JPH0229542U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0229542U JPH0229542U JP10780788U JP10780788U JPH0229542U JP H0229542 U JPH0229542 U JP H0229542U JP 10780788 U JP10780788 U JP 10780788U JP 10780788 U JP10780788 U JP 10780788U JP H0229542 U JPH0229542 U JP H0229542U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- drain
- gate
- source
- drift layer
- silicon substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
Description
第１図は本考案の実施例の要部を示す構成図、
第２図は本考案の他の実施例の要部を示す素子構
成図、第３図は本考案の全体の構成を示す全体構
成図、第４図は従来の高耐圧半導体装置の要部を
示す要部構成図、第５図は従来の高耐圧半導体装
置の全体を示す全体構成図である。 １０…基板、１１…接続部、１２…ソース、１
３…ドレイン、１４…ドリフトレイヤ、１５…基
板、１６…補助ドレイン、Ｓ…ソース電極、Ｄ…
ドレイン電極、Ｇ…ゲート電極、Ｄ′…補助ドレ
イン電極。
第２図は本考案の他の実施例の要部を示す素子構
成図、第３図は本考案の全体の構成を示す全体構
成図、第４図は従来の高耐圧半導体装置の要部を
示す要部構成図、第５図は従来の高耐圧半導体装
置の全体を示す全体構成図である。 １０…基板、１１…接続部、１２…ソース、１
３…ドレイン、１４…ドリフトレイヤ、１５…基
板、１６…補助ドレイン、Ｓ…ソース電極、Ｄ…
ドレイン電極、Ｇ…ゲート電極、Ｄ′…補助ドレ
イン電極。
Claims (1)
- シリコン基板の上にソースとドレインが形成さ
れこれ等の間に絶縁膜を介して結合されたゲート
を有しさらにこのゲートとドレインとの間の前記
シリコン基板との間に低濃度のドリフトレイヤを
有しさらに前記ドリフトレイヤに補助ドレインが
形成されたＭＯＳ形ＦＥＴを要素素子とし、この
要素素子にその補助ドレインがゲートにドレイン
がソースにそれぞれ交互に接続された要素素子が
少なくとも１個カスケード接続され、最後の要素
素子のドレインが１端に電源が接続された負荷の
他端に接続されるようにしたことを特徴とする高
耐圧半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10780788U JPH0720929Y2 (ja) | 1988-08-16 | 1988-08-16 | 高耐圧半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10780788U JPH0720929Y2 (ja) | 1988-08-16 | 1988-08-16 | 高耐圧半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0229542U true JPH0229542U (ja) | 1990-02-26 |
| JPH0720929Y2 JPH0720929Y2 (ja) | 1995-05-15 |
Family
ID=31342550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10780788U Expired - Lifetime JPH0720929Y2 (ja) | 1988-08-16 | 1988-08-16 | 高耐圧半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0720929Y2 (ja) |
-
1988
- 1988-08-16 JP JP10780788U patent/JPH0720929Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0720929Y2 (ja) | 1995-05-15 |
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