JPH0243368A - マイクロウエーブ・プラズマを用いた金属管内面のｐｃｖｄ被覆方法および装置 - Google Patents

マイクロウエーブ・プラズマを用いた金属管内面のｐｃｖｄ被覆方法および装置

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JPH0243368A
JPH0243368A JP1149764A JP14976489A JPH0243368A JP H0243368 A JPH0243368 A JP H0243368A JP 1149764 A JP1149764 A JP 1149764A JP 14976489 A JP14976489 A JP 14976489A JP H0243368 A JPH0243368 A JP H0243368A
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Rolf Wilhelm
ロルフ・ビルヘルム
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、マイクロウェーブ・プラズマ法によって管の
内面に所定の材料の被覆を施す方法およびこのような方
法を実施する装置に関する。
［従来の技術］ 従来から、プラズマ気相成長法によってガスから化学反
応によって所定の被膜材料を形成し、この所定の材料の
薄い被膜を形成することが知られている。この化学反応
は、還元反応、直接的な分解反応その他の反応がある。
このような技術には、被覆すべき材料が収容され、ガス
か充填された容器内にホーンアンテナその他の装置から
マイクロウェーブを放射してプラズマを発生させるもの
かある。このような方法は、「ＰｃＶＤｊ　　（プラズ
マ気相成長法）と称されている。この方法は、比較的低
いエネルギのイオンを含むプラズマを発生させ、そのマ
イクロウェーブの周波数において電子サイクロトロン共
振を発生させるに十分な強度の磁界を与えることにより
基板に非侵入性の被覆を形成するものである。このもの
は、「ＥｃＲ法」と称され、たとえば　ＤＥ−Ａ−３７
　　０５６６６　およびｒＥｌｅｋｔｒｏｎｉｋＪ　２
２／３０、１０．１９８７の１３６ないし１３８頁に開
示されている。
［発明か解決しようとする課題」 本発明は、金属等の導電性の材料で形成された長尺の管
等、通常では内部にプラズマか届かないようなものの内
面にマイクロウェーブ・プラズマ法によって被覆をおこ
なうものである。
［課題を解決するための手段とその作用コ本発明のマイ
クロウェーブ・プラズマ法の実施例は、所定の材料を形
成する気相状態の材料を反応させることにより、管の内
面にこの所定の材料の被覆を形成するものであり、　管
内に気相状態の材料を含むガスを大気圧より低い圧で充
填する過程と、 この管内にマイクロウェーブを入射してこの管内を伝送
させる過程と、 この管内の一部に磁界を与え、上記ガスの圧力、この磁
界の強さ、およびマイクロウェーブの高周波電磁界のパ
ワーを制御してこの磁界を与えた部分において電子サイ
クロトロン共振を発生させてこの部分で低圧ガス放電を
発生させ、反応によって上記の所定の材料を形成する過
程と、上記の磁界を移動させ、この管に沿ってプラズマ
を移動させる過程とを備えたものである。
このような本発明の方法によれば、この管内を伝送され
るマイクロウェーブはこの管の縦方向の一部において電
子サイクロトロン共振によりこの管内でプラズマ放電を
発生させる。この磁界を管に沿って移動することにより
、このプラズマが管に沿って移動し、この長尺の管の全
長にわたって均一なプラズマ被覆をおこなうことができ
る。
（すなわちこのプラズマ被覆の厚さを任意に制御するこ
とかできる。） 本発明の方法は、マイクロウェーブの長尺の中空の導波
管の内面に被覆を施す場合に適している。
このような導波管の内面に被覆を施すことによって、二
次電子放射を抑制して高出力のマイクロウェーブを伝送
する際の電磁界強度の低下を防止することかできる。
また、流体が流通される管の内面に腐食防止のために被
覆を施す場合にも適用できる。
また、本発明は通常の熱またはプラズマＰＶＤによって
各種の被覆、たとえばセラミック、ＴｉＣ５ＴｉＮ１Ｓ
ｉＣＳＢ４Ｃ等の炭素および窒素の化合物の被覆を施す
場合一般に適用できるものである。
［実施例］ 以下、図を参照して本発明の詳細な説明する。
図中の１０は、内面に被覆を施すべき中空のマイクロウ
ェーブ導波管を示す。この導波管は直線状のもので、そ
の長さは数ｍであって、矩形の断面形状をなしている。
この導波管１０の一端部は気密性の窓１２を介してマイ
クロウェーブ・ジェネレータ１４に接続されている。ま
た、この導波管１０の多端部はマイクロウェーブ・アブ
ソーバ１６に接続されている。また、この導波管１ｏの
マイクロウェーブ・アブソーバの近傍は反応ガス（作動
ガス）を導入するための配管系統１８に接続され、また
上記の窓近傍は真空ポンプ２ｏに接続されている。上記
の配管系統１８は流量制御装置２２を介して作動ガス容
器２４に接続されている。また、この導波管１０の周囲
には磁石コイル２６が配置されており、このコイルは２
個の互いに離間した環状のコイルから構成され、これら
のコイルには直流電流か流されるように構成されている
とともに、キャリッジ等の移動機構２８によってこの導
波管１０の長さ方向に移動されるように構成されている
。
本発明の方法を実施するには、容器２４から作動ガスが
この中空の導波管１０内に流量制御装置２２を介して導
入されるとともに、ポンプ２０によって排気され、この
導波管］０の被覆すべき部分で低圧ガス放電が発生する
に必要な圧力まで圧が低下される。そして、磁石コイル
アセンブリ２８が付勢されるとともに、マイクロウェー
ブ・ジェネレータ２４からこの導波管１０内にマイクロ
ウェーブが入射される。この入射されるマイクロウェー
ブの周波数は、プラズマで消費されない限りはこの導波
管内を伝送され、最終的にアブソバ１６で吸収されるよ
うな周波数に設定されている。
この導波管１０内の圧力、局部的な部分の磁界の強さ、
およびマイクロウェーブの周波数は、この導波管１０内
の磁界の部分で電子サイクロトロン共振を発生させるよ
うに選択されており、これによってこの部分で低圧ガス
放電を発生させ、作動ガスが反応して所定の被覆材料が
形成される。
そして、この磁石コイルアセンブリ２８が移動されると
これに伴ってプラズマ放電の部分かこの導波管１０の軸
方向に移動し、この導波管１０の内面に被覆される部分
もこの導波管の軸方向に任意に移動される。
このガスの密度は、電子の衝突周波数が電子すイクロト
ロン周波数すなわち増幅された高周波数より低くなるよ
うに選択されている。
このガス放電およびこれによる被膜の形成は、この磁界
の部分でのみ生しるので、この被覆の分布や厚さ等は任
意に制御することができる。
具体例： 例えば、２．４５ＧＨｚのマイクロウェーブを伝送する
長さ６ｍ、矩形断面の銅製の導波管の内面に被覆をおこ
なう場合のパラメータは以下の通りである。
一マイクロウェーブの周波数：　２．４５ＧＨｚマイク
ロウエーブ・ジェネレータから出力されるマイクロウェ
ーブのパワー・０．５Ｋｗ−被覆すべき部分の局部的な
磁界の強さ０．０８７Ｔ　（８７０ガウス） ガス密度：条件に応じて数マイクロバール
【図面の簡単な説明】
図は中空の導波管の内面に被覆する場合の本発明の方法
を実施するための装置の概略図である。 ０・・・導波管、 ４・・・マイクロウェーブ ジエ ネ レ 夕、 ２８・ 磁石コイルアセンブリ

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）ガス状の所定の材料を反応させて所定の材料の被
    覆を被着するマイクロウェーブ・プラズマ被覆方法であ
    って、 ａ）被覆を施すべき表面の近傍を大気圧より低い所定の
    ガス状の雰囲気に維持する過程と、 ｂ）被覆すべき表面の部分に磁界を発生させる過程と、 ｃ）被覆すべき表面の部分に高周波電磁界 を発生させる過程とを備え、 上記の圧力、磁界の強さ、および高周波電磁界のパワー
    を適宜選択することによって、この磁界の部分において
    電子サイクロトロン共振を発生させ、低圧ガス放電を発
    生させ、これによって上記の所定の材料を反応させるも
    のにおいて、 少なくとも内面が金属で形成された管の内部にマイクロ
    ウェーブを入射してこのマイクロウェーブをこの管内を
    伝送させ、この管の軸方向の一部に磁界を発生させこの
    磁界をこの管の軸方向に移動させることを特徴とするマ
    イクロウェーブ・プラズマ被覆方法。
  2. （２）前記被覆すべき表面の近傍の圧力は数ミリバール
    であることを特徴とする前記請求項１に記載のマイクロ
    ウェーブ・プラズマ被覆方法。
  3. （３）管の内面にＰＣＶＤ法によって被覆を施す装置で
    あって、 上記の管（１０）の一端に接続されたマイクロウェーブ
    ・ジェネレータ（１４）と、 上記の管（１０）に接続され作動ガスを供給する手段（
    ２２、２４）と、 上記の管（１０）に接続された真空ポンプ手段（２０）
    と、 磁界を発生させるとともにこの磁界を上記のパイプ（１
    ０）の軸方向に沿って移動させる手段（２８）とを備え
    たことを特徴とするマイクロウェーブ・プラズマ被覆装
    置。
  4. （４）前記管（１０）の前記マイクロウェーブ・ジェネ
    レータ（１４）が接続されている端部と反対側の端部に
    はマイクロウェーブ・アブソーバ（１６）が接続されて
    いることを特徴とする前記請求項３に記載のマイクロウ
    ェーブ・プラズマ被覆方法。
  5. （５）前記のマイクロウェーブ・ジェネレータ（１４）
    と前記の管（１０）との間には気密の窓が設けられてい
    ることを特徴とする前記請求項３に記載のマイクロウェ
    ーブ・プラズマ被覆装置。
  6. （６）前記の管（１０）は中空のマイクロウェーブ導波
    管であることを特徴とする前記請求項３、４または５の
    いずれか１に記載のマイクロウェーブ・プラズマ被覆装
    置。
JP1149764A 1988-06-14 1989-06-14 マイクロウエーブ・プラズマを用いた金属管内面のｐｃｖｄ被覆方法および装置 Pending JPH0243368A (ja)

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DE3820237.9 1988-06-14
DE3820237A DE3820237C1 (ja) 1988-06-14 1988-06-14

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7490875B2 (en) 2006-01-31 2009-02-17 Piolax Inc. Lock system

Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2658025A1 (fr) * 1990-02-07 1991-08-09 Pelletier Jacques Procede et dispositif de traitement par plasma de pieces de formes diverses.
JP2546405B2 (ja) * 1990-03-12 1996-10-23 富士電機株式会社 プラズマ処理装置ならびにその運転方法
US5223308A (en) * 1991-10-18 1993-06-29 Energy Conversion Devices, Inc. Low temperature plasma enhanced CVD process within tubular members
DE4214401C1 (en) * 1992-04-30 1993-03-11 Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften Ev, 3400 Goettingen, De Plasma-aided CVD of coating inside hollow body - by introducing atmos. contg. cpd. vapour into cavity at below atmos. pressure and passing microwaves into cavity
DE4242324A1 (de) * 1992-04-30 1994-06-16 Max Planck Gesellschaft Verfahren und Einrichtung zur Behandlung der Innenwand eines Hohlkörpers mittels eines Mikrowellenplasmas
JPH11297673A (ja) * 1998-04-15 1999-10-29 Hitachi Ltd プラズマ処理装置及びクリーニング方法
US6028286A (en) * 1998-12-30 2000-02-22 Lam Research Corporation Method for igniting a plasma inside a plasma processing reactor
WO2001037312A1 (de) * 1999-11-12 2001-05-25 Knn Systemtechnik Gmbh Verfahren und vorrichtung zum behandeln und beschichten von oberflächen aus nichtleitenden, dielektrischen materialien mittels mikrowellenangeregter plasmen
US20060233682A1 (en) * 2002-05-08 2006-10-19 Cherian Kuruvilla A Plasma-assisted engine exhaust treatment
US20060062930A1 (en) * 2002-05-08 2006-03-23 Devendra Kumar Plasma-assisted carburizing
US7494904B2 (en) 2002-05-08 2009-02-24 Btu International, Inc. Plasma-assisted doping
US7497922B2 (en) * 2002-05-08 2009-03-03 Btu International, Inc. Plasma-assisted gas production
US7560657B2 (en) * 2002-05-08 2009-07-14 Btu International Inc. Plasma-assisted processing in a manufacturing line
US20060228497A1 (en) * 2002-05-08 2006-10-12 Satyendra Kumar Plasma-assisted coating
US7432470B2 (en) * 2002-05-08 2008-10-07 Btu International, Inc. Surface cleaning and sterilization
US7445817B2 (en) * 2002-05-08 2008-11-04 Btu International Inc. Plasma-assisted formation of carbon structures
US7638727B2 (en) * 2002-05-08 2009-12-29 Btu International Inc. Plasma-assisted heat treatment
WO2003096370A1 (en) * 2002-05-08 2003-11-20 Dana Corporation Methods and apparatus for forming and using plasma jets
US7498066B2 (en) * 2002-05-08 2009-03-03 Btu International Inc. Plasma-assisted enhanced coating
US20060057016A1 (en) * 2002-05-08 2006-03-16 Devendra Kumar Plasma-assisted sintering
US7465362B2 (en) * 2002-05-08 2008-12-16 Btu International, Inc. Plasma-assisted nitrogen surface-treatment
US20050233091A1 (en) * 2002-05-08 2005-10-20 Devendra Kumar Plasma-assisted coating
WO2006127037A2 (en) * 2004-11-05 2006-11-30 Dana Corporation Atmospheric pressure processing using microwave-generated plasmas
WO2006102100A2 (en) * 2005-03-18 2006-09-28 Dana Corporation Plasma-assisted processing in a manufacturing line
WO2007030782A2 (en) * 2005-09-09 2007-03-15 Btu International, Inc. Microwave combustion system for internal combustion engines
EP2111631A1 (en) * 2007-01-25 2009-10-28 BTU International, Inc. Microwave hybrid and plasma rapid thermal processing or semiconductor wafers
US8377388B2 (en) 2008-02-02 2013-02-19 Bovie Medical Corporation Cold plasma decontamination device
US7967945B2 (en) * 2008-05-30 2011-06-28 Yuri Glukhoy RF antenna assembly for treatment of inner surfaces of tubes with inductively coupled plasma
US20100174245A1 (en) * 2009-01-08 2010-07-08 Ward Dean Halverson System for pretreating the lumen of a catheter
EP2251452B1 (en) 2009-05-13 2018-07-18 SiO2 Medical Products, Inc. Pecvd apparatus for vessel coating
US9545360B2 (en) 2009-05-13 2017-01-17 Sio2 Medical Products, Inc. Saccharide protective coating for pharmaceutical package
US9458536B2 (en) 2009-07-02 2016-10-04 Sio2 Medical Products, Inc. PECVD coating methods for capped syringes, cartridges and other articles
US8795265B2 (en) 2010-01-28 2014-08-05 Bovie Medical Corporation Electrosurgical apparatus to generate a dual plasma stream and method thereof
US11624115B2 (en) 2010-05-12 2023-04-11 Sio2 Medical Products, Inc. Syringe with PECVD lubrication
US9878101B2 (en) 2010-11-12 2018-01-30 Sio2 Medical Products, Inc. Cyclic olefin polymer vessels and vessel coating methods
US9387269B2 (en) 2011-01-28 2016-07-12 Bovie Medical Corporation Cold plasma jet hand sanitizer
US9272095B2 (en) 2011-04-01 2016-03-01 Sio2 Medical Products, Inc. Vessels, contact surfaces, and coating and inspection apparatus and methods
EP2776603B1 (en) 2011-11-11 2019-03-06 SiO2 Medical Products, Inc. PASSIVATION, pH PROTECTIVE OR LUBRICITY COATING FOR PHARMACEUTICAL PACKAGE, COATING PROCESS AND APPARATUS
US11116695B2 (en) 2011-11-11 2021-09-14 Sio2 Medical Products, Inc. Blood sample collection tube
US9664626B2 (en) 2012-11-01 2017-05-30 Sio2 Medical Products, Inc. Coating inspection method
WO2014078666A1 (en) 2012-11-16 2014-05-22 Sio2 Medical Products, Inc. Method and apparatus for detecting rapid barrier coating integrity characteristics
KR102211950B1 (ko) 2012-11-30 2021-02-04 에스아이오2 메디컬 프로덕츠, 인크. 의료용 주사기 카트리지 등의 pecvd 증착 균일성 제어
US9764093B2 (en) 2012-11-30 2017-09-19 Sio2 Medical Products, Inc. Controlling the uniformity of PECVD deposition
EP2961858B1 (en) 2013-03-01 2022-09-07 Si02 Medical Products, Inc. Coated syringe.
CN105392916B (zh) 2013-03-11 2019-03-08 Sio2医药产品公司 涂布包装材料
US9937099B2 (en) 2013-03-11 2018-04-10 Sio2 Medical Products, Inc. Trilayer coated pharmaceutical packaging with low oxygen transmission rate
EP2971227B1 (en) 2013-03-15 2017-11-15 Si02 Medical Products, Inc. Coating method.
WO2015148471A1 (en) 2014-03-28 2015-10-01 Sio2 Medical Products, Inc. Antistatic coatings for plastic vessels
CA3204930A1 (en) 2015-08-18 2017-02-23 Sio2 Medical Products, Inc. Pharmaceutical and other packaging with low oxygen transmission rate
WO2017096112A1 (en) 2015-12-02 2017-06-08 Bovie Medical Corporation Mixing cold plasma beam jets with atmosphere
US10918433B2 (en) 2016-09-27 2021-02-16 Apyx Medical Corporation Devices, systems and methods for enhancing physiological effectiveness of medical cold plasma discharges
CN114686803B (zh) * 2022-03-22 2023-03-17 武汉理工大学 一种微波等离子体化学气相沉积制备的三元氮化物涂层及其方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3222189A1 (de) * 1982-06-12 1984-01-26 Hans Dr.Rer.Nat. 5370 Kall Beerwald Plasmaverfahren zur innenbeschichtung von rohren mit dielektrischem material
DE3516078A1 (de) * 1985-05-04 1986-11-06 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Verfahren zur glimmentladungsaktivierten reaktiven abscheidung von elektrisch leitendem material aus einer gasphase
DE3622614A1 (de) * 1986-07-05 1988-01-14 Philips Patentverwaltung Verfahren zur herstellung von elektrisch leitenden formkoerpern durch plasmaaktivierte chemische abscheidung aus der gasphase
DE3729347A1 (de) * 1986-09-05 1988-03-17 Mitsubishi Electric Corp Plasmaprozessor
DE3705666A1 (de) * 1987-02-21 1988-09-01 Leybold Ag Einrichtung zum herstellen eines plasmas und zur behandlung von substraten darin

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7490875B2 (en) 2006-01-31 2009-02-17 Piolax Inc. Lock system

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