JPH0239441A - 化合物半導体結晶の製造方法 - Google Patents
化合物半導体結晶の製造方法Info
- Publication number
- JPH0239441A JPH0239441A JP19040888A JP19040888A JPH0239441A JP H0239441 A JPH0239441 A JP H0239441A JP 19040888 A JP19040888 A JP 19040888A JP 19040888 A JP19040888 A JP 19040888A JP H0239441 A JPH0239441 A JP H0239441A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- crystal layer
- crystal
- compound semiconductor
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 85
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 17
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- ILXWFJOFKUNZJA-UHFFFAOYSA-N ethyltellanylethane Chemical compound CC[Te]CC ILXWFJOFKUNZJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000011701 zinc Substances 0.000 abstract description 5
- VQNPSCRXHSIJTH-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);carbanide Chemical compound [CH3-].[CH3-].[Cd+2] VQNPSCRXHSIJTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N dimethylzinc Chemical compound C[Zn]C AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 abstract 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- RDVQTQJAUFDLFA-UHFFFAOYSA-N cadmium Chemical compound [Cd][Cd][Cd][Cd][Cd][Cd][Cd][Cd][Cd] RDVQTQJAUFDLFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- ATZBPOVXVPIOMR-UHFFFAOYSA-N dimethylmercury Chemical group C[Hg]C ATZBPOVXVPIOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- 241000238633 Odonata Species 0.000 description 1
- CEKJAYFBQARQNG-UHFFFAOYSA-N cadmium zinc Chemical compound [Zn].[Cd] CEKJAYFBQARQNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 235000015220 hamburgers Nutrition 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
化合物半導体結晶の製造方法に関し、
インジウムアンチモン基板上に、該基板に対してミスフ
ィツト転位を生じない状態で、水銀・カドミウム・チル
１１１１ｇ１□ＣｄイＴｅ）の結晶層を気相エピタキシ
ャル成長する方法の提供を目的とし、インジウムアンチ
モン基板−ヒに亜鉛・カドミウム・テルル（Ｃｄ１−２
Ｚｎ、 Ｔｅ）の結晶層を、該基板に対してミスフィ
ツト転位を発生しない臨界厚さ以下の厚さで組成を変動
させて順次複数層積層形成した後、該基板の最上層に水
銀・カドミウム・テルルよりなる化合物半導体結晶層を
形成することで構成する。
ィツト転位を生じない状態で、水銀・カドミウム・チル
１１１１ｇ１□ＣｄイＴｅ）の結晶層を気相エピタキシ
ャル成長する方法の提供を目的とし、インジウムアンチ
モン基板−ヒに亜鉛・カドミウム・テルル（Ｃｄ１−２
Ｚｎ、 Ｔｅ）の結晶層を、該基板に対してミスフィ
ツト転位を発生しない臨界厚さ以下の厚さで組成を変動
させて順次複数層積層形成した後、該基板の最上層に水
銀・カドミウム・テルルよりなる化合物半導体結晶層を
形成することで構成する。
本発明は化合物半導体結晶の製造方法に係り、特にｒｎ
ｓｂのような化合物半導体基板上に、該基板に対して格
子不整合を生じない状態で基板に対して異種結晶の水銀
・カドミウム・テルルの化合物半導体結晶を製造する方
法に関する。
ｓｂのような化合物半導体基板上に、該基板に対して格
子不整合を生じない状態で基板に対して異種結晶の水銀
・カドミウム・テルルの化合物半導体結晶を製造する方
法に関する。
赤外線検知素子を形成する材料としてエネルギーバンド
ギャップの狭い水銀・カドウミム・テルルの化合物半導
体結晶を薄層状態に形成した結晶が用いられている。
ギャップの狭い水銀・カドウミム・テルルの化合物半導
体結晶を薄層状態に形成した結晶が用いられている。
近年、このような赤外線検知素子形成材料として異種の
化合物半導体結晶同志を組み合わせたへテロ構造の結晶
の検知素子形成材料が望まれている。このようにすると
大面積の単結晶基板が得難い’ｇ＋−ｘＣｄイＴｅの結
晶を製造する場合、比較的大面積の単結晶基板が得易い
ＩｎＳｂ基板の一ヒにＨｇ、−８ＣｄＸＴｅを気相エピ
タキシャル成長することで大面積のＨｇ＋□ＣｄＸＴｅ
の単結晶が得られる。
化合物半導体結晶同志を組み合わせたへテロ構造の結晶
の検知素子形成材料が望まれている。このようにすると
大面積の単結晶基板が得難い’ｇ＋−ｘＣｄイＴｅの結
晶を製造する場合、比較的大面積の単結晶基板が得易い
ＩｎＳｂ基板の一ヒにＨｇ、−８ＣｄＸＴｅを気相エピ
タキシャル成長することで大面積のＨｇ＋□ＣｄＸＴｅ
の単結晶が得られる。
従来の方法は、第３図に示すようにＩｎＳｂのような化
合物半導体基板１−ヒに該基板と異なる格子定数を有す
る水銀・カドミウム・テルノ喧Ｈｇ ＋ −ｘｃｄヶＴ
ｅ）の結晶層３をエピタキシャル成長する場合、直接−
上記基板１−ににＨｇ＋−ｘ ＣｄＸＴｅの結晶層３を
形成しようとすると、両者の格子定数が異なるため、基
板とエピタキシャル層に格子不整合による転位を発生す
る。
合物半導体基板１−ヒに該基板と異なる格子定数を有す
る水銀・カドミウム・テルノ喧Ｈｇ ＋ −ｘｃｄヶＴ
ｅ）の結晶層３をエピタキシャル成長する場合、直接−
上記基板１−ににＨｇ＋−ｘ ＣｄＸＴｅの結晶層３を
形成しようとすると、両者の格子定数が異なるため、基
板とエピタキシャル層に格子不整合による転位を発生す
る。
そのため、該基板１上に形成すべきＨｇ１−ｘ Ｃｄｘ
Ｔｅの結晶層３と格子定数の値が近接したＣｄ、−、Ｚ
ｎ２Ｔｅ（ｚ＝０．０４）の結晶層をバッファ層２とし
て基板１上に予め形成し、その−ヒにＨｇ、−、ＣｄＸ
Ｔｅの結晶３を形成していた。
Ｔｅの結晶層３と格子定数の値が近接したＣｄ、−、Ｚ
ｎ２Ｔｅ（ｚ＝０．０４）の結晶層をバッファ層２とし
て基板１上に予め形成し、その−ヒにＨｇ、−、ＣｄＸ
Ｔｅの結晶３を形成していた。
然し、ＩｎＳｂの基板１上に直接Ｃｄ＋ −ｚ Ｚｎｚ
Ｔｅ（ｚ＝０．０４）の結晶層を形成すると、ＩｎＳ
ｂの基板１とＣｄ１−＊ Ｚｎ、 Ｔｅ（ｚ＝０．０４
）の結晶層２は格子定数がそれぞれ異なるため、基板１
と結晶層２間に格子不整合による転位、即ちミスフィツ
ト転位が発生し、そのＣｄ１−２ Ｚｎ、 Ｔｅ（ｚ＝
０．０４）の結晶Ｎ２上に形成されるＨｇ、−ＸＣｄ、
Ｔｅの結晶層３の結晶性が悪くなる問題を生じていた
。
Ｔｅ（ｚ＝０．０４）の結晶層を形成すると、ＩｎＳ
ｂの基板１とＣｄ１−＊ Ｚｎ、 Ｔｅ（ｚ＝０．０４
）の結晶層２は格子定数がそれぞれ異なるため、基板１
と結晶層２間に格子不整合による転位、即ちミスフィツ
ト転位が発生し、そのＣｄ１−２ Ｚｎ、 Ｔｅ（ｚ＝
０．０４）の結晶Ｎ２上に形成されるＨｇ、−ＸＣｄ、
Ｔｅの結晶層３の結晶性が悪くなる問題を生じていた
。
本発明は上記した問題点を除去し、ＩｎＳｂ基板上にバ
ッファ層として形成するｃｄ、−２Ｚｎ、 Ｔｅの結晶
層が、基板に対して格子不整合による転位を生じない状
態で形成されるようにし、最上層に形成されるｌ１ｇ、
−、ＣｄＸＴｅの結晶層がＴｎＳｂの基板に対して格子
不整合を発生しない状態で形成されるようにした化合物
半導体結晶の製造方法の提供を目的とする。
ッファ層として形成するｃｄ、−２Ｚｎ、 Ｔｅの結晶
層が、基板に対して格子不整合による転位を生じない状
態で形成されるようにし、最上層に形成されるｌ１ｇ、
−、ＣｄＸＴｅの結晶層がＴｎＳｂの基板に対して格子
不整合を発生しない状態で形成されるようにした化合物
半導体結晶の製造方法の提供を目的とする。
〔課題を解決するための手段］
本発明の化合物半導体結晶の製造方法は、インジウムア
ンチモン（Ｉｎ５ｂ）基板−ヒ亜鉛・カドミウム・テル
ル（Ｃｄ、、 Ｚｎ、 Ｔｅ）の結晶層を、基板に対し
てミスフィツト転位を発生しない臨界厚さ以下の厚さで
組成を変動させて順次複数層、積層形成した後、該基板
の最上層に水銀を含む化合物半導体結晶層を形成する。
ンチモン（Ｉｎ５ｂ）基板−ヒ亜鉛・カドミウム・テル
ル（Ｃｄ、、 Ｚｎ、 Ｔｅ）の結晶層を、基板に対し
てミスフィツト転位を発生しない臨界厚さ以下の厚さで
組成を変動させて順次複数層、積層形成した後、該基板
の最上層に水銀を含む化合物半導体結晶層を形成する。
「作 用〕
基板上に形成した結晶層が、該基板に対してミスフィツ
ト転位を発生しない状態となる結晶層の１＞ｍ界厚さを
り、とすると、このｈｃＯ値は文献１（アメリカ合衆国
特許、特許番号３，７８８，８９０号Ｐａｔｅｎｔｅｄ
Ｊａｎ、２９．１９７４）により第（１）式に示すよ
うになる。
ト転位を発生しない状態となる結晶層の１＞ｍ界厚さを
り、とすると、このｈｃＯ値は文献１（アメリカ合衆国
特許、特許番号３，７８８，８９０号Ｐａｔｅｎｔｅｄ
Ｊａｎ、２９．１９７４）により第（１）式に示すよ
うになる。
ｈ、 ＝ｂ （１−ν）／４ ｆ （１＋ν） ｃ
ｏｓλ＝ １．１／ｆ （入） ・・・・・・
・・・・・・（１）ここでｈｃは臨界厚さ、ｆはミスフ
ィツト転位数、νはポアソン比、λは基板−ヒに形成し
た結晶のスリップ面の方向と、該スリップ面と元の基板
の交線に立てた法線とのなす角度、ｂはバーガースヘク
トルの大きさを示す。
ｏｓλ＝ １．１／ｆ （入） ・・・・・・
・・・・・・（１）ここでｈｃは臨界厚さ、ｆはミスフ
ィツト転位数、νはポアソン比、λは基板−ヒに形成し
た結晶のスリップ面の方向と、該スリップ面と元の基板
の交線に立てた法線とのなす角度、ｂはバーガースヘク
トルの大きさを示す。
更にＨｇ＋−ｘ Ｃｄ、 Ｔｅの場合のｈｃＯ値は文献
２（Ｐｈｙｓ、５ｔａｔ、ｓｏｌ、 （ａ）Ｓｏ、６６
３（１９８３）、５ｕｂｊｅｃｔ Ｃ１ａｓｓｉｆｉｃ
ａｔｉｏｎ：１．５ ａｎｄｌｏ、２；２２．４，４
、ｂｙ Ｊ、１１．Ｂａ５ｓｏｎａｎｄ Ｈ，Ｂｏｏｙ
ｅｎｓ： Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ ｏｆ Ｍｉｓ
ｆｉｔ Ｄｉｓｌ。
２（Ｐｈｙｓ、５ｔａｔ、ｓｏｌ、 （ａ）Ｓｏ、６６
３（１９８３）、５ｕｂｊｅｃｔ Ｃ１ａｓｓｉｆｉｃ
ａｔｉｏｎ：１．５ ａｎｄｌｏ、２；２２．４，４
、ｂｙ Ｊ、１１．Ｂａ５ｓｏｎａｎｄ Ｈ，Ｂｏｏｙ
ｅｎｓ： Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ ｏｆ Ｍｉｓ
ｆｉｔ Ｄｉｓｌ。
ｃａｔｉｏｎ ｉｎ ｌｌｇｃｄＴｅ）によって第（２
）弐で示されている。
）弐で示されている。
ｈＣ＝ １．８／ｆ（入）・・・・・・・・・（２）
更に基板上に該基板と格子定数の異なる異種結晶を形成
した場合のミスフィツト数ｆは第（３）式に示すように
なる。
更に基板上に該基板と格子定数の異なる異種結晶を形成
した場合のミスフィツト数ｆは第（３）式に示すように
なる。
ｆ＝（異種結晶層の格子定数／基板の格子定数）■ ・
・・・・・（３） ここで本発明の方法で化合物半導体結晶を形成する際に
関係する結晶の種類と、その格子定数の値を第１表に示
す。
・・・・・（３） ここで本発明の方法で化合物半導体結晶を形成する際に
関係する結晶の種類と、その格子定数の値を第１表に示
す。
一ヒ記した第１表、並びに第（２）式および第（３）式
を用いてＩｎＳｂ基板上に、該基板に対してミスフィッ
ト転位を発生しないＺｔ＋、 Ｃｄ１−ｚ Ｔｅの結晶
層を、組成（２値）を変動させた状態で複数層下層に対
して臨界厚さ以下の厚さで形成後、該Ｚｎ、 ｃａ、−
、Ｔｅの結晶層の最上層にｌ１ｇ＋−ｘ ＣｄＸＴｅの
結晶を形成することで、該１１ｇ、□ＣｄＸＴｅの結晶
層がＩｎＳｂの基板に対してミスフィツト転位を発生し
ない状態で形成される。
を用いてＩｎＳｂ基板上に、該基板に対してミスフィッ
ト転位を発生しないＺｔ＋、 Ｃｄ１−ｚ Ｔｅの結晶
層を、組成（２値）を変動させた状態で複数層下層に対
して臨界厚さ以下の厚さで形成後、該Ｚｎ、 ｃａ、−
、Ｔｅの結晶層の最上層にｌ１ｇ＋−ｘ ＣｄＸＴｅの
結晶を形成することで、該１１ｇ、□ＣｄＸＴｅの結晶
層がＩｎＳｂの基板に対してミスフィツト転位を発生し
ない状態で形成される。
第 １ 表
このようにしてＩｎＳｂの基板上にＺｎｚ Ｃｄ＋−、
Ｔｅの結晶層を２値を変動させてＩｎＳｂの基板、或い
は下層のＺｎｚ Ｃｄ、−、Ｔｅの結晶層に対して臨界
厚さ以内の厚さで複数層積層形成した後、最終層として
ＨｇＩ□ＣｄつＴｅの結晶層を形成すると、ＴｎＳｂの
基板上に形成される結晶層は全て臨界厚さ以内の厚さで
形成されているため、最上層のＨｇ＋〜ＸＣｄつＴｅの
結晶層も基板のＩｎＳｂに対してミスフィツト転位を発
生しない高品質の結晶が得られる。
Ｔｅの結晶層を２値を変動させてＩｎＳｂの基板、或い
は下層のＺｎｚ Ｃｄ、−、Ｔｅの結晶層に対して臨界
厚さ以内の厚さで複数層積層形成した後、最終層として
ＨｇＩ□ＣｄつＴｅの結晶層を形成すると、ＴｎＳｂの
基板上に形成される結晶層は全て臨界厚さ以内の厚さで
形成されているため、最上層のＨｇ＋〜ＸＣｄつＴｅの
結晶層も基板のＩｎＳｂに対してミスフィツト転位を発
生しない高品質の結晶が得られる。
最上層にｊｉｇ、□Ｃｄ、 Ｔｅの結晶を形成する。こ
のようにすれば、ＩｎＳｂの基板に対してミスフィツト
転位を発生しない高品質のＨｇ１−ｘ ｃａＸＴｅの結
晶か得られる。
のようにすれば、ＩｎＳｂの基板に対してミスフィツト
転位を発生しない高品質のＨｇ１−ｘ ｃａＸＴｅの結
晶か得られる。
以下、図面を用いながら本発明の一実施例につき詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明の方法で形成した化合物半導体結晶の断
面図で、第２図は本発明の方法に用いる装置の説明図で
ある。
面図で、第２図は本発明の方法に用いる装置の説明図で
ある。
また第２表に本実施例で用いた基板、並びにその−ヒに
形成した各結晶層の格子定数の値を示し、第３表に本実
施例に於ける基板上に積層形成した各結晶層の下層の結
晶層に対する上層の結晶層の臨界厚さの値を示す。
形成した各結晶層の格子定数の値を示し、第３表に本実
施例に於ける基板上に積層形成した各結晶層の下層の結
晶層に対する上層の結晶層の臨界厚さの値を示す。
第１図および第２図に示すように、ＩｎＳｂ基板１１を
基板設置台２２に設置して反応管２１内に挿入した後、
該反応管内を１０−７ｔｏｒｒ程度の真空度に排気した
後、バルブ２３を開いて水素ガスを反応管２１内に導入
する。
基板設置台２２に設置して反応管２１内に挿入した後、
該反応管内を１０−７ｔｏｒｒ程度の真空度に排気した
後、バルブ２３を開いて水素ガスを反応管２１内に導入
する。
また同時にバルブ２４，２５．２９を開いてジメチルカ
ドミウムを収容した蒸発器２６、ジエチルテルルを収容
した蒸発器２７およびジメチル亜鉛を収容した第２表 ムとジエチルテルルとジメチル亜鉛を担持した水素ガス
を反応管２１内に導入してコイル２８に高周波電力を印
加して基板を加熱し、いわゆるＭｅｔａｌ−Ｏｒｇａｎ
ｉｃ−Ｃｈｅｍｉｃａｌ−Ｖａｐｏｒ−Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ（以下ＭＯＣＶＤと称する）方法によりＣｄｏ、
ｑｑＺｎｏ、 ｏｌＴｅ結晶層１３を２５００人の厚
さで基板１１上に形成する。
ドミウムを収容した蒸発器２６、ジエチルテルルを収容
した蒸発器２７およびジメチル亜鉛を収容した第２表 ムとジエチルテルルとジメチル亜鉛を担持した水素ガス
を反応管２１内に導入してコイル２８に高周波電力を印
加して基板を加熱し、いわゆるＭｅｔａｌ−Ｏｒｇａｎ
ｉｃ−Ｃｈｅｍｉｃａｌ−Ｖａｐｏｒ−Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ（以下ＭＯＣＶＤと称する）方法によりＣｄｏ、
ｑｑＺｎｏ、 ｏｌＴｅ結晶層１３を２５００人の厚
さで基板１１上に形成する。
このようにすれば、ＩｎＳｂ基板１１に対してＣｄｏ、
ｑｑＺｒ＋０．。、Ｔｅ結晶層１３が口ｎ界厚さ以下の
厚さで形成される。
ｑｑＺｒ＋０．。、Ｔｅ結晶層１３が口ｎ界厚さ以下の
厚さで形成される。
第 ３ 表
蒸発器３０に水素ガスを導入し、ジメチルカドミラ更に
Ｃｄｏ、 ｑｅＺｎｏ、 ｏｚＴｅ結晶層１４を２００
０人の厚さに、Ｃｄｏ、 ｑＪｎｏ、 ｏｉＴｅの結晶
層１５を２０００人の厚さに、Ｃｄ、。
Ｃｄｏ、 ｑｅＺｎｏ、 ｏｚＴｅ結晶層１４を２００
０人の厚さに、Ｃｄｏ、 ｑＪｎｏ、 ｏｉＴｅの結晶
層１５を２０００人の厚さに、Ｃｄ、。
ｑｂ＋Ｚｎｏ、 ｏ：＋Ｊｅの結晶層１６を２０００人
の厚さに、Ｃｄ、。
の厚さに、Ｃｄ、。
ｑ６Ｚｎｏ、。ａＴｅの結晶層１７を６０００人の厚さ
に形成する。
に形成する。
このようにＣｄ＋−ｚ Ｚｎｚ Ｔｅ（０＜ｚ ＜］、
）の結晶を２値を変えて形成するには、蒸発器２６，２
７．３０に連なるバルブ３１，２５．２９の開閉時間を
調節することで容易に形成できる。
）の結晶を２値を変えて形成するには、蒸発器２６，２
７．３０に連なるバルブ３１，２５．２９の開閉時間を
調節することで容易に形成できる。
更にバルブ３１を開き、バルブ２９を閉じ、水素ガスと
水銀を収容した蒸発器３２と、ジメチルカドミウムを収
容した蒸発器２６とジエチルテルルを収容した蒸発器２
７を通過した水素ガスを反応管２１内に導入し、辰ヒ層
としての）Ｉｇｏ、ｅＣｄ ｏ、２Ｔｅの結晶層１８を
６００００人の厚さに形成する。
水銀を収容した蒸発器３２と、ジメチルカドミウムを収
容した蒸発器２６とジエチルテルルを収容した蒸発器２
７を通過した水素ガスを反応管２１内に導入し、辰ヒ層
としての）Ｉｇｏ、ｅＣｄ ｏ、２Ｔｅの結晶層１８を
６００００人の厚さに形成する。
このようにすれば−Ｆ層の結晶層は、下層の結晶層に対
して何れも臨界厚さ以下の厚さで形成されているため、
格子不整合によるミスフィツト転位を生じない高品位の
結晶が形成される。
して何れも臨界厚さ以下の厚さで形成されているため、
格子不整合によるミスフィツト転位を生じない高品位の
結晶が形成される。
以上１本べたように本発明の方法によれば、基板トに形
成される化合物半導体結晶にミスフィツト転位が発生し
ないので、高品位な化合物半導体結晶が得られる効果が
ある。
成される化合物半導体結晶にミスフィツト転位が発生し
ないので、高品位な化合物半導体結晶が得られる効果が
ある。
第１図は本発明の方法で形成した結晶の断面図、第２図
は本発明の方法に用いる装置の説明図、第３図は従来の
方法で形成した結晶の断面図である。 図に於いて、 １１はＩｎＳｂ基板、１３はＣｄｏ、 ｑｑＺｎｏ、
ｏ １Ｔｅ結晶層、１４はＣｄｏ、 ｑｌｌＺｎｏ、
ｏｚＴｅ結晶層、１５はＣｄｏ、 ｑ７Ｚｎｏ、 ｏ３
Ｔｅ結晶層、１６はＣｄｏ、 ｑ６＋Ｚｎｏ、 ｏ３ｑ
Ｔｅ結晶層、１７はＣｄｏ、、６Ｚｎ（、、ｏ４Ｔｅ結
晶層、１８はＨｇｏ、 ｕｃｄｏ、 ｚＴｅ結晶層、２
１は反応管、２２は基板設置台、２３．２４，２５，２
９．３１はバルブ、２６はジメチルカドミウム蒸発器、
２７はジエチルテルル蒸発器、２８はコイル、３０はジ
メチル亜鉛蒸発器、３２は水銀蒸発器を示す。
は本発明の方法に用いる装置の説明図、第３図は従来の
方法で形成した結晶の断面図である。 図に於いて、 １１はＩｎＳｂ基板、１３はＣｄｏ、 ｑｑＺｎｏ、
ｏ １Ｔｅ結晶層、１４はＣｄｏ、 ｑｌｌＺｎｏ、
ｏｚＴｅ結晶層、１５はＣｄｏ、 ｑ７Ｚｎｏ、 ｏ３
Ｔｅ結晶層、１６はＣｄｏ、 ｑ６＋Ｚｎｏ、 ｏ３ｑ
Ｔｅ結晶層、１７はＣｄｏ、、６Ｚｎ（、、ｏ４Ｔｅ結
晶層、１８はＨｇｏ、 ｕｃｄｏ、 ｚＴｅ結晶層、２
１は反応管、２２は基板設置台、２３．２４，２５，２
９．３１はバルブ、２６はジメチルカドミウム蒸発器、
２７はジエチルテルル蒸発器、２８はコイル、３０はジ
メチル亜鉛蒸発器、３２は水銀蒸発器を示す。
Claims (1)
- インジウムアンチモン基板上（１１）に、亜鉛・カドミ
ウム・テルル（Ｃｄ＿１＿−＿ｚＺｎ＿ｚＴｅ）の結晶
層（１３、１４、１５、１６、１７）を、ミスフィット
転位を発生しない臨界厚さ以下の厚さで組成を変動させ
て順次複数層積層形成した後、該基板の最上層に水銀を
含む化合物半導体結晶層（１８）を形成することを特徴
とする化合物半導体結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19040888A JPH0239441A (ja) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | 化合物半導体結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19040888A JPH0239441A (ja) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | 化合物半導体結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0239441A true JPH0239441A (ja) | 1990-02-08 |
Family
ID=16257648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19040888A Pending JPH0239441A (ja) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | 化合物半導体結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0239441A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH076951A (ja) * | 1993-04-06 | 1995-01-10 | Hughes Aircraft Co | シリコン基体上への三元カルコゲン化合物半導体フィルムのエピタキシャル付着のための砒素パシベーション |
| KR950034343A (ko) * | 1994-03-15 | 1995-12-28 | 나카자토 요시히코 | 열동형 과부하 계전기 |
| KR100510711B1 (ko) * | 2002-11-15 | 2005-08-30 | 엘에스산전 주식회사 | 안전장치가 구비된 과부하 계전기 |
-
1988
- 1988-07-28 JP JP19040888A patent/JPH0239441A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH076951A (ja) * | 1993-04-06 | 1995-01-10 | Hughes Aircraft Co | シリコン基体上への三元カルコゲン化合物半導体フィルムのエピタキシャル付着のための砒素パシベーション |
| KR950034343A (ko) * | 1994-03-15 | 1995-12-28 | 나카자토 요시히코 | 열동형 과부하 계전기 |
| KR100510711B1 (ko) * | 2002-11-15 | 2005-08-30 | 엘에스산전 주식회사 | 안전장치가 구비된 과부하 계전기 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5735949A (en) | Method of producing electronic, electrooptical and optical components | |
| JP2007511892A (ja) | 緩和シリコンゲルマニウム層のエピタキシャル成長 | |
| JPH05217890A (ja) | 半導体装置形成用結晶とその製造方法 | |
| JP5254195B2 (ja) | 基板上に単結晶半導体層を作製する方法 | |
| US11916111B2 (en) | Single crystal semiconductor structure and method of fabricating the same | |
| JPH04303920A (ja) | Ｉｖ族基板上の絶縁膜／ｉｉｉ −ｖ族化合物半導体積層構造 | |
| Wisotzki et al. | Quasi van der Waals epitaxy of ZnSe on the layered chalcogenides InSe and GaSe | |
| JPH0239441A (ja) | 化合物半導体結晶の製造方法 | |
| US4897367A (en) | Process for growing gallium arsenide on silicon substrate | |
| Mousley et al. | Growth and characterisation of MnSb (0 0 0 1)/InGaAs (1 1 1) A epitaxial films | |
| JP2845464B2 (ja) | 化合物半導体の成長方法 | |
| Gutiérrez-Ojeda et al. | Mn5Ge3 ultra-thin films on GaAs (111) B substrates: Influence of initial growth conditions | |
| JPS63194340A (ja) | 化合物半導体結晶の製造方法 | |
| JP2003243426A (ja) | 鉄シリサイド層の製造方法並びに半導体基板及び光半導体装置 | |
| JP2737152B2 (ja) | Ｓｏｉ形成方法 | |
| JPH03201425A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0443413B2 (ja) | ||
| JPH0722136B2 (ja) | 化合物半導体結晶の製造方法 | |
| JP2771635B2 (ja) | Ｃａ▲下１▼―▲下ｘ▼Ｓｒ▲下ｘ▼Ｆ▲下２▼膜の形成方法 | |
| JP3485601B2 (ja) | 超電導複合薄膜の製造方法 | |
| JPS5973499A (ja) | 化合物半導体の成長方法 | |
| JPH02181937A (ja) | 化合物半導体結晶の製造方法 | |
| JPS63194322A (ja) | 化合物半導体基板 | |
| JPH01723A (ja) | ３−ｖ族化合物結晶物品およびその形成方法 | |
| JPH03228316A (ja) | 化合物半導体結晶の製造方法 |