KR0143576B1 - 오버레이 측정용 패턴 - Google Patents

오버레이 측정용 패턴

Info

Publication number
KR0143576B1
KR0143576B1 KR1019950006704A KR19950006704A KR0143576B1 KR 0143576 B1 KR0143576 B1 KR 0143576B1 KR 1019950006704 A KR1019950006704 A KR 1019950006704A KR 19950006704 A KR19950006704 A KR 19950006704A KR 0143576 B1 KR0143576 B1 KR 0143576B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
vernier
concave
convex portion
substrate
overlay
Prior art date
Application number
KR1019950006704A
Other languages
English (en)
Other versions
KR960035849A (ko
Inventor
박상훈
Original Assignee
김주용
현대전자산업주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019950006704A priority Critical patent/KR0143576B1/ko
Publication of KR960035849A publication Critical patent/KR960035849A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0143576B1 publication Critical patent/KR0143576B1/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605Workpiece metrology
    • G03F7/70616Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70633Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

본 발명은 소정의 다각형 형상을 갖되 일측이 요철부위를 갖는 다수의 모버니어; 상기 모버니어 보다 적은 크기를 갖는 소정의 다각형 형상을 갖되 일측이 요철부위를 갖는 다수의 자버니어를 포함하여, 정정렬시 상기 모버니어의 요철부위 및 자버니어의 요철부위가 서로 맞물리도록 형성되는 것을 특징으로 하는 오버레이 측정용 패턴에 관한 것으로, 작업자가 눈으로 쉽게 오버레이를 측정할 수 있을 뿐만 아니라, 모버니어 및 자버니어가 기판상에서 평탄화되도록 형성됨으로 기판상에서의 자버니어의 접착정도가 개선되어 제조 수율을 향상 시킨다.

Description

오버레이 측정용 패턴
제1a도는 종래의 오버레이 측정용 패턴 평면도,
제1b도는 제1a도의 A-A' 단면도,
제2도는 본 발명의 오버레이 측정용 패턴 평면도,
제3도는 제2도의 B-B' 단면에서 정정렬시의 단면도,
제4도는 제2도의 B-B' 단면에서 오정렬시의 단면도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1:실리콘 기판 2:모버니어
3:자버니어 4:절연막
본 발명은 반도체 제조 공정중 하부 전도층과 상부 전도층간의 오버레이를 측정하기 위하여 모버니어 및 자버니어로 구성된 오버레이 측정용 패턴 및 그 형성방법에 관한 것이다.
제1a도 및 제1b도를 참조하여 오버레이 측정용 패턴과 그 형성 방법을 살펴본다.
먼저, 제1a도는 모버니어 및 자버니어로 구성된 오버레이측정용 패턴의 평면도이고, 제1b도는 제1a도의 A-A' 단면도로서, 도면에서 1은 실리콘 기판, 2는 모버니어, 3은 자버니어, 4는 절연막을 각각 나타낸다.
도면에 도시된 바와같이 종래의 오버레이 측정용 패턴은 먼저, 기판(1)에 하부 전도막 패턴 형성시, 실제 회로에 사용되는 다이 이외의 스크라이브라인이나 다이의 빈구석 공간등에 다수개의 사각형 모버니어(2)를 형성한 다음, 절연막(4)을 기판 전체구조 상부에 형성하고, 상부 전도막 패턴을 형성하는데, 이때 역시 모버니어(2) 보다 폭이 좁은 다수개의 사각형 자버니어(3)를 형성하게 된다.
즉, 실리콘 기판(1) 상에 모버니어(2)를 패터닝하고, 절연막(4)을 형성한 후, 상기 절연막(4) 상에 상기 모버니어(2)의 일측과 일정부위가 증첩되는 자버니어(3)를 패터닝하여 형성된다.
그러나, 상기 설명과 같이 종래기술에 따른 오버레이 측정용 패턴 형성방법으로 형성된 오버레이 측정용 패턴은 모버니어(2) 상부에 자버니어(3)가 형성되어, 이후의 열공정 또는 식각공정에서 가해지는 스트레스에 의해 쉽게 자버니어(3) 패턴이 들뜨게되는 현상이 발생하여 다른 인접한 패턴을 브리지 시키거나, 홀의 경우에는 홀이 형성되지 않게 만드는 문제점이 있었다.
따라서, 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 본 발명은 모버니어 및 자버니어가 기판상에서 평탄화되도록 형성하여 오정렬시 그 오정렬정도를 쉽게 측정가능케하는 오버레이 측정용 패턴을 제공함을 그 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 소정의 다각형 형상을 갖되 일측이 요철부위를 갖는 다수의 모버니어; 상기 모버니어 보다 적은 크기를 갖는 소정의 다각형 형상을 갖되 일측이 요철부위를 갖는 다수의 자버니어를 포함하여, 정정렬시 상기 모버니어의 요철부위 및 자버니어의 요철부위가 서로 맞물리도록 형성되는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면 제2도 내지 제4도를 참조하여 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.
제2도는 본 발명의 오버레이 측정용 패턴 평면도이고, 제3도는 제2도의 B-B' 단면에서 정정렬시의 단면도, 제4도는 제2도의 B-B' 단면에서 오정렬시 단면도를 각각 나타내며, 도면에서 1은 실리콘 기판, 2는 모버니어, 3은 자버니어, 4는 절연막을 각각 나타낸다.
제2도에 도시된 바와같이 본 발명에 따른 오버레이 측정용 패턴은 모버니어(2)가 직사각형 패턴으로 형성되되 일측이 요철부위를 갖도록 형성되고, 자버니어(3)가 모버니어(2) 보다 폭이 좁은 직사각형 패턴으로 형성되되 역시 일측이 요철부위를 갖도록 형성되어, 상기 모버니어(2)의 요철부위와 자버니어(3)의 요철부위가 서로 맞물리도록 형성된다.
그리고, 모버니어(2)와 자버니어(3) 사이에는 절연막(4)이 형성됨으로, 절연막(4)의 두께에 따라 자버니어(3)의 폭은 결정되게 된다.
그러므로, 정확한 정렬로 공정이 진행되었을 경우에는 제3도에 도시된 바와같이, 자버니어(3)가 요홈상부로 돌출되지 않지만, 제4도에 도시된 바와같이 오정렬이 발생하게 되면, 자버니어(3)가 요홈이외의 부위에 형성되어 돌출되게 된다.
따라서, 오정렬이 발생하였을 경우에는 작업자가 눈으로 쉽게 오정렬되었다는 것을 확인할 수 있다.
이상, 상기 설명과 같은 본 발명은 작업자가 눈으로 쉽게 오버레이를 측정할 수 있을 뿐만 아니라, 모버니어 및 자버니어가 기판상에서 평탄화되도록 형성됨으로 기판상에서의 자버니어의 접착정도가 개선되어 제조 수율을 향상 시킨다.

Claims (1)

  1. 소정의 다각형 형상을 갖되 일측이 요철부위를 갖는 다수의 모버니어; 상기 모버니어 보다 적은 크기를 갖는 소정의 다각형 형상을 갖되 일측이 요철부위를 갖는 다수의 자버니어를 포함하여, 정정렬시 상기 모버니어의 요철부위 및 자버니어의 요철부위가 서로 맞물리도록 형성되는 것을 특징으로 하는 오버레이 측정용 패턴.
KR1019950006704A 1995-03-28 1995-03-28 오버레이 측정용 패턴 KR0143576B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950006704A KR0143576B1 (ko) 1995-03-28 1995-03-28 오버레이 측정용 패턴

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950006704A KR0143576B1 (ko) 1995-03-28 1995-03-28 오버레이 측정용 패턴

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960035849A KR960035849A (ko) 1996-10-28
KR0143576B1 true KR0143576B1 (ko) 1998-08-17

Family

ID=19410704

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950006704A KR0143576B1 (ko) 1995-03-28 1995-03-28 오버레이 측정용 패턴

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR0143576B1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR960035849A (ko) 1996-10-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR19980030438A (ko) 반도체 버어니어 구조 및 그것을 이용한 오버레이 정확도 측정방법
KR100502797B1 (ko) 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR100199368B1 (ko) 반도체 소자 제조용 콘택 마스크
US5910830A (en) Liquid crystal display panels including alignment keys in the active regions thereof, and methods for manufacturing
KR100427501B1 (ko) 반도체 제조방법
KR0143576B1 (ko) 오버레이 측정용 패턴
US4924289A (en) Air bridge wiring for semiconductor devices
US6867109B2 (en) Mask set for compensating a misalignment between patterns and method of compensating a misalignment between patterns using the same
JPH11307418A (ja) マスク合わせマークおよびマスク合わせ方法
KR100289662B1 (ko) 반도체 소자의 오버레이 측정패턴
KR950013427B1 (ko) 오버래이 버니어 및 그 제조방법
EP0442491A2 (en) Semiconductor device having a wiring pattern in which a plurality of lines are arranged in close proximity to one another
JPH06275736A (ja) 半導体装置
KR100567053B1 (ko) 반도체 소자의 오버레이 측정패턴 형성방법
KR0144254B1 (ko) 반도체 소자의 테스트 패턴 및 이의 제조방법
JPH095788A (ja) マトリクス型液晶表示装置
JPH01241117A (ja) アライメント・マーク
KR100213227B1 (ko) 반도체장치의 오버레이 키 및 그 제조방법
KR100242991B1 (ko) 반도체 웨이퍼의 오버레이 얼라인 키
KR100192578B1 (ko) 비아 저항 체크 패턴 형성 방법
JPH0623014Y2 (ja) 混成集積回路用基板
KR970011655B1 (ko) 측정마크 및 그 제조방법과 정렬도 측정방법
JPS6260223A (ja) 半導体装置
KR100278646B1 (ko) 반도체 장치의 두께 모니터용 패턴 형성방법
KR100242634B1 (ko) 반도체 장치의 패드 구조 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130325

Year of fee payment: 16

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140318

Year of fee payment: 17

EXPY Expiration of term