JPH0242651B2 - - Google Patents
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- JPH0242651B2 JPH0242651B2 JP17172482A JP17172482A JPH0242651B2 JP H0242651 B2 JPH0242651 B2 JP H0242651B2 JP 17172482 A JP17172482 A JP 17172482A JP 17172482 A JP17172482 A JP 17172482A JP H0242651 B2 JPH0242651 B2 JP H0242651B2
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- resin
- mold
- plunger
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 39
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 39
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
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- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/02—Transfer moulding, i.e. transferring the required volume of moulding material by a plunger from a "shot" cavity into a mould cavity
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は樹脂モールド封止装置に係り、特に半
導体装置の封止を行う装置に関する。
導体装置の封止を行う装置に関する。
〔発明の技術的背景〕
樹脂モールド封止すべき物例えば半導体チツプ
を樹脂封止するには第１図または第２図に示す装
置が用いられている。まず第１図のもので云え
ば、下金型２０上に予めセツトされている半導体
チツプ付きのリードフレーム（図示せず）に上金
型１０を当てがつて型締めを行い、半導体チツプ
の周囲に溶融状態の樹脂を満たした上で樹脂の硬
化成形を行う。樹脂は予めタブレツト化されたの
を図示しない予備加熱機でプレヒートして上金型
１０の上方から上金型１０内のトランスフアチヤ
ンバに投入し、流動性ある間にトランスフアシリ
ンダ４０と協働するプランジヤ３０により加圧し
て金型１０，２０の樹脂投入用ポツトからラン
ナ、ゲートを介して半導体チツプがセツトされて
いる各キヤビテイに注入し、熱硬化させる。
を樹脂封止するには第１図または第２図に示す装
置が用いられている。まず第１図のもので云え
ば、下金型２０上に予めセツトされている半導体
チツプ付きのリードフレーム（図示せず）に上金
型１０を当てがつて型締めを行い、半導体チツプ
の周囲に溶融状態の樹脂を満たした上で樹脂の硬
化成形を行う。樹脂は予めタブレツト化されたの
を図示しない予備加熱機でプレヒートして上金型
１０の上方から上金型１０内のトランスフアチヤ
ンバに投入し、流動性ある間にトランスフアシリ
ンダ４０と協働するプランジヤ３０により加圧し
て金型１０，２０の樹脂投入用ポツトからラン
ナ、ゲートを介して半導体チツプがセツトされて
いる各キヤビテイに注入し、熱硬化させる。
第２図のものはトランスフアシリンダ４０によ
り多数のプランジヤ３０を作動させるもので、ポ
ツトを多数設けることによりポツトからキヤビテ
イに至る経路での樹脂の無駄な消費分を減少させ
るようにしたものである。
り多数のプランジヤ３０を作動させるもので、ポ
ツトを多数設けることによりポツトからキヤビテ
イに至る経路での樹脂の無駄な消費分を減少させ
るようにしたものである。
これらの装置における金型１０，２０の構造を
より詳細に示したのが第３図であり、上金型１０
は金型本体１１が受板１２に取付けられ、下金型
２０は金型本体２１が受板２２に取付けられて受
板１２と２２とはガイドピン３３、ガイドブツシ
ユ３４により案内されて相互に離間、近接し得る
ようになつている。そして上金型１０における金
型本体１１および受板１２を貫通するようにシリ
ンダ３１が設けられ、このシリンダ３１内をプラ
ンジヤ３２がストローク運動する。また、下金型
２０には金型本体２１および受板２２を貫通して
エジエクタピン３５が設けられており、このエジ
エクタピン３５を支持するエジエクタプレート３
６が上金型１０の上昇時に図示しないストツパピ
ンが上昇することによりばね力によつて上昇し樹
脂成型物を離型させるようになつている。
より詳細に示したのが第３図であり、上金型１０
は金型本体１１が受板１２に取付けられ、下金型
２０は金型本体２１が受板２２に取付けられて受
板１２と２２とはガイドピン３３、ガイドブツシ
ユ３４により案内されて相互に離間、近接し得る
ようになつている。そして上金型１０における金
型本体１１および受板１２を貫通するようにシリ
ンダ３１が設けられ、このシリンダ３１内をプラ
ンジヤ３２がストローク運動する。また、下金型
２０には金型本体２１および受板２２を貫通して
エジエクタピン３５が設けられており、このエジ
エクタピン３５を支持するエジエクタプレート３
６が上金型１０の上昇時に図示しないストツパピ
ンが上昇することによりばね力によつて上昇し樹
脂成型物を離型させるようになつている。
ここで、上記装置に対する樹脂投入についてみ
ると、上記両装置ともプランジヤ３０を上金型１
０の上方まで引き上げた上でシリンダ３１内にタ
ブレツトを投入する。
ると、上記両装置ともプランジヤ３０を上金型１
０の上方まで引き上げた上でシリンダ３１内にタ
ブレツトを投入する。
しかしながら、このようなプランジヤ動作を行
わせるにはそのストロークがかなり長くなり、こ
の結果プランジヤ３０の動作所要時間が長くな
る。このことは一方でトランスフアシリンダ４０
の長さが大となり装置の全体寸法を大きくする問
題を生じており、他方でプランジヤ３０が金型か
ら引抜かれたときに冷却されるので再び金型内の
樹脂に接したときその溶融を妨げ、このプランジ
ヤの冷え対策としてプランジヤ内にヒータを設け
る必要がある。
わせるにはそのストロークがかなり長くなり、こ
の結果プランジヤ３０の動作所要時間が長くな
る。このことは一方でトランスフアシリンダ４０
の長さが大となり装置の全体寸法を大きくする問
題を生じており、他方でプランジヤ３０が金型か
ら引抜かれたときに冷却されるので再び金型内の
樹脂に接したときその溶融を妨げ、このプランジ
ヤの冷え対策としてプランジヤ内にヒータを設け
る必要がある。
本発明は上述の点を考慮してみなされたもの
で、プランジヤストロークの少い樹脂モールド装
置を提供することを目的とする。
で、プランジヤストロークの少い樹脂モールド装
置を提供することを目的とする。
この目的達成のため本発明では、プランジヤを
金型内に収容し、樹脂タブレツトを上、下金型間
を開いてリードフレームと同様に両金型間から装
入するような樹脂モールド封止装置を提供するも
のである。
金型内に収容し、樹脂タブレツトを上、下金型間
を開いてリードフレームと同様に両金型間から装
入するような樹脂モールド封止装置を提供するも
のである。
以下第４図および第５図を参照して本発明を実
施例につき説明する。
施例につき説明する。
第４図は本発明の一実施例を示したもので、プ
ランジヤ３２を下金型２０内に収容しこのプラン
ジヤ３２を下金型２０外から駆動するものであ
る。この図において第３図と同一符号は同一要素
を示しており、１３は上金型受板１２が取付けら
れる上ベース、１４および２７は上、下金型受板
１２，２２内に設けられたヒータ、２３および２
５はスペーサ、２４は断熱材であり、下金型受板
２２はこれらの部材２３〜２５を介して下ベース
２６に取付けられる。そしてプランジヤ３２が下
金型２０内に設けられた関係で、中央のエジエク
タピンは上金型１０内に設けている。
ランジヤ３２を下金型２０内に収容しこのプラン
ジヤ３２を下金型２０外から駆動するものであ
る。この図において第３図と同一符号は同一要素
を示しており、１３は上金型受板１２が取付けら
れる上ベース、１４および２７は上、下金型受板
１２，２２内に設けられたヒータ、２３および２
５はスペーサ、２４は断熱材であり、下金型受板
２２はこれらの部材２３〜２５を介して下ベース
２６に取付けられる。そしてプランジヤ３２が下
金型２０内に設けられた関係で、中央のエジエク
タピンは上金型１０内に設けている。
この金型１０，２０に樹脂タブレツト（もしく
は粉末樹脂）を装入するには、上、下金型１０，
２０の少くとも一方を図示上、下方向に移動して
上型本体１１と下型本体２１とをパーテイングラ
インPLに沿つて離間させる。この際、プランジ
ヤ３２は樹脂タブレツトを受入れるに充分な寸法
のチヤンバを形成するように下降させており、ま
たエジエクトピン３５も上、下金型本体１１，２
１に引込んだ状態となつている。
は粉末樹脂）を装入するには、上、下金型１０，
２０の少くとも一方を図示上、下方向に移動して
上型本体１１と下型本体２１とをパーテイングラ
インPLに沿つて離間させる。この際、プランジ
ヤ３２は樹脂タブレツトを受入れるに充分な寸法
のチヤンバを形成するように下降させており、ま
たエジエクトピン３５も上、下金型本体１１，２
１に引込んだ状態となつている。
この状態で下金型本体２１の上面のキヤビテイ
にリードフレーム（図示せず）をセツトし、プラ
ンジヤ３２上方に形成されたトランスフアチヤン
バ内に樹脂タブレツトを装入する。
にリードフレーム（図示せず）をセツトし、プラ
ンジヤ３２上方に形成されたトランスフアチヤン
バ内に樹脂タブレツトを装入する。
次いで上、下金型１０，２０をパーテイングラ
インPLで接触するように相互に移動させ金型を
閉じいわゆる型締めを行う。そしてプランジヤ３
２を駆動して溶融状態の樹脂をゲートを介してキ
ヤビテイに送り込みリードフレームに取付けられ
た半導体チツプを樹脂封入する。この後、上、下
金型１０，２０を離間させれば、エジエクタピン
３５がばね力により樹脂成形部およびリードフレ
ーム部を押し、各金型本体１１，２１から成型品
を押出す。この押出された成形品を取出し、次の
リードフレームのセツトおよび樹脂タブレツトの
装入を行う。
インPLで接触するように相互に移動させ金型を
閉じいわゆる型締めを行う。そしてプランジヤ３
２を駆動して溶融状態の樹脂をゲートを介してキ
ヤビテイに送り込みリードフレームに取付けられ
た半導体チツプを樹脂封入する。この後、上、下
金型１０，２０を離間させれば、エジエクタピン
３５がばね力により樹脂成形部およびリードフレ
ーム部を押し、各金型本体１１，２１から成型品
を押出す。この押出された成形品を取出し、次の
リードフレームのセツトおよび樹脂タブレツトの
装入を行う。
第５図は本発明の他の実施例を示したもので、
この場合プランジヤ３２を駆動するためのシリン
ダ４０を下金型受板２２内に設けている。他の構
成は第４図の実施例と同様であり、その動作も同
様である。
この場合プランジヤ３２を駆動するためのシリン
ダ４０を下金型受板２２内に設けている。他の構
成は第４図の実施例と同様であり、その動作も同
様である。
本発明は上述のように、下金型の上金型との対
向面近傍にトランスフアチヤンバを配し、このト
ランスフアチヤンバ内にプランジヤを設けて下金
型内に設けた駆動手段によりプランジヤを駆動す
るようにしたため、樹脂タブレツト寸法に応じた
プランジヤストロークがあれば足り、プランジヤ
を引き抜いて樹脂タブレツトを装入する場合のよ
うなプランジヤストロークを要しないから、装置
の小形化が図れ、プランジヤの冷却を低減でき
る。そしてプランジヤを下げた状態のトランスフ
アチヤンバに樹脂タブレツトを装入するため、型
の余熱で溶融した樹脂が流れ出すこともなく、と
くに樹脂注入量に細心の注意を払う必要もない。
また、上金型と下金型との間からリードフレーム
と別個の場所に樹脂タブレツトを装入するように
したため、樹脂タブレツトの装入とリードフレー
ムのセツトとを同時に行うことができ作業性が良
好になる。
向面近傍にトランスフアチヤンバを配し、このト
ランスフアチヤンバ内にプランジヤを設けて下金
型内に設けた駆動手段によりプランジヤを駆動す
るようにしたため、樹脂タブレツト寸法に応じた
プランジヤストロークがあれば足り、プランジヤ
を引き抜いて樹脂タブレツトを装入する場合のよ
うなプランジヤストロークを要しないから、装置
の小形化が図れ、プランジヤの冷却を低減でき
る。そしてプランジヤを下げた状態のトランスフ
アチヤンバに樹脂タブレツトを装入するため、型
の余熱で溶融した樹脂が流れ出すこともなく、と
くに樹脂注入量に細心の注意を払う必要もない。
また、上金型と下金型との間からリードフレーム
と別個の場所に樹脂タブレツトを装入するように
したため、樹脂タブレツトの装入とリードフレー
ムのセツトとを同時に行うことができ作業性が良
好になる。
また本発明装置は各プランジヤ毎に駆動手段が
設けられているから複数の駆動手段に与えられる
圧力を均等にするための複雑な構成の均圧手段を
必要としない点で有利である。この均圧手段は全
プランジヤの滑り抵抗を調整することが非常に難
しく、熟練作業者にとつてもその組立てがかなり
面倒である。
設けられているから複数の駆動手段に与えられる
圧力を均等にするための複雑な構成の均圧手段を
必要としない点で有利である。この均圧手段は全
プランジヤの滑り抵抗を調整することが非常に難
しく、熟練作業者にとつてもその組立てがかなり
面倒である。
第１図および第２図は従来の樹脂モールド封止
装置の外観を示す図、第３図は第１図および第２
図の装置の金型構造を示す断面図、第４図および
第５図は本発明の実施例である。 １０……上型、１１……上金型本体、１２……
上金型受板、１３……上ベース、１４，２７……
ヒータ、２０……下金型、２１……下金型本体、
２２……下金型受板、２３，２５……スペーサ、
２４……断熱材、２６……下ベース、３１……シ
リンダ、３２……プランジヤ、３３……ガイドピ
ン、３４……ガイドブツシユ、３５……エジエク
タピン、３６……エジエクタプレート、４０……
トランスフアシリンダ。
装置の外観を示す図、第３図は第１図および第２
図の装置の金型構造を示す断面図、第４図および
第５図は本発明の実施例である。 １０……上型、１１……上金型本体、１２……
上金型受板、１３……上ベース、１４，２７……
ヒータ、２０……下金型、２１……下金型本体、
２２……下金型受板、２３，２５……スペーサ、
２４……断熱材、２６……下ベース、３１……シ
リンダ、３２……プランジヤ、３３……ガイドピ
ン、３４……ガイドブツシユ、３５……エジエク
タピン、３６……エジエクタプレート、４０……
トランスフアシリンダ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 上金型と下金型との間の空間に、半導体チツ
プを搭載したリードフレームをセツトして樹脂タ
ブレツトを装入し、このタブレツトを溶融させて
得た樹脂をプランジヤによつて加圧することによ
り、前記空間の一部をなすキヤビテイにゲートを
介して前記樹脂を注入し半導体装置を樹脂封止す
る装置において、 前記下金型の前記上金型との対向面近傍に配さ
れたトランスフアチヤンバと、 このトランスフアチヤンバ内に収容され、該ト
ランスフアチヤンバと協働することにより前記樹
脂に加圧力を与えるプランジヤと、 前記下金型の内部下方に配され前記プランジヤ
に駆動力を与える駆動手段と、 前記トランスフアチヤンバに前記上金型と下金
型との間から樹脂タブレツトを装入するための手
段と、 をそなえたことを特徴とする樹脂モールド封止装
置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17172482A JPS5959428A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 樹脂モ−ルド封止装置 |
| DE19833335340 DE3335340A1 (de) | 1982-09-30 | 1983-09-29 | Harzform-vergiessvorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17172482A JPS5959428A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 樹脂モ−ルド封止装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5959428A JPS5959428A (ja) | 1984-04-05 |
| JPH0242651B2 true JPH0242651B2 (ja) | 1990-09-25 |
Family
ID=15928491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17172482A Granted JPS5959428A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 樹脂モ−ルド封止装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5959428A (ja) |
| DE (1) | DE3335340A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4575328A (en) * | 1984-03-06 | 1986-03-11 | Asm Fico Tooling, B.V. | Automatic continuously cycleable molding apparatus |
| JPH0238447Y2 (ja) * | 1984-11-12 | 1990-10-17 |
-
1982
- 1982-09-30 JP JP17172482A patent/JPS5959428A/ja active Granted
-
1983
- 1983-09-29 DE DE19833335340 patent/DE3335340A1/de not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5959428A (ja) | 1984-04-05 |
| DE3335340A1 (de) | 1984-06-07 |
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