JPH02303676A - ろう材接合法および処理装置ならびに半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、ろう材接合法および処理装置ならびに半導体
装置技術に関し、特に、たとえば半導体チップをチップ
キャリア形のパッケージで封止する際のはんだ接合法お
よび処理装置ならびにその半導体装置技術に適用して前
動な技術に関する。

［従来の技術］ たとえば、バンブ電極を有する半導体チップは、次のよ
うな工程によって封止されている。

すなわち、先ず、ベース基板およびキャップの所定部位
に下地金属層を予め形成し、また半導体チップのバンブ
電極を溶融させベース基板の所定の電極上に接続させて
該半導体チップをベース基板上に搭載する。

次に、半導体チップがろう付けされるキャップの内側面
に、はんだ（ＰｂとＳｎの合金）などからなる低融点ろ
う材の膜を形成し、またベース基板およびキャップの各
封止部位に、低融点ろう材の膜を形成する。

次に、所定の熱と荷重を加えて、ベース基板とキャップ
とをろう付けするとともに、半導体チップとキャップと
をろう付けして半導体チップを封止する。

半導体チップは、このようにしてパッケージ内に封止さ
れる。

ところで、たとえば、このような封止工程などにおける
ろう材接合法においては、通常、ろう材自身や被接合金
属の表面自然酸化膜や汚染物などの不活性膜を除去する
ために、フラックスが用いられている。

すなわち、フラックスの清浄作用により、ろう材自身や
被接合金属の表面自然酸化膜を溶解し、あるいは水素や
水蒸気、その他、化合物などを発生させろう材自身や被
接合金属の表面を活性化させてろう付けする。

［発明が解決しようとする課題］ ところが、たとえば、前記したような半導体チップの封
止工程において、ろう材自身や被接合金属の表面不活性
膜の除去清浄にフラックスが用いられると、たとえば、
キャビティ内に残存したフラックスがベース基板の電気
的な部位に１４（Ｓｎ）を析出させ、これにより半導体
装置の信頼性が妨げられることが知られている。

また、フラックスの使用がはんだ中のボイド発生を増大
させる主要因であることが明らかにされ、このボイド発
生によって半導体装置の信頼性が妨げられることが知ら
れている。

したがって、たとえば、前記したような半導体装置の封
止工程などにおいては、フラックスを使用しないろう材
接合法が要求される。

本発明の目的は、フラックスを使用することなく、ろう
材自身や被接合金属などの表面不活性膜を除去清浄化し
てろう付けすることができるろう相接合処理技術を提供
することにある。

また、本発明の他の目的は、信頼性の向上を図ることが
できる半導体装置技術を提供することにある。

本発明の前）己ならびにその他の目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろ
う。

［ｉ題を解決するための手段］ 本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。

すなわち、本発明のろう材接合法は、ろう材ないし被接
合金属の少なくとも一方の表面不活性膜をエツチング処
理により除去清浄しその活性面を露出させてろう付けす
るものである。

また、本発明の処理装置は、ろう材ないし被接合金属の
少な（とも一方の表面不活性膜をエツチング処理により
除去清浄してその活性面を露出させるエツチング機構と
、このエツチング機構により活性面が露出された前記ろ
う材ないし前記被接合金属をろう付けさせる加熱接合機
構とを備えている構造としたものである。

更に、本発明の半導体装置は、パッケージの封止部が前
記したろう材接合法によって形成されている構造とした
ものである。

また、本発明の半導体装置は、半導体チップが前記した
ろう材接合法によって封止部材の内側にろう付けされて
封止されている構造としたものである。

［作用］ 前記した本発明のろう材接合法によれば、ろう材ないし
被接合金属の少なくとも一方の表面不活性膜がエツチン
グ処理によって除去清浄されるので、フラックスを使用
することなく、ろう材ないし被接合金属の活性面を露出
させてろう付けすることができる。

また、前記した本発明の処理装置によれば、エツチング
機構によりろう材ないし被接合金属の少なくとも一方の
表面不活性膜がエツチング処理によって除去清浄され、
その活性面が露出された前記ろう材ないし前記被接合金
属が加熱接合機構によりろう付けされるので、フラック
スを使用することなく、ろう材ないし被接合金属のろう
付けを行うことができる。

また、本発明の半導体装置によれば、パッケージの封止
部が前記したろう材接合法によって形成されている構造
とされ、あるいは半導体チップが前記したろう材接合法
によって封止部材の内側にろう付けされて封止されてい
る構造とされていることにより、フラックスを使用する
ことなく、前記封止部ないし接合部のろう付けを行うこ
とができるので、パッケージ内などに残留するフラック
スによって半導体装置の信頼性が妨げられるのを確実に
防止することができる。

［実施例１］ 第１図は本発明の一実施例である半導体装置を示す断面
図、第２図はその半導体装置におけるパッケージ封止部
の部分的拡大断面図、第３図（ａ）。

（ｂ）、（Ｃ）は本発明の一実施例であるろう材接合法
を示す説明図、第４図（ａ）　、υはその第３図に示す
るう材接合法のエツチング処理前後におけるろう材表面
のオージェ・スペクトルを示す線図、第５図（ａ）、　
（ｂ）、　（Ｃ）は本発明の他の実施例であるろう材接
合法を示す説明図、第６図（ａ）、（ｂ）はその第５図
に示するう材接合法のエツチング処理前後における下地
金属層表面のオージェ・スペクトルを示す線図、第７図
は本発明の一実施例である処理装置を示す断面図である
。

第１図に示すように、本実施例における半導体装置は、
半導体チップ１がチップキャリア形のパッケージ２で封
止された半導体装置とされ、パッケージ２は、互いに対
向的に配置されているベース基板３およびキャップ４　
（封止部材）とから構成されている。

前記ベース基板３は、たとえばムライト（３Ａ１２０３
　・２ＳｉＯ２）、前記キャップ４はアルミナイドライ
ド（Ａ　Ｉ　Ｎ）やシリコンカーバイド（ＳｉＣ）から
なり、これらのベース基板３およびキャップ４はろう材
５を介して互いに接合され、そのろう材５は、たとえば
、鉛（Ｐｂ）と錫（Ｓｎ）との合金（はんだ）からなる
。

ろう材５の錫（Ｓｎ）の含有量は、たとえばＩＱｗｔ％
、その融点は、たとえば３００度Ｃ〜３１０度Ｃとされ
ている。

前記封止部におけるベース基板３およびキャップ４には
、第２図に示すように、下地金属層６として、たとえば
クロム（Ｃｒ）膜、チタン（Ｔｉ）膜またはタングステ
ン（Ｗ）膜６ａ、銅（Ｃｕ）膜、ニッケル（Ｎｉ）膜ま
たは白金（ｐｔ）膜６ｂ、金（Ａｕ）膜６ｃがメッキに
より積層して形成されている。

第１図に示するう材５、すなわち、ベース基板３とキャ
ップ４との封止部を形成しているろう材５は、ベース基
板３とキャップ４との各下地金属層６に予めスポット溶
接などによって仮付けされていたものが、接合封止時に
おいて融合して一体化されたものである。

この場合に、ベース基板３とキャップ４との封止部には
、表面の自然酸化膜や汚染物などの不活性膜を除去する
ためのフラックスが塗布されることなく、接合封止され
ている。

これは、本実施例においては、そのような表面不活性膜
が、後に詳述するように、エツチング処理によって除去
清浄されるので、フラックスの使用が不要とされている
ためである。

このため、本実施例の半導体装置は、そのベース基板３
とキャップ４との封止部がフラックスを使用することな
く形成されているため、その封止部やパッケージ２内等
にフラックスが残留することがなく、このため、フラッ
クスの残留に起因する弊害、すなわち、たとえば、残存
フラックスによる１（Ｓｎ）の析出、ろう材５中のボイ
ド発生の増大、フラッックスが含有する塩素（Ｃβ）な
どによる腐食などが確実に防止されるようになっている
。

このようなパッケージ２内のキャビティに封止されてい
る半導体チップ１は、たとえば単結晶シリコンからなり
、該半導体チップ１は、はんだなどからなるバンブ電極
１ａが溶融されベース基板３の上面の電極（図示せず）
に電気的に接続されて該ベース基板３に搭載されている
。バンブ電極１ａのはんだの融点は、前記ろう材５の融
点より高くされている。

半導体チップ１がろう付けされるキャップ４の内側面の
下地金属層６には、ろう材５が予めスポット溶接などに
よって仮付けされている。

この場合のろう材５は、前記したベース基板３とキャッ
プ４との封止部と同様に、表面不活性膜がエツチング処
理によって除去清浄されるので、フラックスが塗布され
ない。

したがって、本実施例の半導体装置は、この点からもフ
ラックスがパッケージ２内などに残留しないようになっ
ている。

そして、このようにしてキャップ４の内側面にろう材５
が仮付けされた後に、該ろう材５が溶融されて半導体チ
ップ１の上面（被接合金属）が該ろう材５を介してキャ
ップ４の内側面に接合されている。

この場合においても、半導体チップ１の上面の表面不活
性膜がエツチング処理によって除去清浄されるので、本
実施例の半導体装置は、この点からもフラックスがパッ
ケージ２内などに残留しないようになっている。

なお、前記ベース基板３の下面には、その上面側の電極
（図示せず）に電気的に接続されている外部接続電極（
図示せず）が配設されている。

次に、本実施例のろう材接合法について、第３図に基づ
いて説明する。

先ず、第３図（ａ）に示すように、各ろう材５０表面に
生じている自然酸化膜や汚染物質などの不活性膜７を、
たとえばＡｒ’　イオンなどによるイオン・スパッタエ
ツチングにより夫々除去清浄して、同図ら）に示すよう
に各ろう材５の活性面５ａを露出させる。

この場合に、そのエツチング条件としては、たとえば加
速電圧３ｋｖ、試料電流３　Ｘ　１０−’Ａ。

エツチング速度２００人／ｍ１ｎ（ｏｎ　　５ｉＯｎ）
で、約０．５〜１分程度、エツチング処理する。

ここで、前記した条件の下でのＡｒイオン・エツチング
処理前後におけるＰｂ／５ｎ（Ｓｎ１０％）のはんだか
らなるろう材５の表面オージエ・スペクトルを、第４図
において示している。

この第４図によれば、同図（ａ）に示すようにエツチン
グ前において検出された酸素（０）、炭素くＣ）、塩素
（（１）が、同図（ｂ）に示すようにエツチング後にお
いては未検出とされている。したがって、酸素（０）な
どからなる表面不活性膜７が完全に除去可能であること
が明らかにされた。

次に、第５図は、Ｐｂ／５ｎ（Ｓｎ１０％）のはんだか
らなるろう材５と、Ｃｒ　／　Ｃｕ　／　Ａ　ｕからな
る下地金属層６　（被接合金属）とのろう材接合法を示
すものである。

この第５図に示するう材接合法においても、先ず、同図
（ａ）に示すように、ろう材５および下地金属層６の表
面に生じている自然酸化膜や汚染物質などの不活性膜７
を、たとえばＡｒゝイオンなどによるイオン・スパッタ
エツチングにより夫々除去清浄して、同図０））に示す
ようにろう材５．下地金属層６の各活性面５ａ、ｆｉｄ
を夫々露出させる。

この場合のエツチング条件は、前記したと同様な条件と
する。

このようなエツチング条件の下でのＡｒイオン・エツチ
ング処理前後におけるＣ　ｒ　／　Ｃｕ　／　Ａ　ｕか
らなる下地金属層６０表面オージニ・スペクトルが第６
図に示されている。

この第６図によれば、同図（ａ）に示すようにエツチン
グ前において検出された酸素（０）、炭素（Ｃ）、塩素
（Ｃｊりが、同図（ハ）に示すようにエツチング後にお
いては未検出とされている。したがって、酸素（０）な
どからなる表面不活性膜７が完全に除去可能であること
が明らかにされた。

このように、本実施例の前記したろう材接合法によれば
、ろう材５ないし下地金、属層６０表面不活性膜７がエ
ツチングによって除去清浄されるので、ろう材５ないし
下地金属層７の各表面にフラックスを塗布することなく
、ろう材どうし、あるいはろう材と金属とを互いに接合
させることができる。

したがって、フラックス塗布に起因する弊害、すなわち
、たとえば、残存フラックスによる錫（Ｓｎ）の析出、
ろう材５中のボイド発生の増大、フラッックスが含をす
る塩素（Ｃ１）などによる腐食などを確実に防止するこ
とができる。

次に、本実施例のろう材接合法を前記した半導体装置の
封止工程において適用した場合について、第７図に基づ
いて説明する。

先ず、ベース基板３およびキャップ４の封止部とキャッ
プ４の内側面との各ろう付は部位に、下地金属層６　（
図示せず）を予め形成し、その各下地金属層６上にろう
材５の膜を夫々形成しておく。

また、半導体チップ１のバンプ電極１ａを溶融させ、ベ
ース基板３の電極（図示せず）上に接続させて該半導体
チップ１をベース基板３上に搭載する。

次いで、半導体チップ１が搭載されたベース基板３とキ
ャップ４とを、第７図に示すように、処理装置８におけ
るエツチング処理室９に搬送ベルトなどからなる搬送手
段（図示せず）によって搬入する。

そして、処理装置８のエツチング処理室９、すなわち、
自然酸化膜や汚染物質などの不活性膜をエツチング処理
により除去清浄するエツチング機構を有するエツチング
処理室９において、ベース基板３およびキャップ４のろ
う材５や半導体チップ１の上面に生じた表面不活性膜を
、たとえばＡｒ０　イオンなどによるイオン・スパッタ
エツチングにより除去清浄して、夫々の活性面を露出さ
せる。

ここで、第７図に示す処理袋［８は、エツチング処理室
９に隣接する加熱接合室１０を備え、この加熱接合室１
０は、エツチング処理室９において各表面不活性膜が除
去清浄された半導体チップ１とキャップ４、またベース
基板３とキャップ４を夫々互いにろう付けさせる加熱接
合機構を有している。

前記エツチング処理室９において、ろう材５や半導体チ
ップ１０表面不活性膜がエツチング機たベース基板３お
よびキャップ４は、そのエツチング処理後に、搬送ベル
トなどからなる搬送手段（図示せず）によって直ちに前
記した加熱接合室ｌＯに搬送される。

そして、この加熱接合室１０において、所定の熱と荷重
が加えられることにより、夫々のろう材５が溶融されて
ベース基板３とキャップ４とが接合され、半導体チップ
１とキャップ４とが接合されて該半導体チップ１がパッ
ケージ２内に封止される。

本実施例において、その加熱溶融接合時における加熱接
合室１０の雰囲気は、Ｈ２＋　Ｎｚ　、Ｏｘｌｏｐｐｍ
以下のＡｒあるいはＮ、または真空中とされ、このよう
な不活性ガスないし真空中の雰囲気中において、ベース
基板３とキャップ４との加熱溶融接合および半導体チッ
プ１とキャップ４との加熱溶融接合が行われることによ
り、エツチング処理室９において露出されたろう材５な
どの活性面の再不活性化が確実に防止されるようになっ
ている。特に、加熱によってろう材５などの活性面が再
不活性化されるのが確実に防止されるようになっている
。

次に、加熱接合室１０において加熱溶融接合されたベー
ス基板３とキャップ４と半導体チップ１は、搬送ベルト
などからなる搬送手段（図示せず）によって処理装置８
の冷却室１１に搬送され、冷却室１１において冷却され
た後に、冷却室１１から取り出される。

このようにして、本実施例における半導体装置の封止工
程は行われる。

この場合に、本実施例におけるろう材接合法および処理
装置８によれば、半導体チップ１．ベース基板３．キャ
ップ４の各ろう付は部位の表面不活性膜がエツチング処
理によって除去清浄されるので、フラックスを使用する
ことなく、ろう付けすることができる。

したがって、フラックスがパッケージ２０キャビティ内
やベース基板３とキャップ４との封止部、キャップ４と
半導体チップ１との接合部などに残存することがなく、
このため、残存フラックスによるベース基板３などの電
気的な部位における錫（Ｓｎ）の析出、各ろう材５中の
ボイド発生の増大、これによる前記封止部のリーク不良
、フラッγクスが含有する塩素＜ｃｉ＞などによる腐食
などを確実に防止することができる。

この結果、本実施例によれば、ろう付は工程を経て製造
される半導体装置の信頼性の向上を図ることができる。

特に、本実施例のような構造の半導体装置は、その封止
工程後において、パッケージ２のキャビティ内、ベース
基板３とキャップ４との封止部。

半導体チップ１とキャップ４との接合部などにおけるフ
ラックスの洗浄が困難とされるので、フラックスを使用
することなく、ろう付けすることができる効果は、極め
て有意義である。

他方、本実施例のろう材接合法および処理装置８がフラ
ックスの洗浄可能な部位のろう付けに適用されるとすれ
ば、そのフラックスの洗浄工程を省略することができる
。

また、本実施例においては、Ｎ２　＋Ｎ２　、　Ｏｘｌ
ｏｐｐｍ以下のＡｒあるいはＮ１または真空中の雰囲気
中においてベース基板３とキャップ４との加熱溶融接合
および半導体チップｌとキャップ４との加熱溶融接合が
行われることにより、エツチング処理室９において露出
されたろう材５などの活性面が再不活性化されるのが確
実に防止されてろう付けされるので、この点からもろう
付は表面の不活性化に起因するろう付は不良を確実に防
止することができる。

〔実施例２〕 第８図は本発明の他の実施例である処理装置を示す断面
図、第９図はその第８図に示す処理装置によるエツチン
グ処理中におけるろう材を示す部分的拡大断面図である
。

第８図に示すように、実施例２の処理装置８は、前記実
施例１の処理装置８と異なり、単数のチャンバからなる
処理室１２によって構成され、ベース基板３およびキャ
ップ４の表面と、半導体チップ１の表面に生じた不活性
膜が化学反応性ガス・エツチングによって除去清浄され
てその各活性面が露出される構造とされている。

この実施例２の処理袋［８によると、前記した半導体装
置は、たとえば、次のようにして封止される。

先ず、処理装置８による処理前に、ベース基板３とキャ
ップ４との所定のろう付は部位に、下地金属層６を予め
形成し、その各下地金属層６上にろう材５の膜を夫々形
成しておく。

また、半導体チップ１のバンブ電極１ａを溶融しベース
基板３の電極（図示せず）上に接続して該半導体チップ
１をベース基板３上に搭載する。

次いで、半導体チップ１が搭載されたベース基板３およ
びキャップ４を処理室１２内に搬入する。

次いで、ガス供給口１２ａから塩素系ガス１３を処理室
１２内に導入し、この塩素系ガス１２の雰囲気中におい
て、半導体チップ１とベース基板３とキャップ４とのろ
う付は部位表面における自然酸化膜などの不活性膜を化
学反応性ガス・エツチングによって除去清浄する。

前記塩素系ガス１３、すなわち自然酸化膜を除去するた
めの塩素系ガス１３としては、たとえば、Ｎ２　＋Ｎ２
　＋　１０　ｐｐｍＣ１２、ＨＣ１、あるいはこれらに
少量のＣＣＪ２４を混入させたものを用いることができ
る。

ここで、塩素系ガス１３中の塩素（Ｃｊりは、フッ素（
Ｆ）についで電気的に陰性な元素で、希ガス、炭素、窒
素、酸素以外の元素と直接化合して塩化物を生成する物
性を有する。

したがって、第９図に示すように、エツチングされて塩
素系ガス１３と反応した不活性膜７は、その塩素（Ｃ１
りの物性により塩化物１４として除去されて処理室１２
のガス排気口１２ｂから処理室１２外に排出される。

次いで、このようにして、表面不活性膜が除去清浄され
たベース基板３．キャップ４．半導体チップ１は、その
エツチング処理後に、引き続いて処理室１２内において
所定の熱と圧力が加えられることにより、ろう材５が溶
融されてベース基板３とキャップ４とが接合され、半導
体チップ１とキャップ４とが接合されて該半導体チップ
１がパッケージ２内に封止される。

次いで、処理室内１２において冷却された後に、該処理
室１２外に取り出される。

この実施例２におけるろう材接合法および処理装置ｆ８
においても、半導体チップ１．ベース基板３、キャップ
４の各ろう付は部の表面不活性膜がエツチング処理によ
って除去清浄されるので、フラックスを使用することな
く、ろう付けすることができ、したがって、前記した実
施例１と同様な効果を得ることができる。

〔実施例３〕 第１θ図は本発明の他の実施例であるろう材接合法を説
明するための半導体装置のパッケージ封止部の部分的拡
大断面図である。

この実施例３においては、第１０図に示すように、前記
ベース基板３とキャップ４との各封止部間に、はんだな
どのろう材５を介在させて加熱加圧し溶融させることに
より、ベース基板３とキャップ４との接合封止が行われ
る。

この場合に、前記ベース基板３右よびキャップ４の各下
地金属層６の表面とろう材５０両面は、その各不活性膜
７が前記した実施例１ないし実施例２のエツチング法に
よってエツチングされて除去され、このエツチング処理
後において、前記ベース基板３とキャップ４との接合封
止が行われる。

なお、このような実施例２のろう材接合法においても、
前記した実施例１ないし実施例２の各処理装置８の適用
が夫々可能である。

以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例１〜３に限定
されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々
変更可能であることはいうまでもない。

たとえば、前記実施例１〜３においては、所定の金属表
面の不活性膜７が物理的ないし化学的ドライエツチング
によって除去される構成とされているが、本発明におい
てはそのようなエツチング法に限定されるものではなく
、たとえば金属表面の不活性膜７がウェットエツチング
によって除去される構成とすることも可能である。

また、前記実施例２においては、所定の金属表面の不活
性膜７が塩素系ガス１３の雰囲気中において、ガス・エ
ツチングされる構成とされているが、本発明においては
、たええばフッ素系ガスの雰囲気中においてガス・エツ
チングされる構成とすることも可能である。

更に、前記実施例１〜３においては、半導体装置の封止
工程におけるろう材接合法およびその処理装置として適
用されているが、本発明はそのような半導体装置の技術
分野におけるろう材接合法およびその処理装置に限定さ
れるものではなく、その他の技術分野におけるろう材接
合法およびその処理装置に適用することができる。

［発明の効果］ 本願に右いて開示される発明のうち、代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、次のとおりであ
る。

すなわち、前記した本発明のろう材接合法によれば、ろ
う材ないし被接合金属の少なくとも一方の表面不活性膜
がエツチング処理によって除去清浄されるので、フラッ
クスを使用することなく、ろう材ないし被接合金属の活
性面を露出させてろう付けすることができる。

また、前記した本発明の処理装置によれば、エツチング
機構によりろう材ないし被接合金属の少なくとも一方の
表面不活性膜がエツチング処理によって除去清浄され、
その活性面が露出された前記ろう村ないし前記被接合金
属が加熱接合機構によりろう付けされるので、フラック
スを使用することなく、ろう材ないし被接合金属のろう
付けを行うことができる。

また、本発明の半導体装置によれば、パッケージの封止
部が前記したろう材接合法によって形成されている構造
とされ、あるいは半導体チップが前記したろう材接合法
によって封止部材の内側にろう付けされて封止されてい
る構造とされていることにより、フラックスを使用する
ことなく、前記封止部ないし接合部のろう付けを行うこ
とができるので、パッケージ内などに残留するフラック
スによって半導体装置の信頼性が妨げられるのを確実に
防止することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例である半導体装置を示す断面
図、 第２図はその半導体装置におけるパッケージ封止部の部
分的拡大断面図、 第３図（ａ）、　（ｂ）、　（ｃ）は本発明の一実施例
であ°るろう材接合法を示す説明図、 第４図（ａ）、　（ｂ）はその第３図に示するう材接合
法のエツチング処理前後におけるろう材表面のオージェ
・スペクトルを示す線図、 第５図（ａ）、　（ｂ）、　（Ｃ）は本発明の他の実施
例であるろう材接合法を示す説明図、 第６図（ａ）、（ハ）はその第５図に示するう材接合法
のエツチング処理前後における下地金属層表面のオージ
ェ・スペクトルを示す線図、 第７図は本発明の一実施例である処理装置を示す断面図
、 第８図は本発明の他の実施例である処理装置を示す断面
図、 Ｍ９図はその第８図に示す処理装置によるエツチング処
理中におけるろう材を示す部分的拡大断面図、 第１０図は本発明の他の実施例であるろう材接合法を説
明するための半導体装置のパッケージ封止部の部分的拡
大断面図である。 １・・・半導体チップ、１ａ・・・バンブ電極、２・・
・パッケージ、３・・・ベースＪＥＴ、４・・・キャッ
プ（封止部材）、５・・・ろう材、５ａ、６ｄ・・・活
性面、６・・・下地金属層（被接合金属）、６ａ・・・
クロム膜、チタン膜またはタングステン膜、６ｂ・・・
銅膜、ニッケル膜または白金膜、６ｃ・・・金膜、７・
・・不活性膜、８・・・処理装置、９・・・エツチング
処理室、１０・・・加熱接合室、１１・・・冷却室、１
２・・・処理室、１２ａ・・・ガス供給口、１２ｂ・・
・ガス排気口、１３・・・塩素系ガス（再不活性化防止
用ガス）、１４・・・塩化物。 代理人　弁理士　筒　井　大　和 第１図 １：半導体チップ ２：パッケージ ４：キャップ（封止部材） ５：ろう材 第２図 第３図 （ａ） 第４図 第６図 第８図 １３：塩素系ガス（再不活性化防止用のガス）第９図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、ろう材ないし被接合金属の少なくとも一方の表面不
   活性膜をエッチング処理により除去清浄しその活性面を
   露出させてろう付けすることを特徴とするろう材接合法
   。 ２、前記エッチング処理がイオンエッチング法であるこ
   とを特徴とする請求項１記載のろう材接合法。 ３、前記エッチング処理がガスエッチング法であること
   を特徴とする請求項１記載のろう材接合法。 ４、前記ろう付けが再不活性化防止用のガスないし真空
   雰囲気中で処理されて前記活性面の再不活性化が防止さ
   れることを特徴とする請求項１、２、または３記載のろ
   う材接合法。 ５、ろう材ないし被接合金属の少なくとも一方の表面不
   活性膜をエッチング処理により除去清浄してその活性面
   を露出させるエッチング機構と、このエッチング機構に
   より活性面が露出された前記ろう材ないし前記被接合金
   属をろう付けさせる加熱接合機構とを備えていることを
   特徴とする処理装置。 ６、パッケージの封止部が前記請求項１、２、３、また
   は４記載のろう材接合法によって形成されていることを
   特徴とする半導体装置。 ７、半導体チップが前記請求項１、２、３、または４記
   載のろう材接合法によって封止部材の内側にろう付けさ
   れて封止されていることを特徴とする半導体装置。