JPH0231422A - Ｃｖｄ装置およびヒータカバー位置調整方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はＣＶＤ装置および該装置におけるヒータカバー
の位置調整方式に関する。更に詳細には、本発明は膜厚
のバラツキを軽減することのできるヒータカバー位置調
整方式に関する。

［従来の技術］ 薄膜の形成方法として半導体工業において一般に広く用
いられているものの一つに化学的気相成良法（ＣＶＤ：
Ｃｈｅｍｉｃａｌ　　ＶａｐｏｕｒＤｅｌ）ｏｓｉｔｉ
ｏｎ）がある。ＣＶＤとは、ガス状物質を化学反応で固
体物質にし、基板上に堆積することをいう。

ＣＶＤの特徴は、成長しようとする薄膜の融点よりかな
り低い堆積温度で種々の薄膜が得られること、および、
成長した薄膜の純度が高＜、ＳｉやＳｉ上の熱酸化膜上
に成長した場合も電気的特性が安定であることで、広く
半導体表面のパブシベーシｅン膜として利用されている
。

ＣＶＤによる薄膜形成は、例えば約４００℃−５００℃
程度に加熱したウェハに反応ガス（例えば、Ｓ　ｉＨ４
＋０２　ｓ　またはＳｉＨ＋＋ＰＨ３＋０２）を供給し
て行われる。上記の反応ガスは反応炉（ベルジャ）内の
ウェハに吹きつけられ、該ウェハの表面に５ｉ０２ある
いはフォスフオシリケードガラス（ＰＳＧ）またはボロ
シリケートガラス（ＢＳＧ）の薄膜を形成する。また５
ｉ０２とＰＳＧまたはＢＳＧとの２層成膜が行われるこ
ともある。

このようなＣＶＤによる薄膜形成操作を行うために従来
から用いられている装置の一例を第３図に示す。

第３図において、反応炉１は、炉内に円錐状のバッファ
２を何し、上記バッファ２の周囲に円盤状のウェハ試料
台４を駆動機構５で回転駆動可能および／または自公転
可能に配設している。

前記のウェハ試料台４の直下には僅かなギャップを介し
て加熱手段１０が設けられていてウェハ６を所定の温度
（例えば、約５００℃）に加熱する。

試料台４の外周縁に隣接して、支柱１２で支持されたヒ
ータカバー１４が実装され、公転しながら回っている。

［発明が解決しようとする課題］ しかし、前記のような構成のＣＶＤ装置によりシリコン
ウェハ表面に成膜すると、膜厚のバラツキが発生し、歩
留りが上がらなかった。

反応炉の構成に、自公転している試料台４があり、その
周りをヒータカバー１４が実装され公転しながら回って
いる。試料台４とヒータカバー１４との隙間は約３ｍ厘
有り、また、ヒータカバー１４と炉壁１６との隙間は約
２．５ｍ−〜３＋ｕｅ有る。

しかし、成膜処理のために試料台を加熱し、温度を上げ
ると、この隙間は熱膨張により伸びて、設計通りの値に
なかなかならない。このため、試料台付近における反応
ガスの流れが不均一になり膜厚にバラツキを発生させて
いた。

従って、本発明の目的は膜厚のバラツキを最少限に抑え
ることのできるヒータカバー位置調整方式を提供するこ
とである。

［課題を解決するための手段］ 前記目的を達成するための手段として、本発明では、試
料台の側面周囲を包囲するヒータカバーが、該ヒータカ
バー用の略丁字形受支柱の水平支承アームの上端面に載
架されているＣＶＤ装置において、前記ヒータカバーは
該ヒータカバーに係合されるスライド部材を介して前記
支承アームに載架され、前記スライド部材は前記ヒータ
カバーと共に半径方向に沿ってその位置を変更可能に前
記支承アームに止着されていることを特徴とするＣＶＤ
装置を提供する。

また、前記目的を達成するための手段として、本発明で
は、試料台の側面周囲を包囲するヒータカバーが、該ヒ
ータカバー用の略丁字形受支柱の水平支承アームの上端
面に載架されているＣＶＤ装置において、ヒータカバー
の適当な箇所にネジ逃げ用の半径方向に沿った長穴と、
これに隣接して保合用ピンの貫通穴が穿設されていて、
前記ヒータカバーのネジ逃げ用長穴に対応する位置の支
承アーム上端面に少なくとも１本のネジ穴が切られてお
り、上面にピンが突設され、ネジが遊嵌する幅の長穴が
長手方向に沿って穿設された逆Ｕ字形スライド部材を、
前記ピンを前記ヒータカバーのピン保合穴に係合させて
、前記支承アームに跨座させ、前記ヒータカバーの上面
から前記ネジ逃げ用長穴を通して前記スライド部材を締
着解除可能に前記支承アームにネジ【ヒめすることを特
徴とするヒータカバー位置調整方式を提供する。

［作用］ 前記のように、本発明のＣＶＤ装置では、温度が４００
℃以上に上昇している時でも、ヒータカバーの位置を容
易に調整することができる。

このため、試料台とヒータカバーとの隙間およびヒータ
カバーと炉壁との隙間が熱膨張により設計値から逸脱し
ても、ヒータカバーをずらすことにより各部材との間の
間隔を所定の設計値の範囲内に維持することができる。

その結果、膜厚のバラツキが最少限に抑えられ、歩留り
が向上される。

［実施例］ 以下、図面を参照しながら本発明のＣＶＤ装置およびヒ
ータカバー位置調整方式の一例について更に詳細に説明
する。

第１図は本発明のＣＶＤ装置およびヒータカバー位置調
整方式の一興体例を示す部分概要斜視図である。

本発明の装置において、ヒータカバー１４は基本的に受
支柱１２の支承アーム２０に載架されている。

従来の装置と異なり、本発明の装置ではヒータカバー１
４と支承アーム２０との間にスライド部材２２が介在す
る。スライド部材２２は図示されているように、断面が
逆Ｕ字形で、支承アーム２０に跨座することができる。

スライド部材２２が跨座する支承アーム部分は上面が一
段低く水平に切り欠かれている。かくして、スライド部
材２２が跨座すると、スライド部材２２の上端面と、支
承アーム２２の半径方向内方上端面とは同一高さになる
。前記支承アームの切り欠き平面部２４には所定の間隔
でネジ穴２６．２８が螺刻されている。

スライド部材２２の上面の半径方向内方寄りにはネジ３
２．３２の直径よりも若干大きな幅を有する、半径方向
に長い穴２８が穿設されている。

また、同じ上面の半径方向内方寄り部分には保合ピン３
０が突設されている。

前記スライド部材２２の跨座位置に対応するヒータカバ
一部分にはネジ逃げ穴３４および係合ピン３０の係合穴
３６が穿設されている。ネジ逃げ穴３４は、ネジ３２．
３２の頭部の最大外径よりも大きな内径を有する。座金
またはスプリングワッシャー４０を使用する場合には、
これらの最大外径よりも大きな内径を有する。

ヒータカバー１４にスライド部材２２を係合させ支承ア
ーム２０に跨座させた状態の部分断面図を第２図に示す
。

第２図に示されるように、ネジ３２．３２の外周縁から
スライド部材２２の長穴の外方端および内方端まで　Ｍ
　ｄ″■園だけ調整用の間隔が設けである。スライド部
材２２はヒータカバー１４の上面からネジ３２．３２で
支承アーム２０に止められているので、ヒータカバーと
試料台および／または炉壁とのクリアランスを調整する
場合、ネジ３２．３２を緩めてスライド部材２２を半径
方向内方または外方へヒータカバー１４と共に摺動させ
てクリアランスを決め、そのまま再びネジ３２゜３２を
止めてスライド部材を支承アーム２０に固定すれば、ヒ
ータカバー、試料台および／または炉壁の間で士ｄ＋＊
ｍのずれを調整することができる。

このｄは例えば、約２１１１１であることができる。ス
ライド部材固定用のネジは一本でもよい。スライド部材
固定用ネジが一本の場合、ヒータカバーのネジ逃げ穴３
４およびスライド部材の長穴２８の形吠は一本用に変更
することができる。

スライド部材２２および固定用ネジ３２の材質自体は本
発明の必須要件ではない。ステンレス等の耐熱、耐食性
金属から構成することが好ましい。

その他の材料も使用可能である。

本発明のＣＶＤ装置は従来と同様なバッチ式の常圧型Ｃ
ＶＤ装置である。

［発明の効果コ 以上説明したように、本発明のＣＶＤ装置では、温度が
４００℃以上に上昇している時でも、ヒータカバーの位
置を容易に調整することができる。

このため、試料台とヒータカバーとの隙間およびヒータ
カバーと炉壁との隙間が熱膨張により設計値から逸脱し
ても、ヒータカバーをずらすことにより各部材との間の
間隔を所定の設計値の範囲内に維持することができる。

その結果、膜厚のバラツキが最少限に抑えられ、歩留り
が向上される。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のＣＶＤ装置およびヒータカバー位置調
整方式の一興体例を示す部分概要斜視図であり、第２図
はヒータカバーにスライド部材ヲ係合させ支承アームに
跨座させた状態の部分断面図であり、第３図は従来のＣ
ＶＤ装置の一例の部分概要断面図である。 １２・・・ヒータカバー受支柱、１４・・・ヒータカバ
ー、２０・・・支承アーム、２２・・・スライド部材。 ２６・・・ネジ穴、２８・・・長穴、３０・・・係合ピ
ン、３２・・・ネジ、３４・・・ネジ逃げ穴、３Ｂ−・
・保合穴。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）試料台の側面周囲を包囲するヒータカバーが、該
   ヒータカバー用の略Ｔ字形受支柱の水平支承アームの上
   端面に載架されているＣＶＤ装置において、前記ヒータ
   カバーは該ヒータカバーに係合されるスライド部材を介
   して前記支承アームに載架され、前記スライド部材は前
   記ヒータカバーと共に半径方向に沿ってその位置を変更
   可能に前記支承アームに止着されていることを特徴とす
   るＣＶＤ装置。
2. （２）バッチ式の常圧型である請求項１記載のＣＶＤ装
   置。
3. （３）試料台の側面周囲を包囲するヒータカバーが、該
   ヒータカバー用の略Ｔ字形受支柱の水平支承アームの上
   端面に載架されているＣＶＤ装置において、レータカバ
   ーの適当な箇所にネジ逃げ用の半径方向に沿った長穴と
   、これに隣接して係合用ピンの貫通穴が穿設されていて
   、前記ヒータカバーのネジ逃げ用長穴に対応する位置の
   支承アーム上端面に少なくとも１本のネジ穴が切られて
   おり、上面にピンが突設され、ネジが遊嵌する幅の長穴
   が長手方向に沿って穿設された逆Ｕ字形スライド部材を
   、前記ピンを前記ヒータカバーのピン係合穴に係合させ
   て、前記支承アームに跨座させ、前記ヒータカバーの上
   面から前記ネジ逃げ用長穴を通して前記スライド部材を
   締着解除可能に前記支承アームにネジ止めすることを特
   徴とするヒータカバー位置調整方式。