JPH024223A - 液晶配向膜形成用材料 - Google Patents
液晶配向膜形成用材料Info
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- JPH024223A JPH024223A JP15214588A JP15214588A JPH024223A JP H024223 A JPH024223 A JP H024223A JP 15214588 A JP15214588 A JP 15214588A JP 15214588 A JP15214588 A JP 15214588A JP H024223 A JPH024223 A JP H024223A
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 85
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims abstract description 26
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract description 9
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 6
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 claims abstract description 5
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-O pyridinium Chemical compound C1=CC=[NH+]C=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims abstract description 5
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-O hydron;quinoline Chemical compound [NH+]1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 claims description 14
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical group OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 7
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 claims 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-O isoquinolin-2-ium Chemical group C1=[NH+]C=CC2=CC=CC=C21 AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 38
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 18
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 13
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 10
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- 239000012456 homogeneous solution Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 6
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 6
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 6
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 5
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- -1 inorganic acid compounds Chemical class 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 238000007127 saponification reaction Methods 0.000 description 4
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006359 acetalization reaction Methods 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- CFGDUGSIBUXRMR-UHFFFAOYSA-N 1,2-dihydropyrrol-2-ide Chemical compound C=1C=[C-]NC=1 CFGDUGSIBUXRMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVXDRFYHWWPSOA-BQYQJAHWSA-N 1-methyl-4-[(e)-2-phenylethenyl]pyridin-1-ium Chemical group C1=C[N+](C)=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 YVXDRFYHWWPSOA-BQYQJAHWSA-N 0.000 description 1
- TVZRAEYQIKYCPH-UHFFFAOYSA-N 3-(trimethylsilyl)propane-1-sulfonic acid Chemical compound C[Si](C)(C)CCCS(O)(=O)=O TVZRAEYQIKYCPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUARLQDWYSRQDF-UHFFFAOYSA-N 5-Nitroacenaphthene Chemical compound C1CC2=CC=CC3=C2C1=CC=C3[N+](=O)[O-] CUARLQDWYSRQDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100180402 Caenorhabditis elegans jun-1 gene Proteins 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 229940114081 cinnamate Drugs 0.000 description 1
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 1
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- OTYBMLCTZGSZBG-UHFFFAOYSA-L potassium sulfate Chemical compound [K+].[K+].[O-]S([O-])(=O)=O OTYBMLCTZGSZBG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052939 potassium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011151 potassium sulphates Nutrition 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 238000001226 reprecipitation Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M trans-cinnamate Chemical compound [O-]C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶配向膜形成用材料に関するもので、更に詳
しくは、液晶分子全基板に対し撫直又はほぼ平行に配向
するために使用する液晶配向膜形成用材料に関する。
しくは、液晶分子全基板に対し撫直又はほぼ平行に配向
するために使用する液晶配向膜形成用材料に関する。
液晶デバイスは、透明電極を有し、配向膜含有する2枚
の基板を対向するように配置し、その間に液晶を射入し
て成る基本構造を有し、態動回路、必要に応じて照明装
置から成る表示装置である。
の基板を対向するように配置し、その間に液晶を射入し
て成る基本構造を有し、態動回路、必要に応じて照明装
置から成る表示装置である。
液晶デバイスの代表的なものには、DS(Dynaml
eScattering)型デバイス及びTN(Tw
ist@d N@matie)型デバイスがある。いず
れのタイプの液晶デバイスも、液晶分子の配向方向を電
場の作用によって変化させることを基本にしている。
eScattering)型デバイス及びTN(Tw
ist@d N@matie)型デバイスがある。いず
れのタイプの液晶デバイスも、液晶分子の配向方向を電
場の作用によって変化させることを基本にしている。
DSSタデ々イスは、基板の間にNn型液晶を封入し、
液晶分子を基板に対して垂直に配向したうえで、直流電
場又は低周波の交流電#IIを印加することによって、
液晶層が光散乱することを応用したものである。
液晶分子を基板に対して垂直に配向したうえで、直流電
場又は低周波の交流電#IIを印加することによって、
液晶層が光散乱することを応用したものである。
TN型デバイスは、基板に対して平行にラビング処理さ
れた配向膜を有する2枚の基板間にN。
れた配向膜を有する2枚の基板間にN。
液晶を封入し、ラビング方向に液晶分子を配向し、同時
に基板表面に対して通常1〜30程度のプレチルト角(
液晶傾斜配向角)を有するものである。
に基板表面に対して通常1〜30程度のプレチルト角(
液晶傾斜配向角)を有するものである。
特にSBE (Supertvisted Biref
ringenea Effect)型デバイス及びST
N (Super Twisted Nematlc)
型デバイスに於いては、プレチルト角を2O2程度に大
きくすることによって液晶デバイスのコントラストを改
善している。
ringenea Effect)型デバイス及びST
N (Super Twisted Nematlc)
型デバイスに於いては、プレチルト角を2O2程度に大
きくすることによって液晶デバイスのコントラストを改
善している。
液晶分子を基板に対して垂直に配向させるために使用さ
れる垂直配向膜形成用材料としては、無機酸化合物、有
機酸、界面活性剤等の低分子化合物が使用されている。
れる垂直配向膜形成用材料としては、無機酸化合物、有
機酸、界面活性剤等の低分子化合物が使用されている。
しかしながら、これらの化合物は、液晶材料と反応しや
すいので、液晶材料の安定性の面で問題点があった。
すいので、液晶材料の安定性の面で問題点があった。
液晶分子を基板に対してほぼ平行に配向させるために使
用される平行配向膜形成用材料としては、主にポリイミ
ド樹脂が広く使用されている。しかしながら、ポリイミ
ド樹脂は耐熱性、液晶分子の配向性に優れているが、着
色しやすいために透明性が悪い、硬化温度が高いために
硬化時間が長いために作業性が悪い等、問題点が多かっ
た。
用される平行配向膜形成用材料としては、主にポリイミ
ド樹脂が広く使用されている。しかしながら、ポリイミ
ド樹脂は耐熱性、液晶分子の配向性に優れているが、着
色しやすいために透明性が悪い、硬化温度が高いために
硬化時間が長いために作業性が悪い等、問題点が多かっ
た。
また、ポリイミド樹脂の配向mをラビング法によシ処理
して得られるプレチルト角は1〜3°程度であるので、
SBE型デバイス用及びSTN型デバイス用の平行配向
膜形成用材料として、ポリイミド樹脂を使用することは
好ましくなかった。
して得られるプレチルト角は1〜3°程度であるので、
SBE型デバイス用及びSTN型デバイス用の平行配向
膜形成用材料として、ポリイミド樹脂を使用することは
好ましくなかった。
SBE型デバイス及びSTN型デバイスにおいて必要な
プレチルト角を確保するために、酸化硅素等の無機膜を
基板上に蒸着させる斜方蒸着法が採用されている。しか
しながら、基板上に無機膜を蒸着する方法は、ラビング
法に比べて繁雑であり、工業的生産方法として有利なも
のではなかった。
プレチルト角を確保するために、酸化硅素等の無機膜を
基板上に蒸着させる斜方蒸着法が採用されている。しか
しながら、基板上に無機膜を蒸着する方法は、ラビング
法に比べて繁雑であり、工業的生産方法として有利なも
のではなかった。
また、特開昭62−262828号公報には、アミン化
合物を界面活性剤として添加したポリイミド樹脂前駆体
から成るSHE型デバイス用の平行配向膜形成用材料が
記載されている。しかしながら、ポリイミド樹脂前駆体
を使用するので、硬化温度が高く配向膜の透明性が悪い
、等の問題点があった。
合物を界面活性剤として添加したポリイミド樹脂前駆体
から成るSHE型デバイス用の平行配向膜形成用材料が
記載されている。しかしながら、ポリイミド樹脂前駆体
を使用するので、硬化温度が高く配向膜の透明性が悪い
、等の問題点があった。
本発明が解決しようとする課題に、活性光線音用いて低
温で硬化させることによって、透明性及び液−高材料に
対する安定性に優れ、かつ、液晶分子を垂直配向又は大
きく傾斜配向させることができる液晶配向Mk容易に形
成できる液晶配向膜形成用材料を提供することにある。
温で硬化させることによって、透明性及び液−高材料に
対する安定性に優れ、かつ、液晶分子を垂直配向又は大
きく傾斜配向させることができる液晶配向Mk容易に形
成できる液晶配向膜形成用材料を提供することにある。
本発明は上記課題を解決するために、
一般式
(式中、Rは水素原子、又はメトキシ基を表わし、Aは
アルキル基又は低級ヒドロキシル基で置換されていても
よいピリジニウム、キノリニウム又はイソキノリウムを
表わす。mはO〜6の整数を表わし、nはO又は1を表
わす。) で表わされる構成単位を有するポリビニルアルコール誘
導体(以下、本発明で使用するポリビニルアルコール誘
導体という。)を含有する液晶配向膜形成用材料を提供
する。
アルキル基又は低級ヒドロキシル基で置換されていても
よいピリジニウム、キノリニウム又はイソキノリウムを
表わす。mはO〜6の整数を表わし、nはO又は1を表
わす。) で表わされる構成単位を有するポリビニルアルコール誘
導体(以下、本発明で使用するポリビニルアルコール誘
導体という。)を含有する液晶配向膜形成用材料を提供
する。
本発明で使用するポリビニルアルコール誘導体は、ポリ
ビニルアルコール又は部分ケン化ポリ酢酸ビニルと一般
式 (式中のR,A、m、nは前貢己と同じ意味を持つ)で
表わされるアルデヒド化合物またはその前駆体であるア
セタール化合物を反応させることによって製造すること
ができる。
ビニルアルコール又は部分ケン化ポリ酢酸ビニルと一般
式 (式中のR,A、m、nは前貢己と同じ意味を持つ)で
表わされるアルデヒド化合物またはその前駆体であるア
セタール化合物を反応させることによって製造すること
ができる。
一般式(N)で表わされる化合物としては、fajえば
、 等が挙げられるが、この限りではない。これらの環には
アルキル基、アルコキシル基又は水酸基が置換されてい
ても良い。
、 等が挙げられるが、この限りではない。これらの環には
アルキル基、アルコキシル基又は水酸基が置換されてい
ても良い。
ポリビニルアルコールの重合度は、400〜3000の
範囲が好ましい。ま念、ポリビニルアルコールは309
6未満の未ケン化のアセチル基を含んでいてもよい。
範囲が好ましい。ま念、ポリビニルアルコールは309
6未満の未ケン化のアセチル基を含んでいてもよい。
ポリビニルアルコール又は部分ケン化ポリ酢酸ビニルと
、一般式(IV)で表わされる化合物との反応、すなわ
ち高分子アセタール化反応は、水中で、酸媒触反応によ
り行うことができる。この場合、式(IV)で表わされ
る化合物の使用11fl全ビニルアルコ一ル単位当#)
0.5〜30モル−の範囲が好ましい。触媒の酸として
は、無機有機のいずれも使用することができ、例えば塩
酸、硫酸、リン酸、過塩素酸、ホウフッ化水素酸、メタ
ンスルホン酸、p−)ルエンスルホン酸などをあげるこ
とができる。その添加量は多いほど反応時間が短縮され
るので好ましいが、通常0.01〜5規定度でよい。
、一般式(IV)で表わされる化合物との反応、すなわ
ち高分子アセタール化反応は、水中で、酸媒触反応によ
り行うことができる。この場合、式(IV)で表わされ
る化合物の使用11fl全ビニルアルコ一ル単位当#)
0.5〜30モル−の範囲が好ましい。触媒の酸として
は、無機有機のいずれも使用することができ、例えば塩
酸、硫酸、リン酸、過塩素酸、ホウフッ化水素酸、メタ
ンスルホン酸、p−)ルエンスルホン酸などをあげるこ
とができる。その添加量は多いほど反応時間が短縮され
るので好ましいが、通常0.01〜5規定度でよい。
反応は室温〜100℃の範囲で行われ、反応時間は1〜
24時間程時間中分である。
24時間程時間中分である。
この高分子アセタール化反応の進行は、アルコールに再
沈させた重合体の水溶液の、340nm付近のスチルバ
ゾリウム基に基づく吸収極大を測ることによって追跡で
きる。この反応においてポリビニルアルコールの濃度は
2〜20W/W%の範囲が最適である。アセタール化反
応が完結した反応溶液は、それ自体高感度の感光液とし
て用いることができる。さらに、樹脂を精製するために
は、反応終了後、反応混合物を多量の非俗媒であるアセ
トン、エタノール、ジオキサンや、硫酸ナトリウム、硫
酸カリウムなどを含む凝固浴に注ぐことによシ、目的の
ポリビニルアルコール誘導体を沈殿させ、これを分離し
てアルコールで洗浄する。
沈させた重合体の水溶液の、340nm付近のスチルバ
ゾリウム基に基づく吸収極大を測ることによって追跡で
きる。この反応においてポリビニルアルコールの濃度は
2〜20W/W%の範囲が最適である。アセタール化反
応が完結した反応溶液は、それ自体高感度の感光液とし
て用いることができる。さらに、樹脂を精製するために
は、反応終了後、反応混合物を多量の非俗媒であるアセ
トン、エタノール、ジオキサンや、硫酸ナトリウム、硫
酸カリウムなどを含む凝固浴に注ぐことによシ、目的の
ポリビニルアルコール誘導体を沈殿させ、これを分離し
てアルコールで洗浄する。
なお、得られた生成物中に存在する微量の酸を完全に除
くには、少量のアンモニアで洗うか、再沈殿金繰り返せ
ばよい。
くには、少量のアンモニアで洗うか、再沈殿金繰り返せ
ばよい。
本発明で使用するポリビニルアルコール誘導体は、水に
可溶であり、かつ高感度を示し、例えば5−ニトロアセ
ナフテンで増感したポリケイ皮酸ビニルと同等程度乃至
その数10倍以上の感光速度を有する。
可溶であり、かつ高感度を示し、例えば5−ニトロアセ
ナフテンで増感したポリケイ皮酸ビニルと同等程度乃至
その数10倍以上の感光速度を有する。
本発明で使用するポリビニルアルコール誘導体は、水、
又はメタノール、エタノール、イソプロパツールの如き
低級アルコール:ジメチルホルムアミド、N−メチル−
2−ピロリド等の10〜50ffii%溶剤に溶解する
ことによって、0.1〜3、ONt%に希釈した上で液
晶配向膜形成用材料として使用することができる。
又はメタノール、エタノール、イソプロパツールの如き
低級アルコール:ジメチルホルムアミド、N−メチル−
2−ピロリド等の10〜50ffii%溶剤に溶解する
ことによって、0.1〜3、ONt%に希釈した上で液
晶配向膜形成用材料として使用することができる。
本発明の液晶配向膜形成用材料は、透明電極を有するガ
ラス基板又はプラスチック基板の如き透明基板上にスピ
ンコード法もしくは印刷法等により塗布し、塗膜を20
〜40℃で1〜20時間乾燥させた後、活性光線又は太
陽光線により硬化させて、膜厚200〜aooolの配
向it影形成ることができる。
ラス基板又はプラスチック基板の如き透明基板上にスピ
ンコード法もしくは印刷法等により塗布し、塗膜を20
〜40℃で1〜20時間乾燥させた後、活性光線又は太
陽光線により硬化させて、膜厚200〜aooolの配
向it影形成ることができる。
活性光線としては、例えば低圧水銀ランプ、高圧水銀ラ
ンプ、カーボンブークランプ、メタルハロゲンランプ、
キセノンランプを線源とする紫外線:各FJの電子線、
X線などの放射線を挙げることができる。
ンプ、カーボンブークランプ、メタルハロゲンランプ、
キセノンランプを線源とする紫外線:各FJの電子線、
X線などの放射線を挙げることができる。
活性光線の照射時間は、本発明の液晶配向膜形成用材料
の組成等によって異なるが、紫外線を線源とした場合に
は、0.1秒〜1分間、放射線′J&:線源とした場合
は、1ミリ秒〜1秒間が好ましい。
の組成等によって異なるが、紫外線を線源とした場合に
は、0.1秒〜1分間、放射線′J&:線源とした場合
は、1ミリ秒〜1秒間が好ましい。
太陽光線の照射時間は30秒〜5分間が好ましい。
以下に実施例を挙げて本発明を更に詳しく説明するが、
本発明はこれらに限定されるものではない。
本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例1
重合度1,700、ケン化率87%のポリ酢酸ビニルの
5ft%水溶液5f!K、式 で表わされる化合物1001Vk加え、良くかきまぜな
がら85%硫酸1.5Nt加えて攪拌することによって
黄色の均一溶液を得た。この溶液ヲ67℃で一晩加温し
た後、反応生成物を大量のアセトン中に加えることによ
って沈殿物を得た。この沈殿物をエタノールで2回洗っ
た後、水に溶かし、再度アセトン中に沈′殿させ、更に
沈殿物を真空乾燥させて、式 で表わされる構成単位′t−1.25モルチ有するポリ
ビニルアルコール誘導体を得念。
5ft%水溶液5f!K、式 で表わされる化合物1001Vk加え、良くかきまぜな
がら85%硫酸1.5Nt加えて攪拌することによって
黄色の均一溶液を得た。この溶液ヲ67℃で一晩加温し
た後、反応生成物を大量のアセトン中に加えることによ
って沈殿物を得た。この沈殿物をエタノールで2回洗っ
た後、水に溶かし、再度アセトン中に沈′殿させ、更に
沈殿物を真空乾燥させて、式 で表わされる構成単位′t−1.25モルチ有するポリ
ビニルアルコール誘導体を得念。
得られ念ポリビニルアルコール訪導体を、メタノールの
30fif%水溶液に溶解させて、0.3重量%の均一
溶液を得た。
30fif%水溶液に溶解させて、0.3重量%の均一
溶液を得た。
この溶液を、透明電極を有するガラス基板上にスピンコ
ードし、30℃で3時間乾燥させた後、紫外線(450
W高圧水銀ランプ)で30秒間照射することによってm
m’t−(i11!化させて、JIK淳1,1■芙の配
向膜を有するガラス基板を得几。
ードし、30℃で3時間乾燥させた後、紫外線(450
W高圧水銀ランプ)で30秒間照射することによってm
m’t−(i11!化させて、JIK淳1,1■芙の配
向膜を有するガラス基板を得几。
このようにして得几2枚のガラス基板を、配向膜を内側
にし% lOμのスペーサーを介して接着してセルを得
友。
にし% lOμのスペーサーを介して接着してセルを得
友。
このセルにNt庫晶(大日本インキ化学工業(株)製r
Ds−004J)’e封入した。このセルの中で、液晶
分子は、基板に対し垂直に配向した。
Ds−004J)’e封入した。このセルの中で、液晶
分子は、基板に対し垂直に配向した。
Nn型液晶を封入したセルに5vの交流電圧を印加した
ところ、液晶層の光散乱による明暗を観察することがで
きた。
ところ、液晶層の光散乱による明暗を観察することがで
きた。
実施例2
実施例1で得た配向膜を有するガラス基板の配向膜ヲ、
ナイロン繊維布から成るロールを有する3本ロール金用
いて、一定方向にラビングした後、実施例1と同様にし
てホモジニアスセルを得た。
ナイロン繊維布から成るロールを有する3本ロール金用
いて、一定方向にラビングした後、実施例1と同様にし
てホモジニアスセルを得た。
このセルにN型液晶(大日本インキ化学工業(株)裳r
DOP −71016−2B J )を封入し友。N
p型液晶を注入したセルをクロスニコル中で回転させた
とこる明暗が認められ、液晶分子がラビング方向へ良好
に配向していることが確認できた。
DOP −71016−2B J )を封入し友。N
p型液晶を注入したセルをクロスニコル中で回転させた
とこる明暗が認められ、液晶分子がラビング方向へ良好
に配向していることが確認できた。
また、N、型液晶を封入したセルについて、磁場印加方
式の測定装置を用いて、ブレチルト角を測定したところ
22.0’であった。
式の測定装置を用いて、ブレチルト角を測定したところ
22.0’であった。
実施例3
重合度2,300、ケン化率88%のポリ酢酸ビニルの
5tJiL%水溶液511に、式 で表わされる化合物507111−加え、良くかきまぜ
ながら85%硫酸1.5.9’t”加えて攪拌すること
によりで黄色の均−溶液金得た。この溶液を67℃で一
晩加温した後、反応生成物を大量のアセトン中に加える
ことによって沈殿物を得た。この沈殿物をエタノールで
2回流−)几後、水に溶かし、再度アセトン中に沈殿さ
せ、再び沈殿物を真空乾燥させて、式 で表わされる構成単位を1.0モル係有するポリビニル
アルコール誘導体を得た。
5tJiL%水溶液511に、式 で表わされる化合物507111−加え、良くかきまぜ
ながら85%硫酸1.5.9’t”加えて攪拌すること
によりで黄色の均−溶液金得た。この溶液を67℃で一
晩加温した後、反応生成物を大量のアセトン中に加える
ことによって沈殿物を得た。この沈殿物をエタノールで
2回流−)几後、水に溶かし、再度アセトン中に沈殿さ
せ、再び沈殿物を真空乾燥させて、式 で表わされる構成単位を1.0モル係有するポリビニル
アルコール誘導体を得た。
得られ念ポリビニルアルコール誘導体を、メタノールの
30重量%水溶液に溶解させて、0.3重量%の均一溶
液を得几・ この溶液を用い、実施例1と同様にして、膜厚1.30
01の配向at−有するガラス基板を得九。
30重量%水溶液に溶解させて、0.3重量%の均一溶
液を得几・ この溶液を用い、実施例1と同様にして、膜厚1.30
01の配向at−有するガラス基板を得九。
このようにして得たガラス基板を用い、実施例1と同様
にして、セルを得た。
にして、セルを得た。
このセルに実施例1と同様にして、Nn型液晶を封入し
た。このセルの中で、液晶分子は、基板に対し垂直に配
向した。Nnff1液晶を封入し念セルに5vの交流電
圧を印加したところ、液晶層の光散乱による明暗を観察
することができた0実施例4 実施例3で得た配向膜を有するガラス基&を用い、実施
例2と同様にして、ホモジニアスセルを得た。
た。このセルの中で、液晶分子は、基板に対し垂直に配
向した。Nnff1液晶を封入し念セルに5vの交流電
圧を印加したところ、液晶層の光散乱による明暗を観察
することができた0実施例4 実施例3で得た配向膜を有するガラス基&を用い、実施
例2と同様にして、ホモジニアスセルを得た。
このセルに、実施例2と同様にして、N−1晶を封入し
た。N、型液晶を封入したセルをクロスニコル中で回転
させたところ明暗が認められ、液晶分子がラビング方向
へ良好に配向していることが確認できた。
た。N、型液晶を封入したセルをクロスニコル中で回転
させたところ明暗が認められ、液晶分子がラビング方向
へ良好に配向していることが確認できた。
また、N型液晶を封入したセルについて、実施例2と同
様にして、プレチルト角?測定したところ18.2°で
あった。
様にして、プレチルト角?測定したところ18.2°で
あった。
実施例5
x合rt1.zoosケン化率88%のポリ酢酸ビニル
の8重′It%水溶液6.9に、式 で表わされる化合物70#l!解させた後、p−トルエ
ンスルホン酸1yを加えて60℃で15時間反応させる
ことによって黄色の反応液を得几。
の8重′It%水溶液6.9に、式 で表わされる化合物70#l!解させた後、p−トルエ
ンスルホン酸1yを加えて60℃で15時間反応させる
ことによって黄色の反応液を得几。
この反応液を大量のアセトン中に加えることによって沈
殿物を得た。この沈殿物全メタノールで2回洗った後、
真空乾燥させて、式 で表わされる構成単位k1.35モルチ有するポリビニ
ルアルコール誘4体1−得7t。
殿物を得た。この沈殿物全メタノールで2回洗った後、
真空乾燥させて、式 で表わされる構成単位k1.35モルチ有するポリビニ
ルアルコール誘4体1−得7t。
得られたポリビニルアルコール紡導体を、メタノールの
30重量%水溶液に溶解させて、0.3111量チの均
一溶液を得念。
30重量%水溶液に溶解させて、0.3111量チの均
一溶液を得念。
この溶液を用い、実施例1と同様にして、膜厚1.0O
OXの配向膜を有するガラス基板を得た。
OXの配向膜を有するガラス基板を得た。
このようにして得たガラス基板を用い、実施例1と同様
にして、セルを得友。
にして、セルを得友。
このセルに、実施例1と同様にして、N1!型液晶を封
入した。このセルの中で、液晶分子は、基板に対し垂直
に配向した。Nn型液晶を封入したセルに5vの交流電
圧を印加したところ、液晶膚の光散乱による明暗を観察
することができた。
入した。このセルの中で、液晶分子は、基板に対し垂直
に配向した。Nn型液晶を封入したセルに5vの交流電
圧を印加したところ、液晶膚の光散乱による明暗を観察
することができた。
実施例6
実施例5で得た配向Mlを有するガラス基板を用い、実
施例2と同様にして、ホモジニアスセルを得た。
施例2と同様にして、ホモジニアスセルを得た。
このセルに、実施例2と同様にして、N、型液晶を封入
した。N、型液晶を封入したセルをクロスニコル中で回
転させたところ明暗が認められ、液晶分子がラビング方
向へ良好に配向していることが認められた。
した。N、型液晶を封入したセルをクロスニコル中で回
転させたところ明暗が認められ、液晶分子がラビング方
向へ良好に配向していることが認められた。
また、N型液晶を封入し之セルについて、実施例2と同
様にして、プレチルト角を測定し念ところ19.5°で
あった。
様にして、プレチルト角を測定し念ところ19.5°で
あった。
実施例7
重合度1,700.ケン化率88−のポリ酢酸ビニルの
8重量%水溶液6gに、式 で表わされる化合物80■金溶解させた後、硫酸lII
を加えて60℃で15時間反応させることによって黄色
の反応液を得た。この反応液を大量のアセトン中に加え
ることによって沈殿物を得友。
8重量%水溶液6gに、式 で表わされる化合物80■金溶解させた後、硫酸lII
を加えて60℃で15時間反応させることによって黄色
の反応液を得た。この反応液を大量のアセトン中に加え
ることによって沈殿物を得友。
この沈殿物をメタノールで2回洗った後、真空乾燥させ
て、式 で表わされる構成単位を1.40モルチ有するポリビニ
ルアルコールs導体tiた。
て、式 で表わされる構成単位を1.40モルチ有するポリビニ
ルアルコールs導体tiた。
得られ次ポリビニルアルコール誘導体を、メタノールの
30重i%水溶液に1#解させて、0.3重量%の均一
溶液を得た。
30重i%水溶液に1#解させて、0.3重量%の均一
溶液を得た。
この溶液を用い、実施例1と同様にして、膜厚1,50
0Xの配向膜全有するガラス板を得た。
0Xの配向膜全有するガラス板を得た。
このようにして得たガラス基板を用い、実施例1と同様
にして、セルを得た。
にして、セルを得た。
このセルに、実施例1と同様にして、Nn型液晶を封入
した。このセルの中で、液晶分子は、基板に対し垂直に
配向した。Nn型液晶を封入したセルに5vの交流電圧
を印加し念ところ、液晶層の光散乱による明暗全観察す
ることができた。
した。このセルの中で、液晶分子は、基板に対し垂直に
配向した。Nn型液晶を封入したセルに5vの交流電圧
を印加し念ところ、液晶層の光散乱による明暗全観察す
ることができた。
実施例8
実施例7で得た配向膜を有するガラス基板を用い、実施
例2と同様にして、ホモジニアスセルを得た。
例2と同様にして、ホモジニアスセルを得た。
このセルに、実施例2と同様にして、N、型液晶を封入
し友。N、型液晶を封入し友セルをクロスニコル中で回
転させたところ明暗が認められ、液晶分子がラビング方
向へ良好に配向していることが認められた。
し友。N、型液晶を封入し友セルをクロスニコル中で回
転させたところ明暗が認められ、液晶分子がラビング方
向へ良好に配向していることが認められた。
また、N型液晶金封入したセルについて%実施例2と同
様にしてプレチルト角を測定したところ23.0’であ
った。
様にしてプレチルト角を測定したところ23.0’であ
った。
比較例1
重合度2,000のポリビニルアルコールを、メタノー
ルの30xt%水溶液に溶解させて、0.3重f%の均
一溶液を得次。
ルの30xt%水溶液に溶解させて、0.3重f%の均
一溶液を得次。
この溶液を、透明電極を有するガラス基板上にスピンコ
ー)L、30℃で3時間乾燥させることによって、膜厚
1,1001の樹脂膜を有するガラス基板を得た。
ー)L、30℃で3時間乾燥させることによって、膜厚
1,1001の樹脂膜を有するガラス基板を得た。
このようにして得九ガラス基板を用い、実施例1と同様
にして、セルを得た。
にして、セルを得た。
このセルに、実施例1と同様にしてhNn型液晶金封゛
入した。Nn型液晶を封入し友セルに5vの交流電圧を
印加したところ、液晶層の光散乱による明暗に、乱れが
生じ友。
入した。Nn型液晶を封入し友セルに5vの交流電圧を
印加したところ、液晶層の光散乱による明暗に、乱れが
生じ友。
比較例2
比較例1で得たポリビニルアルコールmumt有するガ
ラス基板を用い、実施例2と同様にして。
ラス基板を用い、実施例2と同様にして。
ホモジニアスセルを得た。
このセルに、実施例2と同様にして、N、fi液晶を封
入した。N、型液晶を封入したセルをクロスニコル中で
回転させ友ところ、配向に乱れがあることが認められ比
。
入した。N、型液晶を封入したセルをクロスニコル中で
回転させ友ところ、配向に乱れがあることが認められ比
。
また、N型液晶を封入したセルについて、実施例2と同
様にして、プレチルト角を測定したところ2.7°であ
っ之。
様にして、プレチルト角を測定したところ2.7°であ
っ之。
本発明の液晶配向膜形成用材料は、活性光線を用いて低
温で硬化させることによって、透明性及び液晶材料に対
する安定性に優れ、かつ、液晶分子を垂直配向又は大き
く傾斜配向させることかできる液晶配向it容易に形成
できるので、液晶デバイスの高性能化を達成できると共
に、生産性の向上及び製造コストの低減化が可能である
。
温で硬化させることによって、透明性及び液晶材料に対
する安定性に優れ、かつ、液晶分子を垂直配向又は大き
く傾斜配向させることかできる液晶配向it容易に形成
できるので、液晶デバイスの高性能化を達成できると共
に、生産性の向上及び製造コストの低減化が可能である
。
代理人 弁理士 高 橋 勝 利
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Rは水素原子、又はメトキシ基を表わし、Aは
アルキル基、又はヒドロキシアルキル基で置換されてい
てもよいピリジニウム、キノリニウム又はイソキノリウ
ムを表わす。mは0〜6の整数を表わし、nは0又は1
を表わす。) で表わされる構成単位を有するポリビニルアルコール誘
導体を含有する液晶配向膜形成用材料。 2、一般式( I )で表わされる構成単位が一般式(II
)▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Rは水素原子、又はメトキシ基を表わし、Aは
アルキル基、又はヒドロキシアルキル基で置換されてい
てもよいピリジニウム、キノリウム又はイソキノリウム
を表わす。) で表わされる構成単位である請求項1記載の液晶配向膜
形成用材料。 3、一般式( I )で表わされる構成単位が一般式(II
)▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Rは水素原子、又はメトキシ基を表わし、Aは
アルキル基、又はヒドロキシアルキル基で置換されてい
てもよいピリジニウム、キノリニウム又はイソキノリニ
ウムを表わす。mは1〜6の整数を表わす。) で表わされる構成単位である請求項1記載の液晶配向膜
形成用材料。 4、ポリビニルアルコール誘導体中の一般式( I )で
表わされる構成単位の含有割合が全ビニルアルコール単
位の0.5〜30モル%の範囲にある請求項1、2又は
3記載の液晶配向膜形成用材料。 5、Rが水素原子であり、Aが▲数式、化学式、表等が
あります▼−CH_3である請求項2記載の液晶配向膜
形成用材料。 6、Rが水素原子であり、Aが▲数式、化学式、表等が
あります▼−CH_3である請求項2記載の液晶配向膜
形成用材料。 7、Rが水素原子であり、mが1であり、Aが▲数式、
化学式、表等があります▼−CH_3である請求項3記
載の液晶配向膜形成用材料。 8、Rが水素原子であり、mが2であり、Aが▲数式、
化学式、表等があります▼−CH_3である請求項3記
載の液晶配向膜形成用材料。 9、ポリビニルアルコール誘導体の含有量が0.1〜3
.0重量%である請求項1記載の液晶配向膜形成用材料
。 10、透明電極を有する基板の表面に請求項1記載の液
晶配向膜形成用材料を塗布し、得られた塗膜に活性光線
を照射して得られる樹脂重合体から成る配向膜が形成さ
れた基板を有する液晶デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15214588A JPH024223A (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 液晶配向膜形成用材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15214588A JPH024223A (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 液晶配向膜形成用材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH024223A true JPH024223A (ja) | 1990-01-09 |
Family
ID=15534020
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15214588A Pending JPH024223A (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 液晶配向膜形成用材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH024223A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5443252A (en) * | 1991-03-11 | 1995-08-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Sheet supplying apparatus for feeding sheets from cassettes having different sheet holding capacities |
JP2007521506A (ja) * | 2003-06-23 | 2007-08-02 | エクシベオ ペーペーエフ 2 アーベー | 液晶装置及びその製造方法 |
JP2009521575A (ja) * | 2005-12-23 | 2009-06-04 | イーストマン コダック カンパニー | ポリ(ビニルスチルバゾリウム)ポリマーを使用した液晶の光配向 |
-
1988
- 1988-06-22 JP JP15214588A patent/JPH024223A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5443252A (en) * | 1991-03-11 | 1995-08-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Sheet supplying apparatus for feeding sheets from cassettes having different sheet holding capacities |
JP2007521506A (ja) * | 2003-06-23 | 2007-08-02 | エクシベオ ペーペーエフ 2 アーベー | 液晶装置及びその製造方法 |
JP2009521575A (ja) * | 2005-12-23 | 2009-06-04 | イーストマン コダック カンパニー | ポリ(ビニルスチルバゾリウム)ポリマーを使用した液晶の光配向 |
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