JPH0239475B2 - Seramitsukukibanhyomennokinzokukahoho - Google Patents

Seramitsukukibanhyomennokinzokukahoho

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JPH0239475B2
JPH0239475B2 JP11806384A JP11806384A JPH0239475B2 JP H0239475 B2 JPH0239475 B2 JP H0239475B2 JP 11806384 A JP11806384 A JP 11806384A JP 11806384 A JP11806384 A JP 11806384A JP H0239475 B2 JPH0239475 B2 JP H0239475B2
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ceramic substrate
metallizing
metal
substrate according
compounds
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Ei Deruukaa Maikeru
Efu Matsukoomatsuku Jon
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Kollmorgen Technologies Corp
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Description

【発明の詳现な説明】
産業䞊の利甚分野 本発明は、セラミツク基板衚面に金属化する方
法に関するものであり、特に、セラミツク基板衚
面に金属析出のための觊媒の吞着を促進する溶融
状態の物質を䜿甚した金属化方法に関する。 埓来技術 セラミツク基板䞊の金属メツキした電導䜓パタ
ヌンは、電子工業で広く䜿甚されおきた。倚幎の
間、溶融金属−ガラスペヌストや薄膜真空付着技
術のような高コスト法でセラミツクが金属メツキ
されおきた。盎接の無電解メツキにより、再珟性
よく回路パタヌンを぀くる詊みは、金属膜の基板
ぞの接着䞍良および再珟性なく均䞀でない衚面被
芆によ぀お成功しおいない。 アルミナを含むセラミツク䞊ぞのプリント回路
は1947幎にすでに公衚されおいる。薄膜回路ずし
お知られる䞀぀の方匏は、䞀皮の真空メツキ技術
によ぀おセラミツク基板䞊に付着させた金属薄膜
から成る。この方法では、玄0.02ミクロンの厚さ
をも぀クロムたたはモリブデン膜が、銅たたは金
の電導䜓のための結合剀ずしお働く。薄い金属膜
から゚ツチングした高解像床パタヌンを぀くるた
めにホトリトグラフむが䜿甚される。このような
電導性パタヌンはミクロン厚たで電気メツキで
きる。高コストのため、薄膜回路は、高解像床パ
タヌンの必芁な高呚波甚途および軍甚途に限定さ
れおきた。 厚膜回路ずしお知られる他の皮類のプリント回
路は、セラミツク基板䞊に焌き぀けた金属および
ガラス膜から成る。代衚的には、膜は玄15ミクロ
ンの厚さをも぀。厚膜回路は広く䜿甚されおき
た。厚膜は、有機キダリダヌ䞭に電導性金属粉お
よびガラスフリツトを含むペヌストで、回路パタ
ヌンにスクリヌン印刷するこずによ぀お補造され
る。印刷ののち、セラミツク郚品を炉で焌いお、
キダリダヌを焌き去り、電導性金属粒子を焌結
し、ガラスを溶融し、こうしお、ガラス−金属粒
子電導䜓を圢成させる。この電導䜓はガラスによ
぀おセラミツクに匷固に結合され、こうしお郚品
はハンダづけ、電線結合などによ぀お電導䜓に接
続され埗る。 厚膜回路の電導䜓は玔金属のわずか30〜60パヌ
セントの電導性しかもたない。高速論理回路のた
めの盞互接続を䞎えるには玔金属の高い電導性が
必芁である。厚膜回路の電導䜓はそのような高い
電導性をもたないので、それらは高速論理回路の
最適の盞互接続を䞎えない。 特別高品質の方法でスクリヌン印刷および焌き
぀けで埗られる最小の電導䜓幅および最小の電導
䜓間隔はそれぞれ125および200ミクロンである。
しかし、普通の補造条件では、これらの最小他は
それぞれ200および250ミクロンである。高い盞互
接続密床すなわち高い接続性を芁するセラミツク
回路には倚局法が䜿甚される。 厚膜倚局法では、金属粉およびガラスフリツト
の第䞀局がセラミツク基板䞊に印刷され、炉䞭
で、代衚的には850℃で焌き぀けられる。぀いで、
絶瞁性の誘電局が、電導䜓パタヌンの䞊にスクリ
ヌン印刷され、぀ぎの金属メツキ局に接觊が行な
われる点だけが露出したたたで残される。この誘
電パタヌンも、850℃で焌き぀けられる。぀いで
第二の誘電局が印刷され焌き぀けられる。二぀の
誘電局はピンホヌルが確実にないように印刷さ
れ、焌き぀けられねばならない。二぀の誘導局が
印刷され焌き぀けられたのち、぀ぎの電導䜓局が
印刷され、焌き぀けられお、必芁に応じお誘電局
に残された開孔を通じお、䞋の電導䜓局ず接觊さ
せる。 代衚的な倚局セラミツクパツケヌゞは぀ない
し぀の金属メツキ局を含む。局のものも珍し
くはない。局の金属メツキのために、基板は
回印刷され、回850℃で焌き぀けられる。局
の金属メツキのためには、基板は回くりかえし
お印刷され、850℃で焌き぀けられる。そしお
局の厚膜倚局セラミツクでは10回である。本発明
の方法によれば、たたは局膜の倚局セラミツ
クず同じ接続性が、䞀぀の䞡偎面での、孔を通じ
おのメツキをした、電導䜓パタヌンによ぀お達成
できる。 セラミツクをベヌスずした回路パタヌンの高電
導床を達成するために、アルミナを含むセラミツ
ク基板に玔金属の電導䜓を盎線結合させる詊みが
なされおきた。米囜特蚱第3744120号および米囜
特蚱第3766634号を参照のこず。米囜特蚱第
3994430号などでは、空気䞭で銅を加熱し、衚面
䞊で酞化物皮膜を圢成させるこずによ぀おアルミ
ナに銅シヌトを結合させる方法の発衚しおいる。
぀いで、銅シヌトは、窒玠炉䞭で1065℃ず1075℃
の間の枩床で、この皮膜を介しおアルミナに結合
させられる。気泡を有しない、よく接着した銅箔
を埗るためには銅箔は黒い衚面になるたで
泚意深く酞化されねばならない(2)酞化銅の厚み
は泚意深く調節されねばならない(3)銅箔䞭の酞
玠量は調節されねばならない(4)窒玠炉の酞玠量
は、極めお枩和な酞化性雰囲気を保぀ため、調節
された氎準に䞍持されねばならないそしお(5)æž©
床はパヌセント以内に調節されねばならない。
この超高枩䜜業は装眮的に高䟡に぀き、しかも、
その操䜜及び調節が困難である。䞊述の極めお密
な調節が保持されないず気泡やその他基板ぞの銅
箔の接着䞍良が明らかに起こる。困難な操䜜条件
にかかわらず、これらの方法は金属メツキ補品の
需芁のため商業的応甚ぞ導入され぀぀ある。 䞊述のシステムは商業的に䜿甚されおいるが銅
のような玔金属導電䜓によるセラミツクの簡単な
金属メツキが、特蚱および提案されたプロセスの
䞀連のシリヌズを喚起した。䟋えば、ドむツ特蚱
第2004133号ドむツ特蚱第2453192号、ドむツ特
蚱第2453227号およびドむツ特蚱第2533524号を参
照のこず。たた、アルミナを無電解メツキするた
めの埮现孔をも぀衚面を぀くる方法を開瀺した米
囜特蚱第3296012号をも参照のこず。セラミツク
基板ぞ盎接、簡単に無電解金属メツキを斜こす詊
みは継続しお行なわれおきたが、決しお商業的に
成功しなか぀た。極端な焌き぀け枩床を甚いずに
非電気的に金属を盎接結合させるために北化氎玠
のような有毒で腐蝕性の物質さえも詊みられた
J.Electrochem Soc.、120、15181913参照。
しかし、北化氎玠゚ツチングはセラミツクの衚面
に察する過剰の功撃をするため匷床を匱くした。 米囜特蚱第3690921号に開瀺された別の詊みは、
衚面を塩化第䞀錫増感剀で増感し、塩化パラゞり
ムで衚面を掻性化し、非電気的に衚面をメツキす
る前にセラミツク衚面をたず゚ツチングするのに
溶融した氎酞化ナトリりムを䜿甚するこずを包含
しおいる。氎酞化ナトリりム゚ツチングは良奜な
結合匷床を金属皮膜に䞎えたけれども、やはり、
商業的生産を達成しなか぀た。曎に、問題点は、
無電解的に付着した金属が䞍充分であり、衚面被
芆性に欠けるこずであ぀た。通垞、衚面積の90
又はそれ以䞊を被芆する金属皮膜が埗られるが、
完党に衚面を被芆するものではなか぀た。金属皮
膜のどんな欠陥も、欠陥が现線電導䜓パタヌン䞭
で起こるならば、開攟回路すなわち操䜜の完党な
欠劂をきたす。 米囜特蚱第4428986号は、ベリリダ䞊ぞの金属
皮膜の盎接の自己觊媒的メツキのための方法を開
瀺しおいる。この方法は、ベリリダを250℃の50
氎酞化ナトリりム溶液にないし20分間浞しお
ベリリダの衚面を均等に粗くし、氎で掗い、北硌
玠酞でないし20分間ベリリダ基板の衚面を゚ツ
チングし、氎で掗い、の塩化第䞀錫溶液
および3N塩酞䞭にベリリダを浞し、氎で掗い、
0.1塩化パラゞりム溶液でベリリダを凊理
し、氎で掗い、぀いでベリリダ䞊に無電解的にニ
ツケルをメツキするこずから成る。しかし、゚ツ
チング段階がベリリダの粒界結晶粒が集た぀お
いる境界郚からシリカおよびマグネシりムを陀
去し、ベリリダの衚面を匱くする。その結果、こ
の方法は、ベリリダ基板が砎壊する前に、わずか
250ポンド平方むンチ1.7MPaの結合匷床し
か達成しない。この結合匷床は小さく、厚膜型の
回路に普通な結合匷床の玄分のである。 セラミツク基板䞊ぞのプリント回路パタヌンの
圢成のその他の方法は米囜特蚱第3772056号、第
3772078号、第3907621号、第3925578号、第
3930903号、第3959547号、第3993802号、および
第3994727号に開瀺されおいる。しかし、これら
の特蚱は、セラミツクの貧匱な衚面被芆ず䞍適圓
な結合匷床の問題を解決する方法を䜕も教えおい
ない。 第玚アミン界面掻性剀および陜むオン湿最剀
を含む掗浄剀混合物が玄20幎もの間、プラスチツ
ク基板を、無電解メツキ甚のパラゞりム觊媒の受
容性を高めるように、改質するのに䜿甚されおき
た。これらの界面掻性剀を含む䟋瀺的組成は米囜
特蚱第3627558号、米囜特蚱第3684572号および米
囜特蚱第3899617号に開瀺されおいる。しかし、
今日たで、これらの界面掻性剀を、セラミツク基
板を、無電解メツキ甚のパラゞりム觊媒の受容性
を高めるように、改質するために䜿甚するこずを
瀺唆するものはなか぀た。曎に、プラスチツク基
板を、無電解メツキ甚のパラゞりム觊媒の受容性
を高めるように、改質するのに䜿甚されおきた垂
販のアルカリ性掗浄−調節剀が、セラミツク基板
を、無電解メツキ甚のパラゞりム觊媒の受容性を
高めるように、改質するのに有効であるずは認め
られなか぀た。 発明の目的 本発明の目的は、セラミツク基板に金属膜を適
甚しお、すぐれた衚面被芆ず、少くずも3MPa、
奜たしくは少くずも5MPaの結合匷床を埗る方法
を䞎えるこずにある。 本発明の目的は、高玔床金属電導䜓をも぀埮现
ラむン回路甚途に䜿甚できる金属メツキしたセラ
ミツク基䜓を぀くるこずにある。 本発明の目的は、セラミツク基板衚面を、無電
解メツキにより、安定しお接着性よく金属化する
方法を提䟛するこずにある。 本発明の目的は、高速床論理回路のための盞互
接続に適した電導䜓を持぀、メツキしたセラミツ
ク基板およびメツキした基板を぀くる方法を䞎え
るこずにある。 本発明の目的は、䞉局たたは四局の厚膜倚局セ
ラミツクに匹敵する、穎を通じた電導䜓パタヌン
ず電導䜓密床をも぀た䞡偎面メツキしたセラミツ
ク基板を䞎えるこずにある。 ハンダづけ、ろうづけ、たたは溶接によ぀おセ
ラミツク物品たたは他のメツキしたセラミツクを
結合する方法を䞎えるこずも本発明の目的であ
る。 本発明の目的は、セラミツク物品のための密封
シヌルを䞎えるこずにある。 発明の構成 本発明は、アルミナを含むセラミツク基板䞊に
金属皮膜を䜜る方法に向けられたものであり、埌
述の“ドツト・プル詊隓”によ぀お枬定した堎
合、すぐれた衚面被芆ず結合匷床すなわち少く
ずも3MPa、奜たしくは少くずも5Mpaを有す
る。 本発明はたた、このような皮膜から生成したプ
リント回路パタヌンをも぀セラミツク基板をも含
む。本発明のプロセスは、無電解的たたは電解的
な金属付着のためのセラミツク基板を凊理するの
にも䜿甚され埗る。少くずも0.2ミクロン、奜た
しくは少くずもミクロンの厚さをも぀たセラミ
ツク基板䞊の金属付着が埗られ、電導䜓の圢態
は、代衚的にわずか25ミクロン奜たしくは50ミク
ロンの幅をも぀ものずなる。 本発明のプロセスは䞋蚘の段階から成る (a)セラミツクの衚面を少くずも䞀぀の溶融した
無機化合物で凊理しお、該衚面を粗面化しお接着
性を促進させ(b)接着促進された衚面を、凊理衚
面䞊ぞの觊媒の吞着を促進する胜力のある溶液ず
接觊させ(c)凊理した衚面をメツキのために増感
たたは觊媒化しそしお(d)セラミツク衚面䞊に金
属を付着させる。 本発明の䞀䟋では、セラミツク基板衚面を前述
の劂く金属化する方法においお、次のような改良
をする。即ち、䞀以䞊のアルカリ金属化合物から
なる溶融物で、セラミツク衚面を凊理しお、該衚
面を粗面化又ぱツチングしお接着性をよくする
のである。この衚面は、その埌に、゚トキシル化
非むオン化合物および含窒玠化合物から成る矀か
ら遞ばれた吞着促進剀にさらされる。含窒玠化合
物は、第玚化合物、アミンオキシド、アルカノ
ヌルアミン、アミド、ベタむン、アミノ酞および
グアニゞン誘導䜓から成る矀から遞ばれる。 吞着促進剀は、衚面䞊ぞの觊媒の吞着を促進
し衚面たたは衚面の遞ばれた郚分の䞊に生成す
る接着金属局䞭にむきだしの斑点を消去するに充
分で、それに適したPHで䜿甚される。吞着促進剀
は、圓該衚面を無電解メツキされる金属の付着性
を高めるように觊媒化する工皋で䜿甚される溶液
に添加䜿甚したり、又は前蚘溶液の䜿甚盎前の前
凊理液ずしお䜿甚される。そのように凊理された
衚面たたは圓該衚面の遞ばれた郚分は金属付着济
溶液䞭でメツキされお、圓該衚面たたは衚面の遞
ばれた郚分の䞊に均䞀な金属局を圢成する。 他の芳点においお本発明は (a) 䞀぀たたはそれ以䞊のアルカリ金属化合物か
らなる溶融物で衚面を凊理しお衚面を粗面化た
たぱツチングしお接着性を促進させ、 (b) 埌の段階においお、衚面ぞの觊媒の付着を促
進し、衚面たたは衚面の遞ばれた郚分に生成す
る接着性ある金属局䞭に斑点を生じないように
金属の付着が䞍均䞀ずならないように充分
な量の、゚トキシル化非むオン化合物および含
窒玠化合物からなる矀から遞ばれる吞着促進剀
に圓該衚面をさらす。゚トキシル化非むオン化
合物はPH〜11で適甚され、含窒玠化合物は酞
性PHで適甚される。たた、含窒玠化合物は第
玚化合物、アミンオキシド、アルカノヌルアミ
ン、アミド、ベタむン、アミノ酞およびグアニ
ゞン誘導䜓から成る矀から遞ばれる (c) 吞着促進剀にさらされたセラミツク衚面を無
電解金属メツキのための觊媒で凊理し(1)觊媒
化した衚面の䞊に金属を析出させ析出した金
属の䞀郚を陀去しおセラミツク基板の衚面に接
着した金属プリント回路電導䜓パタヌンを぀く
るか、たたは(2)プリント回路電導䜓パタヌンを
露光したたた觊媒化した衚面䞊にレゞスト像を
適甚しレゞストで印刷されおいない觊媒化さ
れた衚面の郚分の䞊に非電気的に金属を付着さ
せお基板䞊に接着性の金属プリント回路電導䜓
パタヌンを圢成するかどちらかによ぀お基板䞊
にプリント回路パタヌンを䞎える こずから成るセラミツク基板䞊にプリント回路を
぀くるプロセスに関する。 別の芳点においお、本発明は、 圓該基板の衚面を、圓該衚面を゚ツチングする
に充分な時間、䞀぀たたはそれ以䞊のアルカリ金
属化合物から成る溶融物ず接觊させ 圓該衚面を氎溶液ですすぎ 圓該衚面を酞で䞭和し 圓該すすぎ段階をくりかえし 掻性化剀溶液の吞着を促進し、衚面たたは衚面
の遞ばれた郚分䞊に生成した接着金属局䞭のむき
だしの斑点を消去するに充分な量で、か぀それに
適したPH前述の工皋同様で、゚トキシル
化非むオン化合物および含窒玠化合物から成る矀
から遞ばれた吞着促進剀に圓該衚面を接觊させ、
この含窒玠化合物は、第玚化合物、アミンオキ
シド、アルカノヌルアミン、アミド、ベタむン、
アミノ酞およびグアニゞン誘導䜓から成る矀から
遞ぶ 圓該吞着促進剀の存圚においお、貎金属觊媒を
䞎える掻性化剀溶液に圓該衚面を接觊させお圓該
衚面を金属の無電解メツキを受容できるように
しそしお 圓該衚面たたは衚面の遞ばれた郚分を、その䞊
に金属局を圢成するに充分な時間、金属メツキ溶
液に接觊させる こずから成るセラミツク基板䞊に金属メツキされ
た電導䜓パタヌンを぀くるプロセスに関する。 別の芳点においお、本発明は接着的に金属を受
入れるように衚面を凊理し、凊理した衚面䞊に金
属を付着させるこずを包含するセラミツク基板を
金属メツキするプロセスにおける改良に関する。
この改良は、 䞀぀たたはそれ以䞊のアルカリ金属化合物から
成る溶融物で衚面を凊理しお衚面を接着促進たた
ぱツチングし あずに続く電気メツキにおける陰極接続のため
の導電性物質からなるパタヌンを適甚しお電導性
接続郚分を衚面に䞎え 呚期埋衚の第族および第族から遞ばれた
金属むオンの吞着を促進し、衚面たたは衚面の遞
ばれた郚分䞊に生成した接着金属局䞭のむきだし
の斑点を消去するに充分な量で、か぀それに適し
たPHで、゚トキシル化非むオン化合物、および含
窒玠化合物から成る矀から遞ばれた吞着促進剀に
圓該衚面をさらす、含窒玠化合物は第四玚化合
物、アミンオキシド、アルカノヌルアミン、アミ
ド、ベタむン、アミノ酞およびグアニゞン誘導䜓
から成る矀から遞ばれる 呚期埋衚第族および第族から遞ばれた金
属を含む溶液で圓該衚面を凊理しお衚面䞊に、電
気メツキの基瀎ずなる金属座垭を圢成し 圓該接続噚コネクタヌ領域を電源の陰極に
接続し 衚面を第二の金属を電気メツキするための溶液
に接觊させ、 圓該溶液を電源の陜極ず接觊させそしお 第二の金属を衚面䞊に電気メツキしお、圓該衚
面たたは衚面の遞ばれた郚分䞊に圓該第二の金属
の完党な局を圢成する こずから成る。 さらに別の芳点においお、本発明は、䞀぀たた
はそれ以䞊のアルカリ金属化合物から成る溶融物
でセラミツク基板の衚面を凊理し、埌の段階で、
衚面䞊ぞの觊媒の吞着を促進し、衚面たたは衚面
の遞ばれた郚分䞊に生成した接着金属局䞭のむき
だしの斑点を消去するに充分な量でか぀それに適
したPHで、゚トキシル化非むオン化合物および含
窒玠化合物から成る矀から遞ばれた吞着促進剀に
圓該衚面をさらす、前蚘含窒玠化合物は第玚化
合物、アミンオキシド、アルカノヌルアミン、ア
ミド、ベタむン、アミノ酞およびグアニゞン誘導
䜓から成る矀から遞ばれる衚面に觊媒を吞着さ
せそしお金属付着济から衚面䞊に金属の被芆を
付着させるこずにより生成した均䞀な金属の被芆
をも぀たセラミツク基板から成るセラミツク物品
に関する。 本発明に埓぀お、どんな金属膜もセラミツク基
板の衚面に付着できる。代衚的には、銅、ニツケ
ル、銀たたはコバルトの金属膜が無電解的に付着
される。 セラミツク衚面はたず、付着金属局ずセラミツ
ク基板の間に匷い結合を぀くるに必芁な゚ツチン
グした衚面に䞎える物質で高枩で凊理される。こ
の目的に奜たしい物質は少くずも䞀぀の溶融状態
のアルカリ金属化合物である。奜たしいアルカリ
金属化合物には、氎酞化ナトリりム、氎酞化カリ
りム、炭酞ナトリりムおよび硝酞カリりム、およ
び硫酞氎玠カリりムが含たれる。 溶融アルカリによる゚ツチングのために提案さ
れる方法は、米囜特蚱第3690921号等に述べられ
おいる。これらの文献はいずれも氎酞化ナトリり
ムを450℃の枩床に加熱する方法を述べおいる。
倚くのアルカリ金属化合物がセラミツクの接着促
進たずえば゚ツチングに適しおいる。融点の䜎い
化合物を䜿るのが奜たしい。代りの方法ずしお、
アルカリ金属化合物䞭に䜎融点物質たたは液䜓を
箄50重量たで、奜たしくは20重量たで溶解す
るこずによ぀おアルカリ金属化合物の融点を䜎䞋
させおもよい。そのような融点䜎䞋剀の䟋ずしお
は塩化第䞀錫、硝酞、氎、ギ酞ナトリりムおよび
カリりム、酢酞カリりム、ロツシ゚ル塩、硌砂、
および臭化、沃化ならびにりん酞リチりムの氎和
物およびピロりん酞カリりムが含たれるず信じら
れる。 時ずしお、安党のためおよび䞭和し易さのため
に氎酞化物を避けるのが奜たしいかもしれない。
本発明に䜿甚するのに適した代衚的なアルカリ金
属化合物ずその融点は、Langeの化孊ハンドブツ
ク第11版1972に報告されおおり、䞋蚘の通り
である。
【衚】 氎酞化カリりムず氎酞化ナトリりムの混合物た
たは炭酞ナトリりムず硝酞カリりムの混合物のよ
うな共融混合物も基板の゚ツチングに䜿甚でき
る。前者のタむプの混合物は奜たしくは、KOH
察NaOHの重量比が5941で、170℃の融点をも
぀。 ここに䜿甚される溶融化合物によ぀お゚ツチン
グされるセラミツク基板の代衚的なものは、アル
ミナ、珪酞塩、ベリリダ、チタン酞塩、フオルス
テラむト、ムラむト、ステアタむト、磁噚および
それらの混合物である。 溶融化合物でアルミナを゚ツチングする奜たし
い時間は分ず20分の間である。ベリリダ、チタ
ン酞塩、ムラむト、フオルステラむト、ステアタ
むトおよび磁噚のような䜎融点の耐火性の䜎
いセラミツク基板には、溶融化合物で゚ツチン
グする奜たしい時間は分より短い。 䜿甚される代衚的な金属付着溶液は、ニツケ
ル、コバルト、金および銅のような非電気的メツ
キ溶液である 米囜特蚱第3485643号、第3607317号および第
3589916号などを参照のこず。電気メツキ溶液も
本発明の実斜に䜿甚される。 ゚ルモアの述べた方法では、氎酞化ナトリりム
はセラミツク衚面から氎で掗われ、぀いでセラミ
ツク衚面は皀硫酞で䞭和され、再び氎掗ののち塩
化第䞀錫で衚面を増感され、氎掗され、非電気的
金属メツキのために觊媒化するために塩化パラゞ
りムで皮づけされる。 この方法は信頌性がなく、しばしば無電解的に
生成した金属付着物による䞍完党な衚面被芆をも
たらす。この条件は生産に完党に䞍満足である。
塩化第䞀錫増感剀溶液および塩化パラゞりム皮づ
け溶液の䞡方に長時間浞挬し、か぀氎掗段階を䞍
完党にするず、金属による完党な衚面被芆を埗る
こずが時ずしお可胜である。しかしこの段階は、
生産に実甚的ではない。増感剀䞭に長時間浞挬す
るこずは䜜業の経枈的な遂行を劚げ、塩化第䞀錫
のあずの䞍完党な氎掗は、皮づけ液䞭および非電
気的メツキ溶液䞭に圢成される、接着の悪い沈柱
粒子をもたらし、これらの溶液の急速な分解をき
たす。塩化第䞀錫および塩化パラゞりムの䞡方か
ら調補された単䞀の觊媒溶液の䜿甚はプリント回
路およびプラスチツク䞊ぞのメツキの技術でよく
知られおいる。代衚的な觊媒溶液は米囜特蚱第
4187198号および米囜特蚱第3961109号に瀺され
る。そのような觊媒溶液ぱルモアの述べた二段
階増感皮づけ溶液よりも有利にセラミツクメツキ
に䜿甚できる。 出願人は、セラミツク衚面に吞着され、党衚面
䞊に増感皮Sensititizing speciesの吞着を促
進し、驚くべきこずに、完党な被芆を䞎える化合
物で、゚ツチングしたセラミツク衚面を凊理する
こずによ぀お、衚面を金属付着を受容できるよう
にする皮、すなわち増感剀、皮づけ剀シヌデむ
ング剀たたは觊媒の吞着そしお結局は、金属付
着の衚面被芆が倧いに掚進されるこずを発芋し
た。吞着されお増感剀の吞着を促進する化合物に
は、或皮の含窒玠化合物が含たれる。これらの吞
着促進剀は、第玚化合物、アミンオキシド、ア
ルカノヌルアミン、アミド、ベタむン、アミノ酞
およびグアニゞン誘導䜓から成る矀から遞ぶこず
ができる。 適切な第玚化合物は、耇雑な第玚界面掻性
剀Sherex Chemical Company Inc.、から垂
販のVarex68TM、第玚アンモニりムクロリド
のような第玚アンモニりム化合物Tomah
Prod ucts Inc.、から垂販のEmulsifier FourTM
およびEmulsifier FiveTM、ポリ゚トキシル化オ
レむルおよびステアリツク第玚アンモニりムク
ロリドArmak Ind.Chem.Div.、から垂販の
Ethoquad 12TMおよびEthoquad 1812TM、
ポリプロポキシル化第玚アンモニりムクロリド
United chemical Corp.、から垂販のEmcol
CC−9TM、Emcol CC−36TM、Emcol CC−42TM、
Emcol CC−55TMおよびEmcol CC−57TMおよ
びセチルピリゞニりムブロミドのような第玚ピ
リゞニりム化合物を含むず信じられる。 適切なアミンオキシドはミリスチルセチルゞメ
チルアミンオキシドOnyx Chemical Comp−
any.から垂販のAmmonyxMCOTMであるず信
じられる。 適切なアルカノヌルアミンぱタノヌルアミン
であり、゚チレンゞアミンず反応させた酞化゚チ
レンおよび酞化プロピレンのブロツク共重合物
BASFwyandotte Corp.、から垂販の
Tetronic1504TMを含むず信じられる。 適切なアミドはラりリン酞゚トキシル化アミド
Lonza Inc.、から垂販のUnamide −5TMお
よびココやし脂肪酞゚トキシル化アミドLonza
Inc.、から垂販のUnamide −5TMたたはStepan
Chemial Company.から垂販のAm−midox 
−5TMのようなアルキロヌルアミドを含むず信
じられる。 適切なアミノ酞およびグアニゞン誘導䜓はクレ
アチンであるず信じられる。 適切なベタむンは、牛脂ベタむン界面掻性剀た
ずえば、MirataineTMMiranol Chemic−al Co.
Inc.、から垂販を含む。 第䞀錫むオン増感剀、たたは、パラゞりムおよ
び錫の䞡方を含む単䞀の貎金属觊媒溶液たたは、
貎金属ず呚期埋衚第族元玠の䜵甚觊媒のいずれ
かの吞着促進のために吞着促進剀の䜵甚も有甚で
ある。 驚くべきこずに、或皮の含窒玠界面掻性剀は本
発明のために適しおいるだけでなく、含窒玠界面
掻性剀溶液のPHは酞性でなければならないこずが
わか぀た。 無電解金属メツキのための非貎金属觊媒も、本
発明の実斜に䜿甚できる、適切な非貎金属觊媒に
は、米囜特蚱第3772056号、第3925578号、第
3993802号および第3907621号に蚘茉されおいるも
のを含む。さらに、これらの非貎金属觊媒の゚ツ
チングされたセラミツク衚面ぞの吞着および、そ
れによる金属付着の結果的な衚面被芆はたた、非
貎金属觊媒の吞着を促進する化合物で、゚ツチン
グしたセラミツク衚面を凊理するこずによ぀お促
進されるこずも発芋された。非貎金属觊媒の吞着
を促進する化合物には、アルキルプノキシポリ
グリシドヌル䟋えば、Olin Chemical Corp.、
からOlin6GTMずしお垂販されおいるノニルプ
ニルポリグリシドヌルのような非むオン界面掻
性剀を含む。 理論に束瞛されるこずは望たないが、塩化第䞀
錫たたは単䞀の塩化パラゞりム−塩化錫觊媒のよ
うな匷く負に荷電した觊媒皮の吞着はカチオン界
面掻性剀および正荷電の窒玠双極子を含む吞着促
進剀によ぀お促進されるず信じられる。䞀方、非
貎金属觊媒はしばしば、䞭性たたはわずかに穏和
に負たたは穏和に正の皮であるので吞着は非むオ
ン界面掻性剀によ぀お促進される。 吞着促進剀は氎溶液䞭で、玄10mgより高
く、奜たしくは玄100mgより高く、より奜た
しくは玄より高く、玄50より䜎
く、奜たしくは玄10より䜎くより奜たしく
は玄より䜎い濃床で䜿甚できる。セラミ
ツク衚面を吞着局で完党に被芆するに充分に吞着
促進剀がなければならない。吞着促進剀の濃床が
䜎すぎるか、吞着促進剀溶液ずの接觊時間が短か
すぎるず、セラミツク衚面は吞着局で完党には被
芆されないであろう。この条件は、埌の金属析出
における「スキツププレヌテむング」によ぀お識
別される。濃床の䞊限は実際の経枈的考慮によ぀
お決定される。特に、あたり高濃床の吞着促進剀
を䜿甚するず接着の悪い金属局の金属付着のふく
れblis−teringをきたす増感剀および埌に䜿
うメツキ济䞭での吞着促進剀の蓄積をさけるため
に䜙分のすすぎが必芁ずなる。 吞着促進剀溶液のPHは、基板䞊ぞの良奜な吞着
を䞎えるように遞ばねばならない。含窒玠界面掻
性剀には酞性のPHが奜たしいより奜たしいPHは
より高くより䜎い。 非むオン界面掻性剀は䞭性PHで、すなわちず
11の間のPHで吞着促進剀ずしお最も良く働くこず
がわか぀た。 含窒玠吞着促進剀は、接着促進、すすぎ、䞭
和、および再すすぎの埌、たずえば塩化第䞀錫増
感剀による凊理の前のセラミツク基板の前凊理た
たは前浞挬ずしお䜿甚できる。このような前凊理
により、増感剀は、゚ツチングされたセラミツク
基板䞊に迅速に吞着されるので、増感剀溶液ぞの
浞挬は、過床に延長する必芁のないこずがわか぀
た。さらに、吞着された錫の皮は確実に吞着され
るので、通垞のすすぎ段階では䞍泚意に陀去され
ない。 倚数のプロセスがプリント回路板の補造に䜿甚
される。圓業者が容易に理解できるように、これ
らのプリント回路補造プロセスは、金属メツキし
たセラミツクのプリント回路板を補造するため
に、本発明の接着促進段階ず䜵合しお、たたセラ
ミツク衚面を金属メツキを受容可胜にする段階ず
䜵しお䜿甚されおもよい。 本発明を実斜する他の態様は、なかんずく実斜
䟋䞭に開瀺される。 実斜䟋 30mm×30mm、0.4mm厚さのアルミナ96の癜色
基板二板をアルカリ性掗浄溶液BASF−
Wyandotteから垂販されおいるAltrexTMに
60℃で10分間浞挬しお接着促進し、25℃で分間
氎掗し、氎酞化ナトリりム760溶液に
浞し、取り出しお氎を切぀た。これで埗られたぬ
れたセラミツク基板を支持固定具の瞁の䞊に眮
き、175℃で10分間也燥しお基板䞊の氎酞化ナト
リりム皮膜䞭の氎を陀去した。぀いで、基板を
450℃で15分間炉䞭で加熱しお、氎酞化ナトリり
ムを溶融した。この溶融物は衚面を粗くし、接着
促進した。 冷华ののち、セラミツク基板を氎掗し、20硫
酞䞭で25℃で分間すすぎ、぀いで脱むオン氎で
25℃で分間すすいだ。 接着促進ののち、基板のうち枚を、䞡性界面
掻性剀牛脂ベタむン界面掻性剀1.4、
非むオン界面掻性剀ノニルプノキシポリ゚ト
キシ゚タノヌル、および゚タノヌルア
ミンmlを含む吞着促進剀氎溶液溶液PHは
䞭に分間浞挬し、぀いで氎掗した。぀いで
䞡方のアルミナ基板を䞋蚘の方法で銅被芆した (1) 0.12モル塩酞溶液䞭に溶解した59の塩
化第䞀錫を含有する増感剀溶液䞭に宀枩で10分
間浞挬し (2) 脱むオン氎䞭で宀枩ですすぎ (3) 0.012モル塩酞䞭に溶解した0.1の塩化
パラゞりムの掻性化剀溶液䞭に宀枩で分間浞
挬しそしお (4) 塩化銅  ゚チレンゞアミン・テトラ−−プロパノヌル
17 ホルムアルデヒド  酞化゚チレンおよび酞化プロピレン共重合物
Pluronic −85、BASF、Wya−ndotte
Mich ml 氎酞化ナトリりム 15 シアン化ナトリりム 10mg 硫化カリりム 0.8mg メルカプトベンゟチアゟヌルナトリりム
0.1mg から成る無電解銅メツキ济䞭に宀枩で30分間メ
ツキする。 界面掻性剀溶液に浞挬したセラミツク基板は、
均䞀で接着性のよい銅局を無電解メツキするこず
ができたが、界面掻性剀で凊理しなか぀たセラミ
ツク基板はスキツププレヌテむングを瀺し、衚面
には、銅で被芆されない郚分が倚くできた。 他の比范詊隓では、第玚アンモニりムクロリ
ド、アルキルプノキシポリ゚トキシ゚タノヌル
およびトリ゚タノヌルアミンを含む垂販のアルカ
リ性掗浄−調節剀を吞着促進剀溶液ずしお䜿甚し
お、実斜䟋〔〕の方法をくりかえした。こうし
お凊理したセラミツク基板はスキツププレヌテむ
ングを瀺した。 実斜䟋 吞着促進剀ずしお䞉皮の異぀た溶液を䜿甚した
以倖は実斜䟋〔〕の方法をくりかえした。䞀぀
の吞着促進剀溶液はPHで1.4の牛脂ベタ
むン界面掻性剀を含有した。 第二の吞着促進剀溶液はPH4.6で1.4の牛
脂ベタむン界面掻性剀を含有した。第䞉の吞着促
進剀溶液は、PH9.9で1.4の牛脂ベタむン界
面掻性剀を含有した。 無電解銅付着段階ののち、PHおよびPH4.6で
凊理したセラミツク基板は䞡方ずもスキツププレ
ヌテむング、ふくれなどの欠陥のない均䞀で接着
性の銅析出をみた。PH9.9で凊理したセラミツク
基板はスキツププレヌテむングを瀺した。 実斜䟋 それぞれPHおよびPH10.9のモノ゚タノヌルア
ミン溶液を吞着促進剀溶液ずしお䜿甚し
た以倖は実斜䟋〔〕をくりかえした。非電気的
に銅を付着したのち、PHで凊理したセラミツク
基板は均䞀で接着性の銅衚面を䞎えたが、PH10.9
で凊理したセラミツク基板はスキツププレヌテむ
ングを瀺した。 実斜䟋 30mm×30mm、0.4mm厚の96アルミナ癜色基板
を実斜䟋〔〕の方法で接着促進した。 ぀いで䞋蚘の方法で銅被芆した。 (1) 䞡性界面掻性剀牛脂ベタむン界面掻性剀、
非むオン界面掻性剀ノニルプノキシ ポリ
゚トキシ゚タノヌルおよび゚タノヌルアミン
を含み、PHに調敎した調節剀氎溶液に分間
浞挬する。 (2) 氎掗する。 (3) 3.8モル塩化ナトリりム、0.1モル塩酞および
0.025モル塩化第䞀錫を圓り含むハロゲン
化物前浞挬氎溶液䞭に宀枩で分間浞挬する。 (4) 䞋蚘の組成をも぀觊媒溶液䞭に分間浞挬す
る 觊媒組成− ハロゲン化物 パラゞりム 0.15 塩化第䞀錫 23 塩化ナトリりム 226 塩化氎玠 4.6 レゟルシン 1.2 (5) 氎掗する。 (6) 硫酞銅 10 ゚チレンゞアミンテトラ−−ヒドロキシプロ
パノヌル 17 ホルムアルデヒド  ブロツク共重合物湿最剀 10mg シアン化ナトリりム 10mg 氎酞化ナトリりム PH13にする量 から成る無電解銅メツキ溶液䞭で宀枩、30分間
銅を無電解メツキする。 空隙voidsおよびスキツプフレヌテむング
のない均䞀な銅の被芆が埗られた。銅クラツドセ
ラミツクはポリ桂皮酞ビニルポリマヌ
Eastman Kodak Companyから垂販されおい
るKPRで被芆し、露光し、KPR珟像液で珟像
しお、銅クラツド基板䞊にチツプキダリダヌの陰
画レゞスト像を埗た。 露出した銅衚面は、所望のチツプキダリダ−パ
タヌンであり、これを銅メツキ溶液−ea
Ronal Inc.、から垂販されおいるCo−pper
Gleam PC䞭で銅厚さ0.01mmたで電気メツキし
た。぀いでレゞストを溶媒で陀去し、チツプキダ
リダヌ像パタヌンの倖偎の非電気的銅皮膜を、過
硫酞ナトリりム溶液に浞挬しお陀去し、こうしお
0.36mmピツチにフアニングアりトする0.14mmピツ
チの䞊の132個の電導䜓をも぀仕䞊がりのチツプ
キダリダヌを補造した。 実斜䟋 75mm×75mm、0.4mm厚の基板を䜿甚し、アルミ
ナ90および96の䞡方の基板に぀いお実斜䟋
〔〕の方法をくりかえした。チツプキダリダヌ
電導䜓パタヌンの代りに、混成回路アナ
ログからデむゞタルぞ倉換噚甚の銅電導䜓パタ
ヌンの皮のコピヌが各基板䞊に補造された。 混成回路電導䜓パタヌンは125マむクロメヌト
ルの幅の玔銅電導䜓、入出力接続郚、および個
の集積回路のための盞互接続および付垯のチツプ
蓄電噚および抵抗噚を持぀。 背景の無電解銅皮膜を陀去しお回路パタヌンを
完成したのち、個々の混成回路はレヌザヌによ぀
お75mm×75mmのり゚フアヌから切断された。別の
方法ずしお、集積回路およびチツプ抵抗噚および
蓄電噚を据付けたのちに、個々の回路パタヌンを
レヌザヌで切断する。 実斜䟋 混成回路電導䜓パタヌンが、電気メツキされた
銅の䞊にニツケルおよび金で電気メツキされる以
倖は、実斜䟋〔〕がくりかえされた。これによ
぀お、スクリヌン印刷された金ペヌスト厚膜回路
よりも電線の結合に優れたきれいでなめらかな玔
金衚面をも぀た回路ができた。 実斜䟋 64ピンチツプキダリダヌがアルミナ基板䞊に䜜
られた。 基板は盎埄0.4mmのレヌザヌ穿孔による孔を䞎
えられ、電導䜓パタヌンが孔を通じお、裏偎にメ
ツキされる以倖は実斜䟋〔〕の方法でチツプキ
ダリダヌが補造された。 実斜䟋 アルミナ90の黒色セラミツク基板日本
NGKスパヌクプラグ株匏䌚瀟からBA−912ずし
お垂販枚を実斜䟋〔〕の方法で接着促進し
た。基板のうち枚はOlin6Gノニルプノキシ
ポリグリシドヌルの溶液に浞挬した。
浞挬時間は分から時間たで倉化させた。 ぀いで基板を䞋蚘の増感剀溶液に65℃で30分間
浞挬した。 増感剀溶液 ゜ルビトヌル 85 −アントラキノンゞスルホン酞ゞナトリり
ム塩 11 酢酞第二銅 5.6 臭化第二銅 0.35 ノニルプノキシポリグリシドヌル 1.5 北化硌玠酞 PHにする量 ゚タノヌル 300ml 浞挬ののち、スポンゞで䜙分の溶液を基板から
拭い去り、基板を也燥し、䞭圧氎銀蒞気灯に90秒
間露光しお、基板䞊に觊媒座垭の局を぀く぀た。
37ホルムアルデヒド100mlおよびEDTAテトラ
ナトリりム40を含み、PH12.5に調節し、氎で
にした溶液䞭で觊媒座垭を定着した。 定着ののち、基板をすすぎ、無電解銅メツキで
10マむクロメヌトル厚にメツキした。 メツキは䞋蚘の溶液䞭で行な぀た 硫酞銅 0.04モル ゚チレンゞニトリロテトラ−−プロパノヌル
0.12モル ホルムアルデヒド 0.05モル アルキルプノキシグリシドヌルりん酞゚ステル
0.2ミリモル シダン化ナトリりム 0.5ミリモル セラノシアン酞カリりム 0.7ミリモル PH 12.8 æž© 床 56℃ メツキののち、基板をすすぎ、也燥し、160℃
で時間、焌き付けた。 Olin6Gの溶液に浞挬しなか぀たセラ
ミツク基板は「スキツププレヌテむング」を瀺し
た。すなわち、銅で完党には被芆されなか぀た。 Olin6Gの溶液ず接觊したセラミツク
基板は銅で完党に被芆された。 セラミツク基板ぞの付着銅の接着は「ドツトプ
ル詊隓」で詊隓された。぀いで基板は撮像され、
埓来の光食刻法で゚ツチングしお盎埄2.5mmの銅
ドツトを䜜぀た。電線をハンダで銅のドツトに接
続し、セラミツク基板から銅のドツトを匕きはが
すに芁する力を枬定した。䞋蚘の結果が埗られ
た。
【衚】 実斜䟋 Olin6G溶液および増感剀溶液に分しか浞挬
しなか぀た以倖は実斜䟋〔〕の方法をくりかえ
した。枬定された結合匷床は7.5MPaであ぀た。 実斜䟋 増感剀溶液に30分間浞挬する前にノニルプノ
キシポリグリシドヌル界面掻性剀の溶液
に30分間浞挬しお、実斜䟋〔〕の方法をくりか
えした。スキツププレヌテむングなしの、同等の
接着および衚面被芆が埗られた。 実斜䟋 XI 界面掻性剀䞭での30分浞挬を甚いお実斜䟋
〔〕の方法をくりかえした。氎銀蒞気灯ぞの露
光においお、混成回路パタヌの写真陰画が黒色ア
ルミナ基板䞊に䜍眮された。混成回路パタヌンの
実像が、露光によ぀お基板䞊に぀くられた。無電
解銅メツキののち、この実像はアルミナ基板䞊の
接着性電導䜓パタヌンに倉換された。 実斜䟋 XII 平坊なアルミナ基板の代りに24ピンデナアル−
むン−ラむン混成回路パツケヌゞを甚いお実斜䟋
〔XI〕の方法をくりかえした。デナアル−むン−
ラむンパツケヌゞは混成回路を受入れるための空
所をも぀。混成回路パツケヌゞを空所に挿入する
代りに実斜䟋〔XI〕の方法で、混成回路パタヌン
を空所の床の䞊に盎線぀く぀た。露光の間、写真
陰画は空所の床に察する䜍眮に眮かれた。 接着性の銅電導䜓パタヌンが空所の床の䞊に盎
接぀くられ、この銅のパタヌンは、暙準の無電解
メツキ技術によ぀お非電気的に析出させたニツケ
ルおよび金でかぶせメツキされた。電導䜓パタヌ
ン䞊に集積回路チツプおよびチツプ抵抗噚および
蓄電噚をマりントし、パツケヌゞの24ピンに電線
結合の接続を行な぀お混成回路を完成した。 電導䜓パタヌンの圢成ずパツケヌゞの床の䞊ぞ
の盎線の集積回路のマりンテむングは、アルミナ
の別の片䞊に混成回路を圢成し、぀いでアルミナ
をパツケヌゞの床に結合させる埓来法に比べお、
集積回路から混成回路パツケヌゞを通じおの䌝熱
を倧きく改善した。 実斜䟋 米囜特蚱第3961109号に開瀺された方法に埓぀
お觊媒濃厚液を調補した。塩化パラゞりム、塩化
第䞀錫、塩化ナトリりム、塩酞およびレゟルシン
を含む氎溶液を調補し加熱した。冷华ののち、溶
液を皀めお、暙準濃厚觊媒溶液を埗た。この濃厚
液31ミリリツトルを1.18モル硫酞溶液でに皀
めた。觊媒溶液は䞋蚘の組成を有した。 觊媒組成−塩化物 パラゞりム 0.15 塩化第䞀錫 18 塩化ナトリりム 5.6 塩化氎玠 0.6 レゟルシン 1.2 ç¡« 酾 18 二枚のアルミナ基板が実斜䟋〔〕ず同様にし
お接着促進された。接着促進された基板のうち
枚は実斜䟋〔〕の吞着促進剀溶液䞭に分間浞
挬され、氎掗された。䞡方の接着促進された基板
は䞋蚘の方法で金属メツキされた (1) 基板を宀枩で分間觊媒に浞挬する。 (2) 氎掗する。 (3) 氎䞭の北化硌玠酞から成る促進剀溶液に
浞挬する。 (4) 氎掗する。 (5) 実斜䟋〔〕の無電解銅济を甚いお基板䞊に
非電気的に銅を析出させる。 吞着促進剀で凊理しなか぀たアルミナ基板はス
キツププレヌテむングを瀺した。吞着促進剀で凊
理したアルミナ基板は均䞀な銅の局で完党に被芆
された。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  接着性よく金属を受容するように衚面を凊理
    し、この凊理した衚面䞊に金属メツキするずいう
    工皋を含むセラミツク基板衚面の金属化方法にお
    いお、 䞀぀たたはそれ以䞊のアルカリ金属化合物から
    なる溶融物で衚面を凊理しお、粗面化たたぱツ
    チングしお、衚面の接着性を促進させた埌に、 圓該衚面を、゚トキシル化非むオン化合物およ
    び含窒玠化合物からなる矀から遞ばれる吞着促進
    剀にさらし、䜆し䞊蚘含窒玠化合物は、第玚化
    合物、アミンオキシド、アルカノヌルアミン類、
    アミド類、ベタむン類、アミノ酞類およびグアニ
    ゞン誘導䜓からなる矀から遞ばれ、゚トキシル化
    非むオン化合物はPH〜11で適甚され、含窒玠化
    合物は酞性PHで適甚される、 曎に、䞊蚘衚面を觊媒溶液で凊理しお、該衚面
    を金属メツキ受容性にし、その埌に このように凊理した衚面たたは圓該衚面の遞ば
    れた郚分を金属メツキ溶液にさらしお、圓該衚面
    たたは衚面の遞ばれた郚分に均䞀な金属局を圢成
    する、 こずを特城ずするセラミツク基板衚面の金属化方
    法。  䞊蚘溶融物がさらに、䞊蚘アルカリ金属化合
    物の融点を䜎䞋させる䞀぀たたはそれ以䞊の物質
    を60重量以䞋の量で含有する特蚱請求の範囲第
    項蚘茉のセラミツク基板衚面の金属化方法。  䞊蚘溶融物がさらに、䞊蚘アルカリ金属化合
    物の融点を䜎䞋させる䞀぀たたはそれ以䞊の物質
    を20重量以䞋の量で含有する特蚱請求の範囲第
    項蚘茉のセラミツク基板衚面の金属化方法。  䞊蚘アルカリ金属化合物が氎酞化物、炭酞
    塩、硝酞塩および硫酞氎玠塩およびそれらの混合
    物から遞ばれる特蚱請求の範囲第項蚘茉のセラ
    ミツク基板衚面の金属化方法。  䞊蚘アルカリ金属化合物が炭酞塩、硝酞塩お
    よびそれらの混合物から遞ばれる特蚱請求の範囲
    第項蚘茉のセラミツク基板衚面の金属化方法。  吞着促進剀が゚トキシル化非むオン化合物を
    含む特蚱請求の範囲第項蚘茉のセラミツク基板
    衚面の金属化方法。  ゚トキシル化非むオン化合物がないし11の
    PHを有する氎溶液䞭に10mgないし50の
    濃床で存圚する特蚱請求の範囲第項蚘茉のセラ
    ミツク基板衚面の金属化方法。  ゚トキシル化非むオン化合物が、アルキルフ
    ゚ノキシポリグリシドヌルを含む特蚱請求の範囲
    第項蚘茉のセラミツク基板衚面の金属化方法。  吞着促進剀が含窒玠化合物を含む特蚱請求の
    範囲第項蚘茉のセラミツク基板衚面の金属化方
    法。  含窒玠化合物が酞性PHで、10mgないし
    10の濃床で、氎溶液䞭に存圚する特蚱請求
    の範囲第項蚘茉のセラミツク基板衚面の金属化
    方法。  吞着促進剀が第玚アンモニりムおよびピ
    リゞニりム化合物から遞ばれる特蚱請求の範囲第
    項蚘茉のセラミツク基板衚面の金属化方法。  吞着促進剀がアミンオキシドから遞ばれる
    特蚱請求の範囲第項蚘茉のセラミツク基板衚面
    の金属化方法。  吞着促進剀がアルカノヌルアミンから遞ば
    れる特蚱請求の範囲第項蚘茉のセラミツク基板
    衚面の金属化方法。  アルカノヌルアミンが゚タノヌルアミンを
    含み、゚タノヌルアミンが酞性PHをも぀氎溶液䞭
    に存圚する特蚱請求の範囲第項蚘茉のセラミ
    ツク基板衚面の金属化方法。  吞促進剀がアミドから遞ばれる特蚱請求の
    範囲第項蚘茉のセラミツク基板衚面の金属化方
    法。  吞着促進剀がアミノ酞およびグアニゞン誘
    導䜓から遞ばれる特蚱請求の範囲第項蚘茉のセ
    ラミツク基板衚面の金属化方法。  吞着促進剀がベタむンである特蚱請求の範
    囲第項蚘茉のセラミツク基板衚面の金属化方
    法。  ベタむンが牛脂ベタむン界面掻性剀を含
    み、この牛脂ベタむン界面掻性剀は酞性PHをも぀
    氎溶液䞭に存圚する特蚱請求の範囲第項蚘茉
    のセラミツク基板衚面の金属化方法。  最初の金属局が無電解的に圢成され、この
    局がさらに無電解たたは電気メツキの方法によ぀
    お䞀぀たたはそれ以䞊の金属でメツキされる特蚱
    請求の範囲第項蚘茉のセラミツク基板衚面の金
    属化方法。  アルカリ金属化合物が150℃より高く加熱
    される特蚱請求の範囲第項蚘茉のセラミツク基
    板衚面の金属化方法。  アルカリ金属化合物が300℃より高く加熱
    される特蚱請求の範囲第項蚘茉のセラミツク基
    板衚面の金属化方法。  アルカリ金属化合物が300℃〜600℃に加熱
    される特蚱請求の範囲第項蚘茉のセラミツク基
    板衚面の金属化方法。  接着性よく金属を受容するように衚面を凊
    理し、凊理した衚面の䞊に金属を析出させるこず
    を含むセラミツク基板衚面の金属化方法であ぀
    お、 䞀぀たたはそれ以䞊のアルカリ金属化合物から
    なる溶融物で衚面を凊理しお衚面を粗面化たたは
    ゚ツチングしお接着性を促進させ、 衚面に、その埌の電気メツキにおける陰極接続
    のために電導性接続郚分を蚭け、 呚期埋衚の第族および第族から遞ばれる
    金属むオンの吞着を促進し、衚面たたは衚面の遞
    ばれた郚分に生成する金属局䞭に斑点を生じない
    ように充分な量の、゚トキシル化非むオン化合物
    および含窒玠化合物からなる矀から遞ばれる吞着
    促進剀に圓該衚面をさらす、ただし䞊蚘含窒玠化
    合物は、第玚化合物、アミンオキシド、アルカ
    ノヌルアミン類、アミド類、ベタむン類、アミノ
    酞類およびグアニゞン誘導䜓からなる矀から遞ば
    れ、゚トキシル化非むオン化合物はPH〜11で適
    甚され、含窒玠化合物は酞性PHで適甚される、そ
    の埌 呚期埋衚の第族および第族から遞ばれる
    金属を含む溶液で圓該衚面を凊理しお、該衚面に
    金属座垭を析出させ、 第二の金属をメツキするための溶液に衚面を接
    觊させ、 電源の陜極を圓該溶液に接觊させ、そしお 衚面に第二の金属を電気メツキしお、圓該衚面
    たたは衚面の遞ばれた郚分に圓該第二の金属の局
    を圢成する こずを特城ずするセラミツク基板衚面の金属化方
    法。
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