JPH0233921A - 拡散炉装置 - Google Patents
拡散炉装置Info
- Publication number
- JPH0233921A JPH0233921A JP18421288A JP18421288A JPH0233921A JP H0233921 A JPH0233921 A JP H0233921A JP 18421288 A JP18421288 A JP 18421288A JP 18421288 A JP18421288 A JP 18421288A JP H0233921 A JPH0233921 A JP H0233921A
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- JP
- Japan
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- core tube
- gas
- static electricity
- semiconductor substrate
- semiconductor substrates
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Elimination Of Static Electricity (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体基板に所望の膜を付けたり拡散したりす
るための拡散炉装置に関する。
るための拡散炉装置に関する。
従来、この種の拡散炉装置は、一定の方位に整列させて
立て替えた半導体基体を円筒状の炉芯管内に搬入するこ
ろ付ローダー等を備えている。そして、このローダーを
用いて炉芯管内に半導体基板を搬入後、所定のガスを導
入して所望の膜を付けたり拡散を行なっていた。
立て替えた半導体基体を円筒状の炉芯管内に搬入するこ
ろ付ローダー等を備えている。そして、このローダーを
用いて炉芯管内に半導体基板を搬入後、所定のガスを導
入して所望の膜を付けたり拡散を行なっていた。
上述した従来の拡散炉装置は、半導体基板を立て替えた
り、炉芯管内にローダ−にて導入する際にテフロンある
いは石英などが擦れ合って、半導体基板内に正又は負の
静電気が生じ、そのため半導体基板にマイクロダストが
付着するという欠点があった。
り、炉芯管内にローダ−にて導入する際にテフロンある
いは石英などが擦れ合って、半導体基板内に正又は負の
静電気が生じ、そのため半導体基板にマイクロダストが
付着するという欠点があった。
本発明の拡散炉装置は炉芯管に半導体基板を搬入搬出す
るためのローダ−機構を有する拡散炉装置において、所
定のガスをあらかじめイオン化してから炉芯管内に導入
する機構を有し、これにより前記ローダ−機構で発生す
る静電気を中和することを特徴とする。
るためのローダ−機構を有する拡散炉装置において、所
定のガスをあらかじめイオン化してから炉芯管内に導入
する機構を有し、これにより前記ローダ−機構で発生す
る静電気を中和することを特徴とする。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の概略図である。半導体基板
１は、コロ付のポート２の上に乗せられ、ローダ−機構
３により炉芯管４内に挿入される。
１は、コロ付のポート２の上に乗せられ、ローダ−機構
３により炉芯管４内に挿入される。
ガスはガス導入ノズル５から導入されるが、ガス導入ノ
ズル５にはイオン発生電極６が取付けられ、イオン発生
装置７との組合せによりイオン発生電極６よライオンを
発生する。イオンはガス流により半導体基板１まで流れ
ていき半導体基板１の表面電荷を中和させる。
ズル５にはイオン発生電極６が取付けられ、イオン発生
装置７との組合せによりイオン発生電極６よライオンを
発生する。イオンはガス流により半導体基板１まで流れ
ていき半導体基板１の表面電荷を中和させる。
第２図は本発明の他の実施例の概略図である。
イオン発生装置７は直流パルス方式であり、マイナス側
イオン発生電極８とプラス側イオン発生電極９０２つを
持っている。このプラス及びマイナスの画電極から交互
にプラスイオンとマイナスイオンを発生させる様になっ
ているために半導体基板表面に一方の極性の電荷のみが
蓄積することがなく、両極イオンが分離され、再結合率
が低く効率の良い半導体基板１の表面電荷の中和が可能
となるという利点がある。
イオン発生電極８とプラス側イオン発生電極９０２つを
持っている。このプラス及びマイナスの画電極から交互
にプラスイオンとマイナスイオンを発生させる様になっ
ているために半導体基板表面に一方の極性の電荷のみが
蓄積することがなく、両極イオンが分離され、再結合率
が低く効率の良い半導体基板１の表面電荷の中和が可能
となるという利点がある。
以上説明したように本発明は、炉芯管内に導入するガス
をイオン化して導入する事により、炉芯管内で処理され
る半導体基板の静電気を中和する事が出来る。このため
半導体基板に静電気により付着していたマイクロダスト
が減少するという効果がある。
をイオン化して導入する事により、炉芯管内で処理され
る半導体基板の静電気を中和する事が出来る。このため
半導体基板に静電気により付着していたマイクロダスト
が減少するという効果がある。
第１図は本発明の一実施例の概略図、第２図は本発明の
他の実施例の概略図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・コロ付のポ
ート、３・・・・・・ローダ−機構、４・・・・・・炉
芯管、５・・・・・・ガス導入ノズル、６・・・・・・
イオン発生電極、７・・・・・・イオン発生装置、８・
・・・・・マイナス側イオン発生電極、９・・・・・・
プラス側イオン発生電極。 代理人 弁理士 内 原 晋
他の実施例の概略図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・コロ付のポ
ート、３・・・・・・ローダ−機構、４・・・・・・炉
芯管、５・・・・・・ガス導入ノズル、６・・・・・・
イオン発生電極、７・・・・・・イオン発生装置、８・
・・・・・マイナス側イオン発生電極、９・・・・・・
プラス側イオン発生電極。 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- 炉芯管に半導体基板を搬入搬出するためのローダー機構
を有する拡散炉装置において、所定のガスをあらかじめ
イオン化してから炉芯管内に導入する機構を有し、これ
により前記ローダー機構で発生する静電気を中和するこ
とを特徴とする拡散炉装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18421288A JPH0233921A (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | 拡散炉装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18421288A JPH0233921A (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | 拡散炉装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0233921A true JPH0233921A (ja) | 1990-02-05 |
Family
ID=16149328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18421288A Pending JPH0233921A (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | 拡散炉装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0233921A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006295338A (ja) * | 2005-04-06 | 2006-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | データ送信装置、データ受信装置、並びにデータ通信装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5893323A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-03 | Semiconductor Res Found | 半導体製造装置 |
-
1988
- 1988-07-22 JP JP18421288A patent/JPH0233921A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5893323A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-03 | Semiconductor Res Found | 半導体製造装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006295338A (ja) * | 2005-04-06 | 2006-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | データ送信装置、データ受信装置、並びにデータ通信装置 |
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