JPH02298026A - 化合物半導体のエッチング方法 - Google Patents
化合物半導体のエッチング方法Info
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- JPH02298026A JPH02298026A JP1119728A JP11972889A JPH02298026A JP H02298026 A JPH02298026 A JP H02298026A JP 1119728 A JP1119728 A JP 1119728A JP 11972889 A JP11972889 A JP 11972889A JP H02298026 A JPH02298026 A JP H02298026A
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、II−VI族化合物半導体のエツチング方法
に関するものである。
に関するものである。
[従来技術]
セレン化亜鉛(ZnSe)、硫化亜鉛(ZeS)など、
およびこれらの混晶より成るII−VI族化合物半導体
の従来の微細加工方法は、ラオトレジストあるいは二酸
化シリコンなどの絶縁膜をマスクとするウェットエツチ
ング技術、ドライエツチング技術がある。ウェットエツ
チング技術において、エツチング液として主に用いられ
ているのは、水酸化ナトリウム水溶液、塩酸、硝酸−塩
酸一水の混合液が挙げられ、これらのエツチング液は、
所望のエツチング速度を得るために、適当な温度、ある
いは組成で使用されている。
およびこれらの混晶より成るII−VI族化合物半導体
の従来の微細加工方法は、ラオトレジストあるいは二酸
化シリコンなどの絶縁膜をマスクとするウェットエツチ
ング技術、ドライエツチング技術がある。ウェットエツ
チング技術において、エツチング液として主に用いられ
ているのは、水酸化ナトリウム水溶液、塩酸、硝酸−塩
酸一水の混合液が挙げられ、これらのエツチング液は、
所望のエツチング速度を得るために、適当な温度、ある
いは組成で使用されている。
一方ドライエツチング技術は、平行平板電極を用いたA
rなどの不活性ガスによるイオンエツチング、BCl3
などの反応性ガスによる反応性イオンエツチングが挙げ
られる。
rなどの不活性ガスによるイオンエツチング、BCl3
などの反応性ガスによる反応性イオンエツチングが挙げ
られる。
[発明が解決しようとする課題]
しかし、前述の従来技術によるI[=VI族化合物半導
体の加工には、以下の問題がある。
体の加工には、以下の問題がある。
ウェットエツチング技術については、一般的な問題とし
て、再現性にかけることが挙げられる。
て、再現性にかけることが挙げられる。
温度、エツチング液の組成などをかなり厳密にコントロ
ールしなければ一定したエツチング速度が得られない。
ールしなければ一定したエツチング速度が得られない。
さらに揮発性の物質を含むエツチング液の場合、時間と
共にエツチング液の組成が変化するのでエツチング液を
作製したときと、時間が経過したときとでは、エツチン
グ速度が太き(変わってしまうという問題がある。
共にエツチング液の組成が変化するのでエツチング液を
作製したときと、時間が経過したときとでは、エツチン
グ速度が太き(変わってしまうという問題がある。
さらに、ウェットエツチング技術では、エツチングが等
方的に進行し、サイドエッチが起こるので、マスクの寸
法通りには、パターンを形成することはできない。また
加工断面形状も限られてしまい、例えば、垂直断面の形
成、縦横比の大きい深い溝の形成は、困難である。
方的に進行し、サイドエッチが起こるので、マスクの寸
法通りには、パターンを形成することはできない。また
加工断面形状も限られてしまい、例えば、垂直断面の形
成、縦横比の大きい深い溝の形成は、困難である。
II−VI族化合物半導体のウェットエツチングは、他
のm−v族化合物半導体などに比べ、問題が多い。例え
ば、ZnS eを塩酸−硝酸系エツチング液でエツチン
グを行う場合、エツチング液がZn5e中にしみ込み、
長時間の水洗を行っても完全に除去することは困難であ
り、膜質の特性を著しく悪化させる。また、ZnS e
、Zn5xS e+−xを、NaOH水溶液でエツチン
グを行う場合、表面モホロジーが極端に悪化してしまい
、精密なエツチングに適しているとはいえない。塩酸を
用いた場合は、エツチング速度が非常に遅<、II−V
I族化合物半導体を用いたデバイス作製には実用的では
ない。
のm−v族化合物半導体などに比べ、問題が多い。例え
ば、ZnS eを塩酸−硝酸系エツチング液でエツチン
グを行う場合、エツチング液がZn5e中にしみ込み、
長時間の水洗を行っても完全に除去することは困難であ
り、膜質の特性を著しく悪化させる。また、ZnS e
、Zn5xS e+−xを、NaOH水溶液でエツチン
グを行う場合、表面モホロジーが極端に悪化してしまい
、精密なエツチングに適しているとはいえない。塩酸を
用いた場合は、エツチング速度が非常に遅<、II−V
I族化合物半導体を用いたデバイス作製には実用的では
ない。
一方Arなどの不活性ガスを用いたイオンエ、。
チング技術は、エツチング速度を実用的レベルにするに
はプラズマ放電のパワーを強くする必要があり、半導体
基板に大きなダメージを与えてしまう。また、BCIs
などの反応性ガスを用いた反応性イオンエツチングは、
イオンエツチングに比べれば、多少基板に与えるダメー
ジは低減できるが、許容される範囲のものではない。単
にダメージを低減するには、低い放電パワーでもガス圧
力を高くすれば良いが、イオンシース幅とイオンと中性
粒子の平均自由行程とがほぼ同程度となり、イオンビー
ムに指向性がなくなるため、サイドエツチングが太き(
なり、微細加工という点からみれば大きな欠点を有する
。
はプラズマ放電のパワーを強くする必要があり、半導体
基板に大きなダメージを与えてしまう。また、BCIs
などの反応性ガスを用いた反応性イオンエツチングは、
イオンエツチングに比べれば、多少基板に与えるダメー
ジは低減できるが、許容される範囲のものではない。単
にダメージを低減するには、低い放電パワーでもガス圧
力を高くすれば良いが、イオンシース幅とイオンと中性
粒子の平均自由行程とがほぼ同程度となり、イオンビー
ムに指向性がなくなるため、サイドエツチングが太き(
なり、微細加工という点からみれば大きな欠点を有する
。
このように、従来の方法による■−■族化合物半導体の
エツチングは、非常に困難であり、特にエツチング深さ
のバッチ間の再現性が乏しいので■−■族化合物半導体
を用いたデバイスの量産技術において大きな障害となっ
ていた。そこで本発明は、上記問題点を解決するもので
、その目的とするところは、再現性、実用性があり、ま
たエツチング後の基板の損傷が極めて小さく、様々な加
工形状を作ることができるII−VI族化合物半導体の
エツチング方法を提供するところにある。
エツチングは、非常に困難であり、特にエツチング深さ
のバッチ間の再現性が乏しいので■−■族化合物半導体
を用いたデバイスの量産技術において大きな障害となっ
ていた。そこで本発明は、上記問題点を解決するもので
、その目的とするところは、再現性、実用性があり、ま
たエツチング後の基板の損傷が極めて小さく、様々な加
工形状を作ることができるII−VI族化合物半導体の
エツチング方法を提供するところにある。
[!1題を解決するための手段]
本発明の化合物半導体のエツチング方法は、エツチング
マスクを形成する工程と、反応性ガスを放電室分離型の
マイクロ波励起・ECRプラズマ室で活性化させ、被処
理材料に一様な方向を持ったイオンビームを照射するこ
とによりドライエツチングを行う工程を含むII−VI
族化合物半導体の加工手段において、ドライエツチング
中にエツチング室の質量スペクトルを測定することを特
徴とする化合物半導体のエツチング方法。
マスクを形成する工程と、反応性ガスを放電室分離型の
マイクロ波励起・ECRプラズマ室で活性化させ、被処
理材料に一様な方向を持ったイオンビームを照射するこ
とによりドライエツチングを行う工程を含むII−VI
族化合物半導体の加工手段において、ドライエツチング
中にエツチング室の質量スペクトルを測定することを特
徴とする化合物半導体のエツチング方法。
[実 施 例]
以下本発明の方法によりII−VI族化合物半導体にエ
ツチング加工を施した実施例を示す。
ツチング加工を施した実施例を示す。
まず、第4図には本発明の実施例におけるエツチング装
置の構成概略断面図を示す。反応性の強いハロゲン元素
を含むガスをエツチングガスとして用いるため、試料準
備室20とエツチング室7とがゲートバルブ19により
分離された構造となっており、エツチング室7は常に高
真空状態に保たれている。8は電子・サイクロトロン共
鳴(ECR)プラズマ室であり、磁場発生用円筒ドーナ
ッツ型コイル9で囲まれ、マイクロ波導波管10との接
続部には、マイクロ波導入石英窓がある。
置の構成概略断面図を示す。反応性の強いハロゲン元素
を含むガスをエツチングガスとして用いるため、試料準
備室20とエツチング室7とがゲートバルブ19により
分離された構造となっており、エツチング室7は常に高
真空状態に保たれている。8は電子・サイクロトロン共
鳴(ECR)プラズマ室であり、磁場発生用円筒ドーナ
ッツ型コイル9で囲まれ、マイクロ波導波管10との接
続部には、マイクロ波導入石英窓がある。
マイクロ波でitgt・発生した電子は、軸対称磁場に
よりサイクロトロン運動を行いながらガスと衝突を繰り
返す。この回転周期は、磁場強度が、例えば875ガウ
スのときマイクロ波の周波数、例えば2.45GHzと
一致し、電子系は共鳴的にマイクロ波のエネルギーを吸
収する。このため低いガス圧でも放電が持続し、高いプ
ラズマ密度が得られ、反応性ガスが長寿命で使用できる
。さらに中心部での高い電解分布により、電子・イオン
が中心部に集束するので、イオンによるプラズマ室側壁
のスパッタ効果が小さく、高清浄なプラズマが得られる
。ECRプラズマ室8で発生したイオンは、メツシュ状
の引出し電極部11で加速され、試料12に照射される
。サンプルホルダー13は、マニピユレータ14により
鉛直方向を軸として360°回転させることができ、試
料に入射するイオンビームの方向を変えることができる
。
よりサイクロトロン運動を行いながらガスと衝突を繰り
返す。この回転周期は、磁場強度が、例えば875ガウ
スのときマイクロ波の周波数、例えば2.45GHzと
一致し、電子系は共鳴的にマイクロ波のエネルギーを吸
収する。このため低いガス圧でも放電が持続し、高いプ
ラズマ密度が得られ、反応性ガスが長寿命で使用できる
。さらに中心部での高い電解分布により、電子・イオン
が中心部に集束するので、イオンによるプラズマ室側壁
のスパッタ効果が小さく、高清浄なプラズマが得られる
。ECRプラズマ室8で発生したイオンは、メツシュ状
の引出し電極部11で加速され、試料12に照射される
。サンプルホルダー13は、マニピユレータ14により
鉛直方向を軸として360°回転させることができ、試
料に入射するイオンビームの方向を変えることができる
。
また、エツチング室7には差動排気装置22の付いたガ
ス分析管21を備え、質量分析器23によりエツチング
中に発生するガスの質量スペクトルを観測できる。
ス分析管21を備え、質量分析器23によりエツチング
中に発生するガスの質量スペクトルを観測できる。
第1図は、第4図の装置により、にaAs上のZn5e
をエツチング加工したときの一実施例の断面図である。
をエツチング加工したときの一実施例の断面図である。
第1図(a)は、エツチング前の断面図であり、1はZ
n5e、2はGaAs、3はフォトレジストのエツチン
グマスクである。フォトレジスト3は、ポジタイプを用
いており、通常のフォトリソ工程によりマスク作製を行
ったため、マスクの断面形状はテーパ状となる。基板を
サンプルホルダー13に設置した後、反応性ガスとして
純塩素(99,999%)を用い、ガス圧力1.0xl
O”Pa、?イクロ波入射出力10OW、 引出し電
圧500 L 試料温度25℃、イオンビームの照射方
間は基板に対し垂直方向でエツチングを行った。エツチ
ング中は質量分析器23により質量スペクトルを観測し
、Zn及びSeの質量スペクトルが減少し、Ga及びA
sの質量スペクトルが発生しだしたらマイクロ波を停止
することにより、Zn5elとGaAs2の界面でエツ
チングを停止できる。第1図(b)は、エツチング後の
断面図である。Zn5eのエツチング速度は、約600
A/分、一方フオドレジスト(ポジタイプ)のエツチン
グ速度は、ボストベークの条件を120℃、30分間と
したとき、約200A/分である。エツチングマスクの
形状がテーパーを持っておりエツチングマスクもスパッ
タによりエツチングが多少起こるため、加工断面形状は
、第1図(b)に示す形状となり、イオンビームを垂直
に入射しても垂直断面とならないが、エツチング速度に
関していえば、実用上問題ない。
n5e、2はGaAs、3はフォトレジストのエツチン
グマスクである。フォトレジスト3は、ポジタイプを用
いており、通常のフォトリソ工程によりマスク作製を行
ったため、マスクの断面形状はテーパ状となる。基板を
サンプルホルダー13に設置した後、反応性ガスとして
純塩素(99,999%)を用い、ガス圧力1.0xl
O”Pa、?イクロ波入射出力10OW、 引出し電
圧500 L 試料温度25℃、イオンビームの照射方
間は基板に対し垂直方向でエツチングを行った。エツチ
ング中は質量分析器23により質量スペクトルを観測し
、Zn及びSeの質量スペクトルが減少し、Ga及びA
sの質量スペクトルが発生しだしたらマイクロ波を停止
することにより、Zn5elとGaAs2の界面でエツ
チングを停止できる。第1図(b)は、エツチング後の
断面図である。Zn5eのエツチング速度は、約600
A/分、一方フオドレジスト(ポジタイプ)のエツチン
グ速度は、ボストベークの条件を120℃、30分間と
したとき、約200A/分である。エツチングマスクの
形状がテーパーを持っておりエツチングマスクもスパッ
タによりエツチングが多少起こるため、加工断面形状は
、第1図(b)に示す形状となり、イオンビームを垂直
に入射しても垂直断面とならないが、エツチング速度に
関していえば、実用上問題ない。
さらにエツチング速度の面内分布は、20mmx20m
mの基板内で±5%以下、加工後の表面モホロジーは、
良好であった。また質量スペクトルによるエツチング終
点の検出を行っているため、エツチング時間によりエツ
チング深さを制御する場合に比べ、Zn5eが残ること
もなく、GaASのオーバーエツチングも最小にでき、
極めて正確に再現性良くエツチングが可能であった。
mの基板内で±5%以下、加工後の表面モホロジーは、
良好であった。また質量スペクトルによるエツチング終
点の検出を行っているため、エツチング時間によりエツ
チング深さを制御する場合に比べ、Zn5eが残ること
もなく、GaASのオーバーエツチングも最小にでき、
極めて正確に再現性良くエツチングが可能であった。
第2図には、ZnSSe上のZn5eの垂直断面加工の
一実施例について示す。まず、第2図(a)に示すよう
にZn5el上にフォトレジスト3(ポジタイプ)をス
ピンコードし、200℃で30〜120分ベータし、T
i4を約100 OA。
一実施例について示す。まず、第2図(a)に示すよう
にZn5el上にフォトレジスト3(ポジタイプ)をス
ピンコードし、200℃で30〜120分ベータし、T
i4を約100 OA。
電子ビーム蒸着法などでフォトレジスト上に形成する。
次に第2図(b)に示すように、通常のフォトリソグラ
フィ工程により、フォトレジスト5のパターン形成を行
う。次に第2図(C)に示すようにフォトレジスト5を
マスクとしてTi4のエツチングを行う。エツチング方
法は、ウェットエツチングでは、緩衝フッ酸溶液を用い
、ドライエツチングでは、CF aガスを用いた反応性
イオンエツチング(R2H)法を用いるが、精密なパタ
ーン転写を行うには、サイドエツチング量の僅少なドラ
イエツチングの方が望ましい。次に第2図(d)に示す
ように、Ti4をマスクとして、フォトレジスト3のエ
ツチングを酸素プラズマを用いたRIE法により行う。
フィ工程により、フォトレジスト5のパターン形成を行
う。次に第2図(C)に示すようにフォトレジスト5を
マスクとしてTi4のエツチングを行う。エツチング方
法は、ウェットエツチングでは、緩衝フッ酸溶液を用い
、ドライエツチングでは、CF aガスを用いた反応性
イオンエツチング(R2H)法を用いるが、精密なパタ
ーン転写を行うには、サイドエツチング量の僅少なドラ
イエツチングの方が望ましい。次に第2図(d)に示す
ように、Ti4をマスクとして、フォトレジスト3のエ
ツチングを酸素プラズマを用いたRIE法により行う。
このとき注意しなければならないことは、酸素ガスの圧
力である。テーパを持たない垂直な断面形状のエツチン
グマスクの作製には、通常の平行平板型のドライエツチ
ング装置を用いた場合、酸素ガスの圧力は5Pa程度が
望ましい。圧力を高くし過ぎると、エツチングが等方向
に進行するので、この場合適していない。フォト1/シ
スト3のエツチングマスクとして用いたT14はZnS
e 1のエツチング前に緩衝フッ酸溶液などで除去し
ておく。次に、第1図の実施例と同様の条件でZnS
eのエツチングを行う。この際のエツチング終点の検出
は硫黄の質量スペクトルの急激な強度増加により判断し
た。
力である。テーパを持たない垂直な断面形状のエツチン
グマスクの作製には、通常の平行平板型のドライエツチ
ング装置を用いた場合、酸素ガスの圧力は5Pa程度が
望ましい。圧力を高くし過ぎると、エツチングが等方向
に進行するので、この場合適していない。フォト1/シ
スト3のエツチングマスクとして用いたT14はZnS
e 1のエツチング前に緩衝フッ酸溶液などで除去し
ておく。次に、第1図の実施例と同様の条件でZnS
eのエツチングを行う。この際のエツチング終点の検出
は硫黄の質量スペクトルの急激な強度増加により判断し
た。
その結果、第2図(e)に示すような垂直断面が形成さ
れる。このときサイドエッチはほとんど起こらない。ま
た質量スペクトルによるエツチング終点の検出により、
Zn5eとZnSSe界面でエツチングを正確に再現性
よく停止できる。そのため、多少工程は複雑化するが、
異方性エツチングに関していえば、第2図の方法は有効
な手段といえる。
れる。このときサイドエッチはほとんど起こらない。ま
た質量スペクトルによるエツチング終点の検出により、
Zn5eとZnSSe界面でエツチングを正確に再現性
よく停止できる。そのため、多少工程は複雑化するが、
異方性エツチングに関していえば、第2図の方法は有効
な手段といえる。
第3図は、イオンビームを、GaAs2上の2nsel
の表面に対して、斜めの方向から入射させ、エツチング
を行った実施例を示すものである。
の表面に対して、斜めの方向から入射させ、エツチング
を行った実施例を示すものである。
第3図(a)はエツチング前の状態、第3図(b)は(
a)の基板l二対し、矢印で示す方向よりイオンビーム
を入射させ、エツチングを行ったときの断面図である。
a)の基板l二対し、矢印で示す方向よりイオンビーム
を入射させ、エツチングを行ったときの断面図である。
イオンビームの入射方向に優先的にエツチングが進行し
、斜め方向に溝が形成されている。エツチング終点の検
出は第1図の場合と同様である。
、斜め方向に溝が形成されている。エツチング終点の検
出は第1図の場合と同様である。
本実施例においては、II−Ml族化合物半導体として
ZnS eについて説明を行ったが、 Zn5xSe+
−x(0<x≦1)等、他のI[−VI族化合物半導体
についても有効である。またエツチングマスクとしてフ
ォトレジストを用いて説明を行ったが、被エツチング材
料に対して、選択比のとれるもの、例えばZn5eを被
エツチング材料とした場合、S I Ox、S i N
Xなどの絶縁物、 MOlNlなどの金属についても
有効である。また、エツチングガスとして、純塩素ガス
を用いているが、ハロゲン元素を含むガス、例えば B
Cl3、あるいはCC12F2、などでもよい。
ZnS eについて説明を行ったが、 Zn5xSe+
−x(0<x≦1)等、他のI[−VI族化合物半導体
についても有効である。またエツチングマスクとしてフ
ォトレジストを用いて説明を行ったが、被エツチング材
料に対して、選択比のとれるもの、例えばZn5eを被
エツチング材料とした場合、S I Ox、S i N
Xなどの絶縁物、 MOlNlなどの金属についても
有効である。また、エツチングガスとして、純塩素ガス
を用いているが、ハロゲン元素を含むガス、例えば B
Cl3、あるいはCC12F2、などでもよい。
[発明の効果]
以上述べたように、本発明によれば以下の効果が得られ
る。
る。
I[−VI族化合物半導体のエツチング方法として、マ
イクロ波励起・ECRプラズマによる反応性イオンビー
ムを用いることにより、従来のウェットエツチング技術
、あるいは、イオンエツチング、反応性イオンエツチン
グなどのドライエツチング技術と比べ、再現性、制御性
の格段に優れたエツチングを行うことができる。また、
特に従来の■−VI族化合物半導体のドライエツチング
技術と比べ、半導体層に与える損傷を大幅に低減するこ
とができる。さらに、イオンビーム、エツチングマスク
の形状を制御することにより、テーパ状の溝、垂直断面
、斜めの溝などの加工が可能となり、■−■族化合物半
導体を用いたデバイスを、再現性、信頼性よく、かつ容
易に作製することができる。
イクロ波励起・ECRプラズマによる反応性イオンビー
ムを用いることにより、従来のウェットエツチング技術
、あるいは、イオンエツチング、反応性イオンエツチン
グなどのドライエツチング技術と比べ、再現性、制御性
の格段に優れたエツチングを行うことができる。また、
特に従来の■−VI族化合物半導体のドライエツチング
技術と比べ、半導体層に与える損傷を大幅に低減するこ
とができる。さらに、イオンビーム、エツチングマスク
の形状を制御することにより、テーパ状の溝、垂直断面
、斜めの溝などの加工が可能となり、■−■族化合物半
導体を用いたデバイスを、再現性、信頼性よく、かつ容
易に作製することができる。
さらに、従来、エツチング速度を基にエツチング時間で
制御していたエツチング深さは、質量スペクトルの観測
によりエツチングの終点を、エツチング速度にかかわら
ず極めて正確かつ再現性よ(検出できるようになりIf
−VI族化合物半導体のドライエツチングに於けるバッ
チ間の再現性が大幅に向上し、多様なデバイスの量産が
容易になる。
制御していたエツチング深さは、質量スペクトルの観測
によりエツチングの終点を、エツチング速度にかかわら
ず極めて正確かつ再現性よ(検出できるようになりIf
−VI族化合物半導体のドライエツチングに於けるバッ
チ間の再現性が大幅に向上し、多様なデバイスの量産が
容易になる。
第1図(a)、 (b)は、本発明の方法により、フォ
トレジストをエツチングマスクとして、GaAs上のZ
nS eのエツチングを行った一実施例を示す図。 第2図(a)〜(e)は、本発明により、ZnSSe上
のZn5eの垂直端面加工を行った一実施例を示す図。 第3図(a)、 (b)は、本発明の方法により、Ga
As上のZn5eの斜め溝の加工を行った一実施例を示
す図。 第4図は、本発明の実施例に用いたエツチング装置の概
略図。 l ・ ・ ・ Zn5e 2 ・ ・ ・ GaAs ・3・・・フォトレジスト 4・・・TI 5・・・フォトレジスト 6・−−ZnSSe 7・・・エツチング室 8・・・ECRプラズマ発生室 9・・・電磁石 10・・・マイクロ波導波管 11・・・引出し電極 12・・・試料 13・・・サンプルホルダー 14・・・マニピュレータ 15・・・ガス導入部 16・・・搬送棒 17・・・排気系 18・・・排気系 19・・・ゲートバルブ 20・・・試料準備室 21・・・ガス分析管 22・・・差動排気装置 23・・・質量分析器 以上 イオンピ′−ムのち同 (い (’4) (し)
トレジストをエツチングマスクとして、GaAs上のZ
nS eのエツチングを行った一実施例を示す図。 第2図(a)〜(e)は、本発明により、ZnSSe上
のZn5eの垂直端面加工を行った一実施例を示す図。 第3図(a)、 (b)は、本発明の方法により、Ga
As上のZn5eの斜め溝の加工を行った一実施例を示
す図。 第4図は、本発明の実施例に用いたエツチング装置の概
略図。 l ・ ・ ・ Zn5e 2 ・ ・ ・ GaAs ・3・・・フォトレジスト 4・・・TI 5・・・フォトレジスト 6・−−ZnSSe 7・・・エツチング室 8・・・ECRプラズマ発生室 9・・・電磁石 10・・・マイクロ波導波管 11・・・引出し電極 12・・・試料 13・・・サンプルホルダー 14・・・マニピュレータ 15・・・ガス導入部 16・・・搬送棒 17・・・排気系 18・・・排気系 19・・・ゲートバルブ 20・・・試料準備室 21・・・ガス分析管 22・・・差動排気装置 23・・・質量分析器 以上 イオンピ′−ムのち同 (い (’4) (し)
Claims (1)
- エッチングマスクを形成する工程と、反応性ガスを放
電室分離型のマイクロ波励起・ECRプラズマ室で活性
化させ、被処理材料に一様な方向を持ったイオンビーム
を照射することによりドライエッチングを行う工程を含
むII−VI族化合物半導体の加工手段において、ドライエ
ッチング中にエツチング室の質量スペクトルを測定する
ことを特徴とする化合物半導体のエッチング方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1119728A JPH02298026A (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 化合物半導体のエッチング方法 |
DE69033151T DE69033151T2 (de) | 1989-02-23 | 1990-02-20 | Ätzverfahren für Verbindungshalbleiter |
EP90103252A EP0386518B1 (en) | 1989-02-23 | 1990-02-20 | Etching method for compound semiconductors |
KR1019900002105A KR940002737B1 (ko) | 1989-02-23 | 1990-02-21 | 화합물 반도체의 에칭 방법 |
US07/484,786 US5145554A (en) | 1989-02-23 | 1990-02-22 | Method of anisotropic dry etching of thin film semiconductors |
HK98115552A HK1014297A1 (en) | 1989-02-23 | 1998-12-24 | Etching method for compound semiconductors |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1119728A JPH02298026A (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 化合物半導体のエッチング方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02298026A true JPH02298026A (ja) | 1990-12-10 |
Family
ID=14768656
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1119728A Pending JPH02298026A (ja) | 1989-02-23 | 1989-05-12 | 化合物半導体のエッチング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02298026A (ja) |
-
1989
- 1989-05-12 JP JP1119728A patent/JPH02298026A/ja active Pending
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