JP3071730B2 - イオン注入装置及びイオン注入方法 - Google Patents

イオン注入装置及びイオン注入方法

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JP3071730B2
JP3071730B2 JP9169286A JP16928697A JP3071730B2 JP 3071730 B2 JP3071730 B2 JP 3071730B2 JP 9169286 A JP9169286 A JP 9169286A JP 16928697 A JP16928697 A JP 16928697A JP 3071730 B2 JP3071730 B2 JP 3071730B2
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龍基 堤
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九州日本電気株式会社
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【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、イオン注入装置
びイオン注入方法に係り、特に、半導体基板に所定の物
質を注入する際に用いて好適なイオン注入装置及びイオ
ン注入方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図3は、例えば、特開昭62−2543
52号公報に開示されているイオン打込み装置の要部を
示す断面図である。このイオン打込み装置の試料台1に
は、半導体ウェハなどの試料2が着脱自在に固定されて
おり、所定の物質のイオンビーム3が試料2の表面にほ
ぼ垂直に入射されるようになっている。
【0003】このイオンビーム3の経路には、中央部に
透孔4aが形成されたビームゲート4が設けられ、該ビ
ームゲート4をイオンビーム3の経路を横断する方向に
変位させることにより、該イオンビーム3の前記試料2
に対する入射および遮断が適宜制御される構成とされて
いる。そして、ビームゲート4の前後には、筒状の2次
電子捕捉電極5および2次電子捕捉電極6が配設されて
いる。
【0004】2次電子捕捉電極5は、直流電源7から所
定の値の負電位が与えられており、ビームゲート4がイ
オンビーム3を遮断する際などに該ビームゲート4から
発生する2次電子を捕捉するものである。一方、2次電
子捕捉電極6は、イオンビーム3が入射される際に試料
2から発生される2次電子を捕捉するものである。さら
に、2次電子捕捉電極5、6及びビームゲート4等は、
電流計8を介して接地されており、該電流計8によって
検出される電流値から、試料2にイオンビーム3として
入射される単位時間当たりの所定の物質の量が把握され
る構成とされている。
【0005】試料2の近傍には、該試料2に入射される
イオンビーム3を囲むような筒状の導体で構成され、可
変直流電源9から所望の正電圧が印加される電場形成手
段10が設けられており、例えば、ビームゲート4の作
動時に発生される金属粉や処理室内の排気時に散乱され
る塵埃などからなる、処理室内を浮遊する間にイオンビ
ーム4から電荷を得て正に帯電した状態で試料2に接近
する異物などが、正電位の前記電場形成手段10から斥
力を受け試料2の表面に到達するのを阻止する構成とさ
れている。また、従来のイオン打込み装置では、試料2
がイオンビーム3により正に帯電していることから、イ
オンビーム3の経路にエレクトロンシャワー(2次電子
補充手段)等を設けることにより、前記試料2に2次電
子を補い中和するようにしている。
【0006】図4は、例えば、特開昭62−26756
号公報に開示されている半導体製造装置を示す断面図で
あり、図において、11は半導体ウェハ、12は例えば
イオン注入のためのイオン銃などの加工器、13は半導
体ウェハ11や加工器12を収納する真空槽、14は真
空槽13内を排気する排気系、15は半導体ウェハ11
を取り出すための取り出し口、16は取り出し口15が
容易に開けられるように真空槽13内を大気圧にするた
め外部から大気を導入するための大気導入バルブ、17
は排気系14と真空槽13を分離する排気バルブ、18
は真空槽13内の塵埃、19はイオン化気体導入器であ
る。
【0007】この半導体製造装置では、半導体ウェハ1
1の取り出し時に、イオン化気体導入器19により、帯
電している半導体ウェハ11の電荷の符号と逆の符号の
電荷を有するイオンを含む気体を塵埃18を巻き上げな
い程度の流量で半導体ウェハ11に与えて、その電荷を
中和し、その後に、通常の半導体ウェハ11の取り出し
を行なう。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】従来のイオン打込み装
置の問題点は、イオンビーム3の経路にエレクトロンシ
ャワー等を設けることにより前記試料2に2次電子を補
い中和しているが、このエレクトロンシャワーの効果が
無くなってしまい、前記試料2が中和され難くなり、し
たがって、試料2の取り出し時に、該試料2に塵埃等が
付着してしまう虞があるという点である。
【0009】その理由は、正の電圧が印加される電場形
成手段10により、エレクトロンシャワーより発生する
2次電子が捕捉されてしまい、試料2まで届かなくなっ
てしまうからである。
【0010】また、従来の半導体製造装置の問題点は、
真空槽13内の真空度が低い(真空度が良い)場合と比
較して、半導体ウェハ11により多くのイオンが注入さ
れてしまうという現象が発生し、また、半導体ウェハ1
1の取り出し時に、該半導体ウェハ11に塵埃18が付
着する虞があるという点である。
【0011】その理由は、イオン化気体導入器19によ
り、半導体ウェハ11の取り出し時に真空槽13内に半
導体ウェハ11の電荷の符号と逆の符号の電荷を有する
イオン化気体を導入するために、真空度が悪化し、この
イオン化気体により半導体ウェハ11に必要以上のイオ
ンが注入されてしまうからであり、また、イオン化気体
を導入する際に僅かながらも塵埃18を巻き上げてしま
い、この塵埃18が半導体ウェハ11に付着してしまう
虞があるからである。
【0012】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であって、試料に付着する塵埃の量を低減させることが
でき、また、2次電子補充手段の効果を低減させること
なく試料の帯電状態を電気的に中和させることができ、
さらに、試料により多くのイオンが注入されてしまうの
を防ぐことができるイオン注入装置及びイオン注入方法
を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は次の様なイオン注入装置及びイオン注入方
を採用した。すなわち、本発明のイオン注入装置は、
所定の物質のイオンビームを試料に衝突させることによ
り、該試料に前記物質を注入する装置で、前記試料を着
脱自在に固定する試料台と、該試料台の前方に設けられ
前記イオンビームを通過させるとともに前記試料に2次
電子を補い電気的に中和させる2次電子補充手段とを備
え、前記試料台と該2次電子補充手段との間に、塵埃を
吸着させる帯電板と該帯電板を前記イオンビームの経路
に対して進退させる駆動部とを備えた塵埃除去手段を設
け、前記帯電板を、イオンビームの経路を遮るように挿
入し、該帯電板を前記イオンビームにより正に帯電させ
る構成としたものである。
【0014】本発明のイオン注入方法は、所定の物質の
イオンビームを試料に衝突させることにより、該試料に
前記物質を注入するイオン注入方法であり、前記試料を
着脱自在に試料台に固定し、イオンビームにより前記試
料に前記物質を注入し、必要量の前記物質の注入が終了
した後、前記試料台と2次電子補充手段との間に設けら
れ塵埃を吸着させる帯電板と該帯電板を前記イオンビー
ムの経路に対して進退させる駆動部とを備えた塵埃除去
手段を用いて前記帯電板を前記駆動部により上昇させて
イオンビームの経路を遮るように挿入し、前記帯電板を
前記イオンビームにより正に帯電させて該帯電板に塵埃
を吸着させるものである。
【0015】
【0016】本発明のイオン注入装置では、試料台と2
次電子補充手段との間に、塵埃を吸着させる帯電板と該
帯電板を前記イオンビームの経路に対して進退させる駆
動部とを備えた塵埃除去手段を設け、前記帯電板を、イ
オンビームの経路を遮るように挿入し、該帯電板を前記
イオンビームにより正に帯電させる構成としたことによ
り、前記イオンビームを試料に衝突させる際には、前記
帯電板がイオンビームの入射に対して障害となるため、
該イオンビームの経路から退避させておき、前記試料に
必要量の前記物質が注入された後、前記帯電板をイオン
ビームの経路を遮るように挿入し、イオンビームを遮断
する。
【0017】この場合、前記帯電板は、前記イオンビー
ムにより正に帯電されるので、前記2次電子補充手段等
から発生した負に帯電した塵埃は、前記帯電板に引き付
けられて吸着されることとなり、前記試料に付着する塵
埃の量が低減される。また、試料台と2次電子補充手段
との間に電場形成手段等が無いことにより、2次電子補
充手段の効果が減少することが無く、試料が電気的に中
和され難くなる虞もなくなる。また、試料の取り出し時
にイオン化気体を導入する必要が無いため、試料に必要
以上のイオンが注入される虞が無くなる。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て図面に基づき説明する。 図1は本発明の一実施形態
に係るイオン注入装置を示す断面図であり、図におい
て、21は半導体ウェハ等からなる試料2が着脱自在に
固定される試料台1の前方に設けられた筒状のエレクト
ロンシャワー(2次電子補充手段)、22は試料台1と
エレクトロンシャワー21との間に設けられた塵埃除去
機構(塵埃除去手段)である。
【0019】エレクトロンシャワー21は、所定の物質
のイオンビーム3を通過させるとともに、正に帯電した
試料2に2次電子を補うことにより、電気的に中和さ
せ、試料2の静電破壊を防止するものである。塵埃除去
機構22は、イオンビーム3により正に帯電し塵埃を吸
着させる帯電板23と、帯電板23をイオンビーム3の
経路に対して進退させる駆動部24とから構成されてい
る。
【0020】次に、このイオン注入装置の動作について
図1及び図2に基づき説明する。まず、試料台1に試料
2を固定し、駆動部24により帯電板23を下降させ、
イオンビーム3の経路より退避させる(図1)。その
後、所定の物質のイオンビーム3をエレクトロンシャワ
ー21内を通過させた後、試料2に衝突させて試料2に
前記物質を注入する。
【0021】この際、イオンビーム3が正の電荷を持っ
ているために、試料2の表面には正の電荷が帯電する
が、エレクトロンシャワー21より発生する2次電子が
試料2に捕捉され、電気的に中和される。一方、エレク
トロンシャワー21では、内壁がイオンビーム3により
スパッタリングされ、その一部が剥離して負の電荷を有
する塵埃25となる。
【0022】必要量の前記物質の注入が終了した後、駆
動部24により帯電板23を上昇させ、イオンビーム3
の経路を遮るようにエレクトロンシャワー21と試料台
1との間に挿入する(図2)。この時、イオンビーム3
が帯電板23に当たることで該帯電板23は正に帯電す
る。この時の電圧は100〜400Vにもなる。
【0023】一方、エレクトロンシャワー21にある塵
埃25は、該エレクトロンシャワー21より発生する2
次電子により負に帯電しているため、静電気力により帯
電板23に引き付けられ吸着される。帯電板23が吸着
した塵埃25は、帯電板23を定期的に交換することで
装置内から取り除かれる。
【0024】本実施形態によれば、イオンビーム3によ
り正に帯電した帯電板23に負に帯電した塵埃25を引
き付けて吸着させるので、試料2に付着する塵埃25の
量を低減させることができる。
【0025】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、
料台と2次電子補充手段との間に、塵埃を吸着させる帯
電板と該帯電板を前記イオンビームの経路に対して進退
させる駆動部とを備えた塵埃除去手段を設け、前記帯電
板を、イオンビームの経路を遮るように挿入し、該帯電
板を前記イオンビームにより正に帯電させる構成とした
ので、イオンビームにより正に帯電した前記帯電板に負
に帯電した塵埃を引き付け吸着させることにより、試料
に付着する塵埃の量を低減させることができる。また、
試料台と2次電子補充手段との間に電場形成手段等が無
いので、2次電子補充手段の効果を減少させずに済み、
試料が電気的に中和され難くなる虞もない。また、試料
の取り出し時にイオン化気体を導入する必要が無いの
で、試料に必要以上のイオンが注入される虞も無い。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施形態に係るイオン注入装置を
示す断面図である。
【図2】 本発明の一実施形態に係るイオン注入装置の
動作を示す断面図である。
【図3】 従来のイオン打込み装置を示す断面図であ
る。
【図4】 従来の半導体製造装置を示す断面図である。
【符号の説明】
1 試料台 2 試料 3 イオンビーム 4 ビームゲート 4a 透孔 5、6 2次電子捕捉電極 7 直流電源 8 電流計 9 可変直流電源 10 電場形成手段 11 半導体ウェハ 12 イオン銃などの加工器 13 真空槽 14 排気系 15 取り出し口 16 大気導入バルブ 17 排気バルブ 18 塵埃 19 イオン化気体導入器 21 エレクトロンシャワー(2次電子補充手段) 22 塵埃除去機構(塵埃除去手段) 23 帯電板 24 駆動部

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 所定の物質のイオンビームを試料に衝突
    させることにより、該試料に前記物質を注入するイオン
    注入装置であって、 前記試料を着脱自在に固定する試料台と、該試料台の前
    方に設けられ前記イオンビームを通過させるとともに前
    記試料に2次電子を補い電気的に中和させる2次電子補
    充手段とを備え、 前記試料台と該2次電子補充手段との間に、塵埃を吸着
    させる帯電板と該帯電板を前記イオンビームの経路に対
    して進退させる駆動部とを備えた塵埃除去手段を設け、 前記帯電板を、イオンビームの経路を遮るように挿入
    し、該帯電板を前記イオンビームにより正に帯電させる
    構成とした ことを特徴とするイオン注入装置。
  2. 【請求項2】 所定の物質のイオンビームを試料に衝突
    させることにより、該試料に前記物質を注入するイオン
    注入方法であって、 前記試料を着脱自在に試料台に固定し、 前記イオンビームにより前記試料に前記物質を注入し、 必要量の前記物質の注入が終了した後、前記試料台と2
    次電子補充手段との間に設けられ塵埃を吸着させる帯電
    板と該帯電板を前記イオンビームの経路に対して進退さ
    せる駆動部とを備えた塵埃除去手段を用いて前記帯電板
    を前記駆動部により上昇させてイオンビームの経路を遮
    るように挿入し、 前記帯電板を前記イオンビームにより正に帯電させて該
    帯電板に塵埃を吸着させることを特徴とするイオン注入
    方法。
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