JPH02309660A - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
- Publication number
- JPH02309660A JPH02309660A JP13117689A JP13117689A JPH02309660A JP H02309660 A JPH02309660 A JP H02309660A JP 13117689 A JP13117689 A JP 13117689A JP 13117689 A JP13117689 A JP 13117689A JP H02309660 A JPH02309660 A JP H02309660A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- stage part
- larger
- semiconductor chip
- lead frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 14
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000007665 sagging Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010008 shearing Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体装置などに用いるリードフレームに関す
る。
る。
（従来の技術）
ステージ部に半導体チップを搭載して樹脂封止する型の
リードフレームには、ステージ部の高さ位置をインナー
リードの高さ位置よりも低位に形成して、半導体チップ
上面とインナーリードとの距離を短くシ、ボンディング
長さが短くできるよう“に形成したものがある。
リードフレームには、ステージ部の高さ位置をインナー
リードの高さ位置よりも低位に形成して、半導体チップ
上面とインナーリードとの距離を短くシ、ボンディング
長さが短くできるよう“に形成したものがある。
第３図はこのタイプのリードフレームを示す断面図であ
る０図で１０はリードフレーム、１２はステージ部、１
４はステージサポートバーである。
る０図で１０はリードフレーム、１２はステージ部、１
４はステージサポートバーである。
従来のリードフレームでは１図のように、ステージ部を
支持するステーフサポー１−バー１４の、ステージ部１
２との連結端を曲げ加工して、ステージ部１２の高さ位
置をインナーリードの高さ位置よりも低位に形成してい
る。
支持するステーフサポー１−バー１４の、ステージ部１
２との連結端を曲げ加工して、ステージ部１２の高さ位
置をインナーリードの高さ位置よりも低位に形成してい
る。
（発明が解決しようとする課題）
ところで、近年、リードフレームに搭載する半導体チッ
プが大型化する傾向にあり、このため、より大きなステ
ージ部を有するリードフレームが求められている。
プが大型化する傾向にあり、このため、より大きなステ
ージ部を有するリードフレームが求められている。
このためには、ステージ部を大型化してより大きな半導
体チップを搭載できるようにすればよいのであるが、一
方で、樹脂封止部のサイズには一定の規格が設定されて
いるため、ステージ部を大きくした場合に、それになら
って、そのまま樹脂封止サイズを大きくすることができ
ないという聞届がある。
体チップを搭載できるようにすればよいのであるが、一
方で、樹脂封止部のサイズには一定の規格が設定されて
いるため、ステージ部を大きくした場合に、それになら
って、そのまま樹脂封止サイズを大きくすることができ
ないという聞届がある。
すなわち、特定パターンのリードフレームに。
より大きな半導体チップを搭載しようとする場合でも、
一定規格の樹脂封止サイズを維持するという制限のもと
で、ステージ部を形成しなければならない。
一定規格の樹脂封止サイズを維持するという制限のもと
で、ステージ部を形成しなければならない。
そこで１本発明は−１−記問題点に鑑みてなされたもの
であり、その］１的とするところは、同一パターンのリ
ードフレームにおいてより大きなステージ部が容易に形
成できて、樹脂封止サイズの一定規格のもとでも、より
大きな半導体チップを搭載することのできるリードフレ
ームを提供しようとするものである。
であり、その］１的とするところは、同一パターンのリ
ードフレームにおいてより大きなステージ部が容易に形
成できて、樹脂封止サイズの一定規格のもとでも、より
大きな半導体チップを搭載することのできるリードフレ
ームを提供しようとするものである。
（課題を解決するための手段）
本発明は上記［−１的を達成するため次の構成をそなえ
る。
る。
すなわち、ステージ部の高さ位置をインナーリード先端
の高さ位置よりも低位に形成したり−ドフレー１１にお
いて、前記ステージ部を支持するステーフサボー１−バ
ーの、ステージ部との連結端をハーフカット加工してス
テージ部の高さ位置をステーフサボー１〜バーの高さ位
置よりも低位に設けたことを特徴とする。
の高さ位置よりも低位に形成したり−ドフレー１１にお
いて、前記ステージ部を支持するステーフサボー１−バ
ーの、ステージ部との連結端をハーフカット加工してス
テージ部の高さ位置をステーフサボー１〜バーの高さ位
置よりも低位に設けたことを特徴とする。
（作用）
ステーフサボー１〜バーのステージ部との連結端をハー
フカット加工することにより、ステージサポートパーと
ステージ部とを連結する屈曲部をなくすことができ、従
来のステージサポートパーの屈曲部までステージ部の範
囲を拡大できる。
フカット加工することにより、ステージサポートパーと
ステージ部とを連結する屈曲部をなくすことができ、従
来のステージサポートパーの屈曲部までステージ部の範
囲を拡大できる。
（実施例）
以下１本発明に係る好適な実施例を添付図面にもとづい
て説明する。
て説明する。
第１図は本発明に係るリードフレーム１０の一実施例を
示す平面図である。図で１２はステージ部、１４はステ
ーフサボー１−バー、１６はインナーリードである。
示す平面図である。図で１２はステージ部、１４はステ
ーフサボー１−バー、１６はインナーリードである。
また、第２図はリードフレーム１０の断面図で。
半導体チップ１８を搭載した状態および樹脂封ｌｌ：し
た際の封止樹脂２０をあわせて示す。図でＡはステージ
サポートパー１４上での、ステーフサボー１−バー１４
とステージ部１２との連結端にハーフカット加工により
設けたハーフカット部である。
た際の封止樹脂２０をあわせて示す。図でＡはステージ
サポートパー１４上での、ステーフサボー１−バー１４
とステージ部１２との連結端にハーフカット加工により
設けたハーフカット部である。
このハーフカット加工はステージサポートパー１４のス
テージ部１２との連結端で上下方向から剪断するように
して段差を形成するものである。したがって、ハーフカ
ット部への素材の剪断面は上下でほぼ同一位置にあって
、曲げ加工のようにだれることがない、また、素材を上
下面で剪断するので、素材の肉厚以上に段差を形成する
ことは不可能であるが、ハーフカット加工による段差は
、素材の板厚をＬとすると２Ｌ／３程度まで形成できる
。
テージ部１２との連結端で上下方向から剪断するように
して段差を形成するものである。したがって、ハーフカ
ット部への素材の剪断面は上下でほぼ同一位置にあって
、曲げ加工のようにだれることがない、また、素材を上
下面で剪断するので、素材の肉厚以上に段差を形成する
ことは不可能であるが、ハーフカット加工による段差は
、素材の板厚をＬとすると２Ｌ／３程度まで形成できる
。
第３図に示す従来例では、図のようにステージサポート
パー１４のステージ部１２との連結端を曲げ加工して形
成するから、連結端には屈曲部Ｃが形成される。屈曲部
Ｃの傾斜角度は３０’〜４５゜程度である。ステージ部
１２とステージサポートパー１４との間にこの屈曲部Ｃ
があるため、半導体チップ１６を接合できる範囲はこの
屈曲部Ｃより内側部分となる。
パー１４のステージ部１２との連結端を曲げ加工して形
成するから、連結端には屈曲部Ｃが形成される。屈曲部
Ｃの傾斜角度は３０’〜４５゜程度である。ステージ部
１２とステージサポートパー１４との間にこの屈曲部Ｃ
があるため、半導体チップ１６を接合できる範囲はこの
屈曲部Ｃより内側部分となる。
」二記実施例の場合は、第１図からもわかるように、従
来のリードフレームに形成された屈曲部Ｃがなくなるの
で、第２図に示す屈曲部Ｃに対応する曲げ長さ部分■〕
の範囲までステージ部１２の面積を拡大することが可能
となる。
来のリードフレームに形成された屈曲部Ｃがなくなるの
で、第２図に示す屈曲部Ｃに対応する曲げ長さ部分■〕
の範囲までステージ部１２の面積を拡大することが可能
となる。
これによって、同一のリードフレームパターンであって
も、樹脂封止サイズを変えることなく、ステージ部のサ
イズを大きくすることができて、より大きな半導体チッ
プを搭載することが可能となる。
も、樹脂封止サイズを変えることなく、ステージ部のサ
イズを大きくすることができて、より大きな半導体チッ
プを搭載することが可能となる。
以上１本発明について好適な実施例を挙げて種々説明し
たが、本発明はこれら実施例に限定されるものではなく
、発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し１
ｉＰるのはもちろんのことである。
たが、本発明はこれら実施例に限定されるものではなく
、発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し１
ｉＰるのはもちろんのことである。
（発明の効果）
本発明に係るリードフレーｔ１によれば、同一のパター
ンを有するリードフレームであってもステージ部のサイ
ズをより大きく形成することが容易にでき、その結果、
より大きな半導体チップを搭載することが可能になると
いう著効を奏する。
ンを有するリードフレームであってもステージ部のサイ
ズをより大きく形成することが容易にでき、その結果、
より大きな半導体チップを搭載することが可能になると
いう著効を奏する。
第１図は本発明に係るリードフレームの一実施例を示す
平面図、第２図は断面図、第３図は従来のリードフレー
ムを示す断面図である。 １０・・・リードフレーム、 １２・・・ステージ部
、 １４・・・ステージサポー１−バー、１６・・・
インナーリード、 １８・・・半導体チップ、 ２０・
・・封止樹脂。
平面図、第２図は断面図、第３図は従来のリードフレー
ムを示す断面図である。 １０・・・リードフレーム、 １２・・・ステージ部
、 １４・・・ステージサポー１−バー、１６・・・
インナーリード、 １８・・・半導体チップ、 ２０・
・・封止樹脂。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ステージ部の高さ位置をインナーリード先端の高さ
位置よりも低位に形成したリードフレームにおいて、 前記ステージ部を支持するステージサポー トバーの、ステージ部との連結端をハーフカット加工し
てステージ部の高さ位置をステージサポートバーの高さ
位置よりも低位に設けたことを特徴とするリードフレー
ム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13117689A JPH02309660A (ja) | 1989-05-24 | 1989-05-24 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13117689A JPH02309660A (ja) | 1989-05-24 | 1989-05-24 | リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02309660A true JPH02309660A (ja) | 1990-12-25 |
Family
ID=15051784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13117689A Pending JPH02309660A (ja) | 1989-05-24 | 1989-05-24 | リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02309660A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5914531A (en) * | 1994-02-10 | 1999-06-22 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device having a ball grid array package structure using a supporting frame |
| US6686226B1 (en) | 1994-02-10 | 2004-02-03 | Hitachi, Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device a ball grid array package structure using a supporting frame |
-
1989
- 1989-05-24 JP JP13117689A patent/JPH02309660A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5914531A (en) * | 1994-02-10 | 1999-06-22 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device having a ball grid array package structure using a supporting frame |
| US6114192A (en) * | 1994-02-10 | 2000-09-05 | Hitachi, Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device having a ball grid array package structure using a supporting frame |
| US6686226B1 (en) | 1994-02-10 | 2004-02-03 | Hitachi, Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device a ball grid array package structure using a supporting frame |
| US6861294B2 (en) | 1994-02-10 | 2005-03-01 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor devices and methods of making the devices |
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