JPH02296246A - ポジ型レジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、ポジ型レジスト組成物に関し、さらに詳しく
は、半導体素子、磁気バブルメモリー素子、集積回路な
どの製造に必要な微細加工用ポジ型レジスト組成物に関
するものである。

（従来の技術） 半導体を製造する場合、シリコンウェハ表面にレジスト
を塗布して感光膜を作り、光を照射して潜像を形成し、
次いでそれを現像してネガまたはポジの画像を形成する
りソゲラフイー技術によって、半導体素子の形成が行わ
れている。

従来、半導体素子を形成するためのレジスト組成物とし
ては、環化ポリイソプレンとビスアジド化合物からなる
ネガ型レジストが知られている。

しかしながら、このネガ型レジストは有機溶剤で現像す
るので、膨潤が大きく解像性に限界があるため、高集積
度の半導体の製造に対応できない欠点を有する。一方、
このネガ型レジスト組成物に対して、ポジ型レジスト組
成物は、解像性に優れているために半導体の高集積化に
十分対応できると考えられている。

現在、この分野で一般的に用いられているポジ型レジス
ト組成物は、ノボラック樹脂とキノンジアジド化合物か
らなるものである。

しかしながら、従来のポジ型レジスト組成物は、感度、
解像度、残膜率、耐熱性、保存安定性などの諸特性は必
ずしも満足な結果は得られておらず、性能の向上が強く
望まれている。

（発明が解決しようとする目的） 本発明の目的は、上記従来技術の欠点を解決し、感度、
解像度、残膜率、耐熱性、保存安定性などの諸特性の優
れた、特に１μｍ以下の微細加工に適したポジ型レジス
ト組成物を提供することにある。

（課題を解決するための手段） 本発明のこの目的は、アルカリ可溶性フェノール樹脂と
感光剤を含有するポジ型レジスト組成物において、該感
光剤として下記−船人（Ｉ）で示される化合物のキノン
ジアジドスルホン酸エステルを含有することを特徴とす
るポジ型レジスト組成物によって達成される。

Ｒ；アルケニル基、アルキニル基又はアラルキル基 本発明において用いられるアルカリ可溶性フェノール樹
脂としては、例えば、フェノール類とアルデヒド類との
縮合反応生成物、フェノール類とケトン類との縮合反応
生成物、ビニルフェノール系重合体、イソプロペニルフ
ェノール系重合体、これらのフェノール樹脂の水素添加
反応生成物などが挙げられる。

ここで、用いるフェノール類の具体例としては、フェノ
ール、クレゾール、キシレノール、エチルフェノール、
プロピルフェノール、ブチルフェノール、フェニルフェ
ノール、などの−価のフェノール類、レゾルシノール、
ピロカテコール、ハイドロキノン、ビスフェノールＡ、
ピロガロールなどの多価のフェノール類などが挙げられ
る。

ここで、用いるアルデヒド類の具体例としては、ホルム
アルデヒド、アセトアルデヒド、ヘンズアルデヒド、テ
レフタルアルデヒドなどが挙げられる。

ここで、用いるケトン類の具体例としては、アセトン、
メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ジフェニルケト
ンなどが挙げられる。

これらの縮合反応は常法に従って行うことができる。

また、ビニルフェノール系重合体は、ビニルフェノール
の単独重合体及びビニルフェノールと共重合可能な成分
との共重合体から選択される。共重合可能な成分の具体
例としては、アクリル酸誘導体、メタクリル酸誘導体、
スチレン誘導体、無水マレイン酸、マレイン酸イミド誘
導体、酢酸ビニル、アクリロニトリルなどが挙げられる
。

また、イソプロペニルフェノール系重合体は、イソプロ
ペニルフェノールの単独重合体及びイソプロペニルフェ
ノールと共重合可能な成分との共重合体から選択される
。共重合可能な成分の具体例としては、アクリル酸誘導
体、メタクリル酸誘導体、スチレン誘導体、無水マレイ
ン酸、マレイン酸イミド誘導体、酢酸ビニル、アクリロ
ニトリルなどが挙げられる。

これらのフェノール樹脂の水素添加反応は任意の公知の
方法によって実施することが可能であって、フェノール
樹脂を有機溶剤に溶解し、均−系またしよ不均一系の水
素添加触媒の存在下、水素を導入することによって達成
できる。

これらのアルカリ可溶性フェノール樹脂は単独でも用い
られるが、２種類以上を混合して用いても良い。

本発明のポジ型レジスト組成物には必要に応じて、現像
性、保存安定性、耐熱性などを改善するために、例えば
、スチレンとアクリル酸、メタクリル酸または無水マレ
イン酸との共重合体、アルケンと無水マレイン酸との共
重合体、ビニルアルコール重合体、ビニルピロリドン重
合体、ロジン、シェランクなどを添加することができる
。添加量は、上記アルカリ可溶性フェノール樹脂１００
重量部に対して０〜５０重量部、好ましくは５〜２０重
景部重量る。

本発明において用いられる感光剤は、前記〜・般弐（１
）で示される化合物のギノンジアジドスルホン酸エステ
ルであれば、特に限定されるものではない。その具体例
として、エステル部分が１，２ベンゾキノンジアジド−
４−スルホン酸エステル、１．２−ナフトキノンジアジ
ｌ”−４−スルボン酸エステル、１．２−ナフトキノン
ジアジド−５スルホン酸エステル、２，１−ナフｊ〜キ
ノンジアジドー４−スルホン酸エステル、２，１−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、その他キ
ノンジアジド誘導体のスルホン酸エステルなどである化
合物が挙げられる。

一般式（Ｉ）で示される化合物の具体例としては、以下
のものが挙げられる。

没食子酸−１−プロペニル 没食子酸−２−プロペニル 没食子酸 没食子酸 没食子酸 没食子酸 没食子酸 没食子酸 没食子酸 没食子酸 没食子酸 没食子酸 没食子酸 没食子酸 没食子酸 没食子酸 没食子酸 没食子酸 没食子酸 没食子酸 没食子酸 没食子酸 ブテニル ブテニル ペンテニル ペンテニル ペンテニル へキセニル へキセニル へキセニル オクテニル オクテニル オクテニル プロピニル プロピニル ブチニル ブチニル ペンチニル ペンチニル ペンチニル へキシニル へキシニル 没食子Ｍ−４−ヘキシニル 没食子酸−２−オクテニル 没食子酸−３−オクテニル 没食子Ｍ−４−オクチニル 没食子酸−ベンジル 没食子酸−２〜フエニルエチル 没食子Ｍ、　−ｐ〜ヒドロキシフェニルメチル没食子酸
−ｏ−ヒドロキシフェニルメチル没を子酸−ｐ−クロロ
フェニルメチル 没食子酸−ｏ−クロロフェニルメチル 没食子Ｍ−ｐ−ニトロフェニルメチル 没食子酸−〇−二１〜ロフェニルメチル本発明における
感光剤は、一般式（Ｉ）で示される化合物とキノンジア
ジドスルホン酸化合物のエステル化反応によって合成す
ることが可能であって、永松元太部、乾英夫著「感光性
高分子」（１９８０）講談社（東京）などに記載されて
いる常法に従って、合成することができる。

本発明における感光剤は単独でも用いられるが、２種以
上を混合して用いても良い。感光剤の配合量は、上記樹
脂１（１０重量部に対して１〜Ｉ（ｔ。

重量部であり、好ましくは３〜４０重景部重量る。

１重量部未満では、パターンの形成が不可能となり、１
００重量部を越えると、残像残りが発生しやすくなる。

本発明のポジ型レジスト組成物は、溶剤に溶解して用い
るが、溶剤としては、アセトン、メチルエチルケトン、
シクロヘキサノン、シクロベンクノン、シクロヘキサノ
ールなどのケトン類、ｎ−プロピルアルコール、’ｒｓ
ｏ　−プロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコールなど
のアルコール類、エチレングリコールジメチルエーテル
、エチレングリコールジエチルエーテル、ジオキサンな
どのエーテル類、エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテルなどのアル
コールエーテル類、ギ酸プロピル、ギ酸ブチル、酢酸プ
ロピル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン
酸エチル、酪酸メチル、酪酸エチル、乳酸メチル、乳酸
エチルなどのエステル類、セロソルブアセテート、メチ
ルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート
、プロピルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブア
セテートなどのセロソルブエステル類、プロピレングリ
コール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プ
ロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プ
ロピレングリコールモノブチルエーテルなどのプロピレ
ングリコール類、ジエチレングリコールモノメチルエー
テル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエ
チレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコ
ールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエ
チルエーテルなどのジエチレングリコール類、トリクロ
ロエチレンなどのハロゲン化炭化水素類、トルエン、キ
シレンなどの芳香族炭化水素類、ジメチルアセトアミド
、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミドなど
の極性溶媒などが挙げられる。

これらは、単独でも２種類以上を混合して用いてもよい
。

本発明のポジ型レジスト組成物には、必要に応じて界面
活性剤、保存安定剤、増感剤、ストリエーション防止剤
、可塑剤などの相溶性のある添加剤を含有させることが
できる。

本発明のポジ型レジスト組成物の現像液としては、アル
カリ水溶液を用いるが、具体的には、水酸化ナトリウム
、水酸化カリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニアなど
の無機アルカリ類、エチルアミン、プロピルアミンなど
の第一アミン類、ジエヂルアミン、ジプロピルアミンな
どの第三アミン類、トリメチルアミン、トリエチルアミ
ンなどの第三アミン類、ジエチルエタノールアミン、ト
リエタノールアミンなどのアルコールアミン類、テトラ
メチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモ
ニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシメチルアン
モニウムヒドロキシド、トリエチルヒドロキシメチルア
ンモニウムヒドロキシド、ｌ−リメチルヒドロキシエチ
ルアンモニウムヒドロキシドなどの第四級アンモニウム
塩などが挙げられる。

更に、必要に応じて上記アルカリ水溶液にメタノール、
エタノール、プロパツール、エチレングリコールなどの
水溶性有機溶剤、界面活性剤、保存安定剤、樹脂の溶解
抑制剤などを適量添加することができる。

（実施例） 以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する
。なお、実施例中の部及び％は特に断りのない限り重量
基準である。

尖り桝土 ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールとをモル比で６：４の
割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒
を用いて常法により縮合してえたノボラック樹脂１００
部、没食子酸２−プロペニルの一〇Ｈ基９５％以上が１
，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸のエステ
ルであるキノンジアジド化合物２０部をエチルセロソル
ブアセテート３２０部に溶解して０．　Ｉ　ＩＩ　ｍの
テフロンフィルターで濾過しレジスト溶液を調製した。

上記レジスト溶液をシリコンウェハー上にコーターで塗
布した後、１００°Ｃで９０秒間ベータし、Ｊｌｌ、１
７μｍのレジスト膜を形成した。このウェハーをｇ線ス
テッパーＮ５Ｒ−１５０５Ｇ６Ｂにコン社製、ＮＡ＝０
．５４）とテスト用レチクルを用いて露光を行った。次
に２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水
溶液で２３°ＣＩ分間、パドル法により現像してポジ型
パターンをえた。

パターンの形成されたウェハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４５μｍのライン＆スペースが
解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００（テンコー社製）で測定すると１．１５μｍ
であった。

さらに、このパターンの形成されたウエノ＼−をドライ
エツチング装置ＤＥＭ−４５１Ｔ　（日型アネルバ社製
）を用いてパワー３００Ｗ、圧力０，０３Ｔｏｒｒ、ガ
スＣＦ４／Ｈ＝３／１．周波数１３．５６ＭＨｚでエツ
チングしたところ、パターンのなかったところのみエツ
チングされていることが観察された。

演ｍλ 実施例１のレジスト溶液をシリコンウェハー上にコータ
ーで塗布した後、８０°Ｃで９０秒間ベータし、厚さ１
．２μｍのレジスト膜を形成した。このウェハーをｇ線
ステッパーＮ５Ｒ−１５０５０６Ｅとテスト用レチクル
を用いて露光を行った。

次にこのウェハーを１１０　”Ｃで６０秒間ＰＥＢ（Ｐ
Ｏ３Ｔ　ＥＸＰＯＳｔｌＲＲＢＡＫＩＮＧ）　した後、
２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶
液で２３°Ｃ２１分間、パドル法により現像してポジ型
パターンをえた。

パターンの形成されたウェハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４０μｍのライン＆スペースが
解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００で測定すると１．２０μｍであった。

実施促１ ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールと３，５−キシレノー
ルとをモル比で５０：２０：３０で混合し、これにホル
マリンを加え、シュウ酸触媒を用いて常法により縮合し
てえたノボラック樹脂１００部、没食子酸２−プロペニ
ルの一〇Ｈ基９０％以上がＬ２−ナフトキノンジアジド
−５−スルホン酸のエステルであるキノンジアジド化合
物１８部を乳酸エチル３００部に溶解して０．１μｍの
テフロンフィルターで濾過しレジスト溶液を調製した。

上記レジスト溶液をシリコンウェハー上にコーターで塗
布した後、１００°Ｃで９０秒間ベータし、厚さ１．１
７μｍのレジスト膜を形成した。このウェハーをｇ線７
．チッパ−ＮＳＲｌ　５０５Ｇ６Ｅ（ＮＡ±０．５４　
）とテスト用レチクルを用いて露光を行った。次に２，
３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で
２３°Ｃ，１分間、パドル法により現像してポジ型パタ
ーンをえた。

パターンの形成されたウェハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４５μｍのライン＆スペースが
解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００で測定すると１．１６μｍであった。

実新１１１ ビニルフェノールとスチレンの共重合体（モル比６：４
）１００部、没食子酸２−プロペニルのＯＨ基９０％以
上が１．２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸の
エステルであるキノンジアジド化合物２２部をエチルセ
ロソルブアセテート３２０部に溶解して０．１μｍのテ
フロンフィルターで濾過しレジスト溶液を調製した。

上記レジスト溶液をシリコンウェハー上にコーターで塗
布した後、１００°Ｃで９０秒間ベークし、厚さ１．１
７μｍのレジスト膜を形成した。このウェハーをｇ線ス
テッパーＮ５Ｒ−１５０５０６Ｅ（ＮＡ＝０．５４）と
テスト用レチクルを用いて露光を行った。次に２．３８
％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で２３
°Ｃ，１分間、パドル法により現像してポジ型パターン
をえた。

パターンの形成されたウェハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４５μｍのライン＆スペースが
解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００で測定すると１．１０μｍであった。

尖施拠ｉ イソプロペニルフェノールとスチレンの共重合体（モル
比７：３）１００部、没食子酸２−プロペニルの一〇Ｈ
基８０％以上が１．２−ナフトキノンジアジド−５−ス
ルホン酸のエステルであるキノンジアジド化合物２８部
をエチルセロソルブアセテ−ｈ　３１０部に溶解して０
．１μｍのテフロンフィルターで濾過しレジスト溶液を
調製した。

上記レジスト溶液をシリコンウェハー上にコーターで塗
布した後、１００°Ｃで９０秒間ベータし、厚さ１．１
７μｍのレジスト膜を形成した。このウェハーをｇ線ス
テッパーＮ５Ｒ−１５０５０６Ｅ（ＮＡ＝０．５４）と
テスト用レチクルを用いて露光を行った。次に２．３８
％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で２３
°Ｃ，１分間、パドル法により現像してポジ型パターン
をえた。

パターンの形成されたウェハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４５μｍのライン＆スペースが
解像していた。パターンの膜厚を、■８ 膜厚計アルファステップ２００で測定すると１．１０μ
ｍであった。

実施■旦 ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールとをモル比で４：６の
割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒
を用いて常法により縮合してえたノボラック樹脂１００
部、没食子酸２−プロペニルの一〇Ｈ基８５％以上が１
，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸のエステ
ルであるキノンジアジド化合物２０部をジグライム３０
０部に溶解して０．１μｍのテフロンフィルターで濾過
しレジスト溶液を調製した。

上記レジスト溶液をシリコンウェハー上にコーターで塗
布した後、１００°Ｃで９０秒間ベータし、厚さ１．２
０１部ｍのレジスト膜を形成した。このウェハーをｉ　
ｆ＃！ステッパーＡＬＳ　　ＷＡＦＥＲ３ＴＥＰ　　２
１４２　ｉ　（ＧＣＡ社製　ＮＡ＝０．５４）とテスト
用レチクルを用いて露光を行った。

次に２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド
水溶液で２３°Ｃ，１分間、パドル法により現像してポ
ジ型パターンをえた。

パターンの形成されたウェハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４５μｍのライン＆スペースが
解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００で測定すると１．１５μｍであった。

実施■１ ビニルフェノールとスチレンの１合体（モル比６：４）
１００部、没食子酸２−プロペニルの○Ｈ基８０％以上
が１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸のエ
ステルであるキノンジアジド化合物２５部をジグライム
３００部に溶解して０．１μｍのテフロンフィルターで
濾過しレジスト溶液を調製した。

上記レジスト溶液をシリコンウェハー上にコーク−で塗
布した後、１００″Ｃで９０秒間ベータし、Ｊｌさ１．
２０μｍのレジスト膜を形成した。このウェハーをｉ線
ステッパーＡＬＳ　　ＷＡＦＥＲ３ＴＥＰ　　２１４２
　ｉ　　（ＮＡ＝０．５４）とテスト用レチクルを用い
て露光を行った。次に２．３８％テトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド水溶液で２３℃、１分間、パドル法に
より現像してポジ型パターンをえた。

パターンの形成されたウェハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４５μｍのライン＆スペースが
解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００で測定すると１．１５μｍであった。

災旌尉１ ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールとをモル比で６＝４の
割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒
を用いて常法により縮合してえたノボラック樹脂１００
部、没食子Ｍ２−ペンテニルの一０Ｈ５８５％以上が１
，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸のエステ
ルであるキノンジアジド化合物２３部をエチルセロソル
ブアセテート３２０部に溶解して０．１μｍのテフロン
フィルターで濾過しレジスト溶液を調製した。

上記レジスト溶液をシリコンウェハー上にコーターで塗
布した後、１００°Ｃで９０秒間ベータし、厚さ１．１
７μｍのレジスト膜を形成した。このウェハーをｇ線ス
テッパーＮ５Ｒ−１５０５Ｇ６Ｅ（ＮＡ＝０．５４）と
テスト用レチクルを用いて露光を行った。次に２．３８
％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で２３
°Ｃ，１分間、パドル法により現像してポジ型パターン
をえた。

パターンの形成されたウェハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０，４５μｍのライン＆スペースが
解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００で測定すると１．１５μｍであった。

実施五豆 ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールとをモル比で４＝６の
割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒
を用いて常法により縮合してえたノボラック樹脂１００
部、没食子酸ベンジルの一０１１基８０％以上が１，２
−ナフトキノンジアジド−５スルホン酸のエステルであ
るキノンジアジド化合物２６部を乳酸エチル３００部に
溶解して０．１μｍのテフロンフィルターで濾過しレジ
スト溶液を調製した。

上記レジスト溶液をシリコンウェハー上にコーターで塗
布した後、１００°Ｃで９０秒間ベータし、厚さ１．１
７μｍのレジスト膜を形成した。このウェハーをｇ線ス
テンバーＮ５Ｒ−１５０５０６Ｅ（ＮＡ＝０．５４）と
テスト用レチクルを用いて露光をｆテっだ。次に２．３
８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で２
３°Ｃ，１分間、パドル法により現像してポジ型パター
ンをえた。

パターンの形成されたウェハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４５μｍのライン＆スペースが
解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００で測定すると１．１５μｍであった。

尖旌尉土度 ビニルフェノール重合体の水素添加反応生成物（水素添
加率３５％）１００部、没食子Ｍ２−プロヘニルの一〇
Ｈ基８５％以上が１，２−ナフトキノンジアジド−４−
スルホン酸のエステルであるキノンジアジド化合物１８
部をジグライム３００部に溶解して０．１μｍのテフロ
ンフィルターで濾過しレジスト溶液を調製した。

上記レジスト溶液をシリコンウェハー上にコーターで塗
布した後、１００°Ｃで９０秒間ベータし、厚さ１．０
０μｍのレジスト膜を形成した。このウェハーをクリプ
トン／フッ素を封入したエキシマレーザ−装置Ｃ２９２
６（浜松ホトニクス社製）とテスト用マスクを用いて露
光を行った。次にテトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド水溶液で２３°Ｃ，１分間、パドル法により現像して
ポジ型パターンをえた。

パターンの形成されたウェハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４５μｍのライン＆スペースが
解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００で測定すると０．９５μｍであった。

夫施開上上 ビニルフェノール重合体の水素添加反応生成物（水素添
加率３０％）１００部、没食子酸２−プロペニルの一０
Ｈ１９０％以上がＬ２−ナフトキノンジアジド−４−ス
ルホン酸のエステルであるキノンジアジド化合物１８部
をジグライム３００部に溶解して０．１μｍのテフロン
フィルターで濾過しレジスト溶液を調製した。

上記レジスト溶液をシリコンウェハー上にコーターで塗
布した後、１００　’Ｃで９０秒間ベータし、厚さ１．
００μｍのレジスト膜を形成した。このウェハーを遠紫
外線照射装置ＰＬＡ−５２１ＦＡ（キャノン社製）とテ
スト用マスクを用いて露光ヲ行った。次にテトラメチル
アンモニウムヒドロキシド水溶液で２３°Ｃ，１分間、
パドル法により現像してポジ型パターンをえた。

パターンの形成されたウェハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４０μｍのライン＆スペースが
解像していた。パターンの膜厚ヲ、膜厚計アルファステ
ップ２００で測定すると０．９２μｍであった。

此較」土 キノンジアジド化合物をして、没食子酸エチルノー　Ｏ
Ｈｉの８０％以上が１．２−ナフトキノンジアジド−４
−スルホン酸のエステルを用いる以外は実施例１と同様
にレジスト溶液に調製した。

上記レジスト溶液をシリコンウェハー上にコーターで塗
布した後、１００°Ｃで９０合間ベータし、厚さ１．１
７μｍのレジスト膜を形成した。このウェハーをｇ線ス
テッパーＮ５Ｒ−１５０５Ｇ６Ｅ（ＮＡ＝０．５４）と
テスト用レチクルを用いて露光を行った。次に２．３８
％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で２３
°Ｃ，１分間、パドル法により現像してポジ型パターン
をえた。

パターンの形成されたウェハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、パターン表面の荒れがひどく、パタ
ーンの膜厚を、膜厚計アルファステップ２００で測定す
ると１．０３μｍであった。

次に、このレジスト溶液を４０゛Ｃにコントロールした
恒温槽に入れて１力月間保存したところ、異物の析出が
観察された。一方、実施例１のレジスト溶液では異物の
析出が観察されなかった。

（発明の効果） 本発明のレジスト組成物は、感度、解像度、残膜率、 耐熱性、 保存安定性などの緒特性が優れて いるので、 特に１μｍ以下の微細加工に適してい る。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）アルカリ可溶性フェノール樹脂と感光剤を含有す
   るポジ型レジスト組成物において、該感光剤として、下
   記一般式（ I ）で示される化合物のキノンジアジドス
   ルホン酸エステルを含有することを特徴とするポジ型レ
   ジスト組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） Ｒ；アルケニル基、アルキニル基又はアラルキル基