JPH023051A - 集積回路チップ接合用ビームリードの形成用積層物 - Google Patents
集積回路チップ接合用ビームリードの形成用積層物Info
- Publication number
- JPH023051A JPH023051A JP1010115A JP1011589A JPH023051A JP H023051 A JPH023051 A JP H023051A JP 1010115 A JP1010115 A JP 1010115A JP 1011589 A JP1011589 A JP 1011589A JP H023051 A JPH023051 A JP H023051A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- formula
- laminate
- polysulfonamide
- sensitizer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 10
- 229920005596 polymer binder Polymers 0.000 claims abstract 4
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 claims abstract 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 29
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 18
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 13
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 claims description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 abstract description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 abstract description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 11
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 4-diazoniophenolate Chemical compound [O-]C1=CC=C([N+]#N)C=C1 WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 3
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 3
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 3
- 125000000565 sulfonamide group Chemical group 0.000 description 3
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 208000031513 cyst Diseases 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000007540 photo-reduction reaction Methods 0.000 description 2
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 2
- -1 quinonediazide compound Chemical class 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 2
- 229940124530 sulfonamide Drugs 0.000 description 2
- 150000003456 sulfonamides Chemical class 0.000 description 2
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDSULTPOCMWJCM-UHFFFAOYSA-N 4h-chromene-2,3-dione Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C(=O)CC2=C1 CDSULTPOCMWJCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 241001449342 Chlorocrambe hastata Species 0.000 description 1
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010011732 Cyst Diseases 0.000 description 1
- JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acrylate Chemical compound CCOC(=O)C=C JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000012644 addition polymerization Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000007853 buffer solution Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- 125000004177 diethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- VOOLKNUJNPZAHE-UHFFFAOYSA-N formaldehyde;2-methylphenol Chemical compound O=C.CC1=CC=CC=C1O VOOLKNUJNPZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920013821 hydroxy alkyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 239000010977 jade Substances 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 210000004185 liver Anatomy 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000001537 neural effect Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N pent‐4‐en‐2‐one Natural products CC(=O)CC=C PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L phthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000001044 red dye Substances 0.000 description 1
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 1
- 238000007761 roller coating Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-L sulfite Chemical compound [O-]S([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
- H01L23/145—Organic substrates, e.g. plastic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/106—Binder containing
- Y10S430/107—Polyamide or polyurethane
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、集積回路(IC)チップに接合した金属ビー
ムリードのフレームを、好ましくは自動化装置により製
造するために適合した積層物に関する。
ムリードのフレームを、好ましくは自動化装置により製
造するために適合した積層物に関する。
IC技術の最もコストのかかる面の一つは、集積パッケ
ージのレスト(resL)へICチップを接合すること
である。この問題に対する提案された解決は、ICチッ
プへの金属ビームリードの自動接合(bonding)
からなり、これによってマニュアルでワイヤーを接合す
る掻作を回避する。このような技術は、そのそれぞれが
ビームリードとして知られている多くの一般に平坦で極
微細で蜘蛛形状金属フィンガーを有する複数のフレーム
を、接合ステーションに運ぶ積層物のロールを使用する
。
ージのレスト(resL)へICチップを接合すること
である。この問題に対する提案された解決は、ICチッ
プへの金属ビームリードの自動接合(bonding)
からなり、これによってマニュアルでワイヤーを接合す
る掻作を回避する。このような技術は、そのそれぞれが
ビームリードとして知られている多くの一般に平坦で極
微細で蜘蛛形状金属フィンガーを有する複数のフレーム
を、接合ステーションに運ぶ積層物のロールを使用する
。
接合ステーションに於て、ビームリードの内側部分は整
列され、同時にICチップの接合サイトに接続される。
列され、同時にICチップの接合サイトに接続される。
次いでビームリードの外側部分の集積パンケージの残り
の部分に接合するために利用できる。
の部分に接合するために利用できる。
このようなビームリードは、フォトレジストプロセスに
より製造できる。米国特許第4,247,623号には
、このような方法及びその方法で使用するための、電導
性金属の可撓性の片、該金属片の一方の表面に接着され
たポジ型レジストの層並びに該金属片の反対側表面に接
着されたネガ型レジストの層から成る構造を有するブラ
ンク(blank)又は積層物が開示されている。この
プロセスには、像状露光並びにポジ型レジスト及びネガ
型レジストの現像工程が含まれる。現像されたポジ型し
ジスi〜は、金属層のビームリード部分上の保護被覆を
形成する。露光された金属層を、ついでエッチしてビー
ムリードを形成する。現像されたネガ型レジストは、所
望の配置にビームリードを保持する窓付き支持体スペー
サを形成する。ビームリードは矛ガ型レジストから形成
されたスペーサによって、接合の前及び間に適切な配置
に保持される。
より製造できる。米国特許第4,247,623号には
、このような方法及びその方法で使用するための、電導
性金属の可撓性の片、該金属片の一方の表面に接着され
たポジ型レジストの層並びに該金属片の反対側表面に接
着されたネガ型レジストの層から成る構造を有するブラ
ンク(blank)又は積層物が開示されている。この
プロセスには、像状露光並びにポジ型レジスト及びネガ
型レジストの現像工程が含まれる。現像されたポジ型し
ジスi〜は、金属層のビームリード部分上の保護被覆を
形成する。露光された金属層を、ついでエッチしてビー
ムリードを形成する。現像されたネガ型レジストは、所
望の配置にビームリードを保持する窓付き支持体スペー
サを形成する。ビームリードは矛ガ型レジストから形成
されたスペーサによって、接合の前及び間に適切な配置
に保持される。
F記積層物は、ボ↑、+ (アクリル酸)又はエチルア
クリレートとメタクリル酸とのコポリマーのような結合
剤中のキノンジアジドと縮合したクレゾールホルムアル
デヒド樹脂からなるポジ型レジストを含有している。こ
のようなポジ型レジストは、多(の条件下で優れた積層
物を提供する。しかしながら、全ての条件下でのその性
能は完全に満足されるものではない。例えば、このよう
なレジストは脆化する傾向にあり、被覆の間の剥がれ(
pick−off )の問題及び現像による亀裂を引き
起こす。更に2、二のようなレジス[・は、金属に対し
て弱い接着性を示す傾向を有しており、このような積層
物の処理の特徴である多数回の曲げ及び屈曲の間に剥離
を引き起こす。
クリレートとメタクリル酸とのコポリマーのような結合
剤中のキノンジアジドと縮合したクレゾールホルムアル
デヒド樹脂からなるポジ型レジストを含有している。こ
のようなポジ型レジストは、多(の条件下で優れた積層
物を提供する。しかしながら、全ての条件下でのその性
能は完全に満足されるものではない。例えば、このよう
なレジストは脆化する傾向にあり、被覆の間の剥がれ(
pick−off )の問題及び現像による亀裂を引き
起こす。更に2、二のようなレジス[・は、金属に対し
て弱い接着性を示す傾向を有しており、このような積層
物の処理の特徴である多数回の曲げ及び屈曲の間に剥離
を引き起こす。
即ち、本発明の課題は、上記ポジ型レジストの優れた解
像力と耐エツチング性を含む利点を有するポジ型レジス
トを特徴とし、更に改良された機械的性質を特徴とする
ICチップ接合のためのビームリードを形成するための
積層物を提供することである。
像力と耐エツチング性を含む利点を有するポジ型レジス
トを特徴とし、更に改良された機械的性質を特徴とする
ICチップ接合のためのビームリードを形成するための
積層物を提供することである。
本発明者は、ある種のポリスルホンアミドがフォト酸発
生剤(即ち、活性化放射線に露光した場合にルイス酸又
はプレンステンド酸を発生する感光性化合物)から成る
増感剤との混合物で、優れたスピード、解像力及び耐エ
ンチング性並びに改良された接着性を有するポジ型可撓
性非脆性フォトレジスト組成物を提供することを見出し
た。
生剤(即ち、活性化放射線に露光した場合にルイス酸又
はプレンステンド酸を発生する感光性化合物)から成る
増感剤との混合物で、優れたスピード、解像力及び耐エ
ンチング性並びに改良された接着性を有するポジ型可撓
性非脆性フォトレジスト組成物を提供することを見出し
た。
更に詳しくは、本発明に従って、可撓性金属片、該金属
片の一方の表面に接着された第ルジス1層及び該金属片
の反対側の表面に接着された第2レジスト層を含んでな
り、該第2レジストが、ポリマー結合剤及び活性化放射
線に露光されたときレジスト組成物にアルカリ可溶性を
付与するに有効な増感剤からなるポジ型レジストである
積層物が提供される。第2レジストは、それが、構造式
(式中、R1及びR″は、個々に、H、ハロゲン又は1
〜3個の炭素原子を含有するアルキルであり、Zは、 であり、ポリマー結合剤及び活性化放射線に露光された
とき、活性化放射線に画像様に露光されたときレジスト
組成物に画像様のアルカリ可溶性を付与するに有効な増
感剤を含む。第2レジストは、結合剤が本質的にポリマ
ー主鎖に於て線状のスルホンアミド官能性を有するスル
ホンアミドから成ることによって改良されている。この
ような官能性が可撓性及び接着性を含む改良された機械
的性質を与えることが見出された。
片の一方の表面に接着された第ルジス1層及び該金属片
の反対側の表面に接着された第2レジスト層を含んでな
り、該第2レジストが、ポリマー結合剤及び活性化放射
線に露光されたときレジスト組成物にアルカリ可溶性を
付与するに有効な増感剤からなるポジ型レジストである
積層物が提供される。第2レジストは、それが、構造式
(式中、R1及びR″は、個々に、H、ハロゲン又は1
〜3個の炭素原子を含有するアルキルであり、Zは、 であり、ポリマー結合剤及び活性化放射線に露光された
とき、活性化放射線に画像様に露光されたときレジスト
組成物に画像様のアルカリ可溶性を付与するに有効な増
感剤を含む。第2レジストは、結合剤が本質的にポリマ
ー主鎖に於て線状のスルホンアミド官能性を有するスル
ホンアミドから成ることによって改良されている。この
ような官能性が可撓性及び接着性を含む改良された機械
的性質を与えることが見出された。
であり、そしてnは3〜12である)
の繰り返し単位を含むポリスルホンアミドから本質的に
成るポリマー結合剤からなることで改良されている。
成るポリマー結合剤からなることで改良されている。
本発明の第2レジスト組成物はポジ型レジスト〔実施態
様〕 本発明の積層物についで、ICチップに接合している金
属ビームリードのフレームを製造する方法に関して最初
に記載する。更に、本発明は製品の反対側に現像したレ
ジストを使用する他のフォトファブリケーションシステ
ムに於て有用である。
様〕 本発明の積層物についで、ICチップに接合している金
属ビームリードのフレームを製造する方法に関して最初
に記載する。更に、本発明は製品の反対側に現像したレ
ジストを使用する他のフォトファブリケーションシステ
ムに於て有用である。
上記のように、本発明の積層物は可撓性金属片からなる
。本発明に於て任意の電導性金属層が使用できる。IC
チップに接合したビームリードとして使用するのに有効
な銅、アルミニウム及び他の同様な金属が好ましい。
。本発明に於て任意の電導性金属層が使用できる。IC
チップに接合したビームリードとして使用するのに有効
な銅、アルミニウム及び他の同様な金属が好ましい。
本発明の実施に於て有用なポリスルホンアミドは、適当
なジアミンと芳香族ジスルホニルクロライドとの溶液中
での重縮合により、又は他の適当な重合縮合技術により
製造できる。ここで米国特許第4.107.155号に
記載された特別の方法が好ましい。線状のスルホンアミ
ド主鎖を有するこのような技術によって製造されたポリ
スルホンアミドは、望ましいpKa値、例えば約10よ
り大きいpKa値と、優れた溶解性を与えることが見出
された。
なジアミンと芳香族ジスルホニルクロライドとの溶液中
での重縮合により、又は他の適当な重合縮合技術により
製造できる。ここで米国特許第4.107.155号に
記載された特別の方法が好ましい。線状のスルホンアミ
ド主鎖を有するこのような技術によって製造されたポリ
スルホンアミドは、望ましいpKa値、例えば約10よ
り大きいpKa値と、優れた溶解性を与えることが見出
された。
他方、側鎖スルホンアミド基を有する付加重合により製
造されたスルホンアミドは、低いpKa、溶解時の大き
い厚み損失及び劣った機械的性能のために望ましくない
ことが見出された。
造されたスルホンアミドは、低いpKa、溶解時の大き
い厚み損失及び劣った機械的性能のために望ましくない
ことが見出された。
本発明の実施に有用なポリマーの非常に有利な代表的例
には次のものが含まれる。
には次のものが含まれる。
ポリ(ヘキサメチレン−2、4−)ルエンジスルホンア
ミド)[A6] ; ポリ(l、4−シクロヘキシレンジメチレン−2,4−
)ルエンジスルホンアミド)[ACy];ポリ(1,3
−キシリレン−2,4−)ルエンジスルホンアミド)[
AXy3 ; ポリ(エチレン−共−1,4−シクロヘキシレンジメチ
レン−2,1−)ルエンジスルホンアミド) [A2
Cy] ; ポリ(エチレン−共−へキサメチレン−1−クロロ−2
,4−ベンゼンジスルホンアミド)[C26] ;及
び ポリ(エチレン−共−1,3−キシリレン−1゜6−ジ
クロロ−2,4−ベンゼンジスルホンアミド) [D
2Xy] 特に好ましいポリスルホンアミドは、 Cy ホン及びカルボン酸から形成されたエステル及びアミド
である。これらのエステル及びアミドは当該技術で公知
であり、それらを製造するために使用される方法も公知
である。例えば米国特許第4.439.516号及びそ
の参照文献には、このような化合物及びその製造方法が
記載されている。
ミド)[A6] ; ポリ(l、4−シクロヘキシレンジメチレン−2,4−
)ルエンジスルホンアミド)[ACy];ポリ(1,3
−キシリレン−2,4−)ルエンジスルホンアミド)[
AXy3 ; ポリ(エチレン−共−1,4−シクロヘキシレンジメチ
レン−2,1−)ルエンジスルホンアミド) [A2
Cy] ; ポリ(エチレン−共−へキサメチレン−1−クロロ−2
,4−ベンゼンジスルホンアミド)[C26] ;及
び ポリ(エチレン−共−1,3−キシリレン−1゜6−ジ
クロロ−2,4−ベンゼンジスルホンアミド) [D
2Xy] 特に好ましいポリスルホンアミドは、 Cy ホン及びカルボン酸から形成されたエステル及びアミド
である。これらのエステル及びアミドは当該技術で公知
であり、それらを製造するために使用される方法も公知
である。例えば米国特許第4.439.516号及びそ
の参照文献には、このような化合物及びその製造方法が
記載されている。
特に好ましいキノンジアジド化合物には下記のものが含
まれる。
まれる。
から成る群から選ばれた繰り返し単位を含む。
第2レジストは、結合剤に加えて、活性化放射線に露光
されたとき、組成物にアルカリ可溶性を付与するに有効
な増感剤から成る。換言すれば、増感剤は活性化放射線
に感光性であり、選択された現像剤溶剤に元の増感剤よ
りも更に可溶性である分解生成物を生成する。
されたとき、組成物にアルカリ可溶性を付与するに有効
な増感剤から成る。換言すれば、増感剤は活性化放射線
に感光性であり、選択された現像剤溶剤に元の増感剤よ
りも更に可溶性である分解生成物を生成する。
本発明で使用される好ましい増感剤は、キノンジアジド
化合物、例えば0−キノンジアジドスル第2レジストは
、本発明の結合剤を、増感剤並びに汎用の染料、顔料、
界面活性剤、可塑剤、及び安定剤などのような任意的な
添加物と共に適当な被覆溶剤中で混合することによって
製造される。
化合物、例えば0−キノンジアジドスル第2レジストは
、本発明の結合剤を、増感剤並びに汎用の染料、顔料、
界面活性剤、可塑剤、及び安定剤などのような任意的な
添加物と共に適当な被覆溶剤中で混合することによって
製造される。
第2レジストは選択された金属層に接着できる任意のポ
ジ型又はネガ型レジストであってよい。
ジ型又はネガ型レジストであってよい。
例えば米国特許筒4,247,623号に記載されたネ
ガ型レジスト組成物が受は入れられる0本発明で使用さ
れる好ましい第ルジストは、少なくとも150’Cのガ
ラス転移温度を有するポリマー結合剤、構造式 を有するモノマー及び構造式 物 (式中、9は、2.3または4であり、bは1又は2で
あり、m及びpは1〜10の整数であり、そして、R3
及びR4は個々にH又はCl13である)並びにアミン
と3−ケトクマリンとの混合物のような光開始剤組成物
から成るネガ型レジストである。
ガ型レジスト組成物が受は入れられる0本発明で使用さ
れる好ましい第ルジストは、少なくとも150’Cのガ
ラス転移温度を有するポリマー結合剤、構造式 を有するモノマー及び構造式 物 (式中、9は、2.3または4であり、bは1又は2で
あり、m及びpは1〜10の整数であり、そして、R3
及びR4は個々にH又はCl13である)並びにアミン
と3−ケトクマリンとの混合物のような光開始剤組成物
から成るネガ型レジストである。
ビームリードの形成のための積層物として使用するため
に、乾燥第2レジストは好ましくは7〜約50ミクロン
の厚さを有する。金属層は好ましくは5〜約100ミク
ロンの厚さを有し、第ルジストは好ましくは10〜約2
50ミクロンの厚さを有するが、これらの範囲外の他の
厚さもある種の応用には有用である。現像された第2レ
ジストは、金属層のビームリード部分に保護被覆を形成
する。
に、乾燥第2レジストは好ましくは7〜約50ミクロン
の厚さを有する。金属層は好ましくは5〜約100ミク
ロンの厚さを有し、第ルジストは好ましくは10〜約2
50ミクロンの厚さを有するが、これらの範囲外の他の
厚さもある種の応用には有用である。現像された第2レ
ジストは、金属層のビームリード部分に保護被覆を形成
する。
現像された第ルジストは、ビームリードを所望の配置に
保持する支持体を形成する。露光された金属層はエッチ
されビームリードを形成する。
保持する支持体を形成する。露光された金属層はエッチ
されビームリードを形成する。
本発明の別の好ましい態様に於て、第ルジストは、ポリ
マー結合剤及び活性化放射線に露光されたときレジスト
組成物にアルカリ可溶性を付与するに有効な増感剤を含
むポジ型レジストであり、この第ルジストのポリマー結
合剤は、上記第2レジストについて記載したようなポリ
スルホンアミドから本質的に成る。ポリスルホンアミド
結合剤を有する現像された第ルジストは次の接合の間に
ビームリードのだめの有効な支持体を形成する。
マー結合剤及び活性化放射線に露光されたときレジスト
組成物にアルカリ可溶性を付与するに有効な増感剤を含
むポジ型レジストであり、この第ルジストのポリマー結
合剤は、上記第2レジストについて記載したようなポリ
スルホンアミドから本質的に成る。ポリスルホンアミド
結合剤を有する現像された第ルジストは次の接合の間に
ビームリードのだめの有効な支持体を形成する。
本発明の実施に有用なフォトレジストは、スピン−コー
ティング、スプレーコーティング、ビードコーティング
、カーテンコーティング、ローラーコーティング及び類
似のもの(これらの全ては公知である)のような被覆技
術を含む、広範囲の種々の技術により金属層に適用でき
る。
ティング、スプレーコーティング、ビードコーティング
、カーテンコーティング、ローラーコーティング及び類
似のもの(これらの全ては公知である)のような被覆技
術を含む、広範囲の種々の技術により金属層に適用でき
る。
ポジ型レジストのための特に有用な溶剤はアセトンであ
る。しかしながら、2−ブタノン、テトラヒドロフラン
、p−ジオキサン、シクロヘキサノン、シクロペンタノ
ン及び他のアルコール類のような他の適当な溶剤が使用
でき、これらは溶剤を使用する場合には、ネガ型レジス
トの被覆剤を製造する場合にも有用である。
る。しかしながら、2−ブタノン、テトラヒドロフラン
、p−ジオキサン、シクロヘキサノン、シクロペンタノ
ン及び他のアルコール類のような他の適当な溶剤が使用
でき、これらは溶剤を使用する場合には、ネガ型レジス
トの被覆剤を製造する場合にも有用である。
積層物は片方又は両方のレジスト層のための除去可能な
カバーシートを任意に含んでいてよい。
カバーシートを任意に含んでいてよい。
このようなシートは、やや粘着性又は酸素窓受性の傾向
にある配合にとって特に有用である。このカバーシート
は、前成形してレジスト層に積層するか、又は水溶性ポ
リマーからのその場でフィルムとして成形できる。前者
の例には、セルローストリアセテートのようなセルロー
スエステル、ポリアミド、ポリオレフィン、ビニルポリ
マー及びポリエステルが含まれる。後者の例には、ポリ
(ビニルアルコール)又はアルキル部分の炭素原子が1
〜2個であるヒドロキシアルキルセルロースが含まれる
。このようなカバーシートの好ましい厚さは、12〜5
0ミクロンである。
にある配合にとって特に有用である。このカバーシート
は、前成形してレジスト層に積層するか、又は水溶性ポ
リマーからのその場でフィルムとして成形できる。前者
の例には、セルローストリアセテートのようなセルロー
スエステル、ポリアミド、ポリオレフィン、ビニルポリ
マー及びポリエステルが含まれる。後者の例には、ポリ
(ビニルアルコール)又はアルキル部分の炭素原子が1
〜2個であるヒドロキシアルキルセルロースが含まれる
。このようなカバーシートの好ましい厚さは、12〜5
0ミクロンである。
本発明の積層物の好ましい貯蔵方法は、片(ストリップ
)状で、適当なスプール又はマンドレルに巻き付けてロ
ールにすることである。このような場合に、このカバー
シートはこの片の次の隣接する部分に七ツマ−が移動す
ることを防ぐものである。このような性質を有する有用
な物質には、ポリエステルフィルムが含まれる。
)状で、適当なスプール又はマンドレルに巻き付けてロ
ールにすることである。このような場合に、このカバー
シートはこの片の次の隣接する部分に七ツマ−が移動す
ることを防ぐものである。このような性質を有する有用
な物質には、ポリエステルフィルムが含まれる。
上記のように、本発明の積層物は、ICチップに接合し
た金属ビームリードのフレームを製造するために特に適
合している一フレームを形成し、このようなフレームを
ICチップに接合する方法は、前記米国特許第4.24
7.623号に適切に記載されている。このような方法
は、好ましくは連続式で行なわれる。レジストの部分を
除去するために使用される洗浄液には、塩基水ン容冴、
緩衝塩基水溶液、1,、1−トリクロロエタン、ジクロ
ロツタ:′、アセトン、ベンゼン、1゛ルコール類、エ
ーテル類、I・ルエン、KTI Chewi:、ais
、 Inc、、から入りできるKMPR−809現像剤
及び類(疹物のような公知のレジスト現像剤が含まれる
6ボジ型レジストのだめの特に好ましい現像剤には、2
シリコーン緩衝憐酸塩水性塩基及び米国特許が4.14
、733号及び欧州特許第23.758号に記載された
もの、例えば、亜硫酸塩安定荊を含む第四級アル、リノ
ールアンモニウムヒドロキシドが含まね5ろ。
た金属ビームリードのフレームを製造するために特に適
合している一フレームを形成し、このようなフレームを
ICチップに接合する方法は、前記米国特許第4.24
7.623号に適切に記載されている。このような方法
は、好ましくは連続式で行なわれる。レジストの部分を
除去するために使用される洗浄液には、塩基水ン容冴、
緩衝塩基水溶液、1,、1−トリクロロエタン、ジクロ
ロツタ:′、アセトン、ベンゼン、1゛ルコール類、エ
ーテル類、I・ルエン、KTI Chewi:、ais
、 Inc、、から入りできるKMPR−809現像剤
及び類(疹物のような公知のレジスト現像剤が含まれる
6ボジ型レジストのだめの特に好ましい現像剤には、2
シリコーン緩衝憐酸塩水性塩基及び米国特許が4.14
、733号及び欧州特許第23.758号に記載された
もの、例えば、亜硫酸塩安定荊を含む第四級アル、リノ
ールアンモニウムヒドロキシドが含まね5ろ。
本発明の積層物はICチ・・ノブに接合できる優れた金
属ビームリードを提供する、−とができる。
属ビームリードを提供する、−とができる。
第2し・シストが、ポリスルホンアミド結合剤の故に、
可撓性を含む改良された機械的性質と金属片に対する優
れた接着性を示し、金属リードを与えるために必要な優
れた解像力と耐エツチング性を示すこと己よ、本発明の
特に有利な特徴である、更に、このし7゛ストは剥がね
、と現像による魯裂を最小にする。
可撓性を含む改良された機械的性質と金属片に対する優
れた接着性を示し、金属リードを与えるために必要な優
れた解像力と耐エツチング性を示すこと己よ、本発明の
特に有利な特徴である、更に、このし7゛ストは剥がね
、と現像による魯裂を最小にする。
上記第2 t−:、;ストがキノンジアジド増感荊の光
還元から形成される染料の残留補足を避ける水性アルカ
リ現像剤に優れた溶解性を示すことは、本発明の他の有
利な特徴である。
還元から形成される染料の残留補足を避ける水性アルカ
リ現像剤に優れた溶解性を示すことは、本発明の他の有
利な特徴である。
下記の実施例は本発明を更に具体的に説明するためのも
のであるが、本発明の技術的範囲をこれらの実施例L’
=lEll!定するものでない、:とはいうまでもない
、 フ【】缶flu及−(jJ七較−紗+14アセトン中の
22重量%のA2Cy(Mw=400.000 、Tα
−140°C)及び3%の、2.4−トリス(6−−)
”アゾ−5,6−ナフ[・キノン−1スルホニルオキシ
)ベンゼン(七ツマー増感i1)を含、む被覆溶液を、
可撓性胴支持体上に機械被覆し、5〜10ミクロンの厚
さに乾燥した。
のであるが、本発明の技術的範囲をこれらの実施例L’
=lEll!定するものでない、:とはいうまでもない
、 フ【】缶flu及−(jJ七較−紗+14アセトン中の
22重量%のA2Cy(Mw=400.000 、Tα
−140°C)及び3%の、2.4−トリス(6−−)
”アゾ−5,6−ナフ[・キノン−1スルホニルオキシ
)ベンゼン(七ツマー増感i1)を含、む被覆溶液を、
可撓性胴支持体上に機械被覆し、5〜10ミクロンの厚
さに乾燥した。
第1JL辻旦0.−9J=J漁
爪−−−1
エト4′ジエチル/゛セテート(溶剤)ポリ (エチル
ア、、;”Jレー トー共−・メタクリル酸)JLX 60% 12% 八:l (: y l−ヅーλトは、画像様露光り慣用
の水性1、;スト現像剤(kTI Chemicals
、 Xnc、+ から入手ごきるKMPR,−809現
像剤)中で現像した声き、支持体ム゛対する優れた接着
性、優れた接着強度、優れた耐エツチング性及び優れた
解像力(15ミクロ゛、パ線/’40ミクロン間隔)を
示した。10〜90%RH範囲内の湿度試験では、材料
の性能に著L7い影響は示されなかった。
ア、、;”Jレー トー共−・メタクリル酸)JLX 60% 12% 八:l (: y l−ヅーλトは、画像様露光り慣用
の水性1、;スト現像剤(kTI Chemicals
、 Xnc、+ から入手ごきるKMPR,−809現
像剤)中で現像した声き、支持体ム゛対する優れた接着
性、優れた接着強度、優れた耐エツチング性及び優れた
解像力(15ミクロ゛、パ線/’40ミクロン間隔)を
示した。10〜90%RH範囲内の湿度試験では、材料
の性能に著L7い影響は示されなかった。
下記第1表に記載の配合から製造した対照ポジ型し・シ
ストを、可撓性胴支持体上に機械被覆し5 =−] 0
ミクロンの厚さに乾燥した。
ストを、可撓性胴支持体上に機械被覆し5 =−] 0
ミクロンの厚さに乾燥した。
M二 2<)Ot′l、
丁9−5IL。
幾つかの性能特徴の項目に関する実施例1と対照(比較
例1)との比較を上記第■表に示す。
例1)との比較を上記第■表に示す。
メー」し−表
ム」」ンL
機械的性質
接着(adhes 1on)
剥離強度
125g/cm
54g/Cm
実m二j
A2CYをAS 、AXy 、Acy 、C26及びD
2Xyで置き換えて実施例1を実質的に繰り返し同様の
結果を得た。
2Xyで置き換えて実施例1を実質的に繰り返し同様の
結果を得た。
止較皿工
A2Cyを下記構造式を有するA2で置き換えた他は、
実施例1を実質的に繰り返した。
実施例1を実質的に繰り返した。
光スピード(erg/cffl)
5ミクロン被麹 300
10ミクロン被覆 700
33%に肝R現像剤中の溶解速度(入/5ec)未露光
93 露光 7790 水性アルカリ現像剤中でこのレジストを現像した結果、
キノン増感剤の光還元から現像剤溶?夜中に洗い出すこ
とができない赤色染料が形成した。
93 露光 7790 水性アルカリ現像剤中でこのレジストを現像した結果、
キノン増感剤の光還元から現像剤溶?夜中に洗い出すこ
とができない赤色染料が形成した。
このような残留する補足された染料は微小剥離の問題を
引き起こ(7、この問題はレジストをICチップに接合
されるべき金属ビームリードのフレームを製造するため
に適合される積層物に使用されるとき望ましくないと信
じられる。更に、このレジストは溶解で受は入れられな
い厚さ損失を示した。
引き起こ(7、この問題はレジストをICチップに接合
されるべき金属ビームリードのフレームを製造するため
に適合される積層物に使用されるとき望ましくないと信
じられる。更に、このレジストは溶解で受は入れられな
い厚さ損失を示した。
6: しいネガ レジスト 4・
第■表の下記ネガ型レジスト配合物を、その−面に上記
実施例1に記載した組成を有する5ミクロン厚さのポジ
型レジストを被覆した35ミクロン厚さの銅箔上に40
ミクロン乾燥厚さで被覆し、連続フィルム片を形成した
。
実施例1に記載した組成を有する5ミクロン厚さのポジ
型レジストを被覆した35ミクロン厚さの銅箔上に40
ミクロン乾燥厚さで被覆し、連続フィルム片を形成した
。
この試料を次のように処理した。
(1)この試料を、Kodak T−14(0,15)
ニュ)ラル濃度ステップタブレットを使用し、Coli
ght M−218露光ユニツ) (400ワツト水銀
灯)で露光した。
ニュ)ラル濃度ステップタブレットを使用し、Coli
ght M−218露光ユニツ) (400ワツト水銀
灯)で露光した。
(2)露光したポジ型レジストを水希釈したKMPR−
809現像剤(1: 1)中で90秒間浸漬現像し、露
光した領域を完全に除去し、ステップタブレット領域で
三つのシャープなステップを生じた。最終水リンスを現
像剤の全ての痕跡を除くために使用した。
809現像剤(1: 1)中で90秒間浸漬現像し、露
光した領域を完全に除去し、ステップタブレット領域で
三つのシャープなステップを生じた。最終水リンスを現
像剤の全ての痕跡を除くために使用した。
(3)保護されていない銅箔(露光領域)を、HCl−
CuCl□スプレーエッチ液を使用して化学的に除去し
た。
CuCl□スプレーエッチ液を使用して化学的に除去し
た。
(4)ついで保護ポジ型レジストを、KMPR−809
現像剤のストリッパー及びアセトン中で除去した。
現像剤のストリッパー及びアセトン中で除去した。
(5)ついで露光したネガ型レジストフィルムを1 、
1 、1−)リクロロエタンでスプレー現像し、露光し
なかった領域を除去し、ステップタブレット領域で8つ
のシャープなステップを生じた。最終水リンスを現像剤
の全ての痕跡を除くために使用した。
1 、1−)リクロロエタンでスプレー現像し、露光し
なかった領域を除去し、ステップタブレット領域で8つ
のシャープなステップを生じた。最終水リンスを現像剤
の全ての痕跡を除くために使用した。
(6)ついでこの片を、オーブン中で5分間2013°
Cでベークして、溶剤を除去しモノ・マーの重合を増大
させた。
Cでベークして、溶剤を除去しモノ・マーの重合を増大
させた。
(7)処理したテープをJade JEMS/LAB接
合器を使用して全圧着(bumped) I Cチップ
に熱圧縮接合した。接合サイクルは約400°Cで約2
秒間であった。
合器を使用して全圧着(bumped) I Cチップ
に熱圧縮接合した。接合サイクルは約400°Cで約2
秒間であった。
このポジ型レジストは被覆の間の剥がれ問題も、現像に
よるクランクラインも示さず、処理の間銅支持体への優
れた接着を示した。この積層物は優れたビームリードを
与えた。
よるクランクラインも示さず、処理の間銅支持体への優
れた接着を示した。この積層物は優れたビームリードを
与えた。
7:2ポジ レジストを む
35ミクロンの銅片支持体の反対側に、A6ボリスルホ
ンアミドから形成したポジ型レジストと上記実施例1に
記載した増感剤とを有する積層物を製造した。第2レジ
ストは約7.5ミクロンの厚さを有していた。第2レジ
ストは約40ミクロンの厚さを有していた。第1及び第
2のポリスルホンアミドレジストは、下記のこと以外上
記実施例6に記載した方法を使用してビームリード及び
そのための支持体を形成するために有効に使用できる。
ンアミドから形成したポジ型レジストと上記実施例1に
記載した増感剤とを有する積層物を製造した。第2レジ
ストは約7.5ミクロンの厚さを有していた。第2レジ
ストは約40ミクロンの厚さを有していた。第1及び第
2のポリスルホンアミドレジストは、下記のこと以外上
記実施例6に記載した方法を使用してビームリード及び
そのための支持体を形成するために有効に使用できる。
その厚さが大きいために第2レジストは、3〜4倍長い
露光及び現像時間(工程1及び2)を必要とする。高温
度硬化(工程6)は必要ではなく、接合の前に残留する
溶剤及び水を除去するために温和なベーク(100°C
で5分間)のみが必要である。
露光及び現像時間(工程1及び2)を必要とする。高温
度硬化(工程6)は必要ではなく、接合の前に残留する
溶剤及び水を除去するために温和なベーク(100°C
で5分間)のみが必要である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、a)可撓性金属片、 b)該金属片の一方の表面に接着された第1レジスト層
及び c)該金属片の反対側の表面に接着された第2レジスト
層を含んでなり、該第2レジストが、ポリマー結合剤及
び活性化放射線に露光されたとき組成物にアルカリ可溶
性を付与するに有効な増感剤からなるポジ型レジストで
あり、 該ポリマー結合剤が、本質的に、構造式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1及びR^2は、個々に、H、ハロゲン又
は1〜3個の炭素原子を含有するアルキルであり、Zは
、 ▲数式、化学式、表等があります▼ であり、そしてnは3〜12である) の繰り返し単位を含むポリスルホンアミドを含んで成る
ことを特徴とする集積回路チップに接合した金属ビーム
リードのフレームを製造するために適した積層物。 2、該第2レジストの該結合剤が、本質的に、▲数式、
化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ から成る群から選ばれた式を有する繰り返し単位を含む
ポリスルホンアミドから成る請求項1記載の積層物。 3、該第2レジストが1、2、4−トリス(6−ジアゾ
−5、6−ナフトキノン−1−スルホニルオキシ)ベン
ゼン及び1、3、5−トリス(6−ジアゾ−5、6−ナ
フトキノン−1−スルホニルオキシ)ベンゼンから成る
群から選ばれた増感剤を含む請求項1記載の積層物。 4、該第2レジストが7〜50ミクロンの厚さを有する
請求項1記載の積層物。 5、該第1レジストが、 (1)ポリマー結合剤、 (2)構造式 ▲数式、化学式、表等があります▼ を有するモノマー及び構造式 ▲数式、化学式、表等があります▼ を有するモノマーを含む光重合性モノマー混合物(式中
、qは1、2、3または4であり、bは1又は2であり
、m及びpは1〜10の整数であり、そして、R^3及
びR^4は個々にH又はCH_3である)並びに (3)光開始剤組成物 を含む請求項1記載の積層物。 6、該第1レジストが、ポリマー結合剤及び活性化放射
線に露光されたとき該組成物にアルカリ可溶性を付与す
るに有効な増感剤を含むポジ型レジストを含んで成り、
該第1レジストのポリマー結合剤が本質的にポリスルホ
ンアミドから成る請求項1記載の積層物。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US146632 | 1988-01-21 | ||
US07/146,632 US4865950A (en) | 1988-01-21 | 1988-01-21 | Laminate for the formation of beam leads for IC chip bonding featuring improved positive-working resist |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH023051A true JPH023051A (ja) | 1990-01-08 |
Family
ID=22518246
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1010115A Pending JPH023051A (ja) | 1988-01-21 | 1989-01-20 | 集積回路チップ接合用ビームリードの形成用積層物 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4865950A (ja) |
EP (1) | EP0325545A3 (ja) |
JP (1) | JPH023051A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02866A (ja) * | 1988-02-25 | 1990-01-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性組成物 |
US7550253B2 (en) | 2004-02-25 | 2009-06-23 | Panasonic Corporation | Barrier film material and pattern formation method using the same |
JP2019518981A (ja) * | 2016-05-12 | 2019-07-04 | ノーロッキー, ダニエル, ジェイ.NAWROCKI, Daniel, J. | ポリスルホンアミド再分布組成物及びその使用方法 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5098814A (en) * | 1990-04-26 | 1992-03-24 | Eastman Kodak Company | Laminate for the formation of beam leads for IC chip bonding |
JP3281714B2 (ja) * | 1994-03-10 | 2002-05-13 | 富士写真フイルム株式会社 | リード・フレーム形成材料 |
JP3262448B2 (ja) * | 1994-03-14 | 2002-03-04 | 富士写真フイルム株式会社 | リード・フレーム形成材料 |
KR101900552B1 (ko) * | 2016-06-23 | 2018-09-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 소자 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1335095A (en) * | 1971-01-14 | 1973-10-24 | Kodak Ltd | Polycondensation copolymers |
US4107155A (en) * | 1977-06-29 | 1978-08-15 | Eastman Kodak Company | Polysulfonamides |
US4247623A (en) * | 1979-06-18 | 1981-01-27 | Eastman Kodak Company | Blank beam leads for IC chip bonding |
US4684599A (en) * | 1986-07-14 | 1987-08-04 | Eastman Kodak Company | Photoresist compositions containing quinone sensitizer |
US4792517A (en) * | 1987-07-24 | 1988-12-20 | Eastman Kodak Company | Luminate for the formation of beam leads for IC chip bonding |
-
1988
- 1988-01-21 US US07/146,632 patent/US4865950A/en not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-01-09 EP EP19890420009 patent/EP0325545A3/en not_active Withdrawn
- 1989-01-20 JP JP1010115A patent/JPH023051A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02866A (ja) * | 1988-02-25 | 1990-01-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性組成物 |
US7550253B2 (en) | 2004-02-25 | 2009-06-23 | Panasonic Corporation | Barrier film material and pattern formation method using the same |
JP2019518981A (ja) * | 2016-05-12 | 2019-07-04 | ノーロッキー, ダニエル, ジェイ.NAWROCKI, Daniel, J. | ポリスルホンアミド再分布組成物及びその使用方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0325545A2 (en) | 1989-07-26 |
EP0325545A3 (en) | 1990-11-28 |
US4865950A (en) | 1989-09-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3526504A (en) | Photocrosslinkable elements and processes | |
US5077174A (en) | Positive working dry film element having a layer of resist composition | |
KR100191177B1 (ko) | 감광성 수지 조성물 및 그를 이용한 감광 소자 | |
JPS6239418B2 (ja) | ||
JPS5812577B2 (ja) | 光重合可能な複写材料 | |
US5145764A (en) | Positive working resist compositions process of exposing, stripping developing | |
JPH023051A (ja) | 集積回路チップ接合用ビームリードの形成用積層物 | |
JPS5983153A (ja) | 多層ドライフイルムフオトレジスト | |
CA1301522C (en) | Laminate for the formation of beam leads for ic chip bonding | |
US4956264A (en) | Radiation-polymerizable mixture | |
WO1987004271A1 (en) | Photosensitive resin composition for screen process | |
US3873319A (en) | Dry-film negative photoresist having amidized styrene-maleic anhydride binder material | |
JP2677916B2 (ja) | 感光性樹脂組成物及びこれを用いた感光性エレメント | |
JP4172209B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、これを用いた感光性エレメント、レジストパターンの製造方法及びプリント配線板の製造方法 | |
JP4524844B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、これを用いた感光性エレメント、レジストパターンの製造法及びプリント配線板の製造法 | |
JPH0334056B2 (ja) | ||
GB2193730A (en) | Production of printed circuit boards | |
JPS5824035B2 (ja) | 感光性エレメント | |
JP3795872B2 (ja) | 感光性樹脂組成物及びこれを用いた感光性エレメント | |
JPH02311846A (ja) | 感光性樹脂組成物及びこれを用いた感光性積層体 | |
JPS59202457A (ja) | 改良された光重合性積層体 | |
JP4393145B2 (ja) | 感光性樹脂組成物及びそれを用いた感光性樹脂積層体 | |
JP2880775B2 (ja) | 光重合性組成物及び光重合性積層体 | |
JPH02302403A (ja) | 感光性樹脂組成物及びこれを用いた感光性フイルム | |
JP2961941B2 (ja) | 感光性樹脂組成物及びこれを用いた感光性エレメント |