JPH023258A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPH023258A
JPH023258A JP63150851A JP15085188A JPH023258A JP H023258 A JPH023258 A JP H023258A JP 63150851 A JP63150851 A JP 63150851A JP 15085188 A JP15085188 A JP 15085188A JP H023258 A JPH023258 A JP H023258A
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和正 森下
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [目次〕 概要 産業上の利用分野 従来の技術         (第8図)発明が解決し
ようとする課題 課題を解決するための手段 作用 実施例 原理説明         (第1.2図)本発明の一
実施例     (第3〜7図)〔概要〕 半導体装置の製造方法に関し、 階層化データに対してオーバラップやスリットが発生し
ないようにリサイジング(Resizing:拡大・縮
小)処理することのできる半導体装置の製造方法を提供
することを目的とし、 LSIチップの論理プロ・ンクを構成する内部セルを、
各階層毎に指定して、該セルの全階層における階層およ
び階層間の接続関係を階層化図形データとして作成する
半導体装置の製造方法において、上位階層と下位階層の
境界に枠を定義し、該枠に接する図形データ同士が離れ
ないようにリサイジング処理を行うようにしたことを特
徴とする半導体装置の製造方法。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造方法に係り、詳しくは階層
化図形データに対してリサイジング処理を行うようにし
た半導体装置の製造方法に関する。
近年のLSIの大規模化、高密度化に伴ってそれに要す
る露光データ量や図形処理の処理時間は増加する一方で
あり、LSIの開発コストの増大にもつながっている。
このことは、従来からの展開処理を行った後図形処理を
行う手法が、処理対象の図形数の増加に対応しきれなく
なっているためである。LSIの図形数は展開前と後で
は10〜100倍程度の差があり展開前の時点で処理す
れば高速な図形処理が可能であり、階層化図形処理は有
効な手法である。すなわち、メモリ品種のような繰り返
しセルを持つ品種について、そのレイアウトパターンデ
ータの繰り返しのある階層構造をうまく利用して階層化
製造データ作成処理を行えば、高速かつデータ量の大幅
な圧縮が可能となる。
〔従来の技術〕
図形がNouchを含む場合には、一定幅だけ拡大した
後に同じ幅だけ縮小すればその幅だけのNouchは除
去できる。また、異なる描画装置のインターフェースや
、設計規則の変更に対するためのデータ変換においては
、リサイジング処理は必要不可欠な処理である。
従来のりサイジング処理方式においては、処理対象の図
形のみ考慮し指定されたりサイジング処理を施し、図形
間にオーバラップ(0νerlap)が発生した場合は
マージ(Merge)処理を行って除去し、縮小処理の
場合はりサイジング処理前にマージ処理を行ったり、リ
サイジング処理後、スリット(Slit)に対して埋め
込み処理を行っている。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、このような従来の半導体装置の製造方法
にあっては、階層化図形データにより階層間で上述のよ
うな処理を行おうとすると次のような問題点が生じてし
まう。
すなわち、第8図に示すように階層間で接続しているよ
うな図形データに対して拡大処理を行うと■階層間にオ
ーバラップが、縮小処理では0階層間にスリットが発生
することになる。したがって、図形にオーバラップがあ
る場合にはベクトル・スキャン方式の電子ビーム描画装
置で描画したときオーバラップの部分が膨れてしまい配
線部分に接触してしまったり、スリットが空いている場
合にはLSIの素子の形成はできない。それらを解決し
ようとするとりサイジング処理後階層展開処理を行いマ
ージ処理や微小スリット埋め込み処理を行わなければな
らず、そのために多くの処理時間と展開したデータを保
持する資源が必要になる。
そこで本発明は、階層化データに対してオーバランプや
スリットが発生しないようにリサイジング処理すること
のできる半導体装置の製造方法を提供することを目的と
している。
〔課題を解決するための手段〕
本発明による半導体装置の製造方法は上記目的達成のた
め、LSIチップの論理ブロックを構成する内部セルを
、各階層毎に指定して、該セルの全階層における階層お
よび階層間の接続関係を階層化図形データとして作成す
る半導体装置の製造方法において、上位階層と下位階層
の境界に枠を定義し、該粋に接する図形データ同士が離
れないように拡大・縮小処理を行うようにしたことを特
徴とする半導体装置の製造方法を備えている。
〔作用〕
本発明では、上位階層が下位階層を参照しているとき上
位階層と下位階層の境界に枠が定義され、該枠に接する
図形データ同士が離れないようにリサイジング処理が行
われる。
したがって、階層間で接続されている図形データであっ
ても、オーバラップやスリットが発生することなくリサ
イジング処理が行われる。
〔実施例〕
以下、本発明を図面に基づいて説明する。
祭皿設肌 第1.2図は本発明の詳細な説明するための図であり、
第1図はフレーム(枠)の定義方法を説明するための図
、第2図はその処理フローである。
第1図において、フレーム(Frame)データは階層
間の境界全てに定義するものとし、上位階層が下位階層
を参照している場合、■上位階層の下位階層の境界には
同図破線に示す中空のフレームを定義する。そして、そ
の中空フレームに対してリサイジング処理を行うことに
よりフレームデータに接している部分の線分端点の移動
を行わないようにする。したがって、階層境界で接して
いる図形の場合には、フレームにより端点移動が行われ
ないため、図形のオーバラップ、スリットの発生はなく
展開処理の必要はないので階層構造を維持したまま使用
可能データとなる。第2図は上記枠の定義方法を実現す
るためのプログラムを示すフローチャートであり、図中
Pn (n=1.2・・・・・・)はプログラムの各ス
テップを示す。
プログラムが開始すると、まずPlで入力データをX軸
に並行な線分と斜線骨(45°xH)とに分け、線分方
向コードとフレームの認識フラグを持った右向きの線分
を作成する図形ベクトル化処理を行い、P2でベクトル
化処理を行った線分を左端点X座標をキーにしてソート
する。P、ではP2でソートした同−X座標の線分を入
力して内部領域に昇順にソーティング格納し、P、で前
記P3で格納された線分を昇順にサーチし、マスク(M
ask)線分の組み合わせとフレーム線分との組み合わ
せを見つける。次いで、P、で見つけ出された線分がフ
レームに接しているか判定し、適切なりサイジング処理
を行う。ここでは、線分の反転処理、線分の上下入れ換
わりの時の補正処理も行う。P6では処理ベクトルが残
っているか否かを判別し、残っていれば再びP、に戻り
、残っていなければ処理を終了する。
二IL桝 次に、上記原理に基づくりサイジング処理方法を実施例
として説明する。第3〜7図は本発明の一実施例を示す
図である。第3図は本方法を実施するための装置のハー
ド的全体構成を示す図であり、この図において、1は本
システムのCPUである。CPUIは被処理図形データ
入力処理部2、リサイジング処理等図形処理を行うため
の図形処理部3 (本方法はこの中で採用される)、描
画データ出力処理部4からなり、図形データの作成等は
CPUIにより行われる。すなわち、本システムの処理
を指示する制御カード5を被処理図形データ入力処理部
2に入力すると、所定の図形処理プログラムが起動し、
被処理図形データ6が読み込まれる。そして、作業用直
接アクセス装置7を用いて図形処理部3で図形処理が実
行され、処理の経過が処理リスト8に、描画データ9が
MT等に出力される。
以上の構成において、第4図は図形処理のプログラムを
示すフローチャートである。まず、pHで定義されたフ
レームデータとマクスデータとをベクトル化して入力し
、第5図に示すような線分データを図形線分フォーマッ
トとしてWlに退避させる。すなわち、前記第1図を例
に採り説明すると、まず、図中矢印の線分に示すように
X軸方向にあるもの(X軸方向に平行なもの、または斜
線)のみを取り出して、Wlに格納する。したがって、
WlにはX軸に平行な線分と斜線骨のみ入力される。Y
軸方向にあるものも同様にベクトル化する。PIZでメ
イン・キーを左端点X座標とし、サブ・キーを左端点Y
座標としてPl+で求めた線分データを昇順にソーティ
ングしてW2に退避させる。例えば、第1図の線分で示
せばいちばん左側にあるものからの、■、◎・・・・・
・の順にソーティングされることになる。次いで、Pl
3で第6図に示すようなワーク・リストのルート (r
oot)ポインターをセンチネル(Sentinel)
をさすようにする(ワーク・リストの初期設定)。ここ
で、Sen tinelはそのポインターの終わりを示
している。すなわち、ここではワーク・リストのスペー
スを全て順序づけ空き領域として登録、ポインターを持
たすようにしている。次いで、PI3で第7図破線に示
すように端点に対して設けられているスイープ・ライン
(Sweep−Line)にW2で最も小さいX座標を
セットすることによりスイープ・ラインの初期設定を行
い、PI5でスイープ・ラインの設定をワーク・リスト
上のX座標値でスイープ・ラインより大きい値とW2の
先頭ベクトルの左X座標値とのうち小さい方をスイープ
・ライン値とする。
次いで、PI6でスイープ・ラインに接する線分をワー
ク・リスト上に読み込み、PI?でワーク・リスト内線
分を下から順次たどりマスク線分の組み合わせを探す。
その時フレーム線分が見つかったら退避しておく。PI
8ではPI?で見つかった第7図のような組み合わせの
線分に対してリサイジング処理を行う。
ここで、リサイジング処理のための端点移動の例を第7
図(a)〜(d)に示す線分の組み合わせを例に採り説
明する。
\の み人わせ(a) 選出されたマスク線分の上下にスイープ・ライン右、ま
たは、左のフレーム線分があるときであり、この場合は
マスク線分の端点X座標の移動は行わない。
\の み人わせ(b) 選出されたマスク線分とマスク線分との間にスイープ・
ラインの右、または、左のフレーム線分が二本あるとき
であり、この場合はマスク線分の端点の移動を行うとと
もに、マスク線分の発生を行う。すなわち、 1、縮小の時スイープ・ライン右にフレーム線分のY座
標と同じY座標の線分の発生を上下のフレーム線分に対
して行う。
2、拡大の時スイープ・ライン左にフレーム線分のY座
標と同しY座標の線分の発生を上下のフレーム線分に対
して行う。
ル の、み人わせ C 選出されたマスク線分の下にスイープ・ライン右、また
は、左のフレーム線分があってマスク線分とマスク線分
との間にスイープ・ライン右、または、左のフレーム線
分があるときであり、この場合は上のマスク線分の端点
移動を行うとともに、マスク線分の発生を行う。また、
下のマスク線分はY座標の移動のみ行う。すなわち、 1、縮小の時スイープ・ライン右にフレーム線分のY座
標と同じY座標の線分の発生を上のフレーム線分に対し
て行う。
2、拡大の時スィーブ・ライン左にフレーム線分のY座
標と同じY座標の線分の発生を上のフレーム線分に対し
て行う。
への みA+d 選出されたマスク線分の上にスイープ・ライン右または
左のフレーム線分があってマスク線分とマスク線分との
間にスイープ・ライン右または左のフレーム線分がある
ときであり、この場合は下のマスク線分の端点移動を行
うとともに、マスク線分の発生を行う。すなわち、1、
縮小の時スイープ・ライン右にフレーム線分のY座標と
同じY座標の線分の発生を下のフレーム線分に対して行
う。
2、拡大の時スイープ・ライン左にフレーム線分のY座
標と同じY座標の線分の発生を下のフレーム線分に対し
て行う。
上記(a)〜(d)以外の線分の組み合わせに対しては
上下ともマスク線分の端点移動を行う。
再び、第4図に戻って、PI9でW2あるいはワーク・
リスト中にベクトルが残っているか否かを判別し、残っ
ていればP、に戻ってW2内線分データとワーク・リス
ト内線分データが無くなるまで上記ステップP、〜P8
を繰り返す。一方、ベクトルが残っていなければ該当す
る階層の処理が終わ゛ったと判断してP2゜で次の階層
の処理を行うか否かを判別し、処理を行うべき階層があ
ればP目に戻り、なければそのまま処理を終える。
以上説明したように、本実施例によれば階層化した図形
データであっても階層間で接続する図形データにオーバ
ラップや、スリットの発生させることなくリサイジング
処理を行うことが可能になるため、従来オーバラップや
スリット発生のため士むを得すりサイジング処理を断念
してフラットで処理していた不具合(オーバラップ除去
やスリットの埋め込み処理)を解消させることができ、
階層単位に処理が可能になることにより図形処理時間を
飛曜的に短縮させることができる。
〔効果〕 本発明によれば、上位階層が下位階層を参照していると
き上位階層と下位階層の境界に枠を定義し、該枠に接す
る図形データ同士が離れないようにリサイジング処理を
行うようにしているので、階層間が接続されている図形
データであっても、オーバラップやスリットが発生する
ことなくリサイジング処理を行うことができ、図形処理
時間を大幅に短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
第1.2図は本発明に係る半導体装置の製造方法の原理
説明を示す図であり、 第1図はその枠データの定義方法を説明するための図、 第2図はその枠データの定義方法を実現するためのプロ
グラムを示すフローチャート、第3〜7図は本発明に係
る半導体装置の製造方法の一実施例を示す図であり、 第3図はそのハード的構成を示す図、 第4図はその図形処理プログラムを示すフローチャート
、 第5図はその図形線分フォーマントを示す図、第6図は
そのワーク・リストの構造を示す図、第7図はその線分
の組み合わせを示す図、第8図は従来例の半導体装置の
製造方法の問題点を説明するための図、 である。 ・・・・・・CPU。 ・・・・・・被処理図形データ入力処理部、・・・・・
・図形処理部、 ・・・−・・描画データ出力処理部、 ・・・・・・被処理データ、 7・−・・・・作業用直接アクセス装置、9・・・・・
・描画データ(階層化図形データ)。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 LSIチップの論理ブロックを構成する内部セルを、各
    階層毎に指定して、 該セルの全階層における階層および階層間の接続関係を
    階層化図形データとして作成する半導体装置の製造方法
    において、 上位階層と下位階層の境界に枠を定義し、 該枠に接する図形データ同士が離れないように拡大・縮
    小処理を行うようにしたことを特徴とする半導体装置の
    製造方法。
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EP89401717A EP0350353B1 (en) 1988-06-17 1989-06-16 Layoutdata processing method
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6438890B1 (en) 1998-05-29 2002-08-27 Daiwa Seiko, Inc. Fishing rod of reel mounting type
CN112034676A (zh) * 2020-09-25 2020-12-04 上海华力微电子有限公司 像素图形的预处理方法

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US6438890B1 (en) 1998-05-29 2002-08-27 Daiwa Seiko, Inc. Fishing rod of reel mounting type
CN112034676A (zh) * 2020-09-25 2020-12-04 上海华力微电子有限公司 像素图形的预处理方法
CN112034676B (zh) * 2020-09-25 2024-03-08 上海华力微电子有限公司 像素图形的预处理方法

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