JP2001358444A - 配線基板及び配線基板の製造方法及び製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】はんだ接合の際、ニッケルの酸化膜により界面
破断が起こるといった問題があり、その解決が望まれて
いた。 【解決手段】無電解用配線基板の無電解ニッケルめっき
後に、ニッケル酸化膜を除去しながら、金めっき膜が析
出可能な電解フラッシュ金めっきプロセスを組み合わせ
ることにより、接続信頼性の良好なはんだ接合が得られ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は配線基板に関わり、
半導体のフリップチップ接合あるいはＢＧＡのはんだボ
ール接合等の接続信頼性を必要とする外部接続端子を備
えた配線基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】配線基板には電子部品等を搭載接続する
ために、数１００個の外部接続端子が設けられており、
これら外部接続端子を除く基板表面には配線パターンを
保護するため、一般に耐熱性絶縁膜としてソレダーレジ
ストが被覆されている。

【０００３】上記配線基板の外部接続端子ははんだボー
ル接続信頼性確保のため、端子上にめっきが施されるの
が一般的である。例えば無電解ニッケル−リン／金めっ
き膜にはんだ接続した例として、（１）American Socie
ty of Mechanical Engineers、97-WA-EEP-10 (1997)、
（２）Uemura Technical Reports、15 (1998)、または
（３）Metal Finishing、42 (1998)に開示されてい
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】例えば、ニッケル膜と
スズを含むはんだとの接続では、ニッケル／スズの合金
が形成され良好な接合が得られる。しかし文献（２）で
指摘されているように、電気ニッケル／電気金めっき膜
にはんだ接続した場合よりも無電解ニッケル／無電解金
めっき膜にはんだ接続した場合の方が、接合強度が弱い
（ニッケルとはんだ界面での破断発生）といった問題が
あった。

【０００５】事実、本発明者らもＳｎ−Ｐｂ系、Ｓｎ−
Ａｇ系、Ａｕ−Ｓｎ系の各種はんだにおいて、無電解ニ
ッケル膜とはんだとの接合界面破断問題に直面した。

【０００６】したがって、接合信頼性を優先するなら
ば、配線基板へのめっきは電気めっきプロセスが必須で
あったが、以下に述べる理由によりトータル的には無電
解めっきプロセスの方が多くのメリットがあることが判
った。

【０００７】即ち、（イ）配線引き回しの自由度が高
く、より微細配線が可能、（ロ）導通リードがないの
で、パッケージ外周部でのモールドレンジとの接合不良
が起きにくい、（ハ）導通リードのアンテナ作用による
ノイズ発生の影響がない、（ニ）通電するための専用治
具を必要としないので量産性に優れる。

【０００８】そこで本発明の第１の目的は、上記従来の
無電解めっきプロセスの問題点を解消し、はんだと良好
な接合が得られるめっき膜を付与した外部接続端子をも
つ配線基板を提供することであり、第２の目的は第１の
目的を達成するための製造方法及び製造装置を提供する
ことにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、先ずはん
だと無電解ニッケル-リン／無電解金めっき膜の界面破
断原因が、無電解ニッケル膜に起因するものであるのか
それとも無電解金めっき膜に起因するものであるのかを
切り分けるために、無電解ニッケル-リン／電気金めっ
きと電気ニッケル／無電解金めっきの組み合わせにおけ
るはんだとの接合強度を剪断試験により比較検討した。
その結果を表１に示す。

【００１０】その結果、無電解ニッケル-リン／電気金
めっき膜の場合、はんだとの界面破断は認められなかっ
た。一方、電気ニッケル／無電解金めっき膜でははんだ
との界面破断が認められた。そして、剪断後界面破断面
をマイクロオージェで分析した結果、ニッケルの著しい
酸化を確認した。

【００１１】更に本発明者等は、リンを含まない無電解
ニッケル−ボロン系のめっき膜でも上記と同様のはんだ
剪断実験を行なった。その結果、電気金めっき膜との組
み合わせでは界面破断が認められず、無電解金めっき膜
との組み合わせでは界面破断が認められた。また界面破
断面のマイクロオージェ分析により、ニッケル−リン系
と同様ニッケルの著しい酸化が確認された。

【００１２】以上の知見より本発明者等は、はんだとの
拡散フロントに存在するニッケル酸化膜がはんだ接合強
度を低下させる原因の一つであると推定した。

【００１３】ニッケルの酸化膜が形成される過程として
は、基板をニッケルめっき槽から引き上げた直後から進
行し、水洗槽へ搬送するまでの時間、水洗時間、次工程
の金めっき槽に投入されるまでの搬送時間、金めっき液
中と多岐にわたる。これらの工程は無電解、電気めっき
プロセスに共通するものであるが、電気めっきプロセス
では、電気ニッケルめっき後の電気フラッシュ金めっき
により、たとえニッケル表面が酸化していてもめっき時
発生する水素ガスで酸化膜を除去しながら金膜を析出す
るため、ニッケル/金層に酸化膜は存在しないと仮定し
た。

【００１４】一方、無電解めっきプロセスにおけるニッ
ケルめっき後の無電解金めっきでは、置換金めっきによ
りイオン化傾向の差を利用してニッケル面に金皮膜を析
出させる。この反応メカニズムではニッケルの酸化膜除
去は期待できない。

【００１５】そこで発明者等は無電解めっき仕様の配線
基板に、置換金めっき膜の代わりに電気フラッシュ金め
っき膜を付与する方法を考案し、以下に述べる無電解／
電解混成めっきプロセス発明に至った。

【００１６】すなわち、図１のごとく無電解ニッケルめ
っき後、従来の置換金めっきの代わりに電気フラッシュ
金めっきを行なう方法である。図２は一般的な従来の無
電解めっきプロセスである。電気フラッシュ金めっき膜
厚は、置換金めっき膜厚と同様０．０２〜０．２０μ
ｍ、より好ましくは０．０５〜０．１０μｍである。

【００１７】めっき膜厚が０．０２μｍより薄いと下地
ニッケル膜を完全に金で被覆できず、露出したニッケル
面が酸化しはんだ接合に悪影響を及ぼす。また０．２０
μｍより厚いとめっき時間が長く効率的でないので金膜
厚をさらに厚くしたい場合は、電気フラッシュ金めっき
後に厚付け無電解金めっきあるいは厚付け電気金めっき
を行なうことが好ましい。但し電気金めっきで厚付けす
る場合、電気めっき特有の基板内膜厚バラツキが顕著と
なるので、電気めっき槽内に遮蔽板あるいはダミーめっ
き板等を設置してもよい。しかしより好ましくはフラッ
シュ金めっき後の厚付けは均一膜厚性に優れた無電解金
めっきを使用することである。

【００１８】図３は本発明の電解フラッシュ金めっき装
置概略図であり、図４は従来の一般的な電解フラッシュ
金めっき装置概略図である。なお本発明の原理を説明し
やすいように被めっき物としてニッケル板を用いて示し
た。

【００１９】すなわち本発明の電解めっき方法において
は、被めっき物は直接外部電源と接続しないでアノード
及びカソード両極間に設置することを特徴とする。また
被めっき物をめっき槽に投入する際は、被めっき物によ
りアノード極側とカソード極側のめっき液を完全に分断
しなければならない。これにより通電した際の電気力線
は、被めっき物の導体部分を介してのみアノード側から
カソード側に抜けることになる。

【００２０】従って被めっき物を設置する際は、被めっ
き物とめっき槽壁を密着保持でき、かつ被めっき物がめ
っき液中に完全に水没しないよう高さ調整するためのガ
イド等を装置内に設けることが望ましい。なおガイド自
体が導体の場合電気力線がガイドを通して流れるので、
ガイドは不導体であれば形態等は特に限定されない。

【００２１】電気金めっき時の電子移動をめっき槽断面
から説明したものを図５に、比較例として従来技術を図
６に示した。通電を開始すると図５のごとくアノード板
より電子が放出される。次に電子はニッケル板Ａ面上で
金イオンの還元に消費され、Ａ面に電気金めっき膜が形
成される。同時にニッケル板Ｂ面上からニッケルの溶解
及び水の分解と共に電子が放出される。放出された電子
はカソード板で再び金イオンの還元に消費される。この
一連の電子の移動により被めっき物に直接外部電源を接
続しなくとも電気金めっき膜が付与できる。

【００２２】なおアノード板及びカソード板には白金
板、白金／チタン板、パーマノード板、金板等使用でき
るが、溶解性のアノード板の場合、溶解物がめっき液を
分解に至らしめるものでなければこの限りでない。

【００２３】また本発明の電解めっき装置を用いれば、
被めっき物の両面に連続して電解金めっき膜を付与する
ことも容易である。すなわち、まず被めっき物のアノー
ド電極と対面する面に電気金めっき膜を析出させた後、
外部電源の極性を反転させ通電すれば被めっき物を何ら
入れ替えすることなくもう一方の面にもめっき膜を付与
できる。なおめっき用外部電源の電流波形としてはＤＣ
（Direct Current）法、パルス法、ＰＲ（Periodic Rev
erse）法、ＰＷＶＲＣ（Pulse-Width-Varied Reversal
Current）法等、従来技術同様に使用できる。

【００２４】次に本発明の電解めっき装置の特徴のひと
つである、複数の被めっき物を同時にめっきする方法に
ついて、一例を図７及び図８に示した。これらの図では
３枚の被めっき物（ニッケル板）を同時に電解金めっき
した場合の概観を示したが、基本的には単数でも複数枚
でも被めっき物を介して電子が移動し電流が流れるとい
う本発明の原理に変わりはない。

【００２５】また本発明の電解めっき方法について電解
フラッシュ金めっきを例に挙げ説明したが、その用途は
電解フラッシュ金めっきに限定されるものではない。例
えば配線基板の外部端子に高融点はんだ（Ａｕ−Ｓｎ、
Ｓｎ−Ａｇ等）を接合する場合、共晶はんだのリフロー
温度では生成しないニッケル−リン合金（Ｎｉ_３Ｐ等）
が形成され、はんだ接合強度低下原因になりうることは
すでに述べた。

【００２６】この問題を解決するために発明者等は図９
のごとく、無電解ニッケル−リンめっき後に本発明の電
解めっき装置で電気ニッケルめっきを付与することを思
いついた。事実この着想はほぼ正しく、はんだとの拡散
フロントとなるニッケルめっき膜の表面層のみ純ニッケ
ル膜を付与することで、ニッケル−リン合金の影響を阻
止できた。

【００２７】すなわち、従来無電解用配線基板には付与
できなかった高純度ニッケル膜が得られるので、高融点
はんだ（Ａｕ−Ｓｎ、Ｓｎ−Ａｇ等）との接合信頼性が
向上するといった利点がある。

【００２８】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を、図１１を
用いて説明する。この図はＣＳＰ(Chip Size/Scale Pac
kage)実装におけるベアチップと外部端子をつなぐイン
タポーザを、図１の無電解／電解混成めっきプロセスに
よりめっきした過程を示した断面図である。

【００２９】すなわち図１１（Ａ）は、セラミック基板
１を使用した内部接続がスルーホール接続による銅配線
２断面構造を示している。上面はベアチップ側配線で下
面ははんだボール接続のための接続端子を示す。そして
図１１（Ｂ）は無電解ニッケルめっきにより両面同時に
めっき層３を形成した基板断面構造を示している。

【００３０】次に、図１１（Ｃ）は本実施例の電気めっ
き槽により基板上面のみ薄付け金めっき層４を形成した
断面構造を示している。さらに図１１（Ｄ）は電気めっ
き用電源の極性を反転させ基板下面にも薄付け金めっき
層４を形成した基板断面構造を示している。図１１
（Ｅ）はさらに金膜を厚付けするために無電解金めっき
により両面同時に金めっき層５を形成した基板断面構造
を示している。

【００３１】なお、実際の配線基板にはこの種の外部接
続端子が数１００個形成されている。

【００３２】以下、図１あるいは図９に示したプロセス
に従い本実施例を更に詳述する。また、比較例として図
２あるいは図１０に示したプロセスに従い詳述する。

【００３３】〈実施例１〉まず、セラミック（絶縁層）
１から露出した外部接続端子の形成領域（銅層）２の表
面を洗浄するために、酸性脱脂液（ワールドメタル社製
の脱脂液：Ｚ−２００、４０℃、１分）に浸積した。

【００３４】そして一次水洗、二次水洗各２分後、銅表
面のライトエッチング（過硫酸ナトリウム：１０ｇ／
Ｌ、室温、１分）を行った。

【００３５】一次水洗、二次水洗後、銅酸化膜を除去す
るために酸処理（１０％硫酸、室温、１分）を行い、さ
らに銅表面を無電解ニッケルめっきに対して活性化する
ために、Ｐｄ活性化処理（日立化成工業社製の触媒液：
ＳＡ−１００、室温、３分）した。

【００３６】一次水洗、二次水洗各１分を行った後、無
電解ニッケル−リンめっき（日本カニゼン社製のめっき
液：Ｓ−７９５、９０℃、２５分）を行い、膜厚約７μ
ｍのニッケル−リンめっき膜を形成した。

【００３７】次に一次水洗、二次水洗各１分後、図３に
示した本発明の電解めっき装置にて、まず片面に電気フ
ラッシュ金めっき（ＥＥＪＡ社製のめっき液：ニュート
ロネクス ストライク、室温、３Ａ／ｄｍ²、４０秒）を
行い、膜厚約０．１μｍの金めっき膜を形成した。

【００３８】次に電源の極性のみを反転させ、もう一方
の面に電気フラッシュ金めっきを続けて行い、膜厚約
０．０５μｍの金めっき膜を形成した。

【００３９】再び一次水洗、二次水洗各１分を行った
後、無電解金めっき（日立化成工業社製のめっき液：Ｈ
ＧＳ−２０００、６５℃、６０分）を行い、膜厚約０．
７μｍの金めっき膜を形成した。

【００４０】次に一次水洗、二次水洗各２分後ブロー乾
燥し、さらに空気中１５０℃で４時間熱処理乾燥した。
そして、はんだリフロー（共晶はんだ、２００℃以上、
１分）後、剪断試験による破断モードを観察した。その
結果を比較例と共に表２に示した。

【００４１】〈実施例２〉本実施例では、図１に従いま
ず試料を上記実施例１のＰｄ活性化処理（日立化成工業
社製の触媒液：ＳＡ−１００、室温、３分）まで上記実
施例１と同様にして作成した。

【００４２】一次水洗、二次水洗各１分後、無電解ニッ
ケル−ボロンめっき（ワールドメタル社製のめっき液：
ニボロン−ＫＯＭ、６５℃、６０分）を行い、膜厚約７
μｍのニッケル−ボロンめっき膜を形成した。

【００４３】次に一次水洗、二次水洗各１分後、図３に
示した本発明の電解めっき装置にて、まず片面に電解フ
ラッシュ金めっき（ＥＥＪＡ社製のめっき液：ニュート
ロネクス ストライク、室温、３Ａ／ｄｍ²、４０秒）を
行い、膜厚約０．１μｍの金めっき膜を形成した。

【００４４】次に電源の極性のみを反転させ、もう一方
の面に電解フラッシュ金めっきを続けて行い、膜厚約
０．０５μｍの金めっき膜を形成した。

【００４５】再び一次水洗、二次水洗各１分後、無電解
金めっき（日立化成工業社製のめっき液：ＨＧＳ−２０
００、６５℃、６０分）を行い、膜厚約０．７μｍの金
めっき膜を形成した。

【００４６】次に一次水洗、二次水洗各２分後ブロー乾
燥し、さらに空気中１５０℃で４時間熱処理乾燥した。
そして、はんだリフロー（高融点Ｓｎ−３Ａｇはんだ、
２６０℃、１０分）後、剪断試験による破断モードを観
察した。その結果を比較例と共に表２に示した。

【００４７】〈実施例３〉本実施例では、図９に従いま
ず試料を上記実施例１の無電解ニッケル−リンめっき
（日本カニゼン社製のめっき液：Ｓ−７９５、９０℃、
２５分）まで実施例１と同様に作成した。

【００４８】次に一次水洗、二次水洗各１分後、図３に
示した電解めっき装置にて、はんだと接続するための外
部接続端子側に電解ニッケルめっき（ワット浴：硫酸ニ
ッケル ２５０ｇ／Ｌ、塩化ニッケル ４５ｇ／Ｌ、ほ
う酸 ３５ｇ／Ｌ、ワールドメタル社製のめっき添加
剤：ゼロオール ２０ｍＬ／Ｌ、４７℃、２Ａ／ｄ
ｍ²）を行い、ニッケル−リンめっき膜上に約０．２μ
ｍの電解ニッケルめっき膜を形成した。

【００４９】次に一次水洗、二次水洗各１分後、図３に
示した電解めっき装置にて、まず片面に電解フラッシュ
金めっき（ＥＥＪＡ社製のめっき液：ニュートロネクス
ストライク、室温、３Ａ／ｄｍ²、４０秒）を行い、膜
厚約０．１μｍの金めっき膜を形成した。

【００５０】次に電源の極性のみを反転させ、もう一方
の面に電解フラッシュ金めっきを続けて行い、膜厚約
０．０５μｍの金めっき膜を形成した。

【００５１】再び一次水洗、二次水洗各１分後、無電解
金めっき（日立化成工業社製のめっき液：ＨＧＳ−２０
００、６５℃、６０分）を行い、膜厚約０．７μｍの金
めっき膜を形成した。

【００５２】次に一次水洗、二次水洗各２分後ブロー乾
燥し、さらに空気中１５０℃で４時間熱処理乾燥した。
そして、はんだリフロー（高融点Ａｕ−２０Ｓｎはん
だ、３２０℃、１０分）後、剪断試験による破断モード
を観察した。その結果を比較例と共に表２に示した。

【００５３】〈比較例１〉本実施例では図２に従い、ま
ず試料を上記実施例１の無電解ニッケル−リンめっき
（日本カニゼン社製のめっき液：Ｓ−７９５、９０℃、
２５分）まで実施例１と同様に作成した。

【００５４】一次水洗、二次水洗各１分後、置換金めっ
き（日立化成工業社製のめっき液：ＨＧＳ−５００、８
０℃、５分）を行ない、膜厚約０．０５μｍの金めっき
膜を形成した。

【００５５】さらに一次水洗、二次水洗各１分後、金膜
を厚付けするために無電解金めっき（日立化成工業社製
のめっき液：ＨＧＳ−２０００、６５℃、６０分）を行
い、膜厚約０．７μｍの金めっき膜を形成した。

【００５６】次に一次水洗、二次水洗各２分後ブロー乾
燥し、さらに空気中１５０℃で４時間熱処理乾燥した。
そして、はんだリフロー（共晶はんだ、２００℃、１
分）後、剪断試験による破断モードを観察した。その結
果を実施例と共に表２に示した。

【００５７】〈比較例２〉本実施例では図２に従い、ま
ず試料を上記実施例2の無電解ニッケル−ボロンめっき
（ワールドメタル社製のめっき液：ニボロン−ＫＯＭ、
６５℃、６０分）まで実施例2と同様に作成した。

【００５８】一次水洗、二次水洗各１分後、置換金めっ
き（日立化成工業社製のめっき液：ＨＧＳ−５００、８
０℃、７分）を行ない、膜厚約０．０５μｍの金めっき
膜を形成した。

【００５９】さらに一次水洗、二次水洗各１分後、金膜
を厚付けするために無電解金めっき（日立化成工業社製
のめっき液：ＨＧＳ−２０００、６５℃、６０分）を行
い、膜厚約０．７μｍの金めっき膜を形成した。

【００６０】次に一次水洗、二次水洗各２分後ブロー乾
燥し、さらに空気中１５０℃で４時間熱処理乾燥した。
そして、はんだリフロー（高融点Ｓｎ−３Ａｇはんだ、
２６０℃、１０分）後、剪断試験による破断モードを観
察した。その結果を実施例と共に表２に示した。

【００６１】〈比較例３〉本実施例では図１０に従い、
まず試料を酸性脱脂液（ワールドメタル社製の脱脂液：
Ｚ−２００、４０℃、１分）に浸積した。

【００６２】そして一次水洗、二次水洗各２分後、銅表
面のライトエッチング（過硫酸ナトリウム：１０ｇ／
Ｌ、室温、１分）を行った。

【００６３】一次水洗、二次水洗各1分後、銅酸化膜を
除去するために酸処理（１０％硫酸、室温、１分）を行
った。

【００６４】次に窒素雰囲気炉（９０℃、３０分）で乾
燥後、電気めっき用電源層を形成するためにスパッタ装
置にて基板片面にスパッタ銅を約０．０５μｍ付与し
た。

【００６５】次に基板をスパッタ銅面を裏面になるよう
に電気めっき用治具に装着した後、従来方法による電気
ニッケルめっき（ワット浴：硫酸ニッケル ２５０ｇ／
Ｌ、塩化ニッケル ４５ｇ／Ｌ、ほう酸 ３５ｇ／Ｌ、
ワールドメタル社製のめっき添加剤：ゼロオール、２０
ｍＬ／Ｌ、４７℃、２Ａ／ｄｍ²）を行い、約７μｍの
電気ニッケルめっき膜を形成した。

【００６６】基板を電気めっき用治具に装着したまま一
次水洗、二次水洗各１分後、従来方法によ電解フラッシ
ュ金めっき（ＥＥＪＡ社製のめっき液：ニュートロネク
スストライク、室温、３Ａ／ｄｍ²、４０秒）を行い、
膜厚約０．１μｍの金めっき膜を形成した。

【００６７】さらに一次水洗、二次水洗各１分後、従来
方法による電気金めっき（ＥＥＪＡ社製のめっき液：ミ
クロファブＡｕ１４０、５５℃、０．５Ａ／ｄｍ²、７
分）を行ない、約０．７μｍの金めっき膜を形成した。

【００６８】基板のもう一方の面にもめっき膜を付与す
るために，一次水洗、二次水洗各１分後、基板を電気め
っき治具から取り出し、酸性脱脂液（ワールドメタル社
製の脱脂液：Ｚ−２００、４０℃、１分）に浸積した。

【００６９】そして一次水洗、二次水洗各２分後、スパ
ッタ銅をエッチングするために銅エッチング（過硫酸ナ
トリウム：１０ｇ／Ｌ、室温、２分）を行った。

【００７０】一次水洗、二次水洗各２分後、窒素雰囲気
炉（９０℃、３０分）で乾燥し、すでにめっきした基板
面に給電層としての銅をスパッタ装置にて約０．０５μ
ｍスパッタした。

【００７１】次に基板をスパッタ銅面が裏面になるよう
に電気めっき用治具に装着した後、従来方法による電気
ニッケルめっき（ワット浴：硫酸ニッケル ２５０ｇ／
Ｌ、塩化ニッケル ４５ｇ／Ｌ、ほう酸 ３５ｇ／Ｌ、
ワールドメタル社製のめっき添加剤：ゼロオール ２０
ｍＬ／Ｌ、４７℃、２Ａ／ｄｍ²）を行い、約７μｍの
電解ニッケルめっき膜を形成した。

【００７２】基板を電気めっき用治具に装着したまま一
次水洗、二次水洗各１分後、従来方法によ電解フラッシ
ュ金めっき（ＥＥＪＡ社製のめっき液：ニュートロネク
スストライク、室温、３Ａ／ｄｍ²、４０秒）を行い、
膜厚約０．１μｍの金めっき膜を形成した。

【００７３】さらに一次水洗、二次水洗各１分後、従来
方法による電解金めっき（ＥＥＪＡ社製のめっき液：ミ
クロファブＡｕ１４０、５５℃、０．５Ａ／ｄｍ²、７
分）を行ない、約０．７μｍの金めっき膜を形成した。

【００７４】次に一次水洗、二次水洗各２分後ブロー乾
燥し、さらに空気中１５０℃で４時間熱処理乾燥した。
そして、はんだリフロー（高融点Ａｕ−２０Ｓｎはん
だ、３２０℃、１０分）後、剪断試験による破断モード
を観察した。その結果を実施例と共に表２に示した。

【００７５】

【表１】

【００７６】

【表２】

【００７７】表１及び表２には、はんだ剪断試験破断モ
ードにおいて、ニッケル／はんだ界面破断の有無を示し
たものである。

【００７８】なお、表中のニッケル／はんだ界面破断と
は、試料とした配線基板に形成した数１００個の外部接
続端子のうち、１個でもニッケル膜との接合界面ではん
だが破断したものが存在した場合のモードを示したもの
である。

【００７９】表１及び表２の結果から明らかのように、
本実施例で述べた方法を用いることによって所期の目的
を達成することができた。すなわち、接続信頼性の高い
はんだ接合が得られる外部接続端子を備えた配線基板を
実現することができた。

【００８０】なお、本実施例で示した無電解／電解混成
めっき方法及びめっき装置は、はんだ接合の信頼性向上
のためだけに用途が限定されるものではなく、従来の無
電解めっき方法ではめっき不可能であったクロムめっき
や金−コバルト合金めっき等のあらゆる電解めっき膜
を、無電解めっき基板に付与することが可能であること
は言うまでもない。

【００８１】

【発明の効果】本発明の無電解／電解混成めっき方法を
用いることによって、接続信頼性に優れたはんだ接合の
可能な配線あるいは外部接続端子を備えた配線基板の製
作が可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例であるめっきプロセスの工程
図である。

【図２】従来技術のめっきプロセス工程図である。

【図３】本発明の一実施例であるめっき装置の概略図で
ある。

【図４】従来技術のめっき装置の概略図である。

【図５】本発明の一実施例であるめっき装置内の電子移
動を模式的に表す図である。

【図６】従来技術のめっき装置内の電子移動を模式的に
表す図である。

【図７】本発明の他の実施例であるめっき装置の概略図
である。

【図８】本発明の他の実施例であるめっき装置内の電子
移動を模式的に表す図である。

【図９】本発明の他の実施例となるめっきプロセス工程
図である。

【図１０】従来技術のめっきプロセス工程図である。

【図１１】本発明の別の実施例を模式的に表す断面図で
ある。

【符号の説明】

１…セラミック基板、２…銅配線、３…無電解ニッケル
-リンめっき膜、４…電解フラッシュ金めっき膜、５…
無電解金めっき膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｈ０５Ｋ 1/11 Ｎ Ｈ０５Ｋ 1/11 3/42 ６１０Ｂ 3/42 ６１０ Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｚ (72)発明者 杉山 寿 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 矢木 邦博 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 Ｆターム(参考） 4K022 AA02 AA31 AA42 BA14 BA16 BA35 DA01 4K024 AA11 AB02 AB17 BA01 BA09 BB11 GA14 4K044 AA06 AB10 BA06 BA08 BB03 BC08 CA15 CA18 5E317 AA01 BB12 CC32 CC33 CD36 GG07 5E319 AA03 AB05 AC17 BB04 GG20

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】配線あるいは外部接続端子のめっき膜が、
   無電解/電解混成めっきプロセスを用いて基板上に形成
   されてなることを特徴とした配線基板。
2. 【請求項２】前記基板が該基板の表裏で導通性を有する
   配線あるいは外部接続端子を備えてなることを特徴とす
   る請求項１記載の配線基板。
3. 【請求項３】基板上に配線あるいは外部接続端子のめっ
   き膜を形成するめっきプロセスが、前記基板にめっき用
   外部電源を直接接続しない電解めっき工程と電解めっき
   工程とから成ることを特徴とする配線基板の製造方法。
4. 【請求項４】上記電解めっき工程が、めっき用外部電源
   と接続したアノード電極及びカソード電極間に配線基板
   を設置してめっきすることを特徴とする請求項３記載の
   配線基板の製造方法。
5. 【請求項５】配線基板をめっき装置に投入した際、前記
   配線基板がめっき液を略完全に分断するように構成され
   てなることを特徴とする電解めっき装置。