JPH0235459A

JPH0235459A - 非晶質炭化珪素エレクトロレセプター

Info

Publication number: JPH0235459A
Application number: JP1125462A
Authority: JP
Inventors: Daniel E Kuhman; ダニエル　イー　クーマン; Frank Jansen; ジャンセンフランク; Steven J Grammatica; スティーヴン　ジェイ　グラマティカ
Original assignee: Xerox Corp
Current assignee: Xerox Corp
Priority date: 1988-05-25
Filing date: 1989-05-18
Publication date: 1990-02-06
Also published as: EP0343851A3; EP0343851A2; DE68927595T2; CA1329503C; EP0343851B1; DE68927595D1; US4885220A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】本発明は一般にエレクトロレセプターに関し、特に本発
明は約１０〜６０原子％の炭素、約１０〜６０原子％の
水素、及び約１０〜８０原子％の珪素を含む非晶質水素
化炭化珪素合金（、ＳｉＣ：　Ｈ）を含むエレクトロレ
セプター並びにその製造方法に関する。上記エレクトロ
レセプターは例えば１０日２Ω−１・Ｃｊｌ　−’に等
しいかそれ未満の、特に約ＩＱ−＋２Ω−”Ｃ１１−’
〜約１Ｏ−ｚｏΩ−”ｃｉｌｌ−’の最小暗導電率、及
び１０エルグ／−に於て１０−９Ω−１・ｃｍ　−’に
等しいかそれ未満の、特に約１０Ω−１・Ｃ１ｆｉ　−
’〜約１０−”Ω−１・（Ｊ　−’の無視できる光導電
率を有する。本発明の１つの特別な実施態様に於ては、
約２５原子％の炭素、約３５原子％の珪素及び約４０原
子％の水素を有する非晶質水素化炭化珪素エレクトロレ
セプターが提供される。

本発明の機械的に抵抗性のエレクトロレセプターに関す
る他の特性には、２電子ボルトに等しいかそれを越える
、特に約２．０〜約３．５電子ボルトの光学的バンドギ
ャップ、及び例えば厚さ約１０〜１２０μｍのフィルム
について包囲光下で観察できる電圧の破壊又は損失なし
に１００ボ°ルト／μｍの電界に耐える能力が含まれる
。本発明の上記エレクトロレセプターは、エレクトロレ
セプターである電気抵抗性誘電性像レシーバ−を利用す
る、ゼロックス−コーポレーション（Ｘｅｒｏｘ　Ｃｏ
ｒｐｏｒａｔｉｏｎ）　４０６０”及び４０７５”とし
て市販されているようなイオン写真像形成及び印刷装置
に於て有用である。これらの装置の１つの間車な形に於
ては、静電潜像を生成するイオン放射装置又は“イオン
ヘッド”の線状列によってエレクトロレセプター表面上
に所定のパターンでイオンを付着させて潜像を形成させ
る。次にこれらの潜像上を帯電トナー粒子を通過させ、
前以て電荷が付着しでいた所にトナー粒子を残留させ、
次にこの現像された像を紙のような基体へ転写し、かつ
例えば放射、熱ロール、加圧融着又はこれらの組み合わ
せによって基体へ永久に定着させる。

像形成方法のためには例えばその中に炭素を含む水素化
非晶質珪素を含む数多くの異なる部材が提案されている
（例えば所望の光導電性を有し、四弗化珪素を含む非晶
質半導体フィルムを記載している米国特許第４．４６１
，８２０号及び第４，２２６，８９８号参照されたい）
。

上記イオン写真部材装置、又は本発明のエレクトロレセ
プターは例えば電子写真で用いるための感光体として選
ばれる。ＳｉＣ：　Ｈ材料が示す性質とは実質的に異な
る性質を有する。特に、電子写真像形成方法は光を利用
して像形成部材上に潜像を形成し、かくして光導電性部
材が選ばれる。又、電子写真では通常高い光感度及びパ
ンクロ性を有する感光体が所要である。さらに、はとん
どの用途に於て、感光体部材に関しては、その半導電特
性のために、実質的な暗減衰がある。さらに、感光体に
は少なくとも１つの極性の電荷キャリヤを輸送する能力
が所要である。ブロッキング層として用いられる。Ｓｉ
Ｃ：　Ｈに関しては、かかる層が１つの符号の電荷キャ
リヤを輸送することができること、あるいはトンネル効
果のような方法で放電電圧を許すように極度に薄い（約
１００〜約５０００オングストローム）ことが一般に有
利である。この方法で、残留電荷が層界面に蓄積されて
低品質像形成を起こすようなことがない。

対照的に、最も単純な形のイオン写真像形成では、イオ
ンヘッドによって印加された電荷が現像前に消失しない
ように電気的絶縁性である像形成部材の表面上にイオン
ヘッドによる“書き込み”によって潜像を生成させる。

従って、イオン写真レシーバ−はあったとしても無視で
きる光感度を有する。この光感度が無いことはイオン写
真用途に於てかなりの利益を与える。例えば、エレクト
ロレセプター包囲装置は完全不透光性でなくてもよく、
かつ迷走放射線からレセプターを遮蔽する必要なく放射
融着を用いることができる。又、これらのイオン写真レ
シーバ−の暗減衰のレベルは特徴的に低く　〔１０〜５
０■／μｍの電界に於て０〜３Ｖ／５ｅｃ（ボルト７秒
）〕、かくして〕レシーバー表面に長時間にわたって一
定の電圧プロフィルが与えられる。さらに、エレクトロ
レセプター全体として、正又は負のキャリヤの電荷輸送
は幾らか制限され、キャリヤ輸送範囲は１ｏ−１０ｃｍ
／Ｖ未満である。

かくして、本発明の、ＳｉＣ：　Ｈエレクトロレセプタ
ーと電子写真像形成目的のために選ばれる公知の感光体
とは物理特性に重要な差異がある。電子写真法用の感光
体に用いられる。ＳｉＣ：　Ｈ材料は、例えば光発生層
として適用されるとき優れた光感度を有しかつブロッキ
ング層として用いられるとき１つの符号の電荷キャリヤ
のみを輸送する。

対照的に、本発明の１ｌ−Ｓｔ　Ｃ：　Ｈエレクトロレ
セプターは光感度又は電荷輸送能力がほとんど無く、例
えば高い帯電能力（上２０Ｖ／μｍ、特に約５０〜１０
０Ｖ／μｍ）及び包囲環境に無関係な時間による一定電
圧プロフィルを可能にする。

市販のゼロックス（Ｘｅｒｏｘ）　４０６０　”及び４
０７５”のような像形成及び印刷装置用に選ばれる誘電
体レシーバ−は高い電気抵抗率、低い光感度及び摩耗及
び環境の影害に対する抵抗を特徴とする。これらの印刷
装置用に選ばれる材料は通常円筒形レシーバ−上に厚さ
３０μｌ　（ミクロン）の膜として適用される酸化アル
ミニウムからなる。

これらの層はその用途には適当であるが、その固有の不
均一性のために望ましくないと考えられる。

薄膜デポジション工程中に不可避的に起こる材料中の多
数の物理的亀裂を、極度の硬さや化学的不活性のような
所望の最適なエレクトロレセプター材料特性をもたない
軟質材料で充填しなければならない。その上、酸化物材
料は包囲環境中の湿度に対して望ましくない怒受性を示
し、エレクトロレセプター上の潜像中に含まれる電荷の
制御できない損失や表面上への拡張を引き起こす。これ
らの特性のためにエレクトロレセプター装置中に組みこ
んだヒーター素子を用いねばならない。

従って、改良された特性をもつエレクトロレセプターが
依然として要望されている。さらに、かつ特に、約１０
〜６０原子％の炭素、約１０〜６０原子％の水素及び約
１０〜８０原子％の珪素を有し、≦ＩＱ−１２Ω柑・（
Ｊｌ　−’、特に例えば約１０−”Ω−１・Ｃｆｆ１−
’〜約１０４０Ω−”Ｃｆｆ１−’の最小暗導電率及び
１０エルグ／ｃＩＡに於て≦１０−９Ω−１・ｅｌｌｌ
　−’、特に例えば約１０−９Ω−”ｃｕｔ−１〜約１
０−２゜Ω−１・ｃｍ　−’の無視できる光導電率を有
する簡単で経済的なプラズマでデポジションさせた水素
化非晶質炭化珪素（ａ−ＳｉＣ：　Ｈ）エレクトロレセ
プタ、並びにその製造方法に対する要望が依然としであ
る。さらに、≧２０Ｖ／μｍ、特に例えば約５０〜１０
０Ｖ／μｍの帯電能力、及び≦５Ｖ／ｓｅｃ、特に例え
ば約≧２０Ｖ／μｍの電界に於ける約０〜５Ｖ／ｓｅｃ
の低い暗減衰を有する水素化非晶質炭化珪素エレクトロ
レセプターに対する要望は依然としである。又、優れた
機械的性質、特に硬さと機械的摩耗に対する抵抗を有し
、１，０００，０００回を越える像形成サイクル用に選
ぶことができるトＳｉ　Ｃ：　Ｈエレクトロレセプター
も要望されている。さらに、レシーバ−の表面の帯電を
助ける、≦７、特に例えば約２〜７の低誘電率を有する
トＳｉ　Ｃ：　Ｈエレクトロレセプターも要望されてい
る。又、湿度、例えば約２０〜約８０％相対湿度及び包
囲環境の温度に対して敏感でないエレクトロレセプター
も依然として要望されている。

発明の要約従って、本発明の１つの目的は上記の利益の多くを有す
るある種のエレクトロレセプターを提供することである
。

本発明のもう１つの目的に於て、約１０〜６０原子％の
炭素、約１０〜６０原子％の水素及び約１０〜８０原子
％の珪素を有し、≦ｌ　０−１２０−１・ｃｍ　’、特
に例えば約ｉ　ｏ−１２Ω″′１・ｃｍ−’〜約１０−
２０Ω−１・ｃｍ′−Ｉの最小の暗導電率、及び１０エ
ルグ／　ｃｔｌに於て≦１０□９Ω−１・ｃ「１、特に
例えば約１０−９Ω−１，ｃｍ−１〜約１０−”Ω−１
・ｃＩｎｌの無視できる光導電率を有する水素化非晶質
炭化珪素エレクトロレセプターが提供される。

本発明のこれらの目的及び他の目的はある種のエレクト
ロレセプターの提供によって達成される。

特に、本発明は、支持基体と、それと接触している本明
細書中で示される水素化非晶質炭化珪素合金とを含むエ
レクトロレセプターに関する。本発明の上記エレクトロ
レセプターは、例えば≧２０Ｖ　／　ｐｍ　％特に約５
０〜１００Ｖ／μｍの高帯電能カニ≦７、特に例えば約
２〜７の低誘電率；約≦５　Ｖ　／ｓｅｃ　、、特に例
えば≧２０Ｖ／、ｃｚｍの電界に於て約Ｏ〜約５Ｖ／ｓ
ｅｃの低暗減衰；≦１０−１２Ω−１・ｃｍ刊、特に例
えば約１０刊２Ω−１・ｃｍ−’〜約ｉ　ｏ−２０Ω−
１・Ｃｌ１ｌ　−’の最小暗導電率；１０エルグ／ｃＩ
１１に於て≦ｉｏ−’Ω−”（Ｊ−’、特に例えば約１
０−９Ω刊・ｃｍ−’〜約１０−２°Ω伺、ロー１の無
視できる光導電率；及び機械的摩耗に対する抵抗を含む
多数の利点を示す。本発明の１つの重要な特別の実施態
様に於て、炭素、珪素及び水素の百分率の測定のために
一般に選ぶこともできる燃焼熱分解、オーガー電子分光
法（ＡＥＳ）、又は二次イオン放射分光法（ＳＩＭＳ）
のような分析法で測定されるとき約２５原子％の炭素、
３５原子％の珪素及び４０原子％の水素を含み、且つ厚
さが約１０〜約１２０μｍ（ミクロン）の非晶質水素化
炭化珪素合金で被覆された、厚さが約２．５４〜約２５
．４ｗ（約０．１〜約１インチ）の円筒形アルミニウム
支持体を含む。本発明の上記エレクトロレセプターの光
学的バンドギャップは約６〜３の誘導率について約２．
２〜２８電子ボルトである。厚さが約１０μｍ〜１２０
μｍのこの材料の薄膜は包囲光下で観察できる電圧の破
壊又は損失無しに１００　Ｖ／μｍまでの電界に耐える
ことができる。

イオン写真によるコピーすなわちプリントの生成方法に
は、通常、実際適用のために、少なくとも１シートの標
串サイズ紙のサイズ、例えば２１５．９鶴Ｘ　２７９．
４龍（８，５インチｘｉｔインチ）の表面積にわたって
潜像トランスデユーサ−すなわちエレクトロレセプター
の厚さが均一でなければならない。このことは、インデ
ポジション時にレシーバ−上に均一な電圧を与えるとき
、従って像の均一な現像を見込むときに重要である。他
のデポジション方法は本明細書中で記載した性質を有す
る。ＳｉＣ：　Ｈ材料を製造することができるが、プラ
ズマ増強化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）は本明細書内に記載し
た特性の多（を有する均一なエレクトロレセプター膜を
可能にする。この蒸着法の一般的原理は薄膜製造の当業
者には公知であり、例えば、その記載が全体として参照
文として本明細書に含まれるものとする米国特許第４．
４６１，８２０号及び第４，６６８，５９９号を参照さ
れたい。

特に１．ＪｊＣ：　Ｈの膜を含む本発明のエレクトロレ
セプターはシラン（Ｓｉ　Ｈ＝）又はジシランとメタン
、エタン、プロパン、ブタン、エチレン、プロピレン又
はアセチレン（Ｃ，Ｈ，）のような炭化水素ガスとのプ
ラズマ解離によって製造される。

ガス流中の炭化水素の分率〔炭化水素／（炭化水素＋５
ｉｌＩｎ））は約１０〜８５重量％であることができ、
炭化水素ガス及びＳｉ＋（、の両方のための質量流制御
装置で調節される。この分率を変化させかつ異なる炭化
水素源を選ぶことによって、デポジションされた膜の炭
素、珪素及び水素の組成を上記百分率内で系統的に変化
させることができる。

例えば、本発明の水素化非晶質炭化珪素エレクトロレセ
プターは、燃焼熱分解分析で測定されるとき２０％のよ
うな低い分率のメタン（ＣＩ（４）又はエタン（Ｃ，Ｈ
，）で製造される膜（炭素約１５％、珪素約７０％、及
び水素約１５％）よりも多量の炭素（約３５原子％）及
び水素（約５０原子％）、並びにより少量の珪素（約１
５原子％）を含む６５％のような高いアセチレン（Ｃ２
Ｈ２）又はエチレン（Ｃ２Ｈ４）分率で製造することが
できる。炭素及び水素濃度の増加とそれに伴う珪素濃度
の減少は、通常バンドギャップ及び帯電能力を増加させ
かつ誘導率、暗減衰及び光導電率、並びに機械的耐摩耗
性を減少させる。

特に、本発明のエレクトロレセプターは、アルミニウム
ドラム又は例えばカプトン（Ｋａｐｔｏｎ■）又はニッ
ケルの可撓性スリーブのような支持体を含むマイラ、カ
プトン（Ｋａｐｔｏｎ■）などのような他の適当な支持
基体を収容することができるデポジション装置内で製造
することができる。この装置の容積は約１５〜１００ｐ
であることができ、好ましくは１〜５時間内に十分な真
空レヘルを作るのに容易なため好ましくは２０〜３０β
である。

製造された各エレクトロレセプタ一部材について全ガス
流速は約１００〜１，０００標準印３（ｓｃｃｍ）、好
ましくは約１００〜３００ｓｅｃｍの範囲であることが
できる。材料が電気絶縁性であるので、交流方式のプラ
ズマ励起を用いる。これらの作動方式は本明細書内で示
したようにプラズマデポジションの当業者には公知であ
る。アルミニウム支持体の温度は約３０〜３５０°Ｃで
あることができ、デポジション室内の圧力はデポジショ
ン中Ｉ　Ｔｏｒｒ来満、好ましくは約３００ミリＴｏｒ
ｒに保持される。

減圧下に於てガス混合物へ約１０〜３００ワツト、好ま
しくは約５０〜１５０ワツトの電力を印加し、所望の膜
厚が得られたとき電力の印加を停止する。

本発明の特徴をより良く理解させるため、次に、支持基
体上にデポジションさせた水素化非晶質炭化珪素エレク
トロレセプターの種々の好ましい実施態様の詳細な説明
を第１図及び第２図で行う。

第１図には、厚さ、２．５４〜２５．４１（０，１〜１
インチ）の支持基体１（！：、それと接触していて、１
０〜６０原子％の炭素、１０〜６０原子％の水素及び１
０〜８０原子％の珪素を含む厚さ約１０〜１２０μｍ（
ミクロン）の水素化非晶質炭化珪素層３とを含む本発明
のエレクトロレセプターの部分的な概略断面図を示す。

このエレクトロレセプターの組成及び厚さは本明細書内
で説明した方法で制御することができる。このエレクト
ロレセプターは、≧２０Ｖ／μｍ、特に例えば約５０〜
１００Ｖ／μｍの高帯電能力；≦５Ｖ／ｓｅｃ、特に例
えば１２０７７μｍの電界に於て約Ｏ〜５Ｖ／ｓｅｃの
低暗減衰；≦ＩＱ−＋２Ω−１　、　ｃｍ−１、特に例
えば約１０−”Ω−１・Ｃｍ　−’〜約１０−２０Ω−
１・印−１の最小暗導電率；及び１０エルグ／　ｃｔＡ
に於て＜１０−９Ω−１、ｃｍ−１、特に約１０−９Ω
−１、ａｍ　−１〜約１０−２０Ω−１・国−１の無視
できる光導電率を含む本明細書内で示した特性を有する
。

第２図には、厚さ３．８１璽鳳（０，１５インチ）のア
ルミニウム支持体５と、約２５原子％の炭素、約３５原
子％の水素及び約４０原子％の珪素を有しかつ層の厚さ
が約８０μｍである隣接、ＳｉＣ；８層７と、装置を被
覆しかつ摩耗からさらに保護するために層７上にプラズ
マデポジションさせた、３０原子％の炭素、６０原子％
の珪素及びＩＯ原子％の水素を含み、約５μｍの厚さを
有する第２、Ｓｉ　Ｃｒ　８層９とを含む本発明の１つ
の好ましいエレクトロレセプターの部分的に概略の断面
図を示す。

、ＳｉＣ：　Ｈ］？Ｊの組成は、支持された性質を与え
るために本明細書内で示した方法で調節することができ
る。か（して、材料中の水素の濃度を低くすると、多く
の水素末端結合を含む材料と比べて優れた硬さを示すよ
り多く橋かけされた構造を提供し、かくして装置の改良
された耐摩耗性を与える。又、層９の組成は約１０〜約
４０原子％の炭素、約４０〜約８０原子％の珪素及び約
１０〜約３０原子％の水素を含むことができ、かつ層は
約０、１〜約ｌＯミクロンの厚さであることができる。

々ましい　Ｕ薬のｉ′Ｂ以下、本発明の好ましい実施態様を示すが、等価の組成
物も本発明の範囲内に含まれることは言うまでもない。

本発明のエレクトロレセプターのための支持基体は市販
ポリマーのマイラ（Ｍｙｌａｒ■）を含む無機又は有機
ポリマーのような絶縁性材料；その上に配置されたイン
ジウム、酸化錫又はアルミニウムのような導電性有機又
は無機材料層と組み合わせたマイラ（Ｍｙｌａｒ■）；
アルミニウム、クロム、二、ケル、真鍮などのような導
電性材料を含むことができる。基体は可撓性でも剛性で
あってもよく、かつプレート、円筒形ドラム、スクロー
ル、無端状可撓性ベルトなどのような多数の種々の形状
をとることができる。好ましくは、基体は剛性円筒形ド
ラムの形である。基体層の厚さは経済的な考慮を含む多
くの因子に依存する。かくして、この層は実質的な厚さ
、例えば２５．４ｍ（１インチ）以上、あるいは本発明
の目的が達成されるならば最小の厚であってもよい。

本発明のエレクトロレセプター装置は、好ましくは、厚
さが２．５４〜２５．４龍（０，１〜１インチ）の円筒
形アルミニウム支持体（１又は５）；１０〜６０原子％
の炭素、１０〜６０原子％の水素及び１０〜８０原子％
の珪素、好ましくは２５原子％の炭素、３５原子％の珪
素及び４０原子％の水素を含む、ＳｉＣ：　Ｈ層（３又
は７）及び通常層３及び７より少ない水素を含み、好ま
しくは３０原子％の炭素、６０原子％の珪素及び１０原
子％の水素を含む硬質保護被覆層を含む。

本発明のエレクトロレセプターの製造のために選ばれる
装置は、その記載が全体として参照文として本明細書に
含まれるものとする米国特許第４．６３４，６４７号（
例えば第５図参照）中に明確に記載されている。１つの
実施態様に於て、装置容器、単一ドラムクロスフローデ
ポジションは２１ｊ２の容積を有し、回転翼型ポンプで
バックアップしたルーツブロワ−で排気し、１分間で１
ミリＴｏｒｒ未満の圧力の真空にすることができる。容
器内には直径７６．２龍（３，０インチ）のステンレス
鋼製円筒形電極があり、この電極はドラム心棒としても
働いており、この心棒は、ＳｉＣ：　Ｈがその上にデポ
ジションされるアルミニウムドラムの支持体である。こ
の電極は電気的に接地されかつ機械的モーターで駆動さ
れる回転シャフトに固定されており、電極は加熱源制御
装置に接続された接続線を有する加熱用素子を含み、そ
の電極はドラム心棒と共軸のステンレス鋼電極で囲まれ
かつ装置の底部にあるテフロンリング上に置かれること
によってデポジション装置の残りから電気的に隔離され
ており、かつ該電極は約１５２．４　ａｍ（６，０イン
チ）の内径、ガス導入口及び幅約１２．７　ａｍ（０，
５インチ）、長さ約４０６．４１１（１６インチ）の排
気スロットを有する。円筒形電極はデポジション装置の
壁土の電気的貫通接続によって乙ｆ、マツチングネット
ワークへ接続し、このネットワークはまた乙ｆ、電源へ
接続している。シラン（Ｓｉ　Ｈ４）、エチレン（ｃ２
Ｈａ）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）及びエタン（Ｃ２Ｈ４
）のような炭化水素ガスを含むガス圧力容器は質量流制
御装置を通して混合用マニホルドへ連結しており、マニ
ホルドは又、デポジション装置へ連結している。この装
置とルーツブロワ−真空ポンプとの間には絞り弁も連結
されており、この絞り弁はフィードバックループを通し
て圧力計に連結しており、デポジション室内の所定圧力
値の調節を可能にしている。上記両電極間に電力を印加
するとき、両者間に放電が生じ、減圧下のデポジション
室内のガス混合物を解離させかつアルミニウムドラム基
体上に所望の水素化非晶質炭化珪素膜を生成する。

本発明は、エレクトロレセプタ一部材の表面へイオンを
像として印加するイオン写真像形成方法をも含む。かく
して、十分な電界及び電圧の静電像がエレクトロレセプ
ターの表面に生成されかつ保持され、これらの静電パタ
ーンはトナー及び現像剤組成物による、かつ電荷添加物
無しの現像（その記載が全体として参照文として本明細
書に含るれるものとする米国特許第４，２９８，６７２
号、第４，３３８，３９０号、第４，５５８．１０８号
、第４．４６９．７７０号、第４，５６０．６３５号を
参照されたい）及び引続いて転写及び定着に適している
。

実施例１上記の単一ドラムクロスフローデポジション装置で均質
な非晶質水素化炭化珪素エレクトロレセプターを製造し
た。かくして、長さ４０６．４　ｍｍ（１６インチ）、
外径８３．８２ｍｍ（３，３インチ）、厚さ３．８１窮
履（０，１５インチ）のアルミニウムドラム基体からな
る第１電掻をデポジション室内に入っているステンレス
鋼心棒上に挿入し、約１ミＪ　Ｔｏｒｒの圧力の真空中
で２３０°Ｃに加熱した。このデポジション室内には、
第１電極と共軸で、１５２．４■薦（６インチ）の内径
、ガス導入口及び幅１２．７■鵬（０，５インチ）、長
さ４０６．４１（１６インチ）の排気スロットを有する
本明細書中でより明確に詳述したステンレス鋼電極も存
在していた。次にドラム及び心棒を毎分３回転で回転さ
せ、次に混合用マニホルドからデポジション室内へ１０
０　標準立方セン千メートル（ｓｃｃｍ）のシラン（Ｓ
ｉｔ（、）及びｌ　ＯＯｓｃｃｍのエチレン（Ｃ２Ｈ，
）を導入した。次に調節自在の絞り弁で圧力を３００ミ
リＴｏｒｒに保った。次に、電源モデルＥＮ　Ｉ　−Ａ
ＣＧ−５で測定して１００ワツトのＲ，ｆ、電力を共軸
電極へ印加した。

４時間が経過したとき、共軸電極への電力印加を中止し
、ガス流を停止し、ドラムの回転を止め、ドラムを室温
へ冷却した後、アルミニウムドラムをデポジション装置
から取り出した。アルミニウム基体〔厚さ３．８１龍（
０，１５インチ）〕上に含まれた非晶質水素化炭化珪素
層の厚さをパーマスコープ（Ｐｅｒｍａｓｃｏｐｅ■）
厚み測定装置で測定したところ６０μ踵であった。燃焼
熱分解分析を用いて、デポジションされた水素化非晶質
炭化珪素層の組成が炭素約２５原子％、珪素約３５原子
％及び水素約４０原子％であると測定された。

このエレクトロレセプターを、スコロトロン帯電装置、
５０　Ｘ　１０−９Ｃ／ｃＪのイオン密度を送ることが
できるイオン写真像バー（イオンヘッド）、及びゼロッ
クスコーポレーション（Ｘｅｒｏｘ　Ｃｏｒｐｏ−ｒａ
ｔｉｏｎ）３１００■から改装した現像及び清掃装置を
含むイオン写真ブレンドボード像形成試験装置内に組み
込むことによって画像すなわちプリントを得た。エレク
１−ロレセプターをスコロトロン帯電装置で−１，４０
０ポル１−に予備帯電させ、イオンへノドを＋１．２０
０ボルトにバイアスをかけた。

このことがイオンヘッドで“書き込まれた”エレクトロ
レセプターの領域と書き込まれなかった領域との間に約
−１，２００ボルトの電位差を生じた。

静電電圧表面プローブによりエレクトロレセプター表面
上で約ＩＶ／５ｅｃ（暗室中）及び約２■／５ｅＣ（室
内灯点灯時）の電荷減衰速度が測定された。

エレクトロレセプター上の生成（＆のスチレン−ｎブチ
ルメタクリレートコポリマー９０重量％とカーボンブラ
ック粒子１０重量％とからなるトナー粒子による現像及
び像の紙への転写後に得られた画像は優れた品質〔解像
度約３００ｐｓｉ（スポット／インチ）〕でありかつ背
景への付着は見られなかった。

去】ｌ１影実施例１の操作を本質的に繰返すことによって２種の異
なる層からなる非晶質水素化炭化珪素エレクトロレセプ
ター（第２図参照）を製造した。

明確には、１０−’Ｔｏｒｒ未溝の圧力の真空中でアル
ミニウム基体を２３０℃に加熱した。次にドラムと心棒
とを毎分３回転で回転させ、次に混合用マニホルドから
デポジション装置内へ１００ｓｅｃのＳｉＨ，と１００
ｓｃｃｍのエチレンとを導入した。次に、調節自在の絞
り弁で圧力を３００ミリＴｏｒｒに保った。次に、ドラ
ム心棒とアルミニウム基体とを電気的に接地したま一１
共軸電極へ１００ワツトのｒ、「、電力を印加した。

４時間が経過したとき、共軸電極への電力印加を中止し
、ガス流を停止し、デポジション装置を２分間約１ミリ
Ｔｏｒｒの圧力に保った。次に、上で生成した水素化非
晶質炭化珪素層上にデポジションさせる第２の水素化非
晶質炭化珪素層を生成するため、混合用マニホルドから
デポジション装置内へ１６０ｓｅｃｍの５ｉＨａと４Ｑ
ｓｃｃｍのエタン（Ｃ２Ｈ４）とを導入した。圧力を３
００ミリＴｏｒｒに保った。次に、ドラム心棒とアルミ
ニウム基体とを電気的に接地したまま、共軸電極へ１０
０ワツトのｒ、ｆ、電力を印加した。

１５分が経過した後、共軸電極への電力印加を中止し、
ガス流を停止し、ドラムの回転を止め、アルミニウムド
ラムを室温へ冷却した後、ドラムをデポジション装置か
ら取り出した。第１及び第２非晶質水素化炭化珪素層の
全厚さは６４μＩであると測定された。パーマスコープ
（Ｐｅｒｍａｓｃｏｐｅ■）で測定されたとき、第１層
は厚さ６０μｍ、第２層は厚さ４μｍであった。最初に
デポジションさせたエチレンで製造した材料は、燃焼熱
分解分析を用いて炭素約２５原子％、珪素３５原子％、
及び水素４０原子％を含むことがわかった。同じ熱分解
法で；デポジションされた第２層（エタン）は炭素１５
原子％、珪素７０原子％及び水素１５原子％を含むこと
がわかった。

実施例１の方法を反復することによってこのエレクトロ
レセプターをプリント試験し、本質的に同様な結果を得
た。エレクトロレセプター上の電圧の電荷減衰は暗室中
及び室内灯点灯時共に約ＩＶ／ｓｅｃであった。このエ
レクトロレセプターで得た像は優れた品質（実施例１で
得た品質と同等の）であり、このエレクトロレセプター
の耐摩耗性は厚さ０．０５０８龍（２ミル）のステンレ
ス鋼清掃用ブレードに接して１００万サイクル回転させ
ることにおって例外的に優れていることがわかり、水素
化非晶質炭化珪素材料のパーマスコープ（Ｐｅｒｍａｓ
ｃｏｐｅ■）による損失は観察されなかった（すなわち
厚さは６４μｍから変化しなかった）。

【図面の簡単な説明】

第１図は、厚さ２．５４〜２５．４ｎ＋（０，１〜１イ
ンチ）の支持基体ｌと、それと接触していて、１０〜６
０原子％の炭素、１０〜６０原子％の水素及び１０〜８
０原子％の珪素を含む厚さ約１０〜１２０μＩＩ＋（ミ
クロン）の水素化非晶質炭化珪素層３とを含む本発明の
エレクトロレセプターの部分的な、概略断面図を示し、
かつ第２図は厚さ３．８１ｍ■（０，１５インチ）のアルミ
ニウム支持体５と、約２５原子％の炭素、約３５原子％
の水素及び約４０原子％の珪素を有しかつ層の厚さが約
８０μｍである隣接ａ−５ｉＣ：　Ｈ層７と、装置を被
覆しかつ摩耗からさらに保護するために層７上プラズマ
デポジションさせた、３０原子％の炭素、６０原子％の
珪素及びＩＯ原子％の水素を含み、約５μｍの厚さを有
する第２　、Ｓｉ　Ｃ：８層９とを含む本発明の１つの
好ましいエレクトロレセプターの部分的に概略の断面図
を示す。

Claims

【特許請求の範囲】

支持基体と、約１０〜約６０原子％の炭素、約１０〜約
６０原子％の水素及び約１０〜約８０原子％の珪素を有
する水素化非晶質炭化珪素とを含むエレクトロレセプタ
ー。