JPH0243722A - サセプター - Google Patents
サセプターInfo
- Publication number
- JPH0243722A JPH0243722A JP19421388A JP19421388A JPH0243722A JP H0243722 A JPH0243722 A JP H0243722A JP 19421388 A JP19421388 A JP 19421388A JP 19421388 A JP19421388 A JP 19421388A JP H0243722 A JPH0243722 A JP H0243722A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- wafer mounting
- main body
- recessions
- silicon carbide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、シリコンウェー八等にエピタキシャル成長等
のＣＶＤ法を施す際に用いるサセプターに関する。
のＣＶＤ法を施す際に用いるサセプターに関する。
サセプターには、縦型、シリンダー型等の種類があるが
、従来のサセプターは、いずれもシリコンウェー八を載
置する円形の複数の載置凹部を有し、カーボンを基材に
しＣＶＤ法により炭化ケイ素の被膜を形成してなる。
、従来のサセプターは、いずれもシリコンウェー八を載
置する円形の複数の載置凹部を有し、カーボンを基材に
しＣＶＤ法により炭化ケイ素の被膜を形成してなる。
（発明が解決しようとする課題）
しかし、上記従来のサセプターにおいては、サセプター
使用中に、一部のウェーハ載置凹面にピンホールが生じ
た場合、ウェーハにスリップが発生する原因となるため
、サセプター全体を廃棄しなければならない。
使用中に、一部のウェーハ載置凹面にピンホールが生じ
た場合、ウェーハにスリップが発生する原因となるため
、サセプター全体を廃棄しなければならない。
又、サセプターの製造においても、ウェーハ載置凹面に
ウェーハのベベル面が均一に接触すること、及びウェー
ハ載置凹面における炭化ケイ素の被膜にピンホールがな
いことが要求され、ウェーハ載置凹部のうち１つでも加
工不良があった場合、やはりサセプター全体を廃棄しな
ければならないという問題があった。
ウェーハのベベル面が均一に接触すること、及びウェー
ハ載置凹面における炭化ケイ素の被膜にピンホールがな
いことが要求され、ウェーハ載置凹部のうち１つでも加
工不良があった場合、やはりサセプター全体を廃棄しな
ければならないという問題があった。
そこで、本発明は、ウェーハの載置面の加工精度を向上
し得ると共に、ピンホールの発生に伴うサセプター全体
の廃棄を生じないようにしたサセプターの提供を目的と
する。
し得ると共に、ピンホールの発生に伴うサセプター全体
の廃棄を生じないようにしたサセプターの提供を目的と
する。
前記課題を解決するため、本発明は、複数の収容凹部を
有し、カーボンを基材にしＣＶＤ法により炭化ケイ素の
被膜が形成された本体と、カーボンを基材にしＣＶＤ法
により炭化ケイ素の被膜が形成され、前記各収容凹部に
取り外し可能に収容されるウェーハ載置プレートからな
るものである。
有し、カーボンを基材にしＣＶＤ法により炭化ケイ素の
被膜が形成された本体と、カーボンを基材にしＣＶＤ法
により炭化ケイ素の被膜が形成され、前記各収容凹部に
取り外し可能に収容されるウェーハ載置プレートからな
るものである。
（作用）
上記手段によれば、本体に比して外形寸法及び厚さの小
さなウェーハ装置プレートが本体と個別に形成される。
さなウェーハ装置プレートが本体と個別に形成される。
又、収容凹部にピンホール等が生じ不良となったとして
も、これを良品のウェーハ載置プレートによって覆うこ
とにより本体の使用が可能となる。
も、これを良品のウェーハ載置プレートによって覆うこ
とにより本体の使用が可能となる。
（実施例）
以下、本発明の一実施例を第１図、第２図と共に説明す
る。
る。
図中１は中央に透孔２を設けた円輪板状をなす縦型サセ
プターの本体で、上面に後述するウェーハ載置プレート
及びシリコンウェーハが収容される円形の複数の収容凹
部３を、透孔２を中心とする同一円周上に適宜に離隔し
て有し、カーボンを基材にした表面にはＣＶＤ法により
炭化ケイ素の被１１ｉ （図示せず）が形成されている
。
プターの本体で、上面に後述するウェーハ載置プレート
及びシリコンウェーハが収容される円形の複数の収容凹
部３を、透孔２を中心とする同一円周上に適宜に離隔し
て有し、カーボンを基材にした表面にはＣＶＤ法により
炭化ケイ素の被１１ｉ （図示せず）が形成されている
。
本体１の各収容凹部３には、本体１と同様にカーボンを
基材にし表面にＣＶＤ法により炭化ケイ素の被膜（図示
せず）が形成された円板状のウェーハ載置プレート４が
取り外し可能に収容されている。ウェーハ載置プレート
４は、収容凹部３より適宜小径に設けられ、かつシリコ
ンウェーハ５を載置する上面を球面状に凹設する一方、
被膜にピンホールのないものが用いられる。
基材にし表面にＣＶＤ法により炭化ケイ素の被膜（図示
せず）が形成された円板状のウェーハ載置プレート４が
取り外し可能に収容されている。ウェーハ載置プレート
４は、収容凹部３より適宜小径に設けられ、かつシリコ
ンウェーハ５を載置する上面を球面状に凹設する一方、
被膜にピンホールのないものが用いられる。
なお、上記実施例は、縦型サセプターについて述べたが
、シリンダー型、水平型のサセプターにも適用できる。
、シリンダー型、水平型のサセプターにも適用できる。
（発明の効果）
以上のように本発明によれば、サセプターの本体とウェ
ーハ載置プレートが別個に形成されるので、良品のウェ
ーハ載置プレートを深川することにより、品質の高いサ
セプターを提供でとるようになると共に、サセプター使
用中、炭化ケイ素被膜のはがれ等が生じた場合でも、ウ
ェーハ載置プレートの一部を交換するという方法により
、常に高品質を保つことができる。
ーハ載置プレートが別個に形成されるので、良品のウェ
ーハ載置プレートを深川することにより、品質の高いサ
セプターを提供でとるようになると共に、サセプター使
用中、炭化ケイ素被膜のはがれ等が生じた場合でも、ウ
ェーハ載置プレートの一部を交換するという方法により
、常に高品質を保つことができる。
又、歩留まりの面から見ても、ウェーハａｔｉ凹面の一
部の加工不良により、従来のようにサセプター全体を廃
棄する必要がなく、歩留まり向上となる。
部の加工不良により、従来のようにサセプター全体を廃
棄する必要がなく、歩留まり向上となる。
図は本発明の一実施例を示すもので、第１図及び第２図
は縦型サセプターの半裁断面正面図及び平面図である。 第 １ 図 第 ２ 図 １・・・本体 ３・・・収容凹部４・・・ウ
ェーハ載置プレート ５・・・シリコンウェーハ
は縦型サセプターの半裁断面正面図及び平面図である。 第 １ 図 第 ２ 図 １・・・本体 ３・・・収容凹部４・・・ウ
ェーハ載置プレート ５・・・シリコンウェーハ
Claims (1)
- （１）複数の収容凹部を有し、カーボンを基材にしＣＶ
Ｄ法により炭化ケイ素の被膜が形成された本体と、カー
ボンを基材にしＣＶＤ法により炭化ケイ素の被膜が形成
され、前記各収容凹部に取り外し可能に収容されるウェ
ーハ載置プレートとからなることを特徴とするサセプタ
ー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19421388A JPH0243722A (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | サセプター |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19421388A JPH0243722A (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | サセプター |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0243722A true JPH0243722A (ja) | 1990-02-14 |
Family
ID=16320833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19421388A Pending JPH0243722A (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | サセプター |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0243722A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006085330A (ja) * | 2004-09-15 | 2006-03-30 | Espec Corp | 温度制御装置 |
-
1988
- 1988-08-03 JP JP19421388A patent/JPH0243722A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006085330A (ja) * | 2004-09-15 | 2006-03-30 | Espec Corp | 温度制御装置 |
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