JPH0248987A - 光情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は光デイスクメモリや光カードなどレーザビーム
の照射により情報の記録再生を行なう光情報記録媒体に
係り、特に情報の多値記録が可能な高密度タイプの光情
報記録媒体にかがる。

（従来の技術） 従来の追記型光情報記録媒体にレーザビームを照射して
記録再生を行なった場合、再生信号変調度と記録用レー
ザビームパワーとの関係は第３図に示すようになる。第
３図において、Ａは書込み閾値、Ｂは変調度が飽和値ａ
に達するパワーである。この種の記録媒体にディジタル
信号を記録する場合、低レベル（０）と飽和レベル（ａ
）との２値に信号を対応させている。

（発明が解決しようとする課題） 上記第３図に示したような記録媒体の場合、レーザビー
ムのスポットサイズに制限され、記録密度の現状以上の
飛躍的な増大が望めないという問題がある。

本発明は、記録用レーザビームのパワーを制御すること
により再生信号変調度を、低レベル、中間レベル、飽和
レベルのマルチレベル化して情報の多値記録を行なう新
規な高密度タイプの光情報記録媒体を提供することを目
的とする。叙上について、例えば３値記録を行なった場
合、従来の２値記録に比べて単位面積当りの情報量は１
．５８倍に達する。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段） この発明にかかる光情報記録媒体は、記録用レーザビー
ムのパワーが小なる場合基体上に設けた記録膜に隆起部
が形成され、パワーが大なる場合孔部が形成されるマル
チモード記録媒体であり、かつ、その記録膜は、金属酸
化物、金属窒化物、金属炭化物、金属硫化物、金属硅化
物、金属硼化物およびこれら２種以上の混合物の内から
選択された微粒子と、金属微粒子と、有機物とを含む混
合物薄膜であることを特徴とする。また、実施態様の一
つとして、誘電体薄膜からなる第２層を前記混合物薄膜
に積層した２層膜を記録膜とする。

さらに、また、実施態様の一つとして上記金属酸化物が
Ｉｎ２Ｏ３であり、　かつ金属微粒子がＩｎであること
を特徴とする。

（作用） この発明にかかる記録膜を用いた記録媒体は、記録用レ
ーザビームのパワーをより小さくすることによりバブル
と称される隆起変形部が形成でき、パワーをより大きく
することによりホールと称される孔部が形成できる。バ
ブル部分から得られる再生信号変調度はホール部分から
の変調度より小さい、従って、記録用レーザビームのパ
ワーを制御することにより、再生信号変調度をマルチレ
ベル化、即ち、情報の多値記録ができる。

バブル、およびホールを形成できる前記記録膜の第１層
の混合物薄膜は、例えば、−例として、Ｉｎターゲット
をメタン（ＣＬ）、酸素（０□）、　フロン１４　（Ｃ
Ｆ４）を含む混合ガスでスバタリングして形成できる。

また１本発明の実施態様の一つとして混合物薄膜に積層
して誘電体薄膜を設けたものも記録膜として使用できる
。第２層の誘電体薄膜はバブルの形成できる記録条件を
拡大する機能がある。

（実施例） 以下、本発明の実施例につき１図面を参照して説明する
。

（１）　　まず、本発明にかかる第１の光情報記録媒体
の記録膜の構成と、これにバブル、および、ホールが形
成される機構を述べる。

第１図（ａ）に本発明にかかる光情報記録媒体に形成さ
れたバブル、および、ホールの断面模式図を示す。第１
図（ａ）において、光情報記録媒体１０を構成する記録
膜１２は基体例えば基板１１の上面に堆積されている。

上記記録膜１２に形成された１３はバブルで、記録膜１
２と上記基板１１との間のボイド１４により生じ、また
、１５はホールで該ホール部で基板１１が露出している
。なお、上記ホール１５の周辺における記録膜の盛上り
部はリム１６と称されるものである。

次に、記録膜１２にバブル、および、ホールが形成され
る機構は下記である。

記録膜１２は、この実施例の場合、Ｉｎ、　Ｏ，微粒子
、Ｉｎ微粒子、有機物の混合物薄膜である。記録用レー
ザビームが照射されると、その一部がＩｎ微粒子に吸収
される。その結果、　Ｉｎ微粒子の温度が上昇し、次い
で、Ｉｎ２Ｏ３微粒子、有機物も加熱される。

有機物の沸点は、約１００℃以上と低いため、　レーザ
ビーム照射に伴ない直ちに蒸発する。この有機物の蒸発
はガス圧力として記録膜１２と基板１１との界面に作用
する。その結果、記録膜１２はボイド１４を形成しなが
ら隆起変形しバブル１３が形成される。

さらに、より大きい記録用レーザビームが照射された場
合、有機物の蒸発量が増大し、ボイド１４は拡大、膨張
する。発生ガスは、最終的にバブル頂部に孔部を形成し
ながら飛散する。即ち、ホール１５が形成される。

次に本発明情報記録媒体に多値記録を行なう方法を述べ
る。第２図は本発明記録媒体にレーザビームを照射して
記録再生を行なったときの再生信号変調度と記録用レー
ザビームパワーとの関係である。

第２図において、Ａは書込み閾値であって、このパワー
以上の書込みでバブルが形成される。記録用パワーがＡ
からＢの間、変調度はゼロからａの間単調に増加する。

ところが、記録用パワーがＢからＣの間の書込みの場合
、変調度がほぼ一定のａの値をとる。これは、ＢＣ間の
パワーによる書込みの場合、バブル形状は多少変化する
が、変調度の値そのものは一時的に飽和しているためで
ある。記録用パワーがＣに達するとバブルの一部にピン
ホールが形成される。ＣからＤの間ピンホールの径の拡
大に伴なって変調度はａからｂへと再び増加する。記録
用パワーがＤに達したときバブルは消滅し、ホールが形
成される。変調度すの値はホール形成部の飽和値であっ
て、それ以後パワーが増大しても増加しない。

そこで記録用レーザビームパワーをＢＣ間の所定の値と
Ｄより大きい所定の値との２者用いて書込みを行なった
場合、再生信号の変調度は低レベル（０）と中間レベル
（ａ）と高レベル（ｂ）との３値をとることができる。

中間レベル（ａ）の変調度の値は、高レベル（ｂ）に比
べ約１／２程度であるから両者の識別は容易である。

（１−１）　　第１図（ａ）に示され、光情報記録媒体
が単一の記録膜でなる場合の第１の実施例につき、以下
に説明する。

径１２７■のＩｎターゲットをＣＨ４，ＣＦ４．０□の
混合ガスでスパタリングして径１３０＋＋ｍ、厚１．２
ｍｍのＰＣ基板上に記録膜を堆積させた。スバタリング
装置はＲＦマグネトロンタイプのものである。

印加電力は５００Ｗ、放電圧力は３０ｍＴｏｒｒ、放電
時間は５分間、混合ガスの組成はＣＨ４／ＣＦ４１０□
＝６４．４／８．０／２７．６で行なった。

このようにして製作した光ディスクを１８００ｒｐｍで
回転させ、ｒ＝＝５０ｍｍの位置において記録再生特性
を調べた。　レーザビームの波長は８３０ｎｍ、対物レ
ンズのＮＡは０．６である。

パルス幅を１５０ｎｓｅｃ一定とし、記録用レーザビー
ムのパワーと再生信号変調度との関係を求めたところ、
第２図Ｂに対応するパワーは約８ｍＷ、　ａに対応する
変調度の中間レベルの値は０．３８であった。なお、変
調度は未記録部分からの反射光レベルをＲｏ、記録部分
からの反射光レベルをＲ工として（ＲＯ−１／（Ｒ，＋
Ｒ，）で定義した。次に、第２図のＤに対応するパワー
は約１２ｍＶ、ｂに対応する変調度の値は０．７０であ
った。

変調度０．３８、および、　０．７０の書込みのできた
媒体の領域を光学顕微鏡でｗ４察したところ、０．３８
の領域にはバブル、０．７０の領域にはホールの形成さ
れているのが認められた。

（Ｉ−２）　　前記（１−１）の第１の実施例に続き、
第２の実施例を以下に説明する。

第１の実施例と同様に、ただし、混合ガスをＣＨいＣ２
Ｆ４．　Ｏ，の混合ガスとして光ディスクを製作した。

印加電力はｓｏｏｗ、放電圧力は２５ｍＴｏｒｒ、放電
時間は５分間、混合ガスの組成はＣＨ４／Ｃ２Ｆ４１０
□＝７１．１１５．２／２３．７とした。

この光ディスクの記録再生特性を前記実施例（１−１）
と同様にして調べた。本実施例の記録媒体の場合、第２
図におけるＢに対応するパワーは約６ＩＩ１ｗ、ａに対
応する変調度の中間レベルの値は０．３２であった。第
２図におけるＤに対応するパワーは約１５ｍＶ、ｂに対
応する変調度の飽和レベル値は０．７５であった。

（ｎ）　　次に、第１図（ｂ）に断面模式図で示される
本発明にかかる第２の光情報記録媒体２ｏは、基板１１
上に堆積させる記録膜■として、基板上の第１層に金属
酸化物微粒子と金属微粒子と有機物との混合物薄膜２２
１、前記第１層上に積層させた第２層に誘電体薄膜２２
２を用いたものである。

記録膜２２を構成する混合物薄膜２２１は、構成する成
分に対応したマルチターゲットや複合ターゲットのスパ
タリング、あるいは、構成成分の共蒸着によって形成す
ることができる。

混合物薄膜中２２１の一例の金属酸化物微粒子としては
、記録媒体長寿命化の観点から大気中に保管された場合
、水分等に対し安全な金屑酸化物の微粒子ならいずれも
使用できる。即ち、ＺｎＯ，ｉ２Ｏ３。

Ｉｎ２Ｏ３、Ｇａ、　Ｏ，、Ｙ２Ｏ１、Ｓｉｎ□、Ｇａ
ｐ、、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｏ３等の希土類金属の酸化物、
Ｔｉｅ、、Ｙ２Ｏ５、Ｃｒ２Ｏ，。

Ｍｎ３０．、Ｆｅ２Ｏ３、Ｃｏｏ、Ｎｉ０１ＣｕＯ１Ｚ
ｒＯ，、Ｎｂ２Ｏ，、ＭｏＯ２，１ｌｆｏ、、Ｔａ２Ｏ
，、および、これらの複合酸化物である。

混合物薄膜中２２１の金属微粒子としては、　同じく、
著しく活性、不安定なものでなければ、いずれも使用可
能である。記録感度向上の観点から低融点金属は特に適
当なものである。具体的には。

融点１０００℃以下のものが秀れている。即ち、　Ｇｅ
、Ｉｎ、　Ｓｎ、　Ｓｂ、　Ｔｅ、　Ｂｉなど、および
、これらの合金の微粒子である。

混合物薄膜中２２１の有機物としては、沸点が４００℃
以下の有機物であれば、いかなるものも使用可能である
。具体的には、ポリ４弗化エチレン、ポリエチレンなど
の種々の重合物や水素フタロシアニンなど種々の色素や
有機錯体が適当である。

混合物薄膜２２１の構造、例えば、組成、粒径。

膜厚、結晶性は記録媒体としての種々の特性、中でも寿
命、記録感度、分光特性を大きく変化させる。

混合物薄膜の組成、即ち、金属酸化物微粒子と金属微粒
子と有機物との比率としては、有機物が１〜１０ｗｔ％
、金属微粒子が５〜２０ｗｔ％、その残部が金属酸化物
微粒子というのが適当である。

混合物薄膜中の金属酸化微粒子、および金属微粒子の粒
径は微細であることが望ましい。混合物薄膜の膜厚にも
よるが、ホール１５の径が約１μｓ程度であることを考
慮すると１００ｎｎ＋以下が順当である。

混合物薄膜の膜厚としては、１０〜５００ｎｍ、より望
ましくは３０〜３００ｎｍが良い。また、膜厚は記録感
度や分光特性を適正化するため、組成に応じ最適化して
やる必要がある。例えば、分光特性としては、反射率が
１０〜６０％の範囲にあることが再生信号を（ＣＮ比）
良く処理する上で必要である。

混合物薄膜中の金属酸化物微粒子、および金属微粒子は
、未記録状態において非晶質状態にあることが望ましい
。これは非晶質状態にある方が、結晶質状態にある場合
に比べ長寿命、即ち、大気中に保管されたときの安定性
が高いためである。

混合物薄膜における以上挙げた組成１粒径、膜厚、結晶
性は、いずれも成膜時の条件、即ち、スバタリングであ
れば、ガス組成、放電圧力、印加電力、放電時間を制御
することで所定のものにすることができる。

この第１層に積層して設けられる第２層の誘電体薄膜２
２２は、バブルの形成を著しく阻害しないものであれば
特に制限はない。特に望ましいものとして、延び率の大
きい材料、例えば炭素薄膜や有機物薄膜が挙げられる。

このような有機物薄膜は、有機物ターゲットのスバタリ
ング、有機物モノマーのプラズマ重合、有機材料の真空
蒸着、有機材料のスピンコードなどの方法で形成するこ
とができる。

有機ターゲットとしては、ポリ３弗化エチレン、ポリ４
弗化エチレン、ポリ６弗化プロピレン、ポリ弗化ビニル
、ポリ弗化ビニリデンなどのポリ弗化オレフィンが使用
できる。

有機物モノマーとしては、Ｃ１１４、Ｃ，Ｉ＋、などの
ノ（ラフイン系炭化水素、Ｃ２Ｈ４、Ｃ，Ｈ，などのオ
レフィン系炭化水素、　　ＣＦ４、Ｃ２ＦＧ、Ｃ３Ｆ−
１Ｃ）ＩＦ、などのパラフィン系フルオロカーボン、０
２Ｆ４、Ｃ，Ｆ、などのオレフィン系フルオロカーボン
、Ｃ−Ｃ４Ｆ、、　Ｃ，Ｆ工２、Ｃ，Ｆ、などの環状フ
ルオロカーボンが使用できる。

真空蒸着用の有機材料としては、ステアリン酸などのカ
ルボン酸やパラフィンなどが使用できる。

スピンコード用の有機材料としてはニトロセルロースな
どが秀れている。

上記第２層の有機物薄膜の膜厚は１０〜２０００ｎｍの
範囲が適当である。採用する有機材料、成形方法に応じ
て選択すれば良い。

次に、本発明の光情報記録媒体にバブル、および、ホー
ルが形成される機構を述べる。

まず、本発明にかかる記録媒体に形成したバブル、およ
び、ホールの断面模式図を第１図（ｂ）に示す。第１図
（ｂ）において、観は前記したように光情報記録媒体、
−Ｕは混合物薄膜２２１と誘電体薄膜２２２からなる記
録膜である。また、２３は混合物薄膜２２１　と基板１
１との間に生じたボイド２４によって形成されるバブル
、２５はホールで、このホールの周辺部には肉盛り部を
生じ、リム２６と称されるものである。

前記記録膜Ｕは、既に説明したように、金属酸化物微粒
子、金属微粒子、有機物の混合薄膜２２１に、誘電体薄
膜２２２を積層させて形成したものである。これに記録
用レーザビームが照射されるとその一部が金属微粒子に
吸収される。その結果、金属微粒子の温度が上昇し、次
いで金属酸化物微粒子、有機物も加熱される。上記有機
物の沸点は約４００℃以下と低いため、　レーザビーム
の照射により直ちに蒸発する。この有機物の蒸発はガス
圧力として混合物薄膜２２１と基板１１との界面に作用
する。その結果、記録膜Ｕはボイド２４を形成しながら
隆起変形し、バブル２３が形成される。誘電体薄膜２２
２はバブルの形成できる領域を拡大する。

さらに、より大きい記録用レーザビームが照射された場
合、有機物の蒸発量が増大し、ボイド２４は拡大、膨張
する。発生ガスは最終的にバブル頂部に孔部を形成しな
がら飛散する。即ち、ホール２５が形成される。

次に、本発明の記録媒体に対し多値記録を行なう方法を
述べる。

第２図は、本発明記録媒体にレーザビームを照射して記
録再生を行なったときの再生信号変調度と記録用レーザ
ビームパワーとの関係である。第２図において、Ａは書
込み閾値であって、このパワー以上の書込みによりバブ
ルが形成される。パワーがＡからＢに増加するに伴ない
、変調度はゼロからａの間単調に増加する。ところが、
記録用パワーがＢからＣの間の書込みの場合、変調度が
ほぼ一定のａの値を取る。これは、ＢＣ間のパワーによ
る書込みの場合、バブル形状は多少変化するが、変調度
の値そのものは一時的に飽和しているためである。記録
用パワーがＣに達するとバブルの一部にピンホールが形
成される。ＣからＤの間ピンホールの径の拡大に伴なっ
て変調度はａからｂへと再び増加する。記録用パワーが
Ｄに達したときバブルは消滅し、ホールが形成される。

変調度すの値はホール形成部の飽和値であって、それ以
後パワーが増大しても増加しない。

そこで記録用レーザビームパワーをＢＣ間の所定の値と
Ｄより大きい所定の値との２者用いて書込みを行なった
場合、再生信号の変調度は低レベル（０）と中間レベル
（ａ）と高レベル（ｂ）との３値をとることができる。

中間レベル（ａ）の変調度の値は、高レベル（ｂ）に比
べ約１／２程度であるから両者の識別は容易である。

（ｆｆ−１）　　第１図（ｂ）に示される本発明にかか
る第２の光情報記録媒体について、第１実施例を以下に
説明する。

径２００　ｍのＳｉｎ、ターゲット上にＩｎ金属ペレッ
ト、ポリ４弗化エチレンペレツトを所定数並べ、Ａｒガ
スとＣＦ、ガスとの混合ガスでスパタリングして径１３
０ｍ、厚１．２ｍのｐｃ基板上に第１層を堆積させた。

スパタリング装置は、ＲＦダイオードタイプのものであ
る。印加電力は３００Ｗ、放電圧力は２０＋＋Ｔｏｒｒ
、放電時間は５分間とした。

第２層として径２００　ｍのポリ弗化エチレンターゲッ
トをＡｒガスとＣ，Ｆ、ガスとの混合ガスでスバタリン
グした薄膜を第１層に積層した。印加電力はａｏｏｗ、
放電圧力は２０ｍＴｏｒｒ、放電時間は３分間とした。

このようにして製作した光ディスクを１８０Ｏｒｐｍで
回転させ、ｒ＝５０ｎｍの位置において記録再生特性を
実施例（１）と同様に調べた。

パルス幅を１５０ｎｓｅｃ一定とし、　記録用レーザビ
ームのパワーと再生信号変調度との関係を求めたところ
、第２図のＢに対応するパワーは約６ｍＷ。

ａに対応する変調度の中間レベルの値は０．３１であっ
た。次に、第２図のＤに対応するパワーは約１３ｍＷ、
ｂに対応する変調度の値は０．７６であった。

変調度０．３１、および、０．７６の書込みのできた媒
体の領域を光学顕微鏡で観察したところ、０．３１の領
域にはバブル、０．７６の領域にはホールの形成されて
いるのが認められた。

（ｎ−２）　　第２の光情報記録媒体にかかる第２実施
例を以下に説明する。

径２００＋ｍのＴｉｅ、ターゲット上にＴｅ金属ベレッ
ト、ポリ４弗化エチレンペレツトを所定数並べ、Ａｒガ
スとＣＦ４ガスとの混合ガスでスバタリングして径１３
０ｔｍ、厚１．２閣のｐｃ基板上に第１層を堆積させた
。スバタリング装置は、ＲＦダイオードタイプのもので
ある。印加電力は４００Ｗ、放電圧力は２０ｍＴｏｒｒ
、放電時間は５分間とした。

第２層として、径２００１ｍのポリ４弗化エチレンター
ゲツトをＡｒガスとＣ２Ｆ４ガスとの混合ガスでスパタ
リングした薄膜を先の第１層に積層した。印加電力は８
０Ｗ、放電圧力は２０ｍＴｏｒｒ　、放電時間は３分間
とした。

このようにして製作した光ディスクを１８０ｏｒｐｍで
回転させ、ｒ＝５０ｍｍの位置において記録再生特性を
実施例（ＩＩ−１）と同様に調べた。

パルス幅を１５０ｎｓｅｃ一定とし、記録用レーザビー
ムのパワーと再生信号変調度との関係を求めたところ、
第２図におけるＢに対応するパワーは約７＋ｎＷ、　　
ａに対応する変調度の中間レベルの値は０．３０であっ
た。次に、第２図のＤに対応するパワーは約１１ｍＬ　
ｂに対応する変調度の値は０．７０であった・ 変調度０．３１、および、０．７０の書込みのできた媒
体の領域を光学顕微鏡で観察したところ、０．３１の領
域にはバブル、０．７０の領域にはホールの形成されて
いるのが認められた。

（［−３）　　第２の光情報記録媒体にかかる第３実施
例を以下に説明する。

径ＺＯＯｍのＳｎＯ□ターゲット上にＴｏ金属ペレット
、ポリ４弗化エチレンペレツトを所定数並べ、Ａｒガス
とＣＦ４ガスとの混合ガスでスパタリングして径１３０
ｍ、厚１６２迩のＰＣ基板上に第１層を堆積させた。ス
バタリング装置は、ＲＦダイオードタイプのものである
。印加電力は４００Ｗ、放電圧力は２０ｍＴｏｒｒ、放
電時間は５分間とした。

第２層として、径２００ａｍ＋のポリ４弗化エチレンタ
ーゲツトをＡｒガスとＣ，Ｆ４ガスとの混合ガスでスパ
タリングした薄膜を先の第１層に積層した。印加電力は
８０Ｗ、放電圧力は２０ｍＴｏｒｒ　、　　放電時間は
３分間とした。

このようにして製作した光ディスクを１８０Ｏｒｐｍで
回転させ、ｒ＝５０＋＋ａの位置において記録再生特性
を実施例（ＩＩ−１）と同様にして調べた。

パルス幅を１５０ｎｓｅｃ一定とし、記録用レーザビー
ムのパワーと再生信号変調度との関係を求めたところ、
第２図のＢに対応するパワーは約８１ｍＶ、ａに対応す
る変調度の中間レベルの値は０．３８であった。次に、
第２図りに対応するパワーは約１２ａｌｌ、ｂに対応す
る変調度の値は０，７０であった。

変調度０．３８、および、０．７０の書込みのできた媒
体の領域を光学顕微鏡で観察したところ、０．３８の領
域にはバブル、　０．７０の領域にはホールの形成され
ているのが認められた。

（ｎ−４）　　第２の光情報記録媒体にかかる第４実施
例を以下に説明する。

第２層の誘電体薄膜層を共通の構成とし、第１層の混合
物薄膜層のみが異なる９種の光ディスクを以下のように
製作した。基板は径１３０ｍｍ、厚１．２ｍのＰＣ基板
である。

第１層の形成は真空蒸着法で行なった。混合物４膜中の
有機物として銅フタロシアニンを共通に、金属微粒子が
Ｇｅであって金属酸化物がｌ！ｚＯ，、Ｇａ、　ｏ、、
Ｙ２Ｏ，、Ｇｅｍ、であるものと、金属微粒子がＳｎで
あって金属酸化物がＬａ２０．、Ｃｒ、　Ｏ，、Ｎｉ０
１ＺｒＯ□、ＨｆＯ，である９種である。銅フタロシア
ニンとＧｅとＳｎとは抵抗加熱蒸着法、酸化物は電子ビ
ーム蒸着法で着膜させた。

第２層の形成は径２００　ｎａのポリ４弗化エチレンタ
ーゲツトのスパタリングで行なった。スパタガスはＡｒ
とＣ，Ｆ４との混合ガス、印加電圧は８０Ｗ、放電時間
は１０分間、放電電圧は３０ｍＴｏｒｒとした。

このようにして製作した９種の光ディスクの記録再生特
性を（ＩＩ−１）の第１実施例と同様にして測定した。

求めた再生信号変調度と記録用レーザビームパワーとの
関係を次の第１表に示す。これによっても、第２図Ｂに
対応するパワーは６〜８ｍＷ、　ａに対する変調度の中
間値は約０．４、　Ｄに対応するパワーは１２〜１５ｍ
Ｗ、　ｂに対応する変調度の飽和値は約０．８という良
好な特性であることが判った。

（以下余白） （ｎ−５）　　上記第４実施例と同様に、第２層の誘電
体層を共通の構成とし、第１層の混合物薄膜層のみが異
なる９種の光ディスクを製作した。

記録膜の構成と記録再生特性との関係を次の第２表に示
す。９種の光ディスクとも、第２表に見られるような良
好な特性が得られた。

（以下余白） （ＩＩＩ）　　次に本発明にかかる第３の光情報記録媒
体につき第１図（ｂ）を引用して説明する。この第３の
光情報記録媒体２０は、前記第２の光情報記録媒体が基
板上に二層からなる記録膜を積層堆積された点で相似た
構造である。そして、この第３の光情報記録媒体におけ
る記録膜２２は、金属窒化物微粒子と金属微粒子と有機
物との混合薄膜である第１層２２１と、誘電体薄膜であ
る第２層２２２で構成されている。

前記記録膜２２の構成は、前項（ｎ）で説明した記録膜
の構成における第１層の金属酸化物微粒子が、金属窒化
物微粒子に置換された形なので、共通の部分を省略して
説明する。

前記構成の記録膜における第１層の混合物薄膜中の金属
窒化物微粒子としては、記録媒体長寿命化の観点から大
気中に保管された場合、水分等に対し安定な金属窒化物
の微粒子ならいずれも使用できる。具体的には以下のも
のが適当である。即ち、ＢＮ、　ＡＱＮ、ＧａＮ、Ｉｎ
Ｎ、　ＳＬ、Ｎ、、Ｇｅ、Ｎ４．　ＴｉＮ、　ＶＮ、Ｃ
ｒＮ、　ＺｒＮ、　ＮｂＮ、　ＭｏＮ、ＨｆＮ、　Ｔａ
Ｎ、　ＷＮである。これらは単独でも、あるいは混合さ
せて用いることもできる。また、これらは成膜時に酸素
を含むこともあるが、この場合にも使用可能である。

混合物薄膜中の金属微粒子、有機物としては。

前項（ＩＩ）で説明したものが使用できる。

混合物薄膜の構造、例えば、組成１粒径、膜厚、結晶性
は記録媒体としての種々の特性、中でも寿命、記録感度
、分光特性を大きく変化させる。

組成、即ち。金属窒化物微粒子と金属微粒子と有機物と
の比率としては、有機物が１．〜１０ｗｔ％、金属微粒
子が５〜２０１１ｔ％、その残部が金属窒化物微粒子と
いうのが適当である。

金属窒化微粒子、および金属微粒子の粒径は微細である
ことが望ましい６混合物薄膜の膜厚にもよるが、ホール
１５の径が約１−程度であることを考慮すると１１００
ｎ以下が順当である。

混合物薄膜の膜厚としては、１０〜５００ｒｒａ、　よ
り望ましくは３０〜３００ｎ＋ｉが良い。　また、膜厚
は記録感度や分光特性を適正化するため１組成に応じ最
適化してやる必要がある。例えば１分光特性としては、
反射率が１０〜６０％の範囲にあることが再生信号を（
ＣＮ比）良く処理する上で必要である。

混合物薄膜中の金属窒化物微粒子、および金属微粒子は
、未記録状態において非晶質状態にあることが望ましい
。これは非晶質状態にある方が、結晶質状態にある場合
に比べ長寿命、即ち、大気中に保管されたときの安定性
が高いためである。

混合物薄膜における以上挙げた組成、粒径、膜厚、結晶
性は、いずれも成膜時の条件、即ち、スパタリングであ
れば、ガス組成、放電圧力、印加電力、放電時間を制御
することで所定のものにすることができる。

（ｍ−１）　　第３の光情報記録媒体にかかる第１実施
例を以下に説明する。

径２００　ｍのＳＬ、　Ｎ、ターゲット上にＴｅ金属ペ
レット、ポリ４弗化エチレンペレツトを所定数並べ、　
ＡｒガスとＣＦ、ガスとの混合ガスでスバタリングして
径１３０ｍ、厚１．２ｍのｐｃ基板上に第１層を堆積さ
せた。スパタリング装置はＲＦダイオードタイプのもの
である。印加電力は３００Ｗ、放電圧力は２０ｍＴｏｒ
ｒ、放電時間は５分間とした。

第２層として、径２００ｍのポリ４弗化エチレンターゲ
ツトをＡｒガスとＣ，Ｆ４ガスとの混合ガスでスパタリ
ングした薄膜を先の第１層に積層した。印加電力は８０
Ｗ、放電圧力は２０ｍＴｏｒｒ、放電時間は３分間とし
た。

このようにして製作した光ディスクを１８０Ｏｒｐｍで
回転させ、ｒ＝５０ｍの位置において実施例（１）と同
様にして記録再生特性を調べた。

パルス幅を１５０ｎｓｅｃ一定とし、記録用レーザビー
ムのパワーと再生信号変調度との関係を求めたところ、
第２図のＢに対応するパワーは約６ａ＋Ｗ。

ａに対応する変調度の中間レベルの値は０．３７であっ
た６次に、第２図のＤに対応するパワーは約１３＋ｍす
、ｂに対応する変調度の値は０．７５であった。

変調度０．３７．および、　０．７５の書込みのできた
媒体の領域を光学顕微鏡で観察したところ、０．３８の
領域にはバブル、　０．７５の領域にはホールが形成さ
れているのが認められた。

（ｍ−２）　　第３の光情報記録媒体にかかる第２実施
例を以下に説明する。

径２００Ｉ１ｍｌのＴｉＮターゲット上にＢｉ金属ペレ
ット、ポリ４弗化エチレンペレツトを所定数並べ、Ａｒ
ガスとＣＦ４ガスとの混合ガスでスバタリングして径１
３０ｍｍ、厚１．２ｍｒａのｐｃ基板上に第１層を堆積
させた。スパタリング装置はＲＦダイオードタイプのも
のである。印加電力は４００Ｗ、放電圧力は２０ｍＴｏ
ｒｒ、放電時間は５分間とした。

第２層として径２００ｍの炭素（Ｃ）ターゲラ１−をＡ
ｒガスでスバタリングした薄膜を先の第１Ｍに積層した
。印加電力は２００Ｗ、放電圧力は２０ｍＴｏｒｒ、放
電時間は３分間とした。

このようにして製作した光ディスクを１８０Ｏｒｐｍで
回転させ、ｒ＝５０ｍｍの位置において記録再生特性を
実施例（ｍ−ｉ）と同様にして調べた。

パルス幅を１５０ｎｓｅｃ一定とし、記録用レーザビー
ムのパワーと再生信号変調度との関係を求めたところ、
第２図のＢに対応するパワーは約９ｍＷ、ａに対応する
変調度の中間レベルの値はＯ，：ｌｒｉでν１った。

次に、第２図のＤに対応するパワーは約１４１１１１１
、ｂに対応する変調度の値は０．７５であった。

変調度０．３５、および、０．７５の書込みのできた媒
体の領域を光学顕＊＊でａｍしたところ、０．３５の領
域にはバブル、０．７５の領域にはホールが形成されて
いるのが認められた。

（ＩＴｉ−３）　　第３の光情報記録媒体にかかる第３
実施例を以下に説明する。

径２θＯｗｎのＡＱＮターゲット上にＩｎ金属ペレット
、ポリ４弗化エチレンペレツトを所定数並べ、Ａｒガス
とＣＦ４ガスとの混合ガスでスパタリングして径１３０
＋ｍ＋、厚１．２Ｉのｐｃ基板上に第１層を堆積させた
。スパタリング装置は、ＲＦダイオードタイプのもので
ある。印加電力は４００Ｗ、放電圧力は２０ｍＴｏｒｒ
、放電時間は５分間とした。

第２層として径２００　ｍｍのポリ４弗化エチレンター
ゲツトをＡｒガスとＣ＝Ｃ４Ｆ、ガスとの混合ガスでス
パタリングした薄膜を先の第１層に積層した。印加電力
は８０Ｗ、放電圧力は２０＋＋＋Ｔｏｒｒ、放電時間は
３分間とした。

このようにして製作した光ディスクを１８０ｏｒｐｍで
回転させ、ｒ＝５０ｍの位置において記録再生特性を実
施例（ｍ−１）と同様にして調べた。

パルス幅を１５０ｎｓｅｃ一定とし、記録用レーザビー
ムのパワーと再生信号変調度との関係を求めたところ、
第２図のＢに対応するパワーは約７１１１１１゜ａに対
応する変調度の中間レベルの値は０．３５であった。

次に、第２図のＤに対応するパワーは約１５ｍＷ、ｂに
対応する変調度の値は０．７１であった。

変調度０．３５．および、０．７１の書込みのできた媒
体の領域を光学顕微鏡で観察したところ、０．３５の領
域にはバブル、　０．７１の領域にはホールが形成され
ているのが認められた。

（ＩＩＩ−４）　　第３の光情報記録媒体にかかる第４
実施例を以下に説明する。

第２層の誘電体薄膜層を共通の構成とし、第１層の混合
物薄膜のみが異なる９種の光ディスクを以下のように製
作した。基板は径１／３０ｍｍ、厚Ｌ２ＩＩＩＩｌのｐ
ｃ基板である。

第１層の形成は真空蒸着法で行なった。混合物薄膜中の
有機物として銅フタロシアニンを共通に。

金属微粒子に対し金属窒化物微粒子が以下の９種である
。即ち、Ｇｅに対しＢＮ−Ｇ１３３Ｎ４．　ＶＮ、　Ｓ
ｎに対しＣｒＮ、　ＮｂＮ、　ＺｒＮ、　Ｓｂに対しＭ
ｏＮ％ＨｆＮ、　ＴａＮである。

銅フタロシアニンとＧｅとＳｎとは抵抗加熱蒸着法、窒
化物は電子ビーム蒸着法で着膜させた。

第２層の形成は径２００田のポリ４弗化エチレンターゲ
ツトをＡｒガスと０２Ｆ４ガスの混合ガスでスバタリン
グしで行なった。印加電力は８０Ｗ、放電圧力は３０ｍ
Ｔｏｒｒ、放電時間は１０分間である。

このようにして製作した９種の光ディスクの記録再生特
性を実施例−１と同様にして測定した。

得られた再生信号変調度と記録用レーザビームパワーと
の関係を次の第３表に示す。第２図のＢに対応するパワ
ーは６〜８ｍＷ、　ａに対応する変調度の中間値は約０
．４．　　Ｄに対応するパワーは１２〜１５Ｌｏｗ、　
ｂに対応する変調度の飽和値は約０．８という良好な特
性であることが判った。

（ＩＶ）　　次に１本発明にかかる第４の光情報記録媒
体につき第１図（ｂ）を引用して説明する。この第４の
光情報記録媒体２０は、前記第２ないし第３の光情報記
録媒体が基板上に二層からなる記録膜を積層堆積させた
点で相似た構造である。

この第４の光情報記録媒体における記録膜２２は、金属
炭化物微粒子と金属微粒子と有機物との混合物薄膜であ
る第１層２２１と、誘電体薄膜である第２層２２２で構
成されている。

前記記録膜２２の構成は、前記（ＩＩ）、（ｍ）で説明
した記録膜の構成における第１層の混合物薄膜中の金属
酸化物または金属窒化物の微粒子が、金属炭化物に置換
された形なので、共通の部分を省略して説明する。

前記構成の記録膜における第１層の金属炭化物微粒子と
しては、同じく記録媒体長寿命化の観点から大気中に保
管された場合、水分等に対し安定な金属炭化物の微粒子
ならいずれも使用できる。

具体的には以下のものが適当である。即ち５ｉＣ１Ｂ　
４Ｃ、Ｔｉｃ　％　ＺｒＣ、１ノｆＣ，ＶＣ，ＮｂＣ、
ＴａＣ，ＮｏＣ、ＩＩｃ。

ＶＣ，、ＴａＣ，、ＭｏＣ，、ｔｙｃ２である。これら
は単独でも、あるいは混合させて用いることもできる。

混合物薄膜中の金属微粒子、有機物としては前記（ｎ）
（ｍ）と同様の金属微粒子、有機物が使用できる。

混合物薄膜の構造、例えば、組成、粒径、膜厚、結晶性
は記録媒体としての種々の特性、中でも寿命、記録感度
１分光特性を大きく変化させる。

組成、即ち、金属炭化物微粒子と金属微粒子と有機物と
の比率としては、有機物が］−〜１０ｗｔ％、金属微粒
子が５〜２０ｗｔ％、その残部が金属炭化物微粒子とい
うのが適当である。

混合物薄膜中の金属炭化微粒子、および金属微粒子の粒
径は微細であるあることが望ましい。混合物薄膜の膜厚
にもよるが、ホール１５の径が約１−程度であることを
考慮するとＬＯＯｎｍ以下が順当である。

混合物薄膜の膜厚としては、　１０〜５００ｎＩ１１、
　より望ましくは３０〜３００ｎｍが良い。　また、膜
厚は記録感度や分光特性を適正化するため、組成に応じ
最適化してやる必要がある。例えば、分光特性としては
１反射率が１０〜６０％の範囲にあることが再生信号を
ＣＣＮ比）良く処理する上で必要である。

混合物薄膜中の金属炭化物微粒子、および金属微粒子は
、未記録状態において非晶質状態にあることが望ましげ
。これは非晶質状態にある方が、結晶質状態にある場合
に比べ長寿命、即ち、大気中に保管されたときの安定性
が高いためである。

混合物薄膜における以上挙げた組成、粒径、膜厚、結晶
性は、いずれも成膜時の条件、即ち、スパタリングであ
れば、ガス組成、放電圧力、印加電力、放電時間を制御
することで所定のものにすることができる。

また、光情報記録媒体にバブル、および、ホールが形成
される機構の説明は上記実施例（ＩＩ）と変わらないの
で省略する。

（ＩＶ−１）　　第４の光情報記録媒体にかかる第１実
施例を以下に説明する。

径２００　ｍのＳｉＣターゲット上にＴｅ金属ベレット
、ポリ４弗化エチレンペレツトを所定数並べ、Ａｒガス
とＣＦ４ガスとの混合ガスでスパタリングして径１３０
■、厚１．２０１１のＰＣ基板上に第１層を堆積させた
。スパタリング装置はＲＦダイオードタイプのものであ
る。印加電力は４００Ｗ、放電圧力は２０ｍＴｏｒｒ、
放電時間は５分間とした。第２層として、径２００＋＋
ａのポリ４弗化エチレンターゲツトをＡｒガスと０２Ｆ
４ガスとの混合ガスでスパタリングした薄膜を先の第１
層に積層した。印加な力は８０Ｗ、放電圧力は２０ｍＴ
ｏｒｒ、放電時間は３分間とした。

このようにして製作した光ディスクを１８０Ｏｒｐｍで
回転させ、ｒ＝５Ｏｎ＋ａ＋の位置において記録再生特
性を実施例（１）と同様にして調べた。

パルス幅を１５０ｎｓｅｃ一定とし、　記録用レーザビ
ームのパワーと再生信号変調度との関係を求めたところ
、第２図のＢに対応するパワーは約７ｄ、ａに対応する
変調度の中間レベルの値は０．３２であった１次に、第
２図のＤに対応するパワーは約１５ｍＷ、ｂに対応する
変調度の値は０．６５であった。

変調度０．３２．および、０．６５の書込みのできた媒
体の領域を光学Ｍ微１ｆｔでｍ察したところ、　０．３
２の領域にはバブル、０．６５の領域にはホールが形成
されているのが認められた。

（ＩＶ−２）　　第４の光情報記録媒体にかかる第２実
施例を以下に説明する。

径２００　ｍのＴａＣターゲット上にＴｅ金属ペレット
、ポリ４弗化エチレンペレツトを所定数並べ、Ａｒガス
とＣＦ４ガスとの混合ガスでスバタリングして径１．３
０＋ｎｍ、厚１．２Ｉのｐｃ基板上に第１層を堆積させ
た。スバタリング装置はＲＦダイオードタイプのもので
ある。印加電力は４００Ｗ、放電圧力は２０ｍＴｏｒｒ
、放電時間は５分間とした。第２層として径２００ｍｍ
のポリ４弗化エチレンターゲツトをＡｒガスと０２Ｆ４
ガスとの混合ガスでスバタリングした薄膜を先の第１Ｍ
に積層した。印加電力は８０Ｗ、放電圧力は２０ｍＴｃ
ｒｒ、放電時間は３分間とした。

このようにして製作した光ディスクを１８０ｏｒｐｍで
回転させ、ｒ＝５０＋ｎｍの位置において記録再生特性
を実施例（Ｖｌ−１）と同様にして調べた。

パルス幅を１５０ｎｓｅｃ一定とし、記録用レーザビー
ムのパワーと再生信号変調度との関係を求めたところ、
第２図のＢに対応するパワーは約８ｆｆｉｌＩＩ、ａに
対応する変調度の中間レベルの値は０．３０であった。

次に、第２図のＤに対応するパワーは約１４Ｉ１ｗ、ｂ
に対応する変調度の値は０．６５であった。

変調度０．３０、および、　０．６５の書込みのできた
媒体の領域を光学顕微鏡でＩ！察したところ、０．３０
の領域にはバブル、０．６５の領域にはホールが形成さ
れているのが認められた。

（ＩＶ−３）　　第４の光情報記録媒体にかかる第３実
施例を以下に説明する。

径２００ｍｍのＴｉターゲット上にＩｎ金属ペレット、
ポリ４弗化エチレンペレツトを所定数並べ、Ａｒガス、
Ｃ１（、ガス、ＣＦ４ガスの混合ガスでスパタリングし
て径１３０ｍｍ、厚１．２ｍのｐｃ基板上に第１層を堆
積させた。印加電力は４００Ｗ、放電圧力は２０ｍＴｏ
ｒｒ。

放電時間は４分間とした。

第２層として炭素（Ｃ）ターゲットをＡｒガスでスバタ
リングした薄膜を先の第１層に積層した。印加電力は３
００Ｗ、放電圧力は２０ｍＴｏｒｒ、放電時間は５分間
とした。

このようにして製作した光ディスクを１８００ｒｐ膳で
回転させ、ｒ＝５０ｍの位置において記録再生特性を実
施例（ＩＶ−１）と同様にして調べた。

パルス幅を１５０ｎｓｅｃ一定とし、記録用レーザビー
ムのパワーと再生信号変調度との関係を求めたところ、
第２図のＢに対応するパワーは約７ｍＷ。

ａに対応する変調度の中間レベルの値は０．４０であっ
た。

次に、第２図のＤに対応するパワーは約１３ｍＶ。

ｂに対応する変調度の値は０．７２であった。

変調度０．４０、および、０．７２の書込みのできた媒
体の領域を光学顕微鏡でｍ察したところ、０．４０の領
域にはバブル、０．７１の領域にはホールの形成されて
いるのが認められた。

（ＴＶ−４）　　第４の光情報記録媒体にかかる第４実
施例を以下に説明する。

第２層の誘電体薄膜層を共通の構成とし、第１層の混合
物薄膜のみが異なる７種の光ディスクを以下のように製
作した。基板は径１３（ｈａ、厚１．２１１ＩＩＩのｐ
ｃ基板である。

即ち、第１層の形成は真空蒸着法で行なった。

混合物薄膜中の有機物として銅フタロシアニンを共通に
、金属微粒子に対し金属炭化物微粒子が以下の７種であ
る。即ち、　Ｇａに対しＢ４Ｃ，ＺｒＣ，ＨｆＣ。

ＶＣ，ＢｉミニしＮｂＣ，ＭｏＣ，Ｉｃ（１）　７種テ
アル。銅フタロシアニンとＧｅとＢｉとは抵抗加熱蒸着
法、炭化物は電子ビーム蒸着法で成膜した。

第２層の形成は第１層と同様に、径２００　ｍｍのポリ
４弗化エチレンターゲツトのスバタリングで行なった。

このようにして製作した７種の光ディスクの記録再生特
性を前記（ＩＶ−１）に示した実施例と同様にして測定
した。

求めた再生信号変調度と記録用レーザビームパワーとの
関係を第４表に示す。第２図のＢに対応するパワーは５
〜６ａ１１．ａに対応する変調度の中間値は約０．４、
　Ｄに対応するパワーは１０〜１３ｍＷ。

ｂに対応する変調度の飽和値は約０．８という良好な特
性であることが判った。

（ＩＶ−５）　　第４の光情報記録媒体にかかる第５実
施例を以下に説明する。

前記（ＩＶ　−４）の実施例と同様に第２層の誘電体薄
膜層を共通の構成とし、第１層の混合物層のみが異なる
８種の光ディスクを製作した。

記録膜の構成と記録再生特性との関係を第２表に示す。

８種の光ディスクとも次の第５表に見られるような良好
な特性が得られた。

（以下余白） （Ｖ）　　次に、本発明にかかる第４の光情報記録媒体
につき第１図（ｂ）を引用して説明する。この第４の光
情報記録媒体２０は、眞記第２ないし第３の光情報記録
媒体が基板上に二層からなる記録膜を積層堆積させた点
で相似た構造である。

この第４の光情報記録媒体における記録膜２２は。

金属硫化物微粒子と金属微粒子と有機物との混合薄膜で
ある第１層２２１と、誘電体薄膜である第２層２２２で
構成されている。

前記記録膜互の構成は、前記（ＩＩ）〜（ＩＶ）で説明
した記録膜の構成における第１層の金属酸化物または金
属窒化物、金属炭化物の微粒子が、金属硫化物の微粒子
に置換された形なので、共通の部分を省略して説明する
。

前記構成の記録膜における第１層の混合物薄膜中金属硫
化物微粒子としては、同じく記録媒体長寿命化の観点か
ら大気中に保管された場合、水分等に対し安定な金属硫
化物の微粒子ならいずれも使用できる。具体的には、以
下のものが適当である。即ち、Ｓｕ、Ｓ、　Ａｇ２Ｓ、
　Ｃｒ２５．　Ｎｉ、Ｓ、　ＣｒＳ、　ＭｎＳ。

ＦｅＳ、ＣｏＳ、ＮｉＳ、ＣｕＳ、ＺｎＳ、ＳｎＳ、Ｐ
ｂＳ、Ｃｒ、Ｓ、、Ｃｏ２５．、Ｉｎ、　Ｓ、、Ｓｂ、
Ｓ、、　Ｔａ、Ｓ、、Ｇａｓ、　ＭｏＳ２、ＦｅＳ、、
５ｎＳ２、および、Ｌａ、　Ｓ、などの希土類硫化物で
ある。

これらは単独で、あるいは混合させて用いることもでき
る。

混合物薄膜中の金属微粒子、有機物としては前記（ＩＩ
）にあげたものが使用できる。

混合物薄膜の構造、例えば、組成、粒径、膜厚、結晶性
は記録媒体としての種々の特性、中でも寿命、記録感度
１分光特性を大きく変化させる。

組成、即ち、金属硫化物微粒子と金属微粒子と有機物と
の比率としては、有機物が１〜１０ｖｔ％、金属微粒子
が５〜２０ｗｔ％、その残部が金属硫化物微粒子という
のが適当である。

混合物薄膜中の金属硫化物微粒子、および金属微粒子の
粒径は微細であるあることが望ましい。

混合物薄膜の膜厚にもよるが、ホール１５の径が約１ｐ
程度であることを考慮すると１１００ｎ以下が順当であ
る。

混合物薄膜の膜厚としては、１０〜５００ｎｍ、より望
ましくは３０〜３００ｎｍが良い。　また、膜厚は記録
感度や分光特性を適正化するため１組成に応じ最適化し
てやる必要がある。例えば、分光特性としては、反射率
が１０〜６０％の範囲にあることが再生信号をＣＮＲ（
ＣＮ比）良く処理する上で必要である。

混合物薄膜中の金属硫化物微粒子、および金属微粒子は
、未記録状態において非晶質状態にあることが望ましい
。これは非晶質状態にある方が、結晶質状態にある場合
に比べ長寿命、即ち、大気中に保管されたときの安定性
が高いためである。

混合物薄膜における以上挙げた組成、粒径、膜厚、結晶
性は、いずれも成膜時の条件、即ち、スパタリングであ
れば、ガス組成、放電圧力、印加電力、放電時間を制御
することで所定のものにすることができる。

また、光情報記録媒体にバブル、および、ホールが形成
される機構の説明も上記実施例（ＩＩ）における説明と
変わらないので、省略する。

（Ｖ−１）　　第５の光情報記録媒体にかかる第１実施
例を以下に説明する。

径２００ＩのＧｅＳターゲット上にＴｅ金属ペレット、
ポリ４弗化エチレンペレツトを所定数並べ、　Ａｒガス
とＣＦ４ガスとの混合ガスでスバタリングして径１３０
ｍｍ、厚１．２ｍのｐｃ基板上に第１層を堆積させた。

スバタリング装置はＲＦダイオードタイプのものである
。印加電力は３００Ｗ、放電圧力は２０＋＋＋丁ｏｒｒ
、放電時間は５分間とした。

第２層として、径２００　ｎｍのポリ４弗化エチレンタ
ーゲツトをＡｒガスと０２Ｆ４ガスとの混合ガスでスバ
タリングした薄膜を先の第１層に積層した。印加電力は
８０Ｗ、放電圧力は２０ｎ＋Ｔｏｒｒ、放電時間は３分
間とした。

このようにして製作した光ディスクを１８００ｒｐｍで
回転させ、ｒ＝５０ｍｍの位置において記録再生特性を
実施例（１）と同様にして調べた。

パルス幅をｔ５０ｎｓｅｅ一定とし、記録用レーザビー
ムのパワーと再生信号変調度との関係を求めたところ、
第２図のＢに対応するパワーは約６ｍＷ１．１に対応す
る変調度の中間レベルの値は０．３５であった。次に、
第２図のＤに対応するパワーは約１２＋＋Ｉｊ、　ｂに
対応する変調度の値は０．７５であった。

変調度０．３５、および、０．７５の書込みのできた媒
体の領域を光学顕微鏡で観察したところ、０．３５の領
域にはバブル、０．７５の領域にはホールが形成されて
いるのが認められた。

（Ｖ−２）　　第５の光情報記録媒体にかかる第２実施
例を以下に説明する。

径２００ＩのＮｉＳターゲット上にＩｎ金属ペレット、
ポリ４弗化エチレンペレツトを所定数並べ、Ａｒガスと
ＣＦ４ガスとの混合ガスでスバタリングして径１３０ｍ
ｍ、厚１．２Ｉのｐｃ基板上に第１層を堆積させた。ス
パタリング装置はＲＦダイオードタイプのものである。

印加電力は３００Ｗ、放電圧力は２０ｍＴｏｒｒ、放電
時間は５分間とした。

第２層として、径２００のポリ４弗化エチレンターゲツ
トをＡｒガスと０２Ｆ４ガスとの混合ガスでスノ（タリ
ングした薄膜を先の第１層に積層した。印加電力はａｏ
ｗ、放電圧力は２０ｍＴｏｒｒ、放電時間は３分間とし
た。

このようにして製作した光ディスクを１８０Ｏｒｐｍで
回転させ、ｒ＝５０ｍｍの位置において記録再生特性を
実施例（Ｖ−１）と同様にして調べた。

パルス幅を１５０ｎｓｅｃ一定とし、記録用レーザビー
ムのパワーと再生信号変調度との関係を求めたところ、
第２図のＢに対応するパワーは約８ｍＷ、ａに対応する
変調度の中間レベルの値は０．３１であった・ 次に、第２図のＤに対応するパワーは約１４＋＋＋Ｗ、
ｂに対応する変調度の値は０．６９であった。

変調度０．３１．および、０．６９の書込みのできた媒
体の領域を光学顕微鏡で観察したところ、　０．３１の
領域にはバブル、０．６９の領域にはホールが形成され
ているのが認められた。

（Ｖ−３）　　第５の光情報記録媒体にかかる第３実施
例を以下に説明する。

径２００　ｍのＳｎＳターゲット上にＢｉ金属ペレット
、ポリ４弗化エチレンペレツトを所定数並べ、Ａｒガス
とＣＦ４ガスとの混合ガスでスパタリングして径１３０
ｍｏ＋、厚１．２ａａのｐｃ基板上に第１層を堆積させ
た。スパタリング装置はＲＦダイオードタイプのもので
ある。印加電力は３００Ｗ、放電圧力は２０ｍＴｏｒｒ
、放電時間は５分間とした。

第２層として、径２００のポリ４弗化エチレンターゲツ
トをＡｒガスとＣ−Ｃ４Ｆ、ガスとの混合ガスでスバタ
リングした薄膜を先の第１層に積層した。印加電力は８
０Ｗ、放電圧力は２０ｍＴｏｒｒ、放電時間は３分間と
した。

このようにして製作した光ディスクを１８０Ｏｒｐｍで
回転させ、ｒ＝５０ｍの位置において記録再生特性を実
施例（Ｖ−１）と同様にして調べた。

パルス幅を１５０ｎｓｅｃ一定とし、記録用レーザビー
ムのパワーと再生信号変調度との関係を求めたところ、
第２図のＢに対応するパワーは約７１１ＩＩｌｌ、ａに
対応する変調度の中間レベルの値は０．３２であった０
次に、第２図のＤに対応するパワーは約１３ａ１１．　
ｂに対応する変調度の値は０．６８であった。

変調度０．３２、および、０．６８の書込みのできた媒
体の領域を光学顕微鏡で観察したところ、　０．３２の
領域にはバブル、０．６８の領域にはホールの形成され
ているのが認められた。

（Ｖ　−４）　　第５の光情報記録媒体にかかる第４実
施例を以下に説明する。

第２層の誘電体薄膜層を共通の構成とし、第１層の混合
物薄膜層のみが異なる９種の光ディスクを以下のように
製作した。基板は径１３０ｍ、厚１．２Ｉのｐｃ基板で
ある。

第１層の形成は真空蒸着法で行なった。混合物薄膜中の
有機物として銅フタロシアニンを共通に、金属微粒子に
対し金属硫化物微粒子が以下の９種である。

即ち、　Ｓｎに対しＭｎＳ、　ＣｏＳ、　ＺｎＳ、　Ｐ
ｂＳの４種、ｓｂに対しＣｒ２５．、Ｉｎ、　Ｓ、、Ｓ
ｂ２Ｓ３、Ｔｅ、　Ｓ、、Ｌａ、Ｓ３の５種である。以
上の蒸着は原料をタングステンボートに入れて、抵抗加
熱法で行なった。

第２層の形成は径２００ｍのポリ４弗化エチレンターゲ
ツトをＡｒガスとＣ，Ｆ４ガスとの混合ガスでスバタリ
ングで行なった。印加電力は８０Ｗ、放電圧力は３０ｍ
Ｔｏｒｒ、放電時間は１０分間である。

このようにして製作した９種の光ディスクの記録再生特
性を前記（Ｖ−１）実施例と同様に測定した。

求めた再生信号変調度と記録用レーザビームパワーとの
関係を第６表に示す。第２図のＢに対応するパワーはい
ずれの光ディスクにおいても５〜６ｍＷ、ａに対応する
変調度の中間値は約０．４、　Ｄに対応するパワーは１
０〜１３ｍＷ、ｂに対応する変調度の飽和値は約０．８
という良好な特性であることが判った。

（以下余白） （Ｖ−５）　　第５の光情報記録媒体にかかる第５実施
例を以下に説明する。

前記（Ｖ−４）の実施例と同様に、第２層の誘電体薄膜
層を共通の構成とし、第１層の混合物薄膜層のみが異な
る９種の光ディスクを製作した。

記録膜の構成と記録再生特性との関係を第７表に示す。

９種の光ディスクとも第７表に見られるような良好な特
性が得られた。

（以下余白） （Ｖｌ）　　第６の光情報記録媒体は第１図（ａ）に示
される単一の記録膜でなり、その混合物薄膜が金属の酸
化物、窒化物、炭化物、硫化物、硅化物、硼化物のいず
れかでなる場合の実施例につき、窒化物を例示して説明
する。

（ＶＩ−１）　　径２００ｍｍのＳｉ、　Ｎ、ターゲッ
ト上にＩｎ金属ペレット、Ｓｂ金属ベレット、ポリ４弗
化エチレンペレツトを所定数並べ、ＡｒガスとＣ−Ｃ４
ＦＢガスとの混合ガスでスパタリングして径１３０画、
厚１．２薗のＰＣ基板上に記録膜を堆積させた。スバタ
リング装置は、ＲＦダイオードタイプのものである。印
加電力は３００Ｗ、放電圧力は２０ｍＴｏｒｒ、放電時
間は５分間とした。

次に実施例−１と同様にして、この光ディスクの記録再
生特性を調べた。再生信号変調度と記録用レーザビーム
のパワーとの関係において、第２図Ｂに対応するパワー
は約８１１１ｗ、ａに対応する変調度の中間レベルの値
は０．４８であった。また、第２図りに対応するパワー
は約１３ｍＷ、　ｂに対応する変調度の値は約０．８１
であった。

（■）第７の光情報記録媒体は第１図（ａ）に示すごと
く単一の記録膜でなり、その混合物薄膜が金属の酸化物
、窒化物、炭化物、硫化物、金属硅化物、金属硼化物の
うち２種を含む場合の第１実施例を以下（■−１）に、
また、混合物薄膜が金属の酸窒化物（オキシナイトライ
ド）等の複合化合物を含む場合の第２実施例をさらに（
■−２）に説明する。

（■−１）　径２００　ｍｍのＳｉｎ、ターゲット上に
５１３Ｎ４ペレント、　Ｉｎ金属ペレット、ポリ４弗化
エチレンペレツトを所定数並べ、ＡｒガスとＣ，Ｆ、ガ
スとの混合ガスでスパタリングして径１３０ｍ、厚１．
２ｍのｐｃ基板上に記録膜を堆積させた。スバタリング
装置は、ＲＦダイオードタイプのものである。印加電力
は３００Ｗ、放電圧力は２０ｍＴｏｒｒ、放電時間は５
分間とした。

このようにして製作した光ディスクの記録膜の構造は、
　　Ｓｉｎ、微粒子とＳｉ、Ｎ４微粒子と金属Ｉｎ微粒
子と有機物との混合物である。

次に実施例（１）と同様にして、この光情報記録媒体の
記録再生特性を調べた。再生信号変調度と記録用レーザ
ビームのパワーとの関係において、第２図Ｂに相当する
パワーは約９ｍＷ、ａに対応する変調度の中間レベルの
値は０．４７であった。また、第２図りに対応するパワ
ーは約１４１１、ｂに対応する変調度の値は約０．８０
であった。

（■−２）　径２００　ｍのＳｉ、　Ｎ４ターゲツト上
にＩｎ金属ペレット、ポリ４弗化エチレンペレツトを所
定数並べ、Ａｒガス、０□ガス、ｃ２Ｆ４ガスとの混合
ガスでスバタリングして径Ｌ３０ｍｍ、厚１．２ｍのｐ
ｃ基板上に記録膜を堆積させた。スバタリング装置は、
ＲＦダイオードタイプのものである。印加電力は３００
Ｗ、放電圧力は１８ｍＴｏｒｒ、放電時間は５分間とし
た。

このようにして製作した光ディスクの記録膜は。

硅素の酸窒化物（シリコンオキシナイトライド）微粒子
とＩｎ金属微粒子と有機物とを含んでいる。

次に実施例（１）と同様にして、この光情報記録媒体の
記録再生特性を調べた。再生信号変調度と記録用レーザ
ビームのパワーとの関係において、第２図已に相当する
パワーは約７ｍＷ、ａに対応する変調度の中間レベルの
値は０．４５であった。また、第２図りに対応するパワ
ーは約５ＩＩＩｌｌ、ｂに対応する変調度の値は約０．
７６であった。

（■）次に、本発明にかかる第８の光情報記録媒体につ
き第１図（ｂ）を引用して説明する。この第８の光情報
記録媒体裁は、前記第２ないし第３の光情報記録媒体が
基板上に二層からなる記録膜を積層堆積させた点で相似
た構造である。

この第４の光情報記録媒体における記録膜２２は。

金属硅化物微粒子と金属微粒子と有機物との混合薄膜で
ある第１層２２１と、誘電体薄膜である第２層２２２で
構成されている。

前記記録膜２２の構成は、前記（ｎ）〜（■）で説明し
た記録膜の構成における第１層の金属酸化物または金属
窒化物、金属炭化物、金属硫化物の微粒子が、金属硅化
物の微粒子に置換された形なので、７共通の部分を省略
して説明する。

前記構成の記録膜における第１Ｍノ）混合物薄膜中金属
硅化物微粒子としては、同じく記録媒体長寿命化の観点
から大気中に保管された場合、水分等に対し安定な金属
硅化物の微粒子ならいずれも使用できる。具体的には、
以下のものが適当である。即ち、　ＴｉＳｉ、、　Ｚｒ
Ｓｉ、、　ｔ（ｆＳｉ２、ＶＳｉ、、Ｎｂ、　Ｓｉ、、
Ｔａ５Ｌ２、ＣｒＳｉ、、ＭＯＳｉ２、ＷＳｉ、などが
使用できる。

これらは単独で、あるいは混合させて用いることもでき
る。

混合物薄膜中の金属微粒子、有機物としては前記（Ｉｆ
）にあげたものが使用できる。

混合物薄膜の構造、例えば１組成、粒径、膜厚、結晶性
は記録媒体としての種々の特性、中でも寿命、記録感度
、分光特性を大きく変化させる。

組成、即ち、金属硅化物微粒子と金属微粒子と有機物と
の比率としては、有機物が１〜□　１０ｗｔ％、金属Ｉ
ｎ微粒子が５〜２０νｔ％、その残部が金属硫化物微粒
子というのが適当である。

混合物薄膜中の金属珪化微粒子、および金属微粒子の粒
径は微細であるあることが望ましい。混合物薄膜の膜厚
にもよるが、ホール１５の径が約１、虜程度であること
を考慮すると１１００ｎ以下が順当である。

混合物薄膜の膜厚としては、ｌＯ〜５００ｎｍ、　より
望ましくは３０〜３００ｎｍが良い。また、膜厚は記録
感度や分光特性を適正化するため、組成に応じ最適化し
てやる必要がある６例えば、分光特性としては１反射率
が１０〜６０％の範囲にあることが再生信号をＣＮＲ（
ＣＮ比）良く処理する上で必要である。

混合物薄膜中の金属硅化物微粒子、および金属微粒子は
、未記録状態において非晶質状態にあることが望ましい
、これは非晶質状態にある方が、結晶質状態にある場合
に比べ長寿命、即ち、大気中に保管されたときの安定性
が高いためである。

混合物薄膜における以上挙げた組成、粒径、膜厚、結晶
性は、いずれも成膜時の条件、即ち、スバタリングであ
れば、ガス組成４、放電圧力、印加電力、放電時間を制
御することで所定のものにすることができる。

また、光情報記録媒体ξこバブル、および、ホールが形
成される機構の説明も上記実施例（Ｕ）における説明と
変わらないので、省略する。

（■−１）第８の光情報記録媒体にかかる第１実施例を
以下に説明する。第１層の形成は真空蒸着法で行なった
。混合物薄膜中の有機物として水素フタロシアニン、金
属微粒子としてＩｎを共通とし、金属硅化物微粒子がＴ
ｉＳｉ、、ＺｒＳｉ、、ＨｆＳｉ２、ＶＳｉ、、Ｎｂ、
Ｓｉ、、ＴａＳｉ、、　ＣｒＳｉ、、　ＭｏＳｉ、、Ｗ
Ｓｉ、の９種である。水素フタロシアニンとＩｎとはタ
ングステンボートの抵抗加熱蒸着法、硅化物は電子ビー
ム蒸着法で成膜した。基板は径１３０ｍｍ、厚１．２＋
ｍのｐｃ基板である。

第２層の形成は、炭素ターゲットをＡｒガスでスバタリ
ングして行なった。

このようにして製作した９種の光ディスクの記録再生特
性を実施例（１）と同様にして測定した。

測定は、回転数１８０Ｏｒｐｍ、ｒ＝５０ｏｎ＋の位置
において、パルス幅１５０ｎｓｅｃの条件で行なった。

記録用レーザビームのパワーと再生信号変調度との関係
から求められた、第２図Ｂに対応するパワー、変調度、
Ｄに対応するパワー、変調度の値を第８表に示す、９種
の光ディスクとも第８表に見られるような良好な特性が
得られた。

（以下余白） （ＩＸ）　　次に、本発明にかかる第９の光情報記録媒
体につき第１図（ｂ）を引用して説明する。この第９の
光情報記録媒体裁は、前記第２ないし第３の光情報記録
媒体が基板上に二層からなる記録膜を積層堆積させた点
で相似た構造である。

この第９の光情報記録媒体における記録１ＩＩ２２は、
金属硼化物微粒子と金属微粒子と有機物との混合薄膜で
ある第１層２２１と、誘電体薄膜である第２層２２２で
構成されている。

前記記録膜Ｈの構成は、前記（ＩＩ）〜（■）で説明し
た記録膜の構成における第１層の金属酸化物または金属
窒化物、金属炭化物、金属硫化物、金属硅化物の微粒子
が、金属硼化物の微粒子に置換された形なので、共通の
部分を省略して説明する。

前記構成の記録膜における第１層の混合物薄膜中金属硼
化物微粒子としては、同じく記録媒体長寿命化の観点か
ら大気中に保管された場合、水分等に対し安定な金属硼
化物の微粒子ならいずれも使用できる。具体的には、以
下のものが適当である。即ち、金属硼化物としては、Ｙ
Ｂ４．　ＶＢ、、、ＡｊｔＢ２．ＬａＢ、、Ｔｉｅ、Ｔ
ｉｅ、、ＺｒＢ、ＺｒＢ２、ＺｒＢｔｚ、ＨｆＢ、、　
ＶＢ、　ＮｂＢ、ＴａＢ２、Ｔａ、Ｂ、、　ＣｒＢ、　
Ｃｒｙｓ、Ｃｒ、　Ｂ、　。

Ｃｒ、８％　Ｃｒ５Ｂ、　ＭｎＢ、　　ＭｎＢ、、　　
Ｆｅｄ、　Ｆｅ２Ｂ、　　Ｇｏ、Ｂ、　　Ｎｉ３Ｂなど
が使用できる。これらは単独で、あるいは混合させて用
いることもできる。

混合物薄膜中の金属微粒子、有機物としては前記（Ｉｆ
）にあげたものが使用できる。

混合物薄膜の構造、例えば、組成、粒径、膜厚。

結晶性は記録媒体としての種々の特性、中でも寿命、記
録感度、分光特性を大きく変化させる。

組成、即ち、金属硼化物微粒子と金属微粒子と有機物と
の比率としては、有機物が１〜１０ｗｔ％、金属微粒子
が５〜２０ｔｚｔ％、その残部が金属硼化物微粒子とい
うのが適当である。

混合物薄膜中の金属硼化微粒子、および金属微粒子の粒
径は微細であるあることが望ましい。混合物薄膜の膜厚
にもよるが、ホール１５の径が約１−程度であることを
考慮すると１１００ｎ以下が順当である。

混合物薄膜の膜厚としては、１０〜５００止ｍ、　　よ
す望ましくは３０〜３００止が良い、また、膜厚は記録
感度や分光特性を適正化するため、組成に応じ最適化し
てやる必要がある。例えば１分光特性としては、反射率
が１０〜６０％の範囲にあることが再生信号をＣＮＲ（
ＣＮ比）良く処理する上で必要である。

混合物薄膜中の金属硼化物微粒子、および金属微粒子は
、未記録状態において非晶質状態にあることが望ましい
。これは非晶質状態にある方が、結晶質状態にある場合
に比べ長寿命、即ち、大気中に保管されたときの安定性
が高いためである。

混合物薄膜における以上挙げた組成、粒径、膜厚、結晶
性は、いずれも成膜時の条件、即ち、スパタリングであ
れば、ガス組成、放電圧力、印加電力、放電時間を制御
することで所定のものにすることができる。

また、光情報記録媒体にバブル、および、ホールが形成
される機構の説明も上記実施例（■）における説明と変
わらないので、省略する。

（■−１）　　第９の光情報記録媒体にかかる第１実施
例を以下に説明する。混合物薄膜中の有機物として水素
フタロシアニン、金属微粒子としてＩｎを共通とし、金
属硼化物微粒子がＹＢ４、ＡＱｘ、、ＬａＢ、、ＴｉＢ
、　ＺｒＢ、　ＨｆＢ、、ＶＢ、　ＮｂＢ、　ＴａＢの
９種である。水素フタロシアニンとＩｎとはタングステ
ンボートの抵抗加熱蒸着法、硼化物は電子ビーム蒸着法
で成膜させた。基板は径１３０ａｍ、厚１．２ｍのｐｃ
基板である。

第２層は炭素膜とした。成膜は炭素ターゲットをＡｒガ
スでスパタリングして行なった。

このようにして製作した９種の光ディスクの記録再生特
性を実施例（Ｉ）と同様にして測定した。

測定は、　回転数１８０Ｏｒｐｍ、　ｒ　＝５０ｍ＋＋
の位置において行なった。

パルス幅を１５０ｎｓｅｃ一定とし、記録用レーザビー
ムのパワーと再生信号変調度との関係から求められた第
２図Ｂに対応するパワー、変調度、Ｄに対応するパワー
、変調度の値を第９表に示す。９種の光ディスクとも第
９表に見られるような良好な特性が得られた。

な特性が得られた。

（以下余白） （ＩＸ−２）　　第９の光情報記録媒体にかかる第２実
施例を以下に説明する。混合物薄膜中の有機物としてマ
グネシウムフタロシアニン、金属微粒子としてＢｉを共
通とし、金属硼化物微粒子がＣｒＢ、　ＭｎＢ、ＦｅＢ
、　Ｃｏ３Ｂ、　Ｎｉ、Ｂの５種である。　マグネシウ
ムフタロシアニンと８１とはタングステンボートの抵抗
加熱蒸着法、硼化物は電子ビーム蒸着法で成膜した。基
板は径１３０膣、厚１．２ｍｍのｐｃ基板である。

第２層はＰＴＦＥ膜とした。成膜はＰＴＦＥターゲット
をＡｒガスとＣ−Ｃ４Ｆ、ガスの混合ガスでスパタリン
グして行なった。

このようにして製作した５種光デイスクの記録再生特性
を実施例（りと同様にして測定した。測定は、回転数を
１８００ｒｐｍとし、ｒ＝５０＋ｒａの位置において行
なった。

パルス幅を１５０ｎｓｅｃ一定とし、記録用レーザビー
ムのパワーと再生信号変調度との関係から求められた第
２図Ｂに対応するパワー、変調度、Ｄに対応するパワー
、変調度の値を第１０表に示す。５種の光ディスクとも
第１０表に見られるような良好（Ｘ）　　第１層の混合
物薄膜中の金属微粒子がＩｎ。

有機物が水素フタロシアニン共通であって、誘電体マト
リクスを構成する化合物微粒子がＩｎ、　０３、Ｓｉ、
Ｎ４．　ＴａＣ，Ｎｉ、Ｓ、Ｔｉ５ｆ２、ＣｒＢであり
、第２層が共通にＰＴＦＥスパタ膜である６種の光カー
ドを製作した。基板は８６Ｘ５４Ｘ０．４＋ａｍのボリ
アリレート樹脂製のものである。Ｉｎと水素フタロシア
ニンとはモリブデンボートの抵抗加熱蒸着法、化合物は
いずれも電子ビーム蒸着法で成膜させた。第２層の成膜
は、ＰＴＦＥターゲットをＡｒガスとＣ−Ｃ４Ｆ、との
混合ガスでスパタリングして行なった。記録膜の成膜後
、８６Ｘ５４Ｘ０．４ｎｏの塩化ビニール製保護基板を
ホットメルト型接着剤で積層した。

このようにして製作した６種の光カードについて、記録
再生特性を測定した。光学系対物レンズのＮＡは０．１
７であり、ｍ速は５０ｍ／ｓｅｃの条件で行なった。

パルス幅を６０μ５ｅｃ一定とし、記録用レーザビーム
のパワーと再生信号変調度との関係から求められた第２
図Ｂに対応するパワー、変調度、Ｄに対応するパワー、
変調度の値を第１１表に示す。６種の光カードとも第１
１表に見られるような良好な特性であった。

（以下余白） 〔発明の効果〕 本発明にかかる光情報記録媒体は、基板上に備える記録
膜が、例えばＩｎ２Ｏ，の酸化物、窒化物、炭化物、硫
化物、金属硅化物、金属硼化物およびこれらの２種以上
の混合物から選択された微粒子と金属微粒子と有機物の
混合薄膜を備え、記録用レーザビームのパワーが小さい
ときはバブル、大きいときはホールという二種類のモー
ドの書込みができる。そして、バブル形成部分からの変
調度は、ホール形成部分からの変調度に比べ約１／２で
あるから両者の識別が容易で、マルチモード記録ができ
る。

次に、上記バブル形成部分からの再生信号変調度は０．
３以上で実用に充分な値であり、　ホール形成部分から
の変調度はその２倍の０．８程度で著しく大きいので、
再生信号の処理が容易である。そこで、再生信号変調度
を、ゼロ（未記録部分）と、中間レベル（約０．４）と
、高レベル（約０．８）とマルチ化できる。即ち、予め
定められたパワーのレーザビーム照射をすることで容易
に多値記録を行なうことができ、複雑な光学系や制御回
路系を必要とせず、通常の２値記録用の装置をそのまま
利用できる利点がある。

また、記録膜中に公害になる金属を含まない安全上の利
点もある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）、（ｂ）はいずれも夫々が本発明にかかる
実施例の情報記録媒体につき、記録状態における断面を
模式的に示す断面図で、（ａ）は第１実施例、（ｂ）は
第２ないし第７実施例に夫々対応するもの、第２図は本
発明にかかる記録方法の原理を説明するための図、第３
図は従来の光情報記録媒体の記録再生特性を示す線図で
ある。 １０．２０・・・光情報記録媒体 １２．２２１・・・混合物薄膜 ２２２・・・誘電体薄膜 １２．２２・・・記録膜 １３．２３・・・バブル １４．２４・・・ボイド Ｉ５、２５・・・ホール １６； リム 第 図 ２６・・・リム

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）基体上に記録膜を有し、レーザビームの照射によ
   り情報の記録と再生とを行なう光情報記録媒体において
   、前記記録膜は、記録用レーザビームのパワーが小なる
   場合隆起部が形成され、パワーが大なる場合孔部が形成
   されるマルチモード記録膜であり、且つ、前記記録膜は
   金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、金属硫化物、金
   属硅化物、金属硼化物およびこれらの２種以上の混合物
   からなる微粒子と、金属微粒子と、有機物とを少くとも
   含む薄膜であることを特徴とする光情報記録媒体。
2. （２）金属酸化物がＩｎ＿２Ｏ＿３であり、かつ金属微
   粒子がＩｎである上記請求項（１）に記載の光情報記録
   媒体。