JPH02294947A - 光メモリ装置 - Google Patents
光メモリ装置Info
- Publication number
- JPH02294947A JPH02294947A JP1116914A JP11691489A JPH02294947A JP H02294947 A JPH02294947 A JP H02294947A JP 1116914 A JP1116914 A JP 1116914A JP 11691489 A JP11691489 A JP 11691489A JP H02294947 A JPH02294947 A JP H02294947A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- optical
- laser
- beam splitter
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- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 33
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
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- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、光メモリ装置に関する。
[従来の技術]
従来の光メモリ装置の情報の再生、記録および消去を行
なう光学ヘッドの光源である半導体レーザの駆動回路に
は、例えば特許公報昭63−31860や公開実用新案
公報昭6 2 − ]. 9 8 1 1 8がある。
なう光学ヘッドの光源である半導体レーザの駆動回路に
は、例えば特許公報昭63−31860や公開実用新案
公報昭6 2 − ]. 9 8 1 1 8がある。
[発明が解決しようとする課題]
しかし、前述のような半導体レーザ駆動回路を用いた書
き換え可能型の光メモリ装置においては、半導体レーザ
の発光出力が、情報の再生、記録および消去の各モード
で異なる。半導体レーザの波長はそれに流れる電流量が
変化すると波長が変化するから、前述の各モード間では
波長がシフI・する。この波長シフトに伴う焦点シフl
・が大きいと、データの初めの部分の記録不良、消去不
良が生じる。そのため、高速のモード切り替えができな
いという問題点があった。
き換え可能型の光メモリ装置においては、半導体レーザ
の発光出力が、情報の再生、記録および消去の各モード
で異なる。半導体レーザの波長はそれに流れる電流量が
変化すると波長が変化するから、前述の各モード間では
波長がシフI・する。この波長シフトに伴う焦点シフl
・が大きいと、データの初めの部分の記録不良、消去不
良が生じる。そのため、高速のモード切り替えができな
いという問題点があった。
そこで本発明はこのような問題点を解決するためのもの
で、その目的とするところは半導体レーザの光周波数の
ゆらぎを小さくしてデータの高速記録、高速再生のでき
る光メモリ装置を提供するところにある。
で、その目的とするところは半導体レーザの光周波数の
ゆらぎを小さくしてデータの高速記録、高速再生のでき
る光メモリ装置を提供するところにある。
[課題を解決するための手段]
本発明の光メモ+7装置は、
a)半導体レーザと、
b)該半導体レーザからの出射光の進行方向に設置され
た光アイソレー夕と、 c)b)項記載の光アイソレータからの出射光の進行方
向に設置されたビーム・スプリッタと、d)c)項記載
のビーム・スプリッタで進行方向の90度変化した光の
進行方向に設置されたファプrノ・べロー共振器と、 e)該ファブリ・ペロー共振器とC)項記載のビーム・
スプリッタを結ぶ光路上に該ビーム・スプリッタを該フ
ァブリ・ペロー共振器との間に挟むように設けられた光
検出器と、 f)e)項記載の光検出器の出力を入力とし、前記半導
体レーザの発振波長を制御する電流を前記半導体レーザ
に出力する制御回路と、 g)前記半導体レーザの温度変動を抑制ずるための温度
コン1・ローラ、 とからなる半導体レーザ汲長サーボ回路と、半導体レー
ザの強度とパルス幅の変調を音響光学素子で行なうA1
、pc(Δutomatic Laser Power
Cantrailer)を有する光学ヘッド搭載した
ことを特徴とする。
た光アイソレー夕と、 c)b)項記載の光アイソレータからの出射光の進行方
向に設置されたビーム・スプリッタと、d)c)項記載
のビーム・スプリッタで進行方向の90度変化した光の
進行方向に設置されたファプrノ・べロー共振器と、 e)該ファブリ・ペロー共振器とC)項記載のビーム・
スプリッタを結ぶ光路上に該ビーム・スプリッタを該フ
ァブリ・ペロー共振器との間に挟むように設けられた光
検出器と、 f)e)項記載の光検出器の出力を入力とし、前記半導
体レーザの発振波長を制御する電流を前記半導体レーザ
に出力する制御回路と、 g)前記半導体レーザの温度変動を抑制ずるための温度
コン1・ローラ、 とからなる半導体レーザ汲長サーボ回路と、半導体レー
ザの強度とパルス幅の変調を音響光学素子で行なうA1
、pc(Δutomatic Laser Power
Cantrailer)を有する光学ヘッド搭載した
ことを特徴とする。
F実施例コ
第1図に本発明の実施例を示す光メモリ装置用の光学ヘ
ッドの簡単な説明図である。以下、この図に基づいて説
明をする。半導体レーザ1は、チヅプの前方と後方に光
を出射するが、一方を光メモ1,1のデータの記録、再
生および消去に用い、もう一方を波長のサーボに使用す
る。アイソレータ2、IIは一外部の反射によってレー
ザ本体に光が戻るのを防ぐために設置されている。半導
体レーザに付加されている温度コン1・ローラでは温度
のゆらぎを0.001度にした。ファブリ・ペロー共振
器4はミラーの反射率が99.9%以上と高い。また、
ミラーの間跳は熱膨張率のノ」1さい特殊なガラス材料
を使った。このファブリ・ぺロー共振器の共振器の温度
ゆらぎは0.001度に抑えられている。半導体レーザ
の注入電流を制御すると光周波数が変化する。それで、
注入電流を制御することによって光周波数のゆらぎを抑
制するわけであるが、どれだけ電流を変化させるかは半
導体レーザの光周波数のゆらぎに対応ずる。その半導体
レーザの光周波数のゆらぎを検出するのが、ファブリ・
ペロー共振器である。半導体レーザの光周波数が、共振
器のミラー間隔で決まる共鳴周波数に一致するときビー
ム・スプリッタ4からの光のファブリ・べロー共振器で
の反射光強度は最小となり、後は共振器の共鳴周波数と
半導体レーザの光周波数の差に比例した反射光強度が得
られる。したがって、ファブリ・ペロー共振器を尺射し
てくる光の強度ゆらぎを光検出器5で測定することが、
とりもなおさず半導体レーザの光周波数のゆらぎを測定
・検出することになるのである。
ッドの簡単な説明図である。以下、この図に基づいて説
明をする。半導体レーザ1は、チヅプの前方と後方に光
を出射するが、一方を光メモ1,1のデータの記録、再
生および消去に用い、もう一方を波長のサーボに使用す
る。アイソレータ2、IIは一外部の反射によってレー
ザ本体に光が戻るのを防ぐために設置されている。半導
体レーザに付加されている温度コン1・ローラでは温度
のゆらぎを0.001度にした。ファブリ・ペロー共振
器4はミラーの反射率が99.9%以上と高い。また、
ミラーの間跳は熱膨張率のノ」1さい特殊なガラス材料
を使った。このファブリ・ぺロー共振器の共振器の温度
ゆらぎは0.001度に抑えられている。半導体レーザ
の注入電流を制御すると光周波数が変化する。それで、
注入電流を制御することによって光周波数のゆらぎを抑
制するわけであるが、どれだけ電流を変化させるかは半
導体レーザの光周波数のゆらぎに対応ずる。その半導体
レーザの光周波数のゆらぎを検出するのが、ファブリ・
ペロー共振器である。半導体レーザの光周波数が、共振
器のミラー間隔で決まる共鳴周波数に一致するときビー
ム・スプリッタ4からの光のファブリ・べロー共振器で
の反射光強度は最小となり、後は共振器の共鳴周波数と
半導体レーザの光周波数の差に比例した反射光強度が得
られる。したがって、ファブリ・ペロー共振器を尺射し
てくる光の強度ゆらぎを光検出器5で測定することが、
とりもなおさず半導体レーザの光周波数のゆらぎを測定
・検出することになるのである。
以下、この光周波数のゆらぎをエラー信号として半導体
レーザの注入電流をフィードバックする。
レーザの注入電流をフィードバックする。
注入電流の基準値は光メモリ装置のデータの記録、再生
あるいは消去の半導体レーザの発光出力モードのなかで
一番出力の大きいモードに対応する。
あるいは消去の半導体レーザの発光出力モードのなかで
一番出力の大きいモードに対応する。
一方、 A T− P C ( Automatic
Laser Power Con−toroller
)であるが、これは現在の光メモリが熱記録、熱消去で
あることから、検出される信号品質が光学ヘッドの出射
光量に敏感でために必要となっている。本発明では半導
体レーザの光周波数を一定にしたいから、半導体レーザ
の強度とパルスの変調は音響光学素子で行う。第1図は
、光磁気メモリ装置に応用する例であるので、永久磁石
21が設置されている。また、アイソレータ11がある
ので、半導体レーザ木体への戻り光はなく、高周波重畳
の必要もない。ビームスプリッタ14でデータの記録、
消去および再生に使われる光とALPCのモニタ用に使
われる光に分ける。後者の光量を光検出器15で検出し
、音響光学素子を用いた変調器10にフィードバックず
る。
Laser Power Con−toroller
)であるが、これは現在の光メモリが熱記録、熱消去で
あることから、検出される信号品質が光学ヘッドの出射
光量に敏感でために必要となっている。本発明では半導
体レーザの光周波数を一定にしたいから、半導体レーザ
の強度とパルスの変調は音響光学素子で行う。第1図は
、光磁気メモリ装置に応用する例であるので、永久磁石
21が設置されている。また、アイソレータ11がある
ので、半導体レーザ木体への戻り光はなく、高周波重畳
の必要もない。ビームスプリッタ14でデータの記録、
消去および再生に使われる光とALPCのモニタ用に使
われる光に分ける。後者の光量を光検出器15で検出し
、音響光学素子を用いた変調器10にフィードバックず
る。
この光学ヘッドを使った光メモリ装置は、光周波数のゆ
らぎが小さいので波長シフトによる焦点シフトが生じな
いので、高速の記録、再生ができる。また、光周波数の
ゆらぎが小さいので雑音が減り、信号の品質が良くなる
。
らぎが小さいので波長シフトによる焦点シフトが生じな
いので、高速の記録、再生ができる。また、光周波数の
ゆらぎが小さいので雑音が減り、信号の品質が良くなる
。
[発明の効果コ
以上〜 述べたように本発明によれば、半導体レーザの
光周波数のゆらぎを小さくしてデータの高速記録、高速
再生のできる光メモリ装置を提供することが可能となっ
た。
光周波数のゆらぎを小さくしてデータの高速記録、高速
再生のできる光メモリ装置を提供することが可能となっ
た。
第1図は、本発明による光メモリ装置に使用されている
光学ヘッドの実施例を示す図。 ] ・ ・ ・ 2, 11・ 3, 14. 4 ・ ・ ・ 5, 15・ 6, 16・ 7 ・ ・ ・ 8 ・ ・ ・ 9 ・ ・ ・ 10・ ・ ・ 12・ ・ ・ 13・ ・ ・ 18・ ・ ・ 19・ ・ ・ 20・ ・ ・ 21・ ・ ・ 半導体レーザ ・・アイソレータ 17・・・ビーム・スプリッタ ファブリ・ペロー共振器 ・・光検出器 ・・半導体レーザ注入電流制御回路 温度コントローラ コリメータレンズ アナモルフィックプリズム 音響光学素子を用いた変調器 空間フィルタ・ビームエクスパンダー ミラー 対物レンズ アクチュエータ ディスクメモリ 永久磁石 22・・・レンズ 23・・・サーボ系およびRF信号検出系出願人 セイ
コーエプソン株式会社 代理人弁理士 鈴木喜三郎 他1名 以 」二. −9一
光学ヘッドの実施例を示す図。 ] ・ ・ ・ 2, 11・ 3, 14. 4 ・ ・ ・ 5, 15・ 6, 16・ 7 ・ ・ ・ 8 ・ ・ ・ 9 ・ ・ ・ 10・ ・ ・ 12・ ・ ・ 13・ ・ ・ 18・ ・ ・ 19・ ・ ・ 20・ ・ ・ 21・ ・ ・ 半導体レーザ ・・アイソレータ 17・・・ビーム・スプリッタ ファブリ・ペロー共振器 ・・光検出器 ・・半導体レーザ注入電流制御回路 温度コントローラ コリメータレンズ アナモルフィックプリズム 音響光学素子を用いた変調器 空間フィルタ・ビームエクスパンダー ミラー 対物レンズ アクチュエータ ディスクメモリ 永久磁石 22・・・レンズ 23・・・サーボ系およびRF信号検出系出願人 セイ
コーエプソン株式会社 代理人弁理士 鈴木喜三郎 他1名 以 」二. −9一
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 a)半導体レーザと、 b)該半導体レーザからの出射光の進行方向に設置され
た光アイソレータと、 c)b)項記載の光アイソレータからの出射光の進行方
向に設置されたビーム・スプリッタと、d)c)項記載
のビーム・スプリッタで進行方向の90度変化した光の
進行方向に設置されたファブリ・ペロー共振器と、 e)該ファブリ・ペロー共振器とc)項記載のビーム・
スプリッタを結ぶ光路上に該ビーム・スプリッタを該フ
アブリ・ペロー共振器との間に挟むように設けられた光
検出器と、f)e)項記載の光検出器の出力を入力とし
、前記半導体レーザの発振波長を制御する電流を前記半
導体レーザに出力する制御回路と、 g)前記半導体レーザの温度変動を抑制するための温度
コントローラ、 とからなる半導体レーザ波長サーボ回路と、半導体レー
ザの強度とパルス幅の変調を音響光学素子で行なうAL
PC(¥A¥utomatic¥L¥aser¥P¥o
wer¥C¥on−troller)を有する光学ヘッ
ド搭載したことを特徴とする光メモリ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1116914A JPH02294947A (ja) | 1989-05-10 | 1989-05-10 | 光メモリ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1116914A JPH02294947A (ja) | 1989-05-10 | 1989-05-10 | 光メモリ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02294947A true JPH02294947A (ja) | 1990-12-05 |
Family
ID=14698783
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1116914A Pending JPH02294947A (ja) | 1989-05-10 | 1989-05-10 | 光メモリ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02294947A (ja) |
-
1989
- 1989-05-10 JP JP1116914A patent/JPH02294947A/ja active Pending
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