JPH02302056A - 薄膜パターンのアライメント方法 - Google Patents
薄膜パターンのアライメント方法Info
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- JPH02302056A JPH02302056A JP1121504A JP12150489A JPH02302056A JP H02302056 A JPH02302056 A JP H02302056A JP 1121504 A JP1121504 A JP 1121504A JP 12150489 A JP12150489 A JP 12150489A JP H02302056 A JPH02302056 A JP H02302056A
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Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 6
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 abstract description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、薄膜パターンの形成に係シ、特に該パターン
のアライメント精度向上に好適な薄膜パターンのアライ
メント方法に関する。
のアライメント精度向上に好適な薄膜パターンのアライ
メント方法に関する。
薄膜パターンのアライメントを取るための従来の方法は
、アライメントすべきパターン間に同形の図形を設け、
それらを重合わせるよ５な方法を取っていた。
、アライメントすべきパターン間に同形の図形を設け、
それらを重合わせるよ５な方法を取っていた。
しかし、との方法では、重合わせる側のパターンの寸法
がそのエツチング状態により変化していることがあ）、
結果的にアライメント精度が低下してしまうことがあっ
た。
がそのエツチング状態により変化していることがあ）、
結果的にアライメント精度が低下してしまうことがあっ
た。
〔発明が解決しようとする１ｌｌｌａ）上記従来の技術
においては、１合わせの基準となる下地パターンと重合
わせるべきパターンを同形のものとして、両者が一致す
るように１合わせることでアライメントを取っている。
においては、１合わせの基準となる下地パターンと重合
わせるべきパターンを同形のものとして、両者が一致す
るように１合わせることでアライメントを取っている。
このため、下地パターンの形成の際のエツチングの微妙
な変化による該パターンの太）や細）の発生があると、
合わせられる側のパターンとに一致がなされなくなり、
作業者は設計時のパターンとのずれを目分量で推定し丸
上でアライメントを取らざるをえず、精度が低下すると
いう問題があった。
な変化による該パターンの太）や細）の発生があると、
合わせられる側のパターンとに一致がなされなくなり、
作業者は設計時のパターンとのずれを目分量で推定し丸
上でアライメントを取らざるをえず、精度が低下すると
いう問題があった。
本発明の目的は、下地パターンのエツチング状態によら
ずに、精度の高いアライメントを可能とした薄膜パター
ンのアライメント方法を提供することにある・ 〔課題を解決するための手段〕 上記目的は、エツチングの状態にかかわらずに利用でき
る基準線あるいは基準点（たとえば、線対称に配置した
パターンを用いて基準となる対称線あるいは基準点を設
け、この基準線あるいは基準点をもとにしてアライメン
トを得るようｋすることによって達成される。
ずに、精度の高いアライメントを可能とした薄膜パター
ンのアライメント方法を提供することにある・ 〔課題を解決するための手段〕 上記目的は、エツチングの状態にかかわらずに利用でき
る基準線あるいは基準点（たとえば、線対称に配置した
パターンを用いて基準となる対称線あるいは基準点を設
け、この基準線あるいは基準点をもとにしてアライメン
トを得るようｋすることによって達成される。
従来のような図形では、エツチング状態に起因する図形
の太）、細シなどによυ、基準となる線、点が移動して
しまう。
の太）、細シなどによυ、基準となる線、点が移動して
しまう。
そこで、前述の様に線対称に配置したパターンを用いれ
ば、それぞれの図形の太り、細シは生じるが、対称線は
、不動である。さらに、この対称線は、パターンの位置
形状を考慮すれば容易に作シ出すことができる〇 この不動な対称線に対して、合わせようとする図形をア
ライメントすれば、精度の良いアライメントが実現され
る。
ば、それぞれの図形の太り、細シは生じるが、対称線は
、不動である。さらに、この対称線は、パターンの位置
形状を考慮すれば容易に作シ出すことができる〇 この不動な対称線に対して、合わせようとする図形をア
ライメントすれば、精度の良いアライメントが実現され
る。
以下、本発明の一実施例を説明するための薄膜パターン
の平面図であって、１は下地パターンの対称線、２Ａ、
２Ｂ、は対称線１に対して対称な下地パターン、２Ｂ、
２Ｂ’ はテーパの上端のライン、３は対称線１と一
致する稜線、４はアライメント用マーク、５はアライメ
ント用マーク４におけるアライメントすべき線、６はア
ライメントすりべき線が明瞭な先端部分である◎ また、第２図は第１図のＡ −Ａ’ 断面図、第５図
は第１図のＢ−Ｂ” 断面図である。
の平面図であって、１は下地パターンの対称線、２Ａ、
２Ｂ、は対称線１に対して対称な下地パターン、２Ｂ、
２Ｂ’ はテーパの上端のライン、３は対称線１と一
致する稜線、４はアライメント用マーク、５はアライメ
ント用マーク４におけるアライメントすべき線、６はア
ライメントすりべき線が明瞭な先端部分である◎ また、第２図は第１図のＡ −Ａ’ 断面図、第５図
は第１図のＢ−Ｂ” 断面図である。
第１図、第２図および第５図において、対称線１を挟ん
で配置された半円状のバメー７２Ａ、２Ｂがある。パタ
ーンはイオンミリングによシ側壁にテーパーを形成して
あシ、テーパー上端の線２Ａ’、２Ｂ’ が存在する
。このテーパーによって対称線１上には、稜線３が形成
される。この稜線３は、イオンミリング状態の変動など
によらず、対称１１１１上に位置することになる。
で配置された半円状のバメー７２Ａ、２Ｂがある。パタ
ーンはイオンミリングによシ側壁にテーパーを形成して
あシ、テーパー上端の線２Ａ’、２Ｂ’ が存在する
。このテーパーによって対称線１上には、稜線３が形成
される。この稜線３は、イオンミリング状態の変動など
によらず、対称１１１１上に位置することになる。
この稜線６に、アライメント用マーク４の上のアライメ
ント線５を明確化している先端６をアライメントするこ
とによシ、対称線１とアライメント線５は一致する。
ント線５を明確化している先端６をアライメントするこ
とによシ、対称線１とアライメント線５は一致する。
この実施例によればアライメントの精度にエツチング条
件のばらつきが入らず、精度の高いアライメント効果が
ある。
件のばらつきが入らず、精度の高いアライメント効果が
ある。
第４図は本発明における他の下地パターンの例を示す平
面図であって、第１図と同一符号は同一部分に対応する
。
面図であって、第１図と同一符号は同一部分に対応する
。
本発明は下地となるパターン２Ａ、２Ｂを第４図に示し
たようなものとすることもできる。
たようなものとすることもできる。
第５図は本発明におけるアライメントマークの他の例を
示す平面図であって、同図（’Ｌ （ｂ）ｔ（Ｃ）の
谷側に示すように、アライメント用マーク４の、先端６
が明確なものであればよい口〔発明の効果〕 以下説明したように、本発明によれば、下地パターンの
基準線が移動しないので、アライメント精度を向上させ
た優れた薄膜パターンのアライメント方法を提供するこ
とができる０
示す平面図であって、同図（’Ｌ （ｂ）ｔ（Ｃ）の
谷側に示すように、アライメント用マーク４の、先端６
が明確なものであればよい口〔発明の効果〕 以下説明したように、本発明によれば、下地パターンの
基準線が移動しないので、アライメント精度を向上させ
た優れた薄膜パターンのアライメント方法を提供するこ
とができる０
第１図は本発明の一実施例を説明するための薄膜パター
ンの平面図、第２図は第１図のＡ −Ａ’断面図、第３
図は第１図のＢ−Ｂ’断面図、第４図は本発明の他の実
施例を説明するための薄膜パターンの平面図、第５図は
本発明におけるアライメントマークの他の例を示す平面
図である０１・・・下地パターンの対称線、２Ａ、２Ｂ
・°・下地パターンのテーパー下のライン、２Ａ’、２
Ｂ’・・・下地パターンのテーパー上のライン、３・・
・テーパ一部分で形成される稜線、４・・・アライメン
トすべきマーク、５・・・アライメントすへｔ！４線ｓ
６・・・アライメントすべき線が明確となっている
先端部分。
ンの平面図、第２図は第１図のＡ −Ａ’断面図、第３
図は第１図のＢ−Ｂ’断面図、第４図は本発明の他の実
施例を説明するための薄膜パターンの平面図、第５図は
本発明におけるアライメントマークの他の例を示す平面
図である０１・・・下地パターンの対称線、２Ａ、２Ｂ
・°・下地パターンのテーパー下のライン、２Ａ’、２
Ｂ’・・・下地パターンのテーパー上のライン、３・・
・テーパ一部分で形成される稜線、４・・・アライメン
トすべきマーク、５・・・アライメントすへｔ！４線ｓ
６・・・アライメントすべき線が明確となっている
先端部分。
Claims (1)
- １、線対称、かつこの対称線上で交わる図形の、各々の
パターン側壁のテーパ部分で形成される、上記対称線と
一致する稜線を有する下地パターンと、この下地パター
ンの稜線を、アライメントすべき線がパターン先端に明
確に表現されているアライメントマークの先端に一致さ
せることを特徴とする薄膜パターンのアライメント方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1121504A JP2765949B2 (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | 薄膜パターンのアライメント方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1121504A JP2765949B2 (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | 薄膜パターンのアライメント方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02302056A true JPH02302056A (ja) | 1990-12-14 |
| JP2765949B2 JP2765949B2 (ja) | 1998-06-18 |
Family
ID=14812829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1121504A Expired - Lifetime JP2765949B2 (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | 薄膜パターンのアライメント方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2765949B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61236117A (ja) * | 1985-04-12 | 1986-10-21 | Hitachi Ltd | パタ−ンの位置検出方法 |
| JPS633416A (ja) * | 1986-06-24 | 1988-01-08 | Sony Corp | 半導体装置 |
| JPS63250146A (ja) * | 1987-04-06 | 1988-10-18 | Nec Yamagata Ltd | 位置決め装置 |
-
1989
- 1989-05-17 JP JP1121504A patent/JP2765949B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61236117A (ja) * | 1985-04-12 | 1986-10-21 | Hitachi Ltd | パタ−ンの位置検出方法 |
| JPS633416A (ja) * | 1986-06-24 | 1988-01-08 | Sony Corp | 半導体装置 |
| JPS63250146A (ja) * | 1987-04-06 | 1988-10-18 | Nec Yamagata Ltd | 位置決め装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2765949B2 (ja) | 1998-06-18 |
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