JPH0239709A - 差動増幅回路 - Google Patents

差動増幅回路

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JPH0239709A
JPH0239709A JP18977988A JP18977988A JPH0239709A JP H0239709 A JPH0239709 A JP H0239709A JP 18977988 A JP18977988 A JP 18977988A JP 18977988 A JP18977988 A JP 18977988A JP H0239709 A JPH0239709 A JP H0239709A
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JP
Japan
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signal
input
input terminal
circuit
gate
Prior art date
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Pending
Application number
JP18977988A
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English (en)
Inventor
Hidetoshi Naito
内藤 英俊
Tomoyuki Otsuka
友行 大塚
Haruo Yamashita
治雄 山下
Ryuichi Kondo
竜一 近藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0239709A publication Critical patent/JPH0239709A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔)既要〕 その入力端子の一方に入力信号を入力し他方に基準電圧
を入力するようにして用いられる差動増幅回路に関し 2つの出力端子における出力信号のアンバランスを解消
することを目的とし。
その一方の入力端子に入力信号を入力し、他方の入力端
子に基準電圧を入力してなる差動増幅回路において、前
記基準電圧の入力される前記他方の入力端子に対して、
前記入力信号の逆相信号を入力するように構成する。
(産業上の利用分野〕 本発明は差動増幅回路に関し、更に詳しくはその入力端
子の一方に入力信号を入力し他方に基準電圧を入力する
ようにして用いられる差動増幅回路に関する。
前述の如き構成の差動増幅回路は9種々の半導体集積回
路装置(IC)において、広く用いられている。この差
動増幅回路は高速動作が可能であるため、MESFET
等で構成されるICにおいても9例えば、入力バッファ
回路として用いられる。
(従来の技術〕 第4図は従来技術説明図である。
第4図において、1ないし3はMESFET。
4及び5は抵抗素子、6はダイオードである。
MESFETI及び2は5そのソースを共通に接続され
て一対の差動トランジスタとされ、そのドレインには各
々負荷としての抵抗素子4及び5が接続されている。ダ
イオード6はレベルシフト用であり、その一端に電源電
圧v0が印加される。
MESFET3は、MESFETI及び2の共通のソー
スと電m電圧V。の間に設けられ、そのゲートも電源電
圧VSSに接続される。
差動増幅回路の一方の入力端子り、7であるMESFE
TIのゲートには、信号電圧SIG及び適当なバイアス
電圧■、からなる入力信号が入力され、他方の入力端子
であるMESFET2のゲートには、一定電圧の基準(
参照)電圧V、、、が印加される。これにより差動増幅
回路の出力端子OUT及びOUTには、各々、基準電圧
V ratに基づいて入力信号の反転信号及び非反転j
3号が得られる。
〔発明が解決しようとする課題〕
第4図において、入力端子D i++に入力された信号
が一方の出力端子OUTに出力される場合を考えると次
のようになる。
即ち、MESFETIのソース電位の変動量はゲートの
電位の変動量に対して十分に小さく無視できる。そこで
、この場合は、第5図(A)図示の如きソース接地回路
が第4図図示の回路の差動トランジスタの一方のMES
FETI又は出力端子OUTに着目した等価回路と考え
られる。
この時、第5図(A)より、入力部の帯域制限は f ci、−1/(2πr i  ’ (C’1m +
 (1+A)  C’wa)  )出力部の帯域制限は f、。uL=1/ (2πRL  ・(1+A) C’
ga)となり、全体としての帯域は f CL= (1/f” cin+l/f”co□) 
−1/lとなる。ここで C’v* −Coat +C*x (vts)C,、(
vts)=c、、/Jr丁’91/VφC’*a= C
gat  ” Cgd (vgm)Cgd (V’5)
=Cqa/  L  ’qs/Vφであり、Cg、はゲ
ートドレイン間容量1cmtはゲートドレイン間浮遊容
量、C,,はゲートソース間容遣+  C,@fはゲー
トソース間浮遊容量+Cg4はゲートドレイン間容!、
rtはゲートの入力抵抗、R5は等偏負荷抵抗、R8は
ソースの等価抵抗である。
一方、入力端子D inに入力された信号が他方の出力
端子OUTに出力される場合を考えると1MESFET
2のゲートの電位は一定でありソース電位が変動するた
め、第5図(B)図示の如きゲート接地回路が、第4図
図示の回路の差動トランジスタの他方のMESFET2
又は出力端子OUTに着目した等価回路と考えられる。
この時、第5図(B)より、入力部及び出力部fo、t
=1/(2πRL  −c’、a)となり、全体として
の帯域は rr = (1/f”tn + 1/f”oat ) 
−””となる。ここで、RoはMESFET3のソース
ドレイン間の抵抗3g7はMESFET2の相互コンダ
クタンスである。
2つの帯域’CLと17とを比較するとfr<feTで
ある。従って、2つの出力端子OUTとOUTとで周波
数特性や出力信号の振幅が異なることになり、出力信号
のアンバランスが生じるという問題があった。
本発明は、2つの出力端子における出力信号のアンバラ
ンスを解消することのできる差動増幅回路を提供するこ
とを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
第1図は本発明の原理構成図であり1本発明による差動
増幅回路を示している。
第1図において、1ないし3はMESFET。
4及び5は抵抗素子、6はダイオード、7は信号Ro”
  1/g*  ” rw 反転回路である。
MESFETI及び2はそのソースを共通に接続されて
一対の差動トランジスタとされ、そのドレインには各々
負荷としての抵抗素子4及び5が接続されている。ダイ
オード6はレベルシフト用であり、その一端に電FA電
圧V。が印加される。
MESFET3は、MESFETI及び2の共通のソー
スと電源電圧VSSO間に設けられ、そのゲートも電源
電圧VS3に接続され定電流回路を構成するようにされ
る。
差動増幅回路の一方の入力端子であるMESFETIの
ゲートには、信号電圧SIG及び適当なバイアス電圧V
、からなる入力信号が入力され。
他方の入力端子であるM E S F E T 2のゲ
ートには、基準(参照)電圧V pmfが印加される。
これに加えて、他方の入力端子には、更に、信号反転回
路7によって、一方の入力端子に入力される入力信号を
反転して得た逆相信号が入力される。
差動増幅回路の出力端子OUT及びOUTには各々入力
信号の反転信号及び非反転信号が得られ〔作用〕 出力端子OUTに着目すると、MESFE72のゲート
に前記逆相信号を入力することにより。
MESFET2のソース電位の変動量はそのゲートの電
位の変動量に対して十分小さなものとなる。
従って、第1図図示の回路の出力端子OUTに着目した
等価回路は、ソース接地回路と考えることができる。こ
れにより、差動増幅回路回路の2つの出力端子OUT及
びOUTについての各々の等価回路は1共に、類イ以の
ソース接地回路とされる。
これにより、第2図に図示の如く、前述した異なる2つ
の帯域(周波数特性)few及びf、を互いに近づけ1
点線で示すように略一致させることができる。また、2
つの出力端子OUT及びOUTに現れる出力信号の振幅
を略等しくすることができる。
〔実施例〕
第3図は実施例説明図である。
第3図において、7′はMESFETIのドレインとM
 E S F E T 2のゲートとの間に接続された
容量素子、8は入力バノファ回路、9はICの入力端子
、10はICである。
ICl0への入力信号(例えば前記信号電圧SIGとバ
イアス電圧■、からなる)は、その入力端子9  (D
i、、)に供給され1人カバソファ回路8に入力される
。入カバソファ回路8の出力端子0[JT及びOUTの
出力信号は、当該入カハノファ回路8に接続された内部
回路の入力信号とされる。入カバソファ回路8は1図示
の如く、差動増幅回路によって構成され、主として基準
電圧V refを参照する電圧比較回路である。
入力端子9に供給された信号は、直接または保護回路を
介して、入カバソファ回路8の一方の入力端子であるM
ESFETIのゲートに入力される。
一方、MESFETIのドレイン(一方の出力端子0U
T)には、そのゲートに入力された信号が反転された逆
相信号が現れる。この逆相信号は。
容量素子7′を介して、入カバソファ回路8の他方の入
力端子であるMESFET2のゲートに入力される。こ
れにより、交流的には、差動増幅回路の一方の入力端子
に入力された信号の逆相信号が他方の入力端子に入力さ
れることになる。
本実施例では、信号反転回路7は、差動増幅回路の差動
トランジスタの一方(入力端子9に接続される側)であ
るMESFETIと、容量素子7′とからなる。このよ
うに構成することは1本実施例の如き差動増幅回路型の
入力バッファ回路において、特に有利である。即ち、容
量素子7′を差動トランジスタの一方の出力端子(OU
T)と他力の入力端子との間に付加するのみであるから
、逆相信号の入力を必要とせず入カバソファに適してお
り、また、入力バノファ回路8の面積をあまり大きくせ
ずにすむ。
なお3本実施例は、一方の出力端子OUTから基準電圧
V□、が入力される入力端子へ、容量素子7′によって
、帰還経路を設けたものと考えることもできる。容量素
子7′の容量値を変更することにより帰還量を調整し、
出力端子OUT及びOUTへの出力信号の大きさを略等
しくできる。
入カバソファ回路8の2つの出力端子OUT及びOUT
に出力される出力信号は1周波数特性(帯域)の揃った
相補信号とされ、その大きさ(振幅)も容量素子7′の
容量値を適当に設定することにより略等しくできる。
以上1本発明を実施例により説明したが9本発明はその
主旨に従い種々の変形が可能である。例えば、MOSF
ET等の他のFET、又はバイポーラトランジスタによ
って構成される差動増幅回路についても1本発明を適用
することができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように1本発明によれば、入力端子の一方
に入力信号を供給し他方に基$電圧を供給する差動増幅
回路において、基!l#電圧が供給される他方の入力端
子に前記入力信号を反転した逆相信号を入力することに
よって5出力端子に出力される信号の周波数特性を略等
しくすることができ、出力信号のアンバランスを無くす
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の原理構成図。 第2図は本発明の作用説明図 第3図は実施例説明図。 第4図は従来技術説明図。 第5図は従来技術の問題点説明図。 1ないし3はMESFET、4及び5は抵抗素子56は
ダイオード、7は信号反転回路、7′は容量素子、8は
入力バンファ回路、9は入力端子10はIC0

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 その一方の入力端子に入力信号を入力し、他方の入力端
    子に基準電圧を入力してなる差動増幅回路において、 前記基準電圧の入力される前記他方の入力端子に対して
    、前記入力信号の逆相信号を入力するようにした ことを特徴とする差動増幅回路。
JP18977988A 1988-07-29 1988-07-29 差動増幅回路 Pending JPH0239709A (ja)

Priority Applications (1)

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JP18977988A JPH0239709A (ja) 1988-07-29 1988-07-29 差動増幅回路

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0473365A2 (en) * 1990-08-31 1992-03-04 Nec Corporation Differential input circuit
JP2007235938A (ja) * 2006-03-01 2007-09-13 Princeton Technology Corp シングルエンド入力/差動エンド出力低雑音増幅器
JP2008199611A (ja) * 2007-02-08 2008-08-28 Samsung Electronics Co Ltd 補償部を備える信号変換器

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP0473365A2 (en) * 1990-08-31 1992-03-04 Nec Corporation Differential input circuit
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