JPH0248628B2 - - Google Patents
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- JPH0248628B2 JPH0248628B2 JP61117669A JP11766986A JPH0248628B2 JP H0248628 B2 JPH0248628 B2 JP H0248628B2 JP 61117669 A JP61117669 A JP 61117669A JP 11766986 A JP11766986 A JP 11766986A JP H0248628 B2 JPH0248628 B2 JP H0248628B2
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、湿式化学的に金属層を析出すること
によつて基材を金属化する方法に関する。ここで
湿式化学とは、物質又は化合物を基材より析出す
る場合、析出すべき物質が基材に接触する（又は
基材をおおう）液体中で化学的に溶解している
（つまり、例えば懸濁液を形成しない）ことを意
味する。
によつて基材を金属化する方法に関する。ここで
湿式化学とは、物質又は化合物を基材より析出す
る場合、析出すべき物質が基材に接触する（又は
基材をおおう）液体中で化学的に溶解している
（つまり、例えば懸濁液を形成しない）ことを意
味する。
従来の技術
金属性又は非金属性の基質材料は、種々の使用
ケースに対してその性質を改良するために金属層
を設ける。特に経済的な方法は、電鍍による金属
析出である。これは、一般に金属性基材に清浄工
程後直後に行い、非金属性−つまり電流を導かな
いか又は不十分に導く−表面に対しては、多くは
化学的予金属化後に行うことができる。この電鍍
によつて設けた金属層は、更に加工する場合又は
実際に使用する場合には多くの種々の作用、例え
ば熱負荷に耐えてその性質、例えば基材への付着
強度を許容できない様に変えてはならない。殊に
層の付着は熱作用の場合に屡々著しい負荷を蒙む
る。この負荷は、金属層を基材との異なる熱膨張
係数に基づく機械的応力により、並びに金属層と
基材との化学的変化によつて生じ得る。電鍍によ
る金属析出の場合におは、或る程度大量の水素並
びに一般に種々の有機浴添加物が金属析出物で一
緒に蓄積し、殊に多孔性基材の場合には一緒に取
込まれる。かかる金属層の熱処理に応じて、蓄積
異物者は分離、蒸発又は分解によつて大きいガス
圧を惹起し、このガス圧は被膜を破かいしない
で、例えば金属層に浸出して分解するか、又は基
材から金属層を或る程度大きい面で分離する。一
般にかかる金属層は多数の気泡を示し、これは付
着強度が減少するにつれて大きくかつ多くなる。
ケースに対してその性質を改良するために金属層
を設ける。特に経済的な方法は、電鍍による金属
析出である。これは、一般に金属性基材に清浄工
程後直後に行い、非金属性−つまり電流を導かな
いか又は不十分に導く−表面に対しては、多くは
化学的予金属化後に行うことができる。この電鍍
によつて設けた金属層は、更に加工する場合又は
実際に使用する場合には多くの種々の作用、例え
ば熱負荷に耐えてその性質、例えば基材への付着
強度を許容できない様に変えてはならない。殊に
層の付着は熱作用の場合に屡々著しい負荷を蒙む
る。この負荷は、金属層を基材との異なる熱膨張
係数に基づく機械的応力により、並びに金属層と
基材との化学的変化によつて生じ得る。電鍍によ
る金属析出の場合におは、或る程度大量の水素並
びに一般に種々の有機浴添加物が金属析出物で一
緒に蓄積し、殊に多孔性基材の場合には一緒に取
込まれる。かかる金属層の熱処理に応じて、蓄積
異物者は分離、蒸発又は分解によつて大きいガス
圧を惹起し、このガス圧は被膜を破かいしない
で、例えば金属層に浸出して分解するか、又は基
材から金属層を或る程度大きい面で分離する。一
般にかかる金属層は多数の気泡を示し、これは付
着強度が減少するにつれて大きくかつ多くなる。
電鍍によつて非金属性基材上に析出した金属層
の付着強度は、少なくとも例えばはんだ付け工程
による熱負荷の際に気泡生成を避けるためには不
十分である。それ故このような負荷を受ける金属
層の製造のためには、大抵、装置に費用がかかり
かつあまり経済的でない方法、例えば真空蒸着
法、陰極スパツタリング法又はCVD法が該当す
るのに過ぎない。
の付着強度は、少なくとも例えばはんだ付け工程
による熱負荷の際に気泡生成を避けるためには不
十分である。それ故このような負荷を受ける金属
層の製造のためには、大抵、装置に費用がかかり
かつあまり経済的でない方法、例えば真空蒸着
法、陰極スパツタリング法又はCVD法が該当す
るのに過ぎない。
発明が解決しようとする問題点
それ故、本発明の目的はこの種の方法を殊に軟
性−又は硬性はんだ付け工程に生じる熱負荷の際
に、析出金属層のできるだけ大きい付着強度を得
ることによつて改良することである。
性−又は硬性はんだ付け工程に生じる熱負荷の際
に、析出金属層のできるだけ大きい付着強度を得
ることによつて改良することである。
問題が解決するための手段
この目的は、湿式化学的に金属層を析出する工
程で金属層と基材との間に生じた液状並びにガス
状の包含物の漏出を次の熱処理工程において可能
にするための、基材を金属化する方法において、
金属層を基材上に析出させ、その後、網目スクリ
ーンを使用したフオトエツチングによつて該金属
層に基材にまで達する孔を設けることを特徴とす
る前記方法によつて解決される。
程で金属層と基材との間に生じた液状並びにガス
状の包含物の漏出を次の熱処理工程において可能
にするための、基材を金属化する方法において、
金属層を基材上に析出させ、その後、網目スクリ
ーンを使用したフオトエツチングによつて該金属
層に基材にまで達する孔を設けることを特徴とす
る前記方法によつて解決される。
本発明の有利な実施態様は、特許請求の範囲第
２項以下に記載してある。
２項以下に記載してある。
本発明はコスト上好ましい方法で金属層に次の
熱処理で妨害となる液体及び／又はガスの残渣を
金属層と基材との間の境界層から散乱させる孔を
設けることができるという認識に基づく。続く熱
負荷、例えば温度約280℃及び時間約20秒間での
軟性ははんだ付け工程又は温度約400℃及び時間
約10秒間での硬性はんだ付け工程の場合に、金属
層の妨害となる気泡はもはや生じない。
熱処理で妨害となる液体及び／又はガスの残渣を
金属層と基材との間の境界層から散乱させる孔を
設けることができるという認識に基づく。続く熱
負荷、例えば温度約280℃及び時間約20秒間での
軟性ははんだ付け工程又は温度約400℃及び時間
約10秒間での硬性はんだ付け工程の場合に、金属
層の妨害となる気泡はもはや生じない。
実施例
例 １
大きさ50.8×50.8×0.6mm2の酸化アルミニウムセ
ラミツク基材（Al2O3、99.5％）を、NaOH溶液
中に公知方法で浸漬してガラス状“焼成皮膜”を
除去し、超音波励起で脱塩水で慎重に洗浄する。
続いて塩化錫（）の塩酸溶液、水及び塩化パラ
ジウムの塩酸溶液で処理し、最後に水で洗浄した
後に、公知方法によつて化学的金属析出のために
接触作用性核層を、セラミツク表面に設ける。こ
の上に、市場で得られる化学的銅浴から厚さ約
0.2μｍの銅基質層を析出させ、続いてこれを市場
で得られる硫酸銅浴から厚さ約15μｍの光沢性銅
層で補強する。公知フオトエツチング法を用い
て、銅層の長方形の試験面20×30mm2上に、間隔１
mmを有する点網目スクリーンの直径50μｍの孔ぐ
りをスプレー腐蝕よつて設ける。例えば環状横断
面を有するこの孔ぐりは、金属層に十分に貫通
し、基材によつて境をなす。フオトレジスト層を
除去した後に、セラミツク試料を熱処理して、温
度430℃並びに窒素雰囲気で10分間施こす。室温
（20℃）に冷却後、銅層の試験で20×30mm2以外の
大きいこの試験面は多くの大きい気泡が一面にお
おわれていることが立証される。フオトエツチン
グ法によつて設けた巾１mmの銅ストライプによる
試験面の孔をあけた層帯域のはく脱力の測定は、
大きい分離力約0.5Nを示す。銅層の残りの孔を
あけなかつた帯域では、金属層の析出の際に含ま
れた液体及び／又はガスの残渣の散乱は行われな
いので、そこでは金属層の部分的はく離が生じる
（気泡生成）。
ラミツク基材（Al2O3、99.5％）を、NaOH溶液
中に公知方法で浸漬してガラス状“焼成皮膜”を
除去し、超音波励起で脱塩水で慎重に洗浄する。
続いて塩化錫（）の塩酸溶液、水及び塩化パラ
ジウムの塩酸溶液で処理し、最後に水で洗浄した
後に、公知方法によつて化学的金属析出のために
接触作用性核層を、セラミツク表面に設ける。こ
の上に、市場で得られる化学的銅浴から厚さ約
0.2μｍの銅基質層を析出させ、続いてこれを市場
で得られる硫酸銅浴から厚さ約15μｍの光沢性銅
層で補強する。公知フオトエツチング法を用い
て、銅層の長方形の試験面20×30mm2上に、間隔１
mmを有する点網目スクリーンの直径50μｍの孔ぐ
りをスプレー腐蝕よつて設ける。例えば環状横断
面を有するこの孔ぐりは、金属層に十分に貫通
し、基材によつて境をなす。フオトレジスト層を
除去した後に、セラミツク試料を熱処理して、温
度430℃並びに窒素雰囲気で10分間施こす。室温
（20℃）に冷却後、銅層の試験で20×30mm2以外の
大きいこの試験面は多くの大きい気泡が一面にお
おわれていることが立証される。フオトエツチン
グ法によつて設けた巾１mmの銅ストライプによる
試験面の孔をあけた層帯域のはく脱力の測定は、
大きい分離力約0.5Nを示す。銅層の残りの孔を
あけなかつた帯域では、金属層の析出の際に含ま
れた液体及び／又はガスの残渣の散乱は行われな
いので、そこでは金属層の部分的はく離が生じる
（気泡生成）。
例 ２
酸化アルミニウムセラミツク基材を例１のよう
にして予処理し、接触作用性核層を設ける。この
層上に市場で得られる化学的次亜燐酸ニツケル浴
から厚さ約0.1μｍのニツケル／燐酸層を析出さ
せ、これを慎重に洗浄し、乾燥する。フオトエツ
チング法によつて、ニツケル／燐酸層で直径約
100μｍのフオトレジスト点を、網目スクリーン
の間隔２mmで試験面20×30mm2上に設ける。続いて
市場で得られる電鍍硫酸銅浴中で厚さ約10μｍの
銅層で補強する。フオトレジスト点を除去し、慎
重に洗浄し、乾燥した後に、この層に例１のよう
にして熱処理を430℃で施こす。続く金属層の試
験で、この層は、孔の網目スクリーンを有する試
験面の外で、多くの小さい気泡によつて一面にお
おわれていることが立証される。フオトエツチン
グ法で設けた層ストライプの孔をあけた層帯域の
はく脱力の測定は、極めて十分な付着強度約
0.7N／mmを示す。
にして予処理し、接触作用性核層を設ける。この
層上に市場で得られる化学的次亜燐酸ニツケル浴
から厚さ約0.1μｍのニツケル／燐酸層を析出さ
せ、これを慎重に洗浄し、乾燥する。フオトエツ
チング法によつて、ニツケル／燐酸層で直径約
100μｍのフオトレジスト点を、網目スクリーン
の間隔２mmで試験面20×30mm2上に設ける。続いて
市場で得られる電鍍硫酸銅浴中で厚さ約10μｍの
銅層で補強する。フオトレジスト点を除去し、慎
重に洗浄し、乾燥した後に、この層に例１のよう
にして熱処理を430℃で施こす。続く金属層の試
験で、この層は、孔の網目スクリーンを有する試
験面の外で、多くの小さい気泡によつて一面にお
おわれていることが立証される。フオトエツチン
グ法で設けた層ストライプの孔をあけた層帯域の
はく脱力の測定は、極めて十分な付着強度約
0.7N／mmを示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 湿式化学的に金属層を析出する工程で金属層
と基材との間に生じた液状並びにガス状の包含物
の漏出を次の熱処理工程において可能にするため
の、基材を金属化する方法において、金属層を基
材上に析出させ、その後、網目スクリーンを使用
したフオトエツチングによつて該金属層に基材に
まで達する孔を設けることを特徴とする基材を金
属化する方法。 ２ 網目スクリーンの間隔が２mmである特許請求
の範囲第１項記載の方法。 ３ 網目スクリーンの間隔が１mmである特許請求
の範囲第１項記載の方法。 ４ 基材として、セラミツク材料又は珪酸材料を
使用する、特許請求の範囲第１項から第３項まで
のいずれか１項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3518766.2 | 1985-05-24 | ||
| DE19853518766 DE3518766A1 (de) | 1985-05-24 | 1985-05-24 | Verfahren zur metallisierung eines substrates |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61279682A JPS61279682A (ja) | 1986-12-10 |
| JPH0248628B2 true JPH0248628B2 (ja) | 1990-10-25 |
Family
ID=6271589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61117669A Granted JPS61279682A (ja) | 1985-05-24 | 1986-05-23 | 基材を金属化する方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4849302A (ja) |
| EP (1) | EP0202623B1 (ja) |
| JP (1) | JPS61279682A (ja) |
| AT (1) | ATE53866T1 (ja) |
| DE (2) | DE3518766A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0382554A3 (en) * | 1989-02-10 | 1992-09-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of forming a metal-backed layer and a method of forming an anode |
| US4937930A (en) * | 1989-10-05 | 1990-07-03 | International Business Machines Corporation | Method for forming a defect-free surface on a porous ceramic substrate |
| ES2162566B1 (es) * | 1999-07-09 | 2003-12-16 | E Instr Galvanotecnico S L Pro | Procedimiento para metalizar productos ceramicos. |
| WO2003008938A2 (de) * | 2001-07-16 | 2003-01-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum bestimmen der haftfestigkeit einer beschichtung auf einem bauteil |
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|---|---|---|---|---|
| GB233357A (en) * | 1924-05-02 | 1926-04-29 | Georg Walter Rasche | Improvements in or relating to temperature indicating devices |
| FR631426A (fr) * | 1927-03-07 | 1927-12-20 | Procédé d'élimination de gaz et de purification de la surface de métaux à l'aide de courant électrique en chambre à vide | |
| NL66417C (ja) * | 1943-02-22 | |||
| US2534911A (en) * | 1948-04-03 | 1950-12-19 | Houdaille Hershey Corp | Process of removing hydrogen embrittlement of bright nickel electrodeposits |
| GB1107811A (en) * | 1963-09-20 | 1968-03-27 | Energy Conversion Ltd | Improvements in and relating to structures incorporating thin metal membranes |
| DE2101049A1 (de) * | 1971-01-11 | 1972-08-03 | Siemens Ag | Verfahren zur vorzugsweise beidseitigen Beschichtung von Kunststoffolien mit .Metall |
| US3728231A (en) * | 1971-04-08 | 1973-04-17 | Motorola Inc | Method of forming an ultrafine aperture mask |
| DE2832408A1 (de) * | 1978-07-24 | 1980-02-14 | Siemens Ag | Verfahren zur herstellung von praezisionsflachteilen, insbesondere mit mikrooeffnungen |
| JPS5760640A (en) * | 1980-09-29 | 1982-04-12 | Toyo Kohan Co Ltd | Manufacture of compound shadow mask |
| JPS5896895A (ja) * | 1981-12-07 | 1983-06-09 | Kokoku Gomme Kogyo Kk | 透明或いは半透明の部分を有するメツキ製品の製造方法 |
| AU559076B2 (en) * | 1982-09-30 | 1987-02-19 | Boeing Company, The | Plated structure exhibiting low hydrogen embrittlement |
| DE3326253A1 (de) * | 1983-07-21 | 1985-01-31 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zur metallisierung eines festen koerpers |
| US4575406A (en) * | 1984-07-23 | 1986-03-11 | Polaroid Corporation | Microporous filter |
| US4647477A (en) * | 1984-12-07 | 1987-03-03 | Kollmorgen Technologies Corporation | Surface preparation of ceramic substrates for metallization |
-
1985
- 1985-05-24 DE DE19853518766 patent/DE3518766A1/de not_active Withdrawn
-
1986
- 1986-05-16 AT AT86106694T patent/ATE53866T1/de not_active IP Right Cessation
- 1986-05-16 DE DE8686106694T patent/DE3670863D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1986-05-16 EP EP86106694A patent/EP0202623B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-05-23 JP JP61117669A patent/JPS61279682A/ja active Granted
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1987
- 1987-11-16 US US07/129,311 patent/US4849302A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4849302A (en) | 1989-07-18 |
| EP0202623A1 (de) | 1986-11-26 |
| DE3670863D1 (de) | 1990-06-07 |
| JPS61279682A (ja) | 1986-12-10 |
| ATE53866T1 (de) | 1990-06-15 |
| DE3518766A1 (de) | 1986-11-27 |
| EP0202623B1 (de) | 1990-05-02 |
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