JPH0243089A - 光学記録媒体 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 abstract 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 64
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 8
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 5
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 125000002560 nitrile group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G11—INFORMATION STORAGE
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- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
- G11B2007/25711—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing carbon
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はレーザ光を照射することにより情報の記録およ
び再生を行う光学記録媒体に関する。
び再生を行う光学記録媒体に関する。
［従来の技術］
レーザ光によって情報の記録および再生を行う光学記録
媒体は、半導体レーザ、記録材料および成嘆方法などの
基本技術の向上と、大写Ｉｉ記録が可能であるという特
徴により、最近急速に実用化の道が開かれてきた。上記
光学記録媒体の記録方法としては、レーザ光の照射によ
る熱エネルギーによって、（１）記録膜を変形してピッ
トまたはバブルを形成する方法、（２）記録膜の反射率
等の光学的性質を変化させる方法などが堤案されている
。
媒体は、半導体レーザ、記録材料および成嘆方法などの
基本技術の向上と、大写Ｉｉ記録が可能であるという特
徴により、最近急速に実用化の道が開かれてきた。上記
光学記録媒体の記録方法としては、レーザ光の照射によ
る熱エネルギーによって、（１）記録膜を変形してピッ
トまたはバブルを形成する方法、（２）記録膜の反射率
等の光学的性質を変化させる方法などが堤案されている
。
従来の光学記録媒体の記録材料としては、Ｔｅ、Ｓｅお
よびＳ等のカルコゲナイド系の元素を主成分とするもの
がある。たとえば、プラスチック基板の表面に、Ｔｅと
Ｓｅを主成分とした記録膜を設け、集束レーザ光により
局部的に上記記録膜を溶融除去してピットを形成し、こ
れにより情報の記録を行い、再生時には、このピットの
有無をレーザ光の反射強度の違いによって検出する光学
記録媒体が知られている。
よびＳ等のカルコゲナイド系の元素を主成分とするもの
がある。たとえば、プラスチック基板の表面に、Ｔｅと
Ｓｅを主成分とした記録膜を設け、集束レーザ光により
局部的に上記記録膜を溶融除去してピットを形成し、こ
れにより情報の記録を行い、再生時には、このピットの
有無をレーザ光の反射強度の違いによって検出する光学
記録媒体が知られている。
では、高湿度雰囲気下で記録膜にクラックが発生し易い
。このため記録膜としての機能が失われてしまうという
問題がある。これを解決するために、種々の改良がなさ
れており、それらは基板の改良と記録膜材料の改良に大
別される。基板の改良に関する技術としては、ニトリル
基を含有するＩａｔ指を用いる方法があり、この技術は
、たとえば特開昭５８−３５７４１号、特開昭５８−５
０６３４号、特開昭５８１３７１４５号等に開示されて
いる。また、記録膜の改良に関する技術としては、おも
に第３元素を添加含有することによって記録膜の膜質の
改善を図るものがある。第３元素としてはＰｂ、 ５ｂ
ＳＳｎおよびＧｅ等が効果があることが、たとえば特公
昭５９−３５３５６号、特公昭５７−４５６７６号、′
特公昭５７−７９１９号、特公昭５４−１５４８３号、
特開昭５７−６６９９６号等に開示されている。そして
、特にｐｂを添加すると、記録膜の結晶粒径を小さくし
てノイズが低減できるうえに、ピットの形状が整えられ
るという効果が指摘されている。
。このため記録膜としての機能が失われてしまうという
問題がある。これを解決するために、種々の改良がなさ
れており、それらは基板の改良と記録膜材料の改良に大
別される。基板の改良に関する技術としては、ニトリル
基を含有するＩａｔ指を用いる方法があり、この技術は
、たとえば特開昭５８−３５７４１号、特開昭５８−５
０６３４号、特開昭５８１３７１４５号等に開示されて
いる。また、記録膜の改良に関する技術としては、おも
に第３元素を添加含有することによって記録膜の膜質の
改善を図るものがある。第３元素としてはＰｂ、 ５ｂ
ＳＳｎおよびＧｅ等が効果があることが、たとえば特公
昭５９−３５３５６号、特公昭５７−４５６７６号、′
特公昭５７−７９１９号、特公昭５４−１５４８３号、
特開昭５７−６６９９６号等に開示されている。そして
、特にｐｂを添加すると、記録膜の結晶粒径を小さくし
てノイズが低減できるうえに、ピットの形状が整えられ
るという効果が指摘されている。
［発明が解決しようとする課題］
ところが、上記第３元素を添加して含有させる従来技術
では、第３元素の添加によって記録膜の耐酸化性が低下
するという問題点がある。
では、第３元素の添加によって記録膜の耐酸化性が低下
するという問題点がある。
この発明は上記課題に鑑みてなされたもので、基板に記
録膜が形成され、所定の波長領域の光を強く吸収して、
波光によって記録膜を溶融除去して変形させ、記録膜に
ピットを形成することによってデータが書き込まれる光
学記録媒体において、良好な記録および再生特性が得ら
れ、かつ、機械的耐久性が耐酸化性といった安定性にも
すぐれたギ 光学記録媒体を提供することを目的としている。
録膜が形成され、所定の波長領域の光を強く吸収して、
波光によって記録膜を溶融除去して変形させ、記録膜に
ピットを形成することによってデータが書き込まれる光
学記録媒体において、良好な記録および再生特性が得ら
れ、かつ、機械的耐久性が耐酸化性といった安定性にも
すぐれたギ 光学記録媒体を提供することを目的としている。
［課題を解決するための手段］
上ｇ８目的を達成するために、この出願の請求項（１）
の光学記録媒体は、記録膜がＰｔ、 ＴｅおよびＳｅの
３元素からなっている。上記請求項（１）の光学記録媒
体では、上記記録膜のＰｔおよびＳｅの含有量は、Ｐｔ
／ （Ｐｔ＋ Ｔｅ＋ Ｓｅ）て表されろＰｔの原子数
パーセントが０１％以上２０％以下であり、Ｔｅ／（Ｔ
ｅ＋Ｓｅ）で表されるＴｅの原子数パーセントが５０％
以上９０％以下であれば良い。さらに、請求項（１）の
光学記録媒体は、上記記録膜と基板との間にＦおよびＣ
からなる中間層を設けても良い。上記中間層のＦの含有
量は、Ｆ／（Ｆ＋Ｃ）で表されるＦの原子数パーセント
が４０％以上６５％以下であれば良い。
の光学記録媒体は、記録膜がＰｔ、 ＴｅおよびＳｅの
３元素からなっている。上記請求項（１）の光学記録媒
体では、上記記録膜のＰｔおよびＳｅの含有量は、Ｐｔ
／ （Ｐｔ＋ Ｔｅ＋ Ｓｅ）て表されろＰｔの原子数
パーセントが０１％以上２０％以下であり、Ｔｅ／（Ｔ
ｅ＋Ｓｅ）で表されるＴｅの原子数パーセントが５０％
以上９０％以下であれば良い。さらに、請求項（１）の
光学記録媒体は、上記記録膜と基板との間にＦおよびＣ
からなる中間層を設けても良い。上記中間層のＦの含有
量は、Ｆ／（Ｆ＋Ｃ）で表されるＦの原子数パーセント
が４０％以上６５％以下であれば良い。
Ｔｅ−３ｅに第３元素としてＰｔを含有させた記録膜で
は記録のときに形成されたピットの形状が整えられるう
えに、膜質が改善されている。さらに、上記記録膜は機
械的な衝撃に対する耐久性が高いので、光カードのよう
に曲げや捩れ等を受けることが多い光学記録媒体に使用
してもクラック等の発生は他の組成の記録膜よりも少な
い。また、Ｐｔを添加した場合は、Ｐｂ等の場合とは異
なり、記録膜の耐酸化性を劣化されることはない。
は記録のときに形成されたピットの形状が整えられるう
えに、膜質が改善されている。さらに、上記記録膜は機
械的な衝撃に対する耐久性が高いので、光カードのよう
に曲げや捩れ等を受けることが多い光学記録媒体に使用
してもクラック等の発生は他の組成の記録膜よりも少な
い。また、Ｐｔを添加した場合は、Ｐｂ等の場合とは異
なり、記録膜の耐酸化性を劣化されることはない。
上記記録膜のＰｔの含有量は、Ｐｔ／ （Ｐｔ＋ Ｔｅ
＋ Ｓｅ）で表されるＰｔの原子数パーセントが０１％
以上２０％以下か好ましい。この範囲を越え、多すぎる
と、記録膜の融点が上昇し、記録感度の低下をまねく。
＋ Ｓｅ）で表されるＰｔの原子数パーセントが０１％
以上２０％以下か好ましい。この範囲を越え、多すぎる
と、記録膜の融点が上昇し、記録感度の低下をまねく。
第１図は、Ｔｅ／ （Ｔｅ＋ Ｓｅ）で表したＴｅの含
有量を一定とし、異なるＰｔの含有モのＰｔ −Ｔｅ
−Ｓｅ記録膜における、記録パワーに対するＣ Ｎ Ｒ
の変化を示している。第１図から明らかなようにＰｔの
含有量が上記範囲内であれば高い記録感度を有している
。
有量を一定とし、異なるＰｔの含有モのＰｔ −Ｔｅ
−Ｓｅ記録膜における、記録パワーに対するＣ Ｎ Ｒ
の変化を示している。第１図から明らかなようにＰｔの
含有量が上記範囲内であれば高い記録感度を有している
。
逆に、Ｐｔの含有量が少なすぎると、Ｐｔを含有するこ
との効果が薄れ、記録膜にクラックが発生し易くなる。
との効果が薄れ、記録膜にクラックが発生し易くなる。
また、Ｔｅの含有量はＴｅ／ （Ｔｅ＋ Ｓｅ）で表さ
れる原子数パーセントで５０％以上９０％以下が好まし
い。この範囲を越え、多すぎると、記録膜の耐酸化性が
低下し、逆に少なすぎると、記録感度が低下する。
れる原子数パーセントで５０％以上９０％以下が好まし
い。この範囲を越え、多すぎると、記録膜の耐酸化性が
低下し、逆に少なすぎると、記録感度が低下する。
第２図は、本発明のＰｔ −Ｔｅ −Ｓｅ記録膜と、Ｔ
ｅＳｅ記録膜の半導体レーザ光（波長８３０ｒ＋ｍ）に
対す図から明らかなように、Ｐｔ −Ｔｅ −Ｓｅ記録
膜はＴｅＳ ｅ 記録膜に比べて、反射率がほぼ一定で
ある領域が広い。上記原子数比では３００Å以上４００
Å以下において、反射率はほぼ４０％で一定である。そ
して、上記の反射率がほぼ一定である領域では、半導体
レーザ等を用いた通常のｇ２録・再生において、ＰｔＴ
ｅ−３ｅ記録膜の感度特性はあまり変わらず、書込み信
号や再生信号は変化しない。
ｅＳｅ記録膜の半導体レーザ光（波長８３０ｒ＋ｍ）に
対す図から明らかなように、Ｐｔ −Ｔｅ −Ｓｅ記録
膜はＴｅＳ ｅ 記録膜に比べて、反射率がほぼ一定で
ある領域が広い。上記原子数比では３００Å以上４００
Å以下において、反射率はほぼ４０％で一定である。そ
して、上記の反射率がほぼ一定である領域では、半導体
レーザ等を用いた通常のｇ２録・再生において、ＰｔＴ
ｅ−３ｅ記録膜の感度特性はあまり変わらず、書込み信
号や再生信号は変化しない。
上記光学記録媒体は、記録膜と基板との間に中間層とし
てフロロカーボン層を設けると、記録ピット形状の均一
化および記録の際の高感度化を達成することができる。
てフロロカーボン層を設けると、記録ピット形状の均一
化および記録の際の高感度化を達成することができる。
このフロロカーボン層におけるＦの含有量は、Ｆ／ （
Ｆ＋Ｃ）で表されるＦの原子数パーセント力（４０％以
上６５％以下であれば良い。この範囲を越え、Ｆが少な
すぎると、記録ピットの均一化および記録の際の高感度
化といった効果が薄れ、逆に多すぎると、中間層と記録
膜との密着性が悪くなり、記録膜がはがれ易くなるとい
った問題が生じる。
Ｆ＋Ｃ）で表されるＦの原子数パーセント力（４０％以
上６５％以下であれば良い。この範囲を越え、Ｆが少な
すぎると、記録ピットの均一化および記録の際の高感度
化といった効果が薄れ、逆に多すぎると、中間層と記録
膜との密着性が悪くなり、記録膜がはがれ易くなるとい
った問題が生じる。
以上水した光学記録膜は、スパッタリング法、真空蒸着
法等の常法により形成することが可能であり、成膜方法
は特に限定れるらのではない。
法等の常法により形成することが可能であり、成膜方法
は特に限定れるらのではない。
空
用いられる基板としては、レーザ光を透過するのに十分
透明であれば何でも使用できる。例えば、ガラス、ポリ
エステル樹月旨、ポリオレフィン樹月旨、ポリアミド樹
月旨、ポリカーボネイト樹Ｉ旨およびポリメタクリル樹
脂等の透明性にすぐれた基板材料が使用できる。上記透
明性基板上に、または中間層を積層して記録膜を形成し
、この記録膜上に任意の不透明性基板を貼り合わせても
良い。また、不透明基板上に上記記録膜を形成し、任意
の透明保護層を積層することらできる。基板の形状は円
形、方形等であっても良く、ディスク状、カード状等で
あってもよい。上記基板は例えばトラッキング等のため
の案内溝のような凹凸を有していても良い。
透明であれば何でも使用できる。例えば、ガラス、ポリ
エステル樹月旨、ポリオレフィン樹月旨、ポリアミド樹
月旨、ポリカーボネイト樹Ｉ旨およびポリメタクリル樹
脂等の透明性にすぐれた基板材料が使用できる。上記透
明性基板上に、または中間層を積層して記録膜を形成し
、この記録膜上に任意の不透明性基板を貼り合わせても
良い。また、不透明基板上に上記記録膜を形成し、任意
の透明保護層を積層することらできる。基板の形状は円
形、方形等であっても良く、ディスク状、カード状等で
あってもよい。上記基板は例えばトラッキング等のため
の案内溝のような凹凸を有していても良い。
記録等のために用いるレーザ光の波長は特に限定するし
のではないが、ＬＯＯＯｎｍ以下のものが使用に適して
いる。したがって現在の半導体レーザで、波長が７５０
〜８５ （ｌ ｎ ｍ ｆＪｉ域のものが、有効に使わ
れる。
のではないが、ＬＯＯＯｎｍ以下のものが使用に適して
いる。したがって現在の半導体レーザで、波長が７５０
〜８５ （ｌ ｎ ｍ ｆＪｉ域のものが、有効に使わ
れる。
この場合記録時のパワーとしては、一般に１〜１５ｍＷ
程度の範囲が用いられる。
程度の範囲が用いられる。
以下に実施例をもって本発明をより詳しく説明する。
［実施例１］
記録部であるランド部およびトラック案内溝であるグル
ープ部を有するカード状のポリカーボネイト製透明円板
上を熱プレス法によって成形した。
ープ部を有するカード状のポリカーボネイト製透明円板
上を熱プレス法によって成形した。
この基板上にＰｔ、 ＴｅおよびＳｅを含有する記録膜
をスパッタリング法により成膜した。以下にその成膜条
件を示す。まずチャンバー内を５Ｘ’ｌＯ−’Ｔｏｒｒ
まで真空引きし、そののちＡｒガスを導入し、そのガス
圧をｓｘ ｌＯ−’Ｔｏｒｒに設定した。ターゲットと
しては、Ｔｅａ。Ｓｅ、６の合金ターゲットの上にＰｔ
のチップをのせたものを用いた。このターゲットに高周
波パワーを印加し、厚さがおよそ３００人のＰｔＴｅ−
３ｅ記録膜を形成した。これをＥＳＣＡによって組成分
析すると原子数比でＰｔ５（ＴｅｓｏＳｅ＋。）３．で
あった。上記記録膜を形成した透明ノートと白色のポリ
カーボネイト板をウレタン系の接着剤を用いて貼り合わ
せ、カード状の光学記録媒体を作成した。このカード状
光学記録媒体の記録、再生特性を評価したところ非常に
良好な結果を得ることができた。この光学記録媒体を７
５℃、８５％ＲＨにおいて１０００時間保持する条件で
加速劣化試験を行い、アーカイバルライフおよびノエル
フライフの測定を行ったが、劣化の兆しは見られなかっ
た。また、この光学記録媒体に曲げや捩り等を与え、記
録膜の機械的耐久性試験を行ったところ、他の組成の記
録膜を用いた場合に比べて、上記Ｐｔ−Ｔｅ−３ｅ記録
膜はクラックの発生が少なかった。
をスパッタリング法により成膜した。以下にその成膜条
件を示す。まずチャンバー内を５Ｘ’ｌＯ−’Ｔｏｒｒ
まで真空引きし、そののちＡｒガスを導入し、そのガス
圧をｓｘ ｌＯ−’Ｔｏｒｒに設定した。ターゲットと
しては、Ｔｅａ。Ｓｅ、６の合金ターゲットの上にＰｔ
のチップをのせたものを用いた。このターゲットに高周
波パワーを印加し、厚さがおよそ３００人のＰｔＴｅ−
３ｅ記録膜を形成した。これをＥＳＣＡによって組成分
析すると原子数比でＰｔ５（ＴｅｓｏＳｅ＋。）３．で
あった。上記記録膜を形成した透明ノートと白色のポリ
カーボネイト板をウレタン系の接着剤を用いて貼り合わ
せ、カード状の光学記録媒体を作成した。このカード状
光学記録媒体の記録、再生特性を評価したところ非常に
良好な結果を得ることができた。この光学記録媒体を７
５℃、８５％ＲＨにおいて１０００時間保持する条件で
加速劣化試験を行い、アーカイバルライフおよびノエル
フライフの測定を行ったが、劣化の兆しは見られなかっ
た。また、この光学記録媒体に曲げや捩り等を与え、記
録膜の機械的耐久性試験を行ったところ、他の組成の記
録膜を用いた場合に比べて、上記Ｐｔ−Ｔｅ−３ｅ記録
膜はクラックの発生が少なかった。
［実施例２］
記録部であるランド部およびトラック案内溝であるグル
ープ部を存するポリカーボネイト製透明円板上にフロロ
カーボンの中間層とＰｔ、 ＴｅおよびＳｅを含有する
記録膜とをスパッタリング法により成膜した。以下にそ
の成膜条件を示す。まずチャンバー内を５Ｘ ｔｏ＠Ｔ
ｏｒｒまで真空引きし、そののちＡｒガスを導入し、そ
のガス圧を５Ｘ １０−’Ｔｏｒｒに設定した。ターゲ
ットとしては、テフロンのターのチップをのせたものを
用いた。まずテフロンのターゲットに高周波パワーを印
加し、厚さがおよび２００人のフロロカーホン薄膜を形
成した。なお、このフロロカーホン薄膜をＥＳＣＡによ
って組成分析すると、Ｆの含有量は、Ｆ／（Ｆ＋Ｃ）で
表されるＦの原子数パーセントが５７％であった。上記
ブ°”−Ｈ゛ン薄膜形成した後・Ｔ ｅ ｆ！Ｓ ｅ
！７’）合金ターゲットに高周波パワーを印加し、厚さ
がおよそ３００人のＰＬ −Ｔｅ −Ｓｅ薄膜をフロロ
カーホン薄膜上に形成した。これをＥＳＣＡによって組
成分析すると原子数比でＰｔ、＋（ＴｅｓｓＳｅ＋、）
ｓ、でめった。
ープ部を存するポリカーボネイト製透明円板上にフロロ
カーボンの中間層とＰｔ、 ＴｅおよびＳｅを含有する
記録膜とをスパッタリング法により成膜した。以下にそ
の成膜条件を示す。まずチャンバー内を５Ｘ ｔｏ＠Ｔ
ｏｒｒまで真空引きし、そののちＡｒガスを導入し、そ
のガス圧を５Ｘ １０−’Ｔｏｒｒに設定した。ターゲ
ットとしては、テフロンのターのチップをのせたものを
用いた。まずテフロンのターゲットに高周波パワーを印
加し、厚さがおよび２００人のフロロカーホン薄膜を形
成した。なお、このフロロカーホン薄膜をＥＳＣＡによ
って組成分析すると、Ｆの含有量は、Ｆ／（Ｆ＋Ｃ）で
表されるＦの原子数パーセントが５７％であった。上記
ブ°”−Ｈ゛ン薄膜形成した後・Ｔ ｅ ｆ！Ｓ ｅ
！７’）合金ターゲットに高周波パワーを印加し、厚さ
がおよそ３００人のＰＬ −Ｔｅ −Ｓｅ薄膜をフロロ
カーホン薄膜上に形成した。これをＥＳＣＡによって組
成分析すると原子数比でＰｔ、＋（ＴｅｓｓＳｅ＋、）
ｓ、でめった。
この先学記録媒体の記録再生特性を測定したところ、実
施例１よりも良好な記録再生特性を得ることができた。
施例１よりも良好な記録再生特性を得ることができた。
また、７５°Ｃ１８５％ＲＨにおいて１０００時間保持
する条件で加速劣化試験を行い、アーカイバルライフお
よびノエルフライフの測定を行つたが、劣化の兆しは見
られなかった。
する条件で加速劣化試験を行い、アーカイバルライフお
よびノエルフライフの測定を行つたが、劣化の兆しは見
られなかった。
［比較例コ
実施例１と同様のポリカーボネイト製の基板上にＴｅお
よびＳｅからなる記録膜を以下の条件でスパッタリング
法により成膜した。まずチャンバー内を５ｘ １０−’
Ｔｏｒｒまで真空引きし、そののちＡｒガスを導入し、
そのガス圧を５ｘ ｔｏ−’Ｔｏｒｒに設定した。
よびＳｅからなる記録膜を以下の条件でスパッタリング
法により成膜した。まずチャンバー内を５ｘ １０−’
Ｔｏｒｒまで真空引きし、そののちＡｒガスを導入し、
そのガス圧を５ｘ ｔｏ−’Ｔｏｒｒに設定した。
ターゲットとしては、ＴｅｅｏＳｅ２゜の合金ターゲッ
トを用いた。このターゲットに高周波パワーを印加し、
厚さがおよそ３００人のＴｅ −Ｓｅ薄膜を作成した。
トを用いた。このターゲットに高周波パワーを印加し、
厚さがおよそ３００人のＴｅ −Ｓｅ薄膜を作成した。
色のポリカーボネイト板をウレタン系の接着剤を用いて
貼り合わせ、カード伏の光学記録媒体を作成した。この
カード状光学記録媒体の記録、再生特性を評価したとこ
ろ、良好な結果を得ることかできたが、この光学記録媒
体を７５℃、８５％ＲＨにおいて２４時間保持する条件
で加速劣化試験を行ったところ、記録膜にクラックが発
生し、記録再生が行えなくなった。また、この光学記録
媒体に曲げや捩り等を与えると、上ｇＥＴｅ Ｓｅ記
録膜にクラックが多数発生した。
貼り合わせ、カード伏の光学記録媒体を作成した。この
カード状光学記録媒体の記録、再生特性を評価したとこ
ろ、良好な結果を得ることかできたが、この光学記録媒
体を７５℃、８５％ＲＨにおいて２４時間保持する条件
で加速劣化試験を行ったところ、記録膜にクラックが発
生し、記録再生が行えなくなった。また、この光学記録
媒体に曲げや捩り等を与えると、上ｇＥＴｅ Ｓｅ記
録膜にクラックが多数発生した。
［発明の効果］
以上説明したように、この発明によれば、Ｐｔ１Ｔｅお
よびＳｅからなる記録膜は耐酸化性にすぐれ、高感変で
あるので、高耐久性、高記録特性の光学記録媒体を提供
できる。また、この記録膜は義賊的な衝撃に対する耐久
性が高いので、光カードの記録膜のように義賊的耐久性
の要求される場合に特に有効である。さらに、Ｐｔ５Ｔ
ｅおよびＳｅからなる記録膜は、記録や再生に用いられ
るレーザ光に対する反射率の、膜厚による変動が小さく
、書込み信号や再生信号が膜厚によって変化しない。本
発明の”ｓ ＴｅおよびＳｅからなる記録膜を有する光
学記録媒体は、基板と記録膜との間にフロロカーボンか
らなる中間層を設けると、記録感度が向上する。
よびＳｅからなる記録膜は耐酸化性にすぐれ、高感変で
あるので、高耐久性、高記録特性の光学記録媒体を提供
できる。また、この記録膜は義賊的な衝撃に対する耐久
性が高いので、光カードの記録膜のように義賊的耐久性
の要求される場合に特に有効である。さらに、Ｐｔ５Ｔ
ｅおよびＳｅからなる記録膜は、記録や再生に用いられ
るレーザ光に対する反射率の、膜厚による変動が小さく
、書込み信号や再生信号が膜厚によって変化しない。本
発明の”ｓ ＴｅおよびＳｅからなる記録膜を有する光
学記録媒体は、基板と記録膜との間にフロロカーボンか
らなる中間層を設けると、記録感度が向上する。
第１図は異なるＰｔの含有量のＰｔ−Ｔｅ−３ｅ記録膜
における記録パワーとＣＮＨの関係を示す図、第２図は
、Ｐｔ −Ｔｅ −Ｓｅ記録膜およびＴｅ−３ｅ記録膜
の膜厚と反射率の関係を表す図である。
における記録パワーとＣＮＨの関係を示す図、第２図は
、Ｐｔ −Ｔｅ −Ｓｅ記録膜およびＴｅ−３ｅ記録膜
の膜厚と反射率の関係を表す図である。
Claims (4)
- （１）所定の基板と記録膜とを有し、上記記録膜に光を
照射することにより記録膜を変形して情報を記録する光
学記録媒体であつて、上記記録膜がＰｔ、ＴｅおよびＳ
ｅの３元素からなることを特徴とする光学記録媒体。 - （２）上記記録膜のＰｔおよびＴｅの含有量は、Ｐｔ／
（Ｐｔ＋Ｔｅ＋Ｓｅ）で表されるＰｔの原子数パーセン
トが０．１％以上２０％以下であり、かつ、Ｔｅ／（Ｔ
ｅ＋Ｓｅ）で表されるＴｅの原子数パーセントが５０％
以上９０％以下であることを特徴とする請求項１記載の
光学記録媒体。 - （３）上記所定の基板上にＦおよびＣからなる中間層が
設けられ、上記記録膜が上記中間層上に形成されている
ことを特徴とする請求項１または２記載の光学記録媒体
。 - （４）上記中間層のＦの含有量は、Ｆ／（Ｆ＋Ｃ）で表
されるＦの原子数パーセントが４０％以上６５％以下で
あることを特徴とする請求項３記載の光学記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63194788A JPH0243089A (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | 光学記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63194788A JPH0243089A (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | 光学記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0243089A true JPH0243089A (ja) | 1990-02-13 |
Family
ID=16330272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63194788A Pending JPH0243089A (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | 光学記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0243089A (ja) |
-
1988
- 1988-08-03 JP JP63194788A patent/JPH0243089A/ja active Pending
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