JPH02292293A - フェロセン誘導体の製造方法 - Google Patents
フェロセン誘導体の製造方法Info
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- JPH02292293A JPH02292293A JP1112085A JP11208589A JPH02292293A JP H02292293 A JPH02292293 A JP H02292293A JP 1112085 A JP1112085 A JP 1112085A JP 11208589 A JP11208589 A JP 11208589A JP H02292293 A JPH02292293 A JP H02292293A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はフエ口セン誘導体の製造方法に関し、詳しくは
特定の構造のフェロセン誘導体中のカルボニル基を効率
よ《メチレン基に還元することにより、所望のフエ口セ
ン誘導体を工業的に有利に製造する方法に関する。
特定の構造のフェロセン誘導体中のカルボニル基を効率
よ《メチレン基に還元することにより、所望のフエ口セ
ン誘導体を工業的に有利に製造する方法に関する。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕今まで
に、本発明者らのグループは特定の構造を有するフエ口
セン誘導体が、界面活性剤としてまた有機薄膜の製造に
極めて有用であることを見出し、提案している(国際公
開W08B/7538号公報,同WO89/1939号
公報はか)。
に、本発明者らのグループは特定の構造を有するフエ口
セン誘導体が、界面活性剤としてまた有機薄膜の製造に
極めて有用であることを見出し、提案している(国際公
開W08B/7538号公報,同WO89/1939号
公報はか)。
このようなフエ口セン誘導体を製造するにあたって、フ
エロセン誘導体中のカルボニル基ヲ還元してメチレン基
に変換する場合、従来一般に知られているクレメンゼン
還元法により行っていた。
エロセン誘導体中のカルボニル基ヲ還元してメチレン基
に変換する場合、従来一般に知られているクレメンゼン
還元法により行っていた。
この方法は触媒として亜鉛などの水銀アマルガムを使用
するものである。しかし、水銀が有害であり、さらに反
応条件として強酸性が要求されるため、工業化が困難で
あり、その改善が求められていた。
するものである。しかし、水銀が有害であり、さらに反
応条件として強酸性が要求されるため、工業化が困難で
あり、その改善が求められていた。
また、フエ口セン誘導体について水素添加法を利用する
還元方法は、白金系の触媒を用いて炭素鎖が1〜4の側
鎖を持つ{)のについてのみ実施された例が知られてい
るにすぎない(J.A.C.S.,79−,−3420
(1957) )。しかし、それ以外のフエ口セン誘
導体については、白金系の触媒を用いた水素添加反応は
殆ど知られておらず、工業的に実施された例は皆無であ
った。
還元方法は、白金系の触媒を用いて炭素鎖が1〜4の側
鎖を持つ{)のについてのみ実施された例が知られてい
るにすぎない(J.A.C.S.,79−,−3420
(1957) )。しかし、それ以外のフエ口セン誘
導体については、白金系の触媒を用いた水素添加反応は
殆ど知られておらず、工業的に実施された例は皆無であ
った。
そこで、本発明者らは、特定の構造を持ったフエ口セン
誘導体のカルボニル基を、水銀等の有害な金属を用いる
ことなく、効率良く還元してメチレン基に変換し、所望
のフェロセン誘導体を工業的に有利に製造する方法を開
発すべく鋭意研究を重ねた。
誘導体のカルボニル基を、水銀等の有害な金属を用いる
ことなく、効率良く還元してメチレン基に変換し、所望
のフェロセン誘導体を工業的に有利に製造する方法を開
発すべく鋭意研究を重ねた。
その結果、触媒として特定の元素を含有する触媒を用い
ることにより、公害等を発生するおそれがなく、工業化
が可能であり効率の良い還元を行うことができることを
見出した。本発明はかかる知見に基いて完成したもので
ある。
ることにより、公害等を発生するおそれがなく、工業化
が可能であり効率の良い還元を行うことができることを
見出した。本発明はかかる知見に基いて完成したもので
ある。
すなわち、本発明は、一般式
O
(式中、Xはハロゲン原子又は一COR” (ここで
R3は水素原子又は炭素数1〜3のアルキル基である。
R3は水素原子又は炭素数1〜3のアルキル基である。
)を示し、R’及びR2はそれぞれ水素原子,メチル基
,メトキシ基,水酸基.アミノ基,ジメチルアミノ基,
カルボキシル法.メトキシ力ルボニル基あるいはハロゲ
ン原子のいずれかを示す。また、aは1〜4の整数を示
し、bは1〜5の整数を示し、nは1〜20の実数を示
す。〕で表わされるフエ口セン誘導体を、周期律表第H
a族,rVa族,■族,Ib族(Ptを除く)及び第I
I b族( H gを除く)から選ばれた一種又は二種
以上の元素を含有する触媒の存在下、水素添加すること
を特徴とする一般式 〔式中、X,R’,R”,a,b,nは前記と同じであ
る。〕 で表わされるフエ口セン誘導体の製造方法を提供すると
ともに、一般式 1I 〔式中、Yはハロゲン原子又は一COR’ (ここで
R6は水素原子又は炭素数1〜3のアルキル基である。
,メトキシ基,水酸基.アミノ基,ジメチルアミノ基,
カルボキシル法.メトキシ力ルボニル基あるいはハロゲ
ン原子のいずれかを示す。また、aは1〜4の整数を示
し、bは1〜5の整数を示し、nは1〜20の実数を示
す。〕で表わされるフエ口セン誘導体を、周期律表第H
a族,rVa族,■族,Ib族(Ptを除く)及び第I
I b族( H gを除く)から選ばれた一種又は二種
以上の元素を含有する触媒の存在下、水素添加すること
を特徴とする一般式 〔式中、X,R’,R”,a,b,nは前記と同じであ
る。〕 で表わされるフエ口セン誘導体の製造方法を提供すると
ともに、一般式 1I 〔式中、Yはハロゲン原子又は一COR’ (ここで
R6は水素原子又は炭素数1〜3のアルキル基である。
)を示し、R4及びR5はそれぞれ水素原子,メチル基
,メトキシ基,水酸基,アミノ基ジメチルアミノ基,カ
ルボキシル基,メトキシ力ルボニル基あるいはハロゲン
原子のいずれがを示ず。また、Cは1〜4の整数を示し
、dは1〜5の整数を示し、mは5〜20の実数を示す
。]で表わされるフエ口セン誘導体を、白金を含有する
触媒の存在下、水素添加することを特徴とする一般式 (式中、R’,R’,Y,c,d,及びmは前記と同じ
である。〕で表わされるフエ口セン誘導体の製造方法を
提供するものである。
,メトキシ基,水酸基,アミノ基ジメチルアミノ基,カ
ルボキシル基,メトキシ力ルボニル基あるいはハロゲン
原子のいずれがを示ず。また、Cは1〜4の整数を示し
、dは1〜5の整数を示し、mは5〜20の実数を示す
。]で表わされるフエ口セン誘導体を、白金を含有する
触媒の存在下、水素添加することを特徴とする一般式 (式中、R’,R’,Y,c,d,及びmは前記と同じ
である。〕で表わされるフエ口セン誘導体の製造方法を
提供するものである。
本発明において、原料となるフエロセン誘導体は一殻式
(I)で示される如く、フエ口セン骨格と炭素鎖の間に
カルボニル基が存在する構造の化金物である。一般式(
1)において、Xは塩素,臭素,フッ素,沃素などのハ
ロゲン原子あるいは一般弐 O II −COR3で表わされる置換力ルボキシル基を示してい
る。ここで、R3は水素原子または炭素数1〜3のアル
キル基である。アルキル基としては、好ましくはメチル
基,エチル基などが挙げられる。
(I)で示される如く、フエ口セン骨格と炭素鎖の間に
カルボニル基が存在する構造の化金物である。一般式(
1)において、Xは塩素,臭素,フッ素,沃素などのハ
ロゲン原子あるいは一般弐 O II −COR3で表わされる置換力ルボキシル基を示してい
る。ここで、R3は水素原子または炭素数1〜3のアル
キル基である。アルキル基としては、好ましくはメチル
基,エチル基などが挙げられる。
また、R’及びR2は水素原子(H),メチル基(
CH:l),メトキシ基(−0CH3),水酸基(−O
H),アミノ基(−NH.) ジメチルアミン基(−
N(CH3)2),カルポキシル基(−COOH)メト
キシ力ルボニル基( COOC){z) あるいは塩
素,臭素,フッ素,沃素などのハロゲン原子であり、R
+及びR2は各々同じものであっても、あるいは異なる
ものであっても良い。さらに、R’及びR!は各々複数
存在する場合も、それぞれ同じものであっても、あるい
は異なるものであっても良い。
CH:l),メトキシ基(−0CH3),水酸基(−O
H),アミノ基(−NH.) ジメチルアミン基(−
N(CH3)2),カルポキシル基(−COOH)メト
キシ力ルボニル基( COOC){z) あるいは塩
素,臭素,フッ素,沃素などのハロゲン原子であり、R
+及びR2は各々同じものであっても、あるいは異なる
ものであっても良い。さらに、R’及びR!は各々複数
存在する場合も、それぞれ同じものであっても、あるい
は異なるものであっても良い。
一a式(1)において、Rl及びR2の置換数、即ちa
及びbについては、aは1〜4の整数を示し、bは1〜
5の整数を示す。また、nはメチレン基の繰返し数であ
って、1〜20の整数のみならず、これらを含む実数を
意味し、繰返し数の平均値を示すものである。
及びbについては、aは1〜4の整数を示し、bは1〜
5の整数を示す。また、nはメチレン基の繰返し数であ
って、1〜20の整数のみならず、これらを含む実数を
意味し、繰返し数の平均値を示すものである。
本発明の方法では、上記の如き構造を有するフエ口セン
誘導体を、触媒の存在下で水素添加する。
誘導体を、触媒の存在下で水素添加する。
この触媒は周期律表第IHa族,IVa族,■族,■b
族(Ptを除く)及び第nb族( H gを除く)から
選ばれた一種又は二種以上の元素を含有する触媒である
。ここで、上述の元素としては、具体的にはF e,
Co+ N t+ Cu, Zn+ R u, Rh.
P d+ Os+ I rlAf,Sn,Pb,Bi
,Crなどを挙げることができる。
族(Ptを除く)及び第nb族( H gを除く)から
選ばれた一種又は二種以上の元素を含有する触媒である
。ここで、上述の元素としては、具体的にはF e,
Co+ N t+ Cu, Zn+ R u, Rh.
P d+ Os+ I rlAf,Sn,Pb,Bi
,Crなどを挙げることができる。
本発明の方法に用いる触媒は、これらの元素を一種又は
二種以上含むものであれば、特に制限なく種々のものが
使用できる。例えば該元素の単体(金属単体),酸化物
.塩化物,錯体あるいは複合体などである。具体的には
金属単体としては、Pdブラック,Ruブラソク,ラネ
ーニッケルなどがあり、酸化物として、RuOz,Rl
’lzOi.PdOz,NiO,SnO,SnOz,P
bO,ZnO,B i z O xなどを挙げることが
できる。また、塩化物としては、ZnC fz ,
NiC ffz , S n C i!zなどがある
。クレメンゼン還元では、HgCe./Znの混合物が
用いられているが、このような混合物よりなる触媒では
、有害な水銀を使用し、かつ強酸性条件を必要とするた
め安全性に欠けることや袋置が腐食するという問題があ
り、本発明の目的を達成することができない。
二種以上含むものであれば、特に制限なく種々のものが
使用できる。例えば該元素の単体(金属単体),酸化物
.塩化物,錯体あるいは複合体などである。具体的には
金属単体としては、Pdブラック,Ruブラソク,ラネ
ーニッケルなどがあり、酸化物として、RuOz,Rl
’lzOi.PdOz,NiO,SnO,SnOz,P
bO,ZnO,B i z O xなどを挙げることが
できる。また、塩化物としては、ZnC fz ,
NiC ffz , S n C i!zなどがある
。クレメンゼン還元では、HgCe./Znの混合物が
用いられているが、このような混合物よりなる触媒では
、有害な水銀を使用し、かつ強酸性条件を必要とするた
め安全性に欠けることや袋置が腐食するという問題があ
り、本発明の目的を達成することができない。
さらに、錯体としては次のような遷移金属ij}体を好
適なものとして挙げることができる。
適なものとして挙げることができる。
旦裏(址木
RuC l z(P Pt+3)3, RuC e
g(C O)2(P P h3)z(ここで、Phはフ
エニル基を示す。)且L(朋生 RhC Q (P Ph:+)+−WilkinsoJ
ii体,(RhCI!(COD))z (ここでCO
Dは1,5一シクロオクタジエンを示す。), trans − RhH (C O)(P Phz)a
,(Rh(diene)(P Ph:+)z) ” Z
− (ここで、ZはPF&,BF4,Clo4.BP
h4を示し、dieneはCOD NBD(ノルボル
ナジエン), (C O rE)2(シクロオクテン)
2を示す。), (RhCICS(CH3)S))2 .Rh6(Co)
+a』工川生 trans − 1 rC l (C O)(P Ph
+)z,I rC 1 z}−{ (P P h)s(
Ir(COD)(Cyr’)(Py))”P F.(
.ここで、Cyはシクロヘキシノレ,Pyはビリジルを
示す。) .Pd及址体− PdC fz{P Ph:+)z Q−i沼荀体− OS3(C OLZ −q−f寺址化 (C6H ,) Cr(C O)s, Cr(C O
)6{冫9ラ?ミJiイ4F Coz(CO)aなどを挙げることができる。
g(C O)2(P P h3)z(ここで、Phはフ
エニル基を示す。)且L(朋生 RhC Q (P Ph:+)+−WilkinsoJ
ii体,(RhCI!(COD))z (ここでCO
Dは1,5一シクロオクタジエンを示す。), trans − RhH (C O)(P Phz)a
,(Rh(diene)(P Ph:+)z) ” Z
− (ここで、ZはPF&,BF4,Clo4.BP
h4を示し、dieneはCOD NBD(ノルボル
ナジエン), (C O rE)2(シクロオクテン)
2を示す。), (RhCICS(CH3)S))2 .Rh6(Co)
+a』工川生 trans − 1 rC l (C O)(P Ph
+)z,I rC 1 z}−{ (P P h)s(
Ir(COD)(Cyr’)(Py))”P F.(
.ここで、Cyはシクロヘキシノレ,Pyはビリジルを
示す。) .Pd及址体− PdC fz{P Ph:+)z Q−i沼荀体− OS3(C OLZ −q−f寺址化 (C6H ,) Cr(C O)s, Cr(C O
)6{冫9ラ?ミJiイ4F Coz(CO)aなどを挙げることができる。
また、複合体として、C u O ・C u C r
z O 4 ,Ni○−AetO.z. CuO−C
rzO,・Z,Oなどがある。
z O 4 ,Ni○−AetO.z. CuO−C
rzO,・Z,Oなどがある。
本発明の方法における触媒としては、このような物質を
単独であるいは組み合わせて使用することができる。こ
こでこれらの物質はこのまま使用してもよいが、さらに
活性を高めるために通常用いられる担体上に担持させて
使用することもできる。このような担体としては、カー
ボン.グラファイト シリカ,チタニア,ジルコニア2
アルミナーシリカ複合体あるいはぜオライトなどが挙げ
られる。このような担体に担持させる場合は、」二記の
元素を含む物質を担体に対して0.1〜20重量%程度
の割合で担持することが好ましい。
単独であるいは組み合わせて使用することができる。こ
こでこれらの物質はこのまま使用してもよいが、さらに
活性を高めるために通常用いられる担体上に担持させて
使用することもできる。このような担体としては、カー
ボン.グラファイト シリカ,チタニア,ジルコニア2
アルミナーシリカ複合体あるいはぜオライトなどが挙げ
られる。このような担体に担持させる場合は、」二記の
元素を含む物質を担体に対して0.1〜20重量%程度
の割合で担持することが好ましい。
本発明の方法は、上記の如き触媒の存在下で、前記の一
般式(1)のフェロセン誘導体を水素還元する。その際
、触媒の使用量は通常原料のフ工ロセン誘導体に対して
0.01〜1 (重量比)、好ましくは0.1〜0.5
(重量比)である。
般式(1)のフェロセン誘導体を水素還元する。その際
、触媒の使用量は通常原料のフ工ロセン誘導体に対して
0.01〜1 (重量比)、好ましくは0.1〜0.5
(重量比)である。
また、この水素還元反応は、通常は溶媒中で行う。溶媒
としては酢酸,塩酸−エチルアルコール混合液,エチル
アルコール,酢酸エチル,メタノール.ジメチルホルム
アミド(DMF),テトラヒド口フラン(Ti{F),
水などを使用することができる。
としては酢酸,塩酸−エチルアルコール混合液,エチル
アルコール,酢酸エチル,メタノール.ジメチルホルム
アミド(DMF),テトラヒド口フラン(Ti{F),
水などを使用することができる。
また、水素添加(還元)反応を行うにあたっては、水素
の添加量は、触媒の種類,原料の構造などにより異なる
が、通常は1〜1 3 0atm,好ましくは1〜50
atmである。
の添加量は、触媒の種類,原料の構造などにより異なる
が、通常は1〜1 3 0atm,好ましくは1〜50
atmである。
反応条件としては触媒の種類,水素圧の大きさなどによ
り、適宜選択すればよいが、一般には反応温度20〜2
00゜C、好ましくは25〜100゛Cであり、反応時
間0.5〜100時間、好ましくは1〜10時間である
。
り、適宜選択すればよいが、一般には反応温度20〜2
00゜C、好ましくは25〜100゛Cであり、反応時
間0.5〜100時間、好ましくは1〜10時間である
。
このように、本発明の方法に従えば、一般式(1)で表
わされるフエ口セン誘導体を水素添加により還元して、
一般式(If)で表わされるフエロセン誘導体を製造す
ることができる。
わされるフエ口セン誘導体を水素添加により還元して、
一般式(If)で表わされるフエロセン誘導体を製造す
ることができる。
また、本発明の別の態様では、一般式(III)で表わ
されるフエ口セン誘導体を還元して、一般式(IV)で
表わされるフエロセン誘導体を製造することができる。
されるフエ口セン誘導体を還元して、一般式(IV)で
表わされるフエロセン誘導体を製造することができる。
ここで一般式(III)は、上記一般式(1)とはメチ
レン基の繰返し数mが異なるだけで、ほぼ同様の構造の
ものである。即ち、Yは上記Xと同様の基を示し、R4
及びR5はそれぞれRl及びR2と同様の基を示す。ま
た、Cは1〜4の整数を示し、dは1〜5の整数を示す
。mはメチレン基の繰返し数を示し、5〜2oの整数の
みならず、これらを含む実数を意味し、繰返し数の平均
値を示すものである。
レン基の繰返し数mが異なるだけで、ほぼ同様の構造の
ものである。即ち、Yは上記Xと同様の基を示し、R4
及びR5はそれぞれRl及びR2と同様の基を示す。ま
た、Cは1〜4の整数を示し、dは1〜5の整数を示す
。mはメチレン基の繰返し数を示し、5〜2oの整数の
みならず、これらを含む実数を意味し、繰返し数の平均
値を示すものである。
このようなフエ口セン骨格とメチレン基の間にカルボニ
ル基を有する構造(即ち、一般式(III)で表わされ
る構造)のフエロセン誘導体を原料として、白金を含有
する触媒の存在下に水素添加反応を行うことにより、カ
ルボニル基を還元する。
ル基を有する構造(即ち、一般式(III)で表わされ
る構造)のフエロセン誘導体を原料として、白金を含有
する触媒の存在下に水素添加反応を行うことにより、カ
ルボニル基を還元する。
ここで、白金を含有する触媒としては、特に制限はなく
、白金を含有するものであれば、種々のものを使用する
ことができる。例えば、白金の単体(金属単体).酸化
物,塩化物,錯体あるいは複合体などをあげることがで
きる。具体的には、金属としてptブラック、酸化物と
してpto,,塩化物としてHzP tC l.b 、
錯体としてHzPtClb SuClx ・2HzO
あるいはcis−PtCj2z(PPhz)z Su
Cfz、複合体としてPt−Pd合金ブランクを挙げる
ことができる。
、白金を含有するものであれば、種々のものを使用する
ことができる。例えば、白金の単体(金属単体).酸化
物,塩化物,錯体あるいは複合体などをあげることがで
きる。具体的には、金属としてptブラック、酸化物と
してpto,,塩化物としてHzP tC l.b 、
錯体としてHzPtClb SuClx ・2HzO
あるいはcis−PtCj2z(PPhz)z Su
Cfz、複合体としてPt−Pd合金ブランクを挙げる
ことができる。
これらの白金を含有する物質はこのまま触媒として使用
しても良いが、活性を高めるために担体に担持させて使
用することができる。このような担体としては、カーボ
ン.グラファイト シリヵ,チタニア,ジルコニア,ア
ルミナーシリヵ複合体あるいはゼオライトなどが挙げら
れる。上記の白金を含有する物質を担体に担持させる場
合は、上記の白金を含有する物質を担体に対して0.1
〜20重量%程度の割合で担持させることが好ましい。
しても良いが、活性を高めるために担体に担持させて使
用することができる。このような担体としては、カーボ
ン.グラファイト シリヵ,チタニア,ジルコニア,ア
ルミナーシリヵ複合体あるいはゼオライトなどが挙げら
れる。上記の白金を含有する物質を担体に担持させる場
合は、上記の白金を含有する物質を担体に対して0.1
〜20重量%程度の割合で担持させることが好ましい。
このような触媒を使用して、また溶媒,反応条件等につ
いては前述と同様にして水素添加を行い、還元すること
により、一般式(IV)で表わされるフエ口セン誘導体
を製造することができる。
いては前述と同様にして水素添加を行い、還元すること
により、一般式(IV)で表わされるフエ口セン誘導体
を製造することができる。
〔実施例]
次に本発明を実施例及び比較例により、さらに詳しく説
明する。
明する。
実施例1〜12
下記式(A)に示す構造のフェロセノイルアルカン酸エ
チル(kは第1表に示す値)を原料として、第1表に示
す触媒,溶媒,反応温度.反応時間,水素圧及び原料一
触媒量にて、オートクレープ中にて水素添加反応を行い
、下記式(B)に示す構造のフェロセニルアルカン酸エ
チルを得た。
チル(kは第1表に示す値)を原料として、第1表に示
す触媒,溶媒,反応温度.反応時間,水素圧及び原料一
触媒量にて、オートクレープ中にて水素添加反応を行い
、下記式(B)に示す構造のフェロセニルアルカン酸エ
チルを得た。
構造はプロトン核磁気共鳴( ’ H − N M R
)スペクトルにて確認した。収量及び収率を第1表に
示す。
)スペクトルにて確認した。収量及び収率を第1表に
示す。
比較例1
亜鉛13.0gと塩化第二水恨5.4gから調製した亜
鉛アマルガムの存在下、フエロセノイルノナン酸エチル
(上記一般式(A) でk=8)12.0gを、濃塩酸
90−とエタノール150ml!の混合溶媒中80’C
で3時間反応させた。反応終了後、酢酸エチルで抽出し
、シリカゲル力ラムにて精製し、9−フェロセニルノナ
ン酸エチル(上記一般式(B)でk=8)を収量4.1
1g,収率71%で得た。
鉛アマルガムの存在下、フエロセノイルノナン酸エチル
(上記一般式(A) でk=8)12.0gを、濃塩酸
90−とエタノール150ml!の混合溶媒中80’C
で3時間反応させた。反応終了後、酢酸エチルで抽出し
、シリカゲル力ラムにて精製し、9−フェロセニルノナ
ン酸エチル(上記一般式(B)でk=8)を収量4.1
1g,収率71%で得た。
実施例13〜22
下記式(C)に示す構造のフエロセノイルアルカン酸(
pは第2表に示す値)を原料として、第2表に示す触媒
,溶媒,反応温度,反応時間.水素圧及び原料一触媒量
にて、オートクレープ中にて水素添加反応を行い、下記
式(D)に示す構造のフェロセニルアルカン酸を得た。
pは第2表に示す値)を原料として、第2表に示す触媒
,溶媒,反応温度,反応時間.水素圧及び原料一触媒量
にて、オートクレープ中にて水素添加反応を行い、下記
式(D)に示す構造のフェロセニルアルカン酸を得た。
構造はプロトン核磁気共鳴(IH−NMR)スペクトル
にて確認した。収量及び収率を第2表に示す。
にて確認した。収量及び収率を第2表に示す。
比較例2
亜鉛と塩化第二水恨から調製した亜鉛アマルガムの存在
下、フェロセノイルノナン酸(上記一般式(C)でp=
8)11.1gを、濃塩酸90mlとエタノール150
dの混合溶媒中80゜Cで3時間反応させた。反応終了
後、酢酸エチルで抽出し、シリカゲルカラムにて精製し
、9−フェロセニルノナン酸(上記一般式(D)でp=
8)を収量8.30g,収率78%で得た。
下、フェロセノイルノナン酸(上記一般式(C)でp=
8)11.1gを、濃塩酸90mlとエタノール150
dの混合溶媒中80゜Cで3時間反応させた。反応終了
後、酢酸エチルで抽出し、シリカゲルカラムにて精製し
、9−フェロセニルノナン酸(上記一般式(D)でp=
8)を収量8.30g,収率78%で得た。
実施例23〜28
下記式(E)に示す構造のフヱロセノイルアルキレンハ
ライド(mは第3表に示す値)を原料として、第3表に
示す触媒,溶媒,反応温度,反応時間.水素圧及び原料
一触媒量にて、オートクレープ中にて水素添加反応を行
い、下記式(F)に示す構造のフエロセニルアルキレン
ハライドを得た。構造はプロトン核磁気共鳴(’H−N
MR)スペクトルにてf+″l!認した。収量及び収率
を第3表2に示す。
ライド(mは第3表に示す値)を原料として、第3表に
示す触媒,溶媒,反応温度,反応時間.水素圧及び原料
一触媒量にて、オートクレープ中にて水素添加反応を行
い、下記式(F)に示す構造のフエロセニルアルキレン
ハライドを得た。構造はプロトン核磁気共鳴(’H−N
MR)スペクトルにてf+″l!認した。収量及び収率
を第3表2に示す。
エロセニルアルキレンハライド(上記一般式( F )
でm=lO)を収,ffl42.1g,収率77%で得
た。
でm=lO)を収,ffl42.1g,収率77%で得
た。
(以下余白)
比較例3
亜鉛と塩化第二水恨から調製した亜鉛アマルガムの存在
下、フェロセノイルアルキレンハライド(上記一般式(
E)でm−10)56.9gを、濃塩酸400dとエタ
ノール500dの混合溶媒中80℃で6時間反応させた
。反応終了後、酢酸エチルで抽出し、シリカゲルカラム
にて精製し、フ〔発明の効果〕 以上述べた如《、本発明の方法によればフエ口セン骨格
とメチレン基の間に存在するカルボニル基を、水銀など
の有害な元素を使用することなく、比較的穏やかな反応
条件下に水素添加して、カルボニル基を還元した構造の
フェロセン誘導体を効率良く製造することができる。し
たがって、本発明の方法によれば、界面活性剤等として
極めて有用なフエ口セン誘導体を、工業的に高い選択率
,収率にて製造することができる。
下、フェロセノイルアルキレンハライド(上記一般式(
E)でm−10)56.9gを、濃塩酸400dとエタ
ノール500dの混合溶媒中80℃で6時間反応させた
。反応終了後、酢酸エチルで抽出し、シリカゲルカラム
にて精製し、フ〔発明の効果〕 以上述べた如《、本発明の方法によればフエ口セン骨格
とメチレン基の間に存在するカルボニル基を、水銀など
の有害な元素を使用することなく、比較的穏やかな反応
条件下に水素添加して、カルボニル基を還元した構造の
フェロセン誘導体を効率良く製造することができる。し
たがって、本発明の方法によれば、界面活性剤等として
極めて有用なフエ口セン誘導体を、工業的に高い選択率
,収率にて製造することができる。
それ故、本発明の方法はフエ口セン誘導体の工業的に有
利な製造方法として、利用価値の高いものであり、その
存効な利用が期待される。
利な製造方法として、利用価値の高いものであり、その
存効な利用が期待される。
Claims (7)
- (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・( I ) 〔式中、Xはハロゲン原子又は▲数式、化学式、表等が
あります▼(ここでR^3は水素原子又は炭素数1〜3
のアルキル基である。)を示し、R^1及びR^2はそ
れぞれ水素原子、メチル基、メトキシ基、水酸基、アミ
ノ基、ジメチルアミノ基、カルボキシル基、メトキシカ
ルボニル基あるいはハロゲン原子のいずれかを示す。ま
た、aは1〜4の整数を示し、bは1〜5の整数を示し
、nは1〜20の実数を示す。〕で表わされるフェロセ
ン誘導体を、周期律表第IIIa族、IVa族、VIII族、 I
b族(Ptを除く)及び第IIb族(Hgを除く)から
選ばれた一種又は二種以上の元素を含有する触媒の存在
下、水素添加することを特徴とする一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(II) 〔式中、X、R^1、R^2、a、b、nは前記と同じ
である。〕 で表わされるフェロセン誘導体の製造方法。 - (2)元素がFe、Co、Ni、Cu、Zn、Ru、R
h、Pd、Os、Ir、Al、Sn、Pb、Crあるい
はBiである請求項1記載のフェロセン誘導体の製造方
法。 - (3)触媒が金属、酸化物、塩化物、錯体あるいは複合
体である請求項1記載のフェロセン誘導体の製造方法。 - (4)触媒が、カーボン、グラファイト、シリカ、チタ
ニア、ジルコニア、アルミナ−シリカ複合体あるいはゼ
オライトを担体として用いたものである請求項1記載の
フェロセン誘導体の製造方法。 - (5)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(III) 〔式中、Yはハロゲン原子又は▲数式、化学式、表等が
あります▼(ここでR^6は水素原子又は炭素数1〜3
のアルキル基である。)を示し、R^4及びR^5はそ
れぞれ水素原子、メチル基、メトキシ基、水酸基、アミ
ノ基、ジメチルアミノ基、カルボキシル基、メトキシカ
ルボニル基あるいはハロゲン原子のいずれかを示す。ま
た、cは1〜4の整数を示し、dは1〜5の整数を示し
、mは5〜20の実数を示す。〕で表わされるフェロセ
ン誘導体を、白金を含有する触媒の存在下、水素添加す
ることを特徴とする一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(IV) 〔式中、R^4、R^5、Y、c、d及びmは前記と同
じである。〕で表わされるフェロセン誘導体の製造方法
。 - (6)触媒が金属、酸化物、塩化物、錯体あるいは複合
体である請求項5記載のフェロセン誘導体の製造方法。 - (7)触媒が、カーボン、グラファイト、シリカ、チタ
ニア、ジルコニア、アルミナ−シリカ複合体あるいはゼ
オライトを担体として用いたものである請求項5記載の
フェロセン誘導体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1112085A JPH0662657B2 (ja) | 1989-05-02 | 1989-05-02 | フェロセン誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1112085A JPH0662657B2 (ja) | 1989-05-02 | 1989-05-02 | フェロセン誘導体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02292293A true JPH02292293A (ja) | 1990-12-03 |
JPH0662657B2 JPH0662657B2 (ja) | 1994-08-17 |
Family
ID=14577715
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1112085A Expired - Fee Related JPH0662657B2 (ja) | 1989-05-02 | 1989-05-02 | フェロセン誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0662657B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2667318A1 (fr) * | 1990-09-27 | 1992-04-03 | Poudres & Explosifs Ste Nale | Procede de synthese de monohalogenoalkylferrocenes et nouveaux monohalogenoalkylferrocenes. |
WO2001042261A1 (fr) * | 1999-12-07 | 2001-06-14 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Procede de preparation de composes organoluthenium utiles pour la formation de couches minces par cvd |
-
1989
- 1989-05-02 JP JP1112085A patent/JPH0662657B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2667318A1 (fr) * | 1990-09-27 | 1992-04-03 | Poudres & Explosifs Ste Nale | Procede de synthese de monohalogenoalkylferrocenes et nouveaux monohalogenoalkylferrocenes. |
WO2001042261A1 (fr) * | 1999-12-07 | 2001-06-14 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Procede de preparation de composes organoluthenium utiles pour la formation de couches minces par cvd |
US6476247B1 (en) | 1999-12-07 | 2002-11-05 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Processes for the preparation of organoluthenium compounds useful for thin film formation by CVD |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0662657B2 (ja) | 1994-08-17 |
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