情報記録媒
体の実施例は、記録膜の中の第２層温合物薄膜構成につ
いて上記（ＩＩ）が金属酸化物微粒子を例示したのに対
し、金属窒化物微粒子に変わっている。

（ＩＩＩ−１）　　第３の光情報記録媒体にかかる第１
実施例を以下に説明する。

径２００■のポリ４弗化エチレンターゲツトをＡｒガス
とＣ，Ｆ４ガスとの混合ガスでスパタリングして径１３
０■、厚１．２ｍのｐｃ基板上に第１層の有機物薄膜を
形成した。スパタリング装置はＲＦダイオードタイプの
ものである。印加電力は８０ｗ、放電圧力は３０ｍＴｏ
ｒｒ、放電時間は１０分間とした。

第２層として、径２００ｍのＳｉ、　Ｎ４ターゲツト上
にＳｎ金属ペレット、ポリ４弗化エチレンペレツトを所
定数並べ、ＡｒガスとＣ−Ｃ４Ｆ、ガスとの混合ガスで
スパタリングして、上記第１層に積層した。印加電力は
３００ｗ、放電圧力は２０ｍＴｏｒｒ、放電時間は５分
間とした。

第３層として怪２００ｍのポリ４弗化エチレンターゲツ
トをＡｒガスと０２Ｆ４ガスとの混合ガスでスパタリン
グして上記第２層に積層した。印加電力は８０ｖ、放電
圧力は３０ｍＴｏｒｒ、放電時間は５分間とした。

このようにして製作した光ディスクを１８０Ｏｒｐｍで
回転させ、ｒ＝５０ｍの位置において実施例（Ｉ）を同
様に記録再生特性を調べた。

パルス幅を１５０ｎｓｅｃ一定とし、記録用レーザビー
ムパワーと再生信号変調度との関係を求めた。

第２図のＢに対応するパワーは約４ｎ＋Ｖ、　ａに対応
する変調度の中間レベルの値は０．４２であった。

次に、第２図のＤに対応するパワーは約９ｍＷ、ｂに対
応する変調度の飽和値は０．７７であった。

変調度０．４２、および、０．７７の書込みのできた記
録媒体の領域を光学顕微鏡で観察したところ、０．４０
の領域にはバブル、０．７７の領域にはホールの形成さ
れているのが認められた。

（ｍ−２）　　第３の光情報記録媒体にかかる第２実施
例を以下に説明する６ 上記（ｍ−１）と同様にして以下のような５種の光ディ
スクを製作した。第１層は、ポリ４弗化エチレンターゲ
ツトのＡｒガスとＣ，Ｆ、ガスとの混合ガスによるスパ
タリング膜である。印加電力は８０ｖ。

放電圧力は２５ｍＴｏｒｒ、放電時間は１０分間とした
。

第２層の形成は複合ターゲットによるスバタリング法で
行なった。ターゲットは径２００■のＴｉＮターゲット
であって、　ＴｉＮターゲット上に並べる有機物ソース
としてポリ４弗化エチレンペレツトは共通として金属ペ
レットがＧｅ、Ｉｎ、　Ｓｂ、　Ｂｉ、　Ｔｅの５種で
ある。スバタリングガスはＡｒガスとＣ，Ｆ４ガスとの
混合ガスである。印加電力は３００す、放電圧力は２５
ｓ＋Ｔｏｒｒ、放電時間は５分間共通とした。

第３層は、第１Ｍと同様にして積層したポリ４弗化エチ
レンターゲツトのＡｒガスとＣ，Ｆ、ガスとの混合ガス
によるスバタリング膜である。

このようにして製作した５種の光ディスクの記録再生特
性を、上記（ｍ−＋）実施例と同様にして測定した。

求められた再生信号変調度と記録用レーザービームパワ
ーとの関係を次の第３表に示す、５種の光ディスクは、
いずれも第３表に見られるように良好な特性を示した。

第３表 （ｍ−３）　　第３の光情報記録媒体にかかる第３実施
例を以下に説明する。

第１層の有機物薄膜層、第３層の誘電体薄膜層を共通の
構成とし、第２層の混合物薄膜層のみが異なる８種の光
ディスクを以下のように製作した。

即ち、第１層の形成は、径２００　ｍのポリ４弗化エチ
レンターゲツトをＡｒガトとＣ−０４Ｆ８ガスとの混合
ガスでスバタリングして行なった。印加電力は６０１１
、放電圧力は２５ｍＴｏｒｒ、放電時間は１０分間であ
る。基板は径１３０ｍｍ、厚１．２ｎａのＰＣ基板であ
る。

第２層の形成は真空蒸着法で行なった。混合物薄膜中の
有機物として水素フタロシアニン、金属微粒子としてＩ
ｎを共通に、金属窒化物微粒子がＢＮ、ＡＩＮ、　Ｇａ
Ｎ、　ＩｎＮ、　Ｇｅ３Ｎ、、　ＶＮ、　ＣｒＮ、　Ｎ
ｂＮである８種である。水素フタロシアニンとＩｎとは
抵抗加熱蒸着法、金属窒化物は電子ビーム蒸着法で成膜
した。

第３層の形成は第１層と同様に、ポリ４弗化エチレンタ
ーゲツトのスパタリングで行なった。

このようにして製作した８種の光ディスクの記録再生特
性を、上記（ｍ−１）実施例と同様にして測定した。

求められた再生信号変調度と記録用レーザビームパワー
との関係を第４表に示す。第２図のＢに対応するパワー
は５〜７ｍＶ、　ａに対応する変調度の中間値の値は約
０．４、Ｄに対応するパワーは９〜１２ｍＶ、　ｂｋ；
対応する変調度の飽和値は約０．８という良好な特性で
あることが判った。

第４表 （ＩＩＩ−４）　　第３の光情報記録媒体にかかる第４
実施例を以下に説明する。

上記（ｍ−３）と同様にして第１層、第３暦を共通とし
、第２層の混合物薄膜層のみが異なる５種の光ディスク
を以下のように製作した。第１層と第３層とは、ポリ４
弗化エチレンターゲツトのＡｒガスとＣ，Ｆ４ガスとの
混合ガスによるスバタリング膜で構成した。

第２層の金属窒化物微粒子はＺｒＮ、　ＭｏＮ、　Ｈｆ
Ｎ。

ＴａＮ、ＶＮの５種、金屑微粒子はＧｅ、有機物はバナ
ジウムフタロシアニン共通とした。

上記（ＩＩＩ−１）実施例と同様にして求めた再生信号
変調度と記録用レーザビームパワーとの関係を第５表に
示す。５種類の光ディスクとも第５表に見られるように
良好な特性であった。

第５表 （ｍ−ｓ）　　第３の光情報記録媒体にかかる第５実施
例を以下に説明する。

上記（ｍ−１）実施例と同様にして以下のような光カー
ドを製作した。第１層、第３層はポリ４弗化エチレンタ
ーゲツトのＡｒガスとＣ，Ｆ、ガスとの混合ガスでスパ
タリング膜である。

第２層は、Ｓｉ、　Ｎ４ターゲツト上にＩｎペレットと
ポリ６弗化プロピレンペレツトとを並べ、　Ａｒガスと
Ｃ，Ｆ、ガスとの混合ガスでスバタリングして形成した
。基板は８６Ｘ５４Ｘ０．４ｍｍノＰ　Ｃ基板である。

次に、８６　Ｘ　５４　Ｘ　Ｏ，４ｎｍの塩化ビニール
樹脂製保護基板をホットメルト系接着剤で積層した。

このように製作した光カードの記録再生特性を（１−４
）と同様に調べた。

パルス幅を６０μ５ｅｃ一定とし、記録用レーザビーム
のパワーと再生信号変調度との関係を求めた。

第２図のＢの対応するパワーは約４ｍＷ、ａに対応する
変調度の中間レベルの値は０．３６であった。第２図の
Ｄに対応するパワーは約１０ｍＷ、ｂに対応する変調度
の値は０．８１であった。

変調度０．３６．および、０．８１の書込みのできた媒
体の領域を光学顕微鏡でｗＡ察したところ、　０．３６
の領域にはバブル、０．８１の領域にはホールの形成が
認められた。

（ＩＶ）　　以下に示す本発明の第４の光情報記録媒体
の実施例は、記録膜の中の第２層温合物薄膜構成におい
て上記（ＩＩ）が金属酸化物、上記（ＩＩＩ）が金属窒
化物の微粒子を例示したが、これが金属炭化物微粒子に
変わったものである。

（ＩＶ−１）　　第４の光情報記録媒体にかかる第１実
施例を以下に説明する。

径２００　ｍのポリ４弗化エチレンターゲツトをＡｒガ
スとＣ，Ｆ４ガスとの混合ガスでスパタリングして径１
３０Ｘ１．２閣のＰＣ基板上に第１層の有機物薄膜を形
成した。スバタリング装置はＲＦダイオードタイプのも
のである。印加電力は８０１、放電圧力は３０ｍＴｏｒ
ｒ、放電時間は１０分間とした。

第２層として、径２００ｍのＳｉＣターゲット上に。

Ｉｎ金属ベレット・ポリ４弗化エチレンペレツトを所定
数並べ、ＡｒガスとＣ−Ｃ４Ｆ、ガスとの混合ガスでス
バタリングして上記第１層に積層した。印加電力は２０
０す、放電圧力は２０ｍＴｏｒｒ、放電時間は５分間と
した。

第３層として径２００Ｉのポリ４弗化エチレンターゲツ
トをＡｒガスとＣ，Ｆ４ガスとの混合ガスでスバタリン
グして上記第２層に積層した。印加電力は８０ｖ、放電
圧力は３０■Ｔｏｒｒ、放電時間は５分間とした。

このようにして製作した光ディスクを１８０Ｏｒｐｍ＋
で回転させ、ｒ＝５０ｍの位置において記録再生特性を
実施例（１）と同様に調べた。

パルス幅を１５０ｎｓｅｃ一定とし、記録用レーザビー
ムパワーと再生信号変調度との関係を求めた。

第２図のＢに対応するパワーは約４＋ａＶ、　ａに対応
する変調度の中間レベルの値は０．４１であった。

次に、第２図のＤに対応するパワーは約８ｍＶ、　ｂに
対応する変調度の飽和値は０．７６であった。

変調度０．４１．および、　０．７６の書込みのできた
記録媒体の領域を光学顕微鏡で観察したところ、０．４
１の領域にはバブル、０．７６の領域にはホールの形成
が認められた。

（ＩＶ−２）　　第４の光情報記録媒体にががる第２実
施例を以下に説明する。

上記（ｒｖ−ｔ）実施例と同様にして以下のような６種
の光ディスクを製作した。第１層はポリ４弗化エチレン
ターゲツトのＡｒガスとＣ７Ｆ、ガスとの混合ガスによ
るスパタリング膜である。印加電力は８゜Ｗ、放電圧力
は２５ｍＴｏｒｒ、放電時間は１０分間とした。

第２層の形成は、複合ターゲットによるスバタリング法
で行なった。ターゲットは径２００　ｍのＴｉＣターゲ
ットであって、ＴｉＮターゲット上に並べる有機物ソー
スとしてポリ４弗化エチレンペレツトは共通として、金
属ペレットがＧｅ、Ｉｎ、　Ｓｂ、　Ｂｉ。

Ｔｅ、　Ｓｎの６種である。スバタリングガスはＡｒガ
スとＣ，Ｆ、ガスとの混合ガスである。印加電力は３０
０ｖ、放電圧力は２５１１Ｔｏｒｒ、放電時間は５分間
共通とした。

第３ｙ１は、第１層と同様にして積層したポリ４弗化エ
チレンターゲツトのＡｒガスとＣ，Ｆ、ガスとの混合ガ
スによるスパタリング膜である。

このようにして製作した６種の光ディスクの記録再生特
性を上記（ＩＶ−１）実施例と同様にして測定した。

求められた再生信号変調度と記録レーザービームパワー
との関係を次の第６表に示す。６種光デイスクとも第６
表に見られるように良好な特性であった。

第６表 （ｒＶ−３）　　第４の光情報記録媒体にかかる第３実
施例を以下に説明する。

第１Ｍの有機物薄膜層、第３層の誘電体薄膜層を共通の
構成とし、第２層の混合物薄膜層のみが異なる９種の光
ディスクを以下のように製作した。

即ち、第１層の形成は径２００１のポリ４弗化エチレン
ターゲツトをＡｒガスとＣ−Ｃ４Ｆ、ガスとの混合ガス
でスパタリングして行なった。印加電力は６０Ｗ、放電
圧力は２５ｍＴｏｒｒ、放電時間は１０分間である。基
板は径１３０ａｍ、径１．２膿のｐｃ基板である。

第２層の形成は真空蒸着法で行なった。混合物薄膜中の
有機物として水素フタロシアニン、金属微粒子としてＳ
ｎを共通に、金属炭化物微粒子がＢ４Ｃ，ＴｉＣ，Ｚｒ
Ｃ，ＨｆＣ，ＶＣ，ＮｂＣ，ＴａＣ，ＭｏＣ，すＣの９
種とした。水素フタロシアニンとＳｎはタングステンボ
ートによる抵抗加熱法で、９種の炭化物は電子ビーム蒸
着法で成膜した。

第３層の形成は第１層と同様にポリ４弗化エチレンター
ゲツトのスバタリングで行なった。

このようにして製作した９種の光ディスクの記録再生特
性を、上記（ＩＶ−１）実施例と同様にして測定した。

求められた再生信号変調度と記録用レーザビームパワー
との関係を次の第７表に示す、第２図のＢに対応するパ
ワーは４〜６ｍｗ、　ａに対応する変調度の中間値の値
は約０．４、Ｄに対応するパワーは、８〜１０＋＋＋Ｗ
、ｂに対応する変調度の飽和値は約０．８という良好な
特性であることが判った。

第７表 （ＩＶ−４）　　第４の光情報記録媒体にかかる第４実
施例を以下に説明する。

上磯（ＩＶ−３）の実施例と同様に、第１暦の有機物薄
膜層、第３層の誘電体薄膜層を共通の構成とし、第２層
の混合物薄膜層のみが異なる６種の光ディスクを製作し
た。

記録膜の構成と記録再生特性との関係を次の第８表に示
す。６種の光ディスクとも第３表に見られるように良好
な特性が得られた。

第８表 （Ｖ）　　以下に示す本発明の第５の光情報記録媒体の
実施例は記録膜中の第２層の混合物薄膜の構成において
上記（１）〜（ＩＶ）がＩｎ、　Ｏ，、金属酸化物、金
属窒化物、金属炭化物の各微粒子を構成要素とした場合
と異なり５金属硫化物微粒子を構成要素とするものであ
る。

（Ｖ−１）　　第５の光情報記録媒体にかかる第１実施
例を以下に説明する。

径２００　ｍのポリ４弗化エチレンターゲツトをＡｒガ
スとＣ，Ｆ、ガスとの混合ガスでスパタリングして径１
３０震、厚１．２１のｐｃ基板上に第１層の有機物薄膜
を形成した。スパタリング装置はＲＦダイオードタイプ
のものである。印加電力は８０１、放電圧力は３０ｍＴ
ｏｒｒ、放電時間は１０分間とした。

第２層として、径２００ｍのＳｎＳターゲット上に、Ｓ
ｎ金属ベレット、ポリ４弗化エチレンペレツトを所定数
並べ、ＡｒガスとＣ−Ｃ，Ｆ、ガスとの混合ガスでスパ
タリングして先の第１層に積層した。印加電力は２００
ｗ、放電圧力は２０ｍＴｏｒｒ、放電時間は５分間とし
た。

第３層として、径２００　ｒｒｍのポリ４弗化エチレン
ターゲツトをＡｒガスとＣ２Ｆ、ガスとの混合ガスでス
パタリングして先の第２層に積層した。印加電力は８０
ｖ、放電圧力は３０ｍＴｏｒｒ、放電時間は５分間とし
た。

このようにして製作した光ディスクを１８０Ｏｒｐｍで
回転させ、ｒ＝５０＋ｍの位置において記録再生特性を
実施例（１）と同様に調べた。

パルス幅を１５０ｎｓｅｃ一定とし、記録用レーザビー
ムパワーと再生信号変調度との関係を求めた。

第２図のＢに対応するパワーは約３ｍＶ、ａに対応する
変調度の中間レベルの値は０．４３であった。

次に、第２図のＤに対応するパワーを約８ｍ１１、ｂに
対応する変調度の飽和値は０．７６であった。

変調度０．４３、および、　０．７８の書込みのできた
媒体の領域を光学顕微鏡で観察したところ、　０．４３
の領域にはバブル、０．７６の領域にはホールの形成さ
れているのが認められた。

（Ｖ−２）　　第５の光情報記録媒体にかかる第２実施
例を以下に説明する。

上記（Ｖ−１）と同様にして以下のような５種の光ディ
スクを製作した。第１層は、ポリ４弗化エチレンターゲ
ツトのＡｒガスと０２Ｆ、ガスとの混合ガスによるスパ
タリング膜である。印加電力は８０ｖ、放電圧力は２５
ａ＋Ｔｏｒｒ、放電時間は１０分間とした。

第２層の形成は複合ターゲットによるスバタリング法で
行なった。ターゲットは径２００　ｍのＣｕＳターゲッ
トであって、　　ＣｕＳターゲット上に並べる有機物ソ
ースとしてポリ４弗化エチレンペレツトは共通として、
金属ペレットがＧａ、Ｉｎ、　Ｓｂ、　Ｂｊ、、　Ｔｅ
の５種である。スバタリングガスはＡｒガスとＣ２Ｆ４
ガスとの混合ガスである。印加電力はｚｏｏｗ、放電圧
力は２５ｍＴｏｒｒ、放電時間は５分間共通とした。

第３層は、第１暦と同様にして積層したポリ４弗化エチ
レンターゲツトのＡｒガスとＣ，ＦＧガスとの混合ガス
によるスバタリング膜である。

このようにして製作した５種の光ディスクの記録再生特
性を上記（Ｖ−１）実施例と同様にして測定した。

求められた再生信号変調度と記録レーザービームパワー
との関係を次の第９表に示す。５種の光ディスクとも第
９表に見られるように良好な特性が得られた。

第９表 （Ｖ−３）　　第５の光情報記録媒体にかかる第３実施
例を以下に説明する６ 第１層の有機物層、第３層の誘電体層を共通の構成とし
、第２層の混合物薄膜層のみが異なる９種の光ディスク
を以下のように製作した。

即ち、第１層の形成法は径２００ｍのポリ４弗化エチレ
ンターゲツトをＡｒガスとＣ−Ｃ４Ｆ、ガスとの混合ガ
スでスバタリングするものであるつ印加電力は６０υ、
放電圧力は２５ａｉＴｏｒｒ、放電時間は１０分間であ
る。基板は径１３０＋ｎｍ、厚１．２閣のＰＣ基板であ
る。

第２ＦｒＩの形成は真空蒸着法で行なった。混合物薄膜
中の有機物として水素フタロシアニン、金属微粒子とし
てＳｎを共通に、金属硫化物微粒子がＣｕ２Ｓ、　Ｃｕ
Ｓ、　Ａｇ、Ｓ、　Ｎ１２Ｓ、　ＮｉＳ、　ＳｎＳ、　
５ｎＳ２、ＺｎＳ、ＰｂＳの９種である。水素フタロシ
アニン、Ｓｎ、および、９種の硫化物はいずれもタング
ステンボートに入れ、抵抗加熱法で成膜した。

第３層の形成は第１層と同様にポリ４弗化エチレンター
ゲツトのスパタリングで行なった。

このようにして製作した９種の光ディスクの記録再生特
性を、上記（ＩＶ−１）実施例と同様にして洞室した。

求められた再生信号変調度と記録用レーザビームパワー
との関係を次の第１０表に示す。第２図のＢに対応する
パワーは４〜６１１ｗ、ａに対応する変調度の中間値の
値は約０．４、Ｄに対応するパワーは８〜１０ａ１１．
　ｂに対応する変調度の飽和値は約０．８という良好な
特性であることが判った。

第１０表 （Ｖ−４）　　第５の光情報記録媒体にかかる第４実施
例を以下に説明する。

上記（Ｖ−３）の実施例と同様に、第１層の有機物層、
第３層の誘電体層を共通の構成とし、第２層の混合物薄
膜層のみが異なる９種の光ディスクを製作した。

記録膜の構成と記録再生特性との関係を次の第１１表に
示す。第１１表に見られるように９種の光ディスクとも
良好な特性が得られた。

第１１表 （ＶＩ）　　光情報記録媒体の記録膜が、有機薄膜と混
合物薄膜の２Ｍ構造で構成された実施例を示す。

第１図（ａ）を参照して以下に説明する。

この実施例は混合物薄膜が金属の酸化物、窒化物、炭化
物、硫化物のいずれかを含むものである。

（ＶＩ−１）　　径２００ｍｍのポリ４弗化エチレンタ
ーゲツトをＡｒガスとＣ，Ｆ４ガスとの混合ガスでスパ
タリングして径１３０ｍ、厚１．２側のｐｃ基板上に第
１層の有機物薄膜を形成した。スパタリング装置はＲＦ
ダイオードタイプのものである。印加電力はｌ　ｏｏｗ
、放電圧力は２５ｍＴｏｒｒ、放電時間は１０分間とし
た。

第２層として、径２００ＩのＳｉ３Ｎ、ターゲット上に
、Ｓｎ金属ペレット、ポリ４弗化エチレンペレツトを所
定数並べ、Ａｒガスと０２Ｆ４ガスとの混合ガスでスバ
タリングして先の第１層に積層した。印加電力は３００
Ｗ、放電圧力は２０ｏ＋Ｔｏｒｒ、放電時間は５分間と
した。

このようにして製作した光ディスクの記録再生特性を実
施例（１）と同様に測定した。

再生信号変調度と記録用レーザビームパワーとの関係に
おいて、第２図Ｂに対応するパワーは約４ａ＋Ｉｉｌ、
　　ａに対応する変調度の中間レベルの値は０．４３で
あった。第２図りに対応するパワーは約９ｍす、ｂに対
応する変調度の飽和値は０．８１であった。

（■）第７の光情報記録媒体は第１図（ａ）に示される
２Ｍの記録膜でなり、その混合物薄膜が金属の酸化物、
窒化物、炭化物、硫化物のうちの２種を含む場合の第１
実施例を以下（■−１）に、また。

混合物薄膜が金属の酸窒化物（オキシナイトライド）等
の複合化合物を含む場合の第２実施例を、さらに（■−
２）に説明する。

（■−１）径２００　ａａのポリ６弗化エチレンターゲ
ツトをＡｒガスと０２Ｆ４ガスとの混合ガスでスバタリ
ングして径１３０ｍ、厚１．２ｍのｐｃ基板上に第１層
の有機物薄膜を形成した。スバタリング装置は、ＲＦダ
イオードタイプのものである。印加電力は１００１１Ｉ
、放電圧力は２５ｍＴｏｒｒ、放′社時間は１０分間と
した。

次に、径２００購のＳｉＯ□ターゲット上に、ＳＬ、　
Ｎ４金属ペレツト、　Ｇｅ金属ペレット、ポリ４弗化エ
チレンペレツトを所定数並べ、ＡｒガスとＣ−Ｃ４Ｆ、
ガスとの混合ガスでスパタリングして第２層の混合物薄
膜を第１層に積層した。

こうして製作した混合物薄膜は、　５ｉｎ２微粒子とＳ
ｉ、Ｎ４微粒子と金属Ｇｅ微粒子と有機物とから構成さ
れている。

次に、この光ディスクの記録再生特性を実施例（１）と
同様にして測定した。

再生信号変調度と記録用レーザビームパワーとの関係に
おいて、第２図Ｂに対応するパワーは約４ａｌｌ、ａに
対応する変調度の中間レベルの値は０．４５であった。

第２図りに対応するパワーは約８１１Ｉｗ、ｂに対応す
る変調度の飽和値は０．８５であった。

（■−２）　径２００ＩＩＩ１１のポリ４弗化エチレン
ターゲツトをＡｒガスとＣ−Ｃ，Ｆ、ガスとの混合ガス
でスパタリングして径１３０ｎｎ、厚１．２国のｐｃ基
板上に第１層の有機物薄膜を形成した。スバタリング装
置は。

ＲＦダイオードタイプのものである。印加電力は１００
す、放電圧力は２５ｍＴｏｒｒ、放電時間は１０分間と
した。

次に、径２００ｍのＳｉ３Ｎ、グーゲット上に、　ｓｂ
金属ペレット、ポリ４弗化エチレンペレツトを所定数並
べ、Ａｒガス、０２ガス、Ｃ２Ｆ４ガスの混合ガスでス
パタリングして第２層の混合物薄膜を第１層に積層した
。

こうして製作した混合物薄膜は、硅素の酸窒化物（オキ
シナイトライド）微粒子と金属ｓｂ微粒子と有機物とを
含んでいる。

次に、この光ディスクの記録再生特性を実施例（１）と
同様にして測定した。

再生信号変調度と記録用レーザビームパワーとの関係に
おいて、第２図Ｂに対応するパワーは約４ｍ１１．　　
ａに対応する変調度の中間レベルの値は０．４７であっ
た。第２図りに対応するパワーは約８ｍＷ、　ｂに対応
する変調度の飽和値は０．８７であった。

（■）以下に示す本発明の第８の光情報記録媒体の実施
例は、記録膜中の第２層の混合物薄膜が金属硅化物微粒
子を構成要素としている。第１層。

第３層を共通とし、第２Ｎのみが異なる９種の光カード
を製作した。また、第２層は金属微粒子としてＳｂ、有
機物として水素フタロシアニンを共通とし、金属硅化物
微粒子を変化させた。金属硅化物微粒子はＴｉ、Ｓｉ、
、ＺｒＳｉ、、ＨｆＳｉ、、ＶＳｉ、、Ｎｂ、　Ｓｉｘ
　。

ＴａＳｉ、、　　ＣｒＳｉ２．　ＭｏＳｉ、、ＷＳｉ、
、である。第１層はニトロセルロースであって、スピン
コード法で成膜した。第２層は真空蒸着法で成膜した。

Ｓｂと水素フタロシアニンとはタングステンボートの抵
抗加熱蒸着法、硅化物は電子ビーム蒸着法で成膜した。

第３層は炭素ターゲットをＡｒガスでスバタリングして
形成した。基板は８６Ｘ５４Ｘ０．４ｎａのボリアリレ
ート樹脂製のものを使用した。次に、８６×５４Ｘ０．
４ｍの塩化ビニール樹脂製の保護基板をホットメルト系
接着剤で積層した。

このようにして製作した９種の光カードの記録再生特性
を実施例（Ｉ）と同様にして測定した。

パルス幅を６０μ５ｅｃ一定とし、記録用レーザビーム
のパワーと再生信号変調度との関係を求めた。

第２図のＢに対応するパワー、変調度、Ｄに対応するパ
ワー、変調度の値を第１２表に示す。９種の光カードと
も第１２表に見られるような良好な特性が得られた。

第１２表 （ＩＫ）　　以下に示す本発明の第９の光情報記録媒体
の実施例は、記録膜中の第２層の混合物薄膜が金属硼化
物微粒子を構成要素としている。第１層、第３Ｎを共通
とし、第２層のみが異なる９種の光カードを製作した。

第１層はニトロセルロース膜、第３層は炭素膜とした。

第２層は金属微粒子、有機物がそれぞれＳｎ、水素フタ
ロシアニン共通とし。

金属硼化物微粒子をＶＢ４．　ＡＩＢ、、　ＬａＢ５．
　ＴｉＢ、　ＺｒＢ、ＶＢ、　ＮｂＢ、　ＴａＢ、Ｃｒ
Ｂと変化させた。第１層ニトロセルロース膜の形成はス
ピンコード法で行なった。

第２Ｍは真空蒸着法で形成した。Ｓｎと水素フタロシア
ニンとはタングステンボートの抵抗加熱により、硼化物
は電子ビーム蒸着法により成膜した。

第３層は炭素ターゲットをＡｒガスでスバタリングして
形成した。基板は８６　Ｘ　５４　Ｘ　Ｏ，４ｍのポリ
エーテルスルフォン樹脂製のものを使用した。次εこ。

８６　Ｘ　５４　Ｘ　０．４ｍの塩化ビニール樹脂製の
保護基板をホットメルト系接着剤で積層した。

このようにして製作した９種光カードの記録再生特性を
実施例−（１）と同様にして測定した。

パルス幅を６０μ８８Ｃ一定とし、記録用レーザビーム
のパワーと再生信号変調度との関係を求めた。

第２図Ｂに対応するパワー、変調度、Ｄに対応するパワ
ー、変調度の値を第１３表に示す、９種光カードとも第
１３表に見られるように良好な特性が得られた。

第１３表 〔発明の効果〕 この発明にかかる光情報記録媒体は、基板上に積層し堆
積させる記録膜の構成が、基板側の第１層が有機物薄膜
、次の第２層が金属酸化物、または金属窒化物、金属炭
化物、金属硫化物、金属硅化物５金ｇ４硼化物およびこ
れらの２種以上の混合物の内から選択された一つの微粒
子と金属微粒子と有機物薄膜とを含む混合物薄膜あるい
は、さらに、第３層が誘電体薄膜からなり１次にあげる
効果がある。

（ｉ）　　記録レーザビームのパワーが小さい場合はバ
ブル、より大きい場合はホールというマルチモード記録
が達成される。

（ｉｉ）　　バブル形成部分からの再生信号変調度は。

ＣＮＲの良い信号処理に充分な値の約０．４であり。

ホール形成部分からの変調度はさらにその２倍の約０．
８と顕著に大きく得られる。

そこで、再生信号変調度を、ゼロ（未記録部分）と中間
レベル（約０．４）と高レベル（約０．８）とのマルチ
化できる。すなわち、３値記録ができる。

叙上の如くこの発明の光情報記録媒体による記録方法に
よれば、３値記録を行なうのに記録用レーザビームのパ
ワーのみを変化させればよいから、複雑な光学系や制御
回路系を必要としない顕著な利点がある。

【図面の簡単な説明】 第１図は（ａ）、（ｂ）はいずれも本発明にががる光情
記録媒体の記録状体における断面を模式的に示す断面図
、第２図は本発明にかかる記録方法の原理を説明するた
めの図、第３図は従来の光情報記録媒体の記録再生特性
を示す線図である。 １０．３０・・・光情報記録媒体　１１・・・基板１２
．３２２・・・有機物薄膜　　１３，３２１・・・混合
物薄膜１４・・・誘電体薄膜　　　　　１５．３２・・
・記録膜１６．３４・・・ボイド　　　　　１７．３３
・・・バブルＩ８．３５・・・ホール　　　　　１９．
３６・・・リム代理人　弁理士　大　胡　典　夫 ３５　：　ホー）し ３６；　リＡ 第１図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）レーザビームの照射により情報の記録と再生とを
   行なう光情報記録媒体において、前記記録媒体は記録用
   レーザビームのパワーが小なる場合隆起部が形成され、
   パワーが大なる場合孔部が形成されるマルチモード記録
   媒体であって、かつ、基板上に順次積層された記録膜が
   有機物薄膜からなる第１層と、金属酸化物、金属窒化物
   、金属炭化物、金属硫化物、金属硅化物、金属硼化物お
   よびこれらの２種以上の混合物の内から選択された微粒
   子、金属微粒子および有機物を含む混合物薄膜の第２層
   と、あるいは、さらに誘電体薄膜からなる第３層とを具
   備してなることを特徴とする光情報記録媒体。
2. （２）金属酸化物がＩｎ＿２Ｏ＿３であり、かつ金属微
   粒子がＩｎである上記請求項（１）に記載の光情報記録
   媒体。