JPH02292245A - 保護されたアミノ酸及びその製造方法 - Google Patents

保護されたアミノ酸及びその製造方法

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JPH02292245A
JPH02292245A JP2099477A JP9947790A JPH02292245A JP H02292245 A JPH02292245 A JP H02292245A JP 2099477 A JP2099477 A JP 2099477A JP 9947790 A JP9947790 A JP 9947790A JP H02292245 A JPH02292245 A JP H02292245A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、N−}リチルー力ルバモイル基を含有するア
ミノ酸誘導体、その製造方法、及びペプチド合成のため
のその使用に関する。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕アミノ
酸であるアスパラギン及びグルタミンのアミド基はベブ
チド合成においてしばしば不所望の副反応、例えばニト
リルへの脱水、イミドへの分子内環化、及びグルタミン
の場合にはピロリドンの形成、を導く。さらに、グルタ
ミンを用いる固相合成においては、カップリング収率の
低下をもたらす水素結合の分子間形成のため、ベプチド
樹脂がもはや膨潤しないことがしばしば観察される。
これらの欠点はアスパラギン及びグルタミンのカルバモ
イル基を保護することにより回避することができる。一
般に、保護基として、4,4′ジメトキシージフェニル
ーメチル(ジー〔4−メトキシーフェニル)一メチル、
4.4′−ジメトキシーベンズヒドリル;  ?Ibh
と略す)、又は2,4.6−トリメトキシーベンジル(
Tmobと略す)が使用される。
しかしながら、本発明者らがここに見出したところによ
ればある場合においては今まで知られていたカルバモイ
ル保護基自体が、それが除去される場合に不所望の副反
応を惹起する。これは、酸分解的除去において形成され
るカルポカチオンが非常に容易にしかも不可逆的にトリ
ブトファンと反応するためである。
この知見から出発して、本発明の1つの目的は、前記の
副反応が起こらないカルバモイル保護基を見出し、そし
て対応して保護されたアミノ酸誘導体製造することであ
る。
〔発明が解決しようとする課題〕
本発明は、次の式(I): 0.C−NH−R. (式中、nはl又は2であり、R,は水素又はアミノ保
護基であり、R2は水素又はカルボキシ保護基であり、
そしてR3はトリフエニルメチル、4−モノメトキシ一
トリチル又は4.4′−ジメトキシートリチルである) で表わされる化合物、塩形成基を有する該化合物の塩、
並びにR2が水素である式(1)の前記化合物の反応性
カルボン酸誘導体に関する。不斉HC原子におけるコン
フィグレーションは(D,L), (D) 、又は好ま
しくは(L)である。
〔具体的な記載〕
ペプチド合成において、式(1)の化合物はトリプトフ
ァンのインドール側鎖に対するアルキル化作用を有しな
い。さらに、これらは、R3が2,4.6−トリメトキ
シーベンジル(Tmob)又はジー(4−メトキシーフ
ェニル)一メチル(Mbh)である類偵の化合物の場合
に比べて、有機溶剤に一層溶解しやすく、そしてそれら
の保護基はトリフルオロ酢酸によって一層容易に除去さ
れる。例えば、トリフルオロ酢酸/l,2−ジクロ口エ
タン(1:1)中22゜Cでの開裂におけるFn+oc
−Gin(Trt)−01{ ,Fn+oc−Gin(
Tmob)−0H及びFmoc−Gln(Mbh)−O
Hの半減期はそれぞれ2.9及び27分間である。
式(I)の化合物の反応性カルボン酸誘導体は、カップ
リング条件下で、すなわちl−ヒドロキシ−IH−ペン
ゾトリアゾール(HOBt)のごときカップリング触媒
の存在下で、そしてペプチド合成におけるカップリング
反応のために一般に使用される溶剤、例えばジメチルア
セタミド(DMA)及びI,2−ジクロローエタン(D
IEA)の存在下で、R,が水素である類似の化合物よ
りも明らかに安定である。例えば、DMA+1当量のH
OBt+1. 7当量のDIEA中のFmoc−八sn
−0−TCp及びFmoc−Asn−0−Pfp(Fm
oc= 9−フルオレニルーメトキシー力ルボニル、P
fp=ペンタフルオローフエニル、Tcp=2.4.5
−1−リクロローフエニル)の分解半減期はそれぞれわ
ずか2分間、及びわずか1分間未満でさえあり、他方R
,がトリチル基である類似の化合物は同じ条件下で完全
に安定である。
驚<べきことに、スペースーフィリング(space−
filling) }リチル保護基はカップリング反応
を遅延させず、それどころかこれらはカップリングの速
度に影響を与えない。
保護基、その導入及び除去は、例えば’ Pro te
c−tive Groups in Organic 
ChemistryJ, PlenumPress−.
ロンドン、ニューヨーク、1973 .及びrMeth
oden in organischem Chemi
e」(Methodsof Organic Che+
sistry), Houben−Weyl,四版、V
ol 15/1+ Georg−Thiese−Ver
lay %スタットガルト1974 ;及びTheod
ora W.Greene+ ’Protective
Groups  in Organic Synthe
sis  J ,John Wiley &Sons,
ニューヨーク、1981に記載されている。
保護されたアミノ基R.−NHは、例えば、容易に開裂
され得るアシルアミノ、アリールメチルアミン、エーテ
ル化メルカプトアミノ、2−アシルー低級一アルクー1
−エニルーアミノ又はシリルアミノ基である。
対応するアジルアミノ基中のアシルは、例えば、18個
以下の炭素原子を有する有機カルボン酸のアシル基、特
に場合によっては例えばハロゲンもしくはアリールによ
り置換されているアルカンカルボン酸、又は場合によっ
ては例えばハロゲン、低級アルコキシもしくは二トロに
より置換されている安息香酸、又は炭酸のモノエステル
のアシル基である。この様なアシル基の例は、低級アル
カノイル、例えばホルミル、アセチルもしくはプロピオ
ニル、ハロゲノー低級アルカノイル、例えば2一ハロゲ
ノアセチル、特に2−クロロー、2−ブロモ、2−イオ
ドー、2.2.2−}リフルオローもしくは2 , 2
 . 2−1リクロローアセチル、場合によっては例え
ばハロゲン、低級アルコキシもしくはニトロにより置換
されているベンゾイル、例エハベンゾイル、4−クロロ
ベンゾイル、4一メトキシベンゾイルもしくは−4−ニ
トロベンゾイル、又は低級アルキルの1位において分岐
しているかもしくは1位もしくは2位において適切に置
換されている低級アルコキシ力ルボニル、特にtert
一低級アルコキシ力ルボニル、例えばter t一プチ
ルオキシカルボニル、アリールメトキシ力ルボニル(1
個又は2個のアリール基を有し、これは好ましくはフエ
ニルであって、場合によっては例えば低級アルキル、特
にter t一低級アルキル、例えばtert−ブチル
、低級アルコキシ、例えばメトキシ、ヒドロキシ、ハロ
ゲン、例えば塩素及び/又は二トロによりモノー又はポ
リー置換されている)、例えば場合によっては置換され
ているペンジルオキシ力ルボニル、例えば4−ニトロペ
ンジルオキシ力ルボニル、又は置換されたジフエニルメ
トキシ力ルボニル、例えばペンズヒドリルオキシカルボ
ニルもしくはジー(4−メトキシフエニル)一メトキシ
カルボニル、アロイルメトキシ力ルボニル(アロイル基
は好ましくはベンゾイルであって場合によっては例えば
ハロゲン、例えば臭素により置換されている)、例えば
フェナシルオキシカルボニル、2−ハロゲノー低級アル
コキシカルボニル、例えば2,2.2−トリクロロエト
キシカルボニル、2−プロモエトキシ力ルボニルもしく
は2−イオドエトキシ力ルボニル、又は2−(トリー置
換シリル)一エトキシカルボニル〔置換基は相互に独立
に、場合によっては置換されている(例えば、低級アル
キル、低級アルコキシ、アリール、ハロゲン又はニトロ
により置換されている)脂肪族、芳香一脂肪族、脂環族
もしくは芳香族炭化水素基であって炭素原子数15個ま
でのもの、例えば対応する場合によっては置換されてい
るアルキル、フェニル低級アルキル、シクロアルキル、
又はフエニルである)、例えば2−トリ一低級一アルキ
ルシリルエトキシカルポニル、例えば2−トリメチルシ
リルエトキシカルボニルもしくは2−(ジーn−ブチル
ーメチルーシリル)一エトキシカルボニル、又は2−ト
リアリールシリルエトキシ力ルポニル、例えば2−トリ
フエニルシリルエトキシカルボニルである。
アミノ保護基R1として適当な他のアシル基はさらに、
有機リン酸、ホスホン酸もしくはホスフィン酸の対応す
る基、例えばジー低級アルキルホスホリル、例えばジメ
チルホスホリル、ジエチルホスホリル、ジーn−プロビ
ルホスホリルもしくはジイソプ口ビルホスホリル、ジシ
クロアルキルホスホリル、例えばジシクロへキシルホス
ホリル、場合によっては置換されているジフエニルホス
ホリル、例えば、場合によっては例えば二トロにより置
換されたジフェニルホスホリル、ジー(フェニルー低級
アルキル)一ホスホリル、例えばジベンジルホスホリル
もしくはジー(4−ニトロベンジル)一ホスホリル、場
合によっては置換されているフエニルオキシフエニルホ
スホニル、例えばフエニルオキシフエニルーホスホニル
、ジー低級一アルキルホスフィニル、例えばジエチルホ
スフィニル、又は場合によっては置換されているジフエ
ニルホスフィニル、例えばジフエニルホスフイニルであ
る。
モノー、ジー又は特にトリーアリールメチルアミノ基で
あるアリールメチルアミノ基中のアリール基は特に、場
合によっては置換されているフエニル基である。この様
な基は、例えばペンジルジフヱニルメチルー及び特にト
リチルアミノである。
このタイプの基より保護されたアミノ基中のエーテル化
メルカプト基は特に、アリールチオ又はアリール一低級
アルキルチオであり、ここでアリールは特にフエニルで
あり、これは場合によっては例えば低級アルキル、例え
ばメチルもしくはtert−ブチル、低級アルコキシ、
例えばメトキシ、ハロゲン、例えば塩素及び/又は二ト
ロにより置換されている.適当なアミノ保護基の例は2
−ニトロフェニルチオである。
アミノ保護基として使用し得る2−アシルー低級アルク
ー1−エンーl−イル基中のアシルは、例えば、低級ア
ルカンカルボン酸、場合によっては例えば低級アルキル
、例えばメチルもしくはLert−ブチル、低級アルコ
キシ、例えばメトキシ、ハロゲン、例えば塩素及び/又
はニトロにより置換されている安息香酸、又は特に炭酸
のモノエステル、例えば炭酸のモノ一低級アルキルエス
テルの対応するアシル基である。対応する保護基は特に
、l一低級アルカノイループロプ−1−エンー2−イル
、例えば1−アセチループロブーl一エンー2−イル、
又はl一低級アルコキシ力ルポニループロプ−1−エン
ー2−イル、例えばl一エトキシカルボニループロブ−
1−エンー2−イルである。
好ましいアミノ保護基は炭酸のモノエステルのアシル基
、特にter t−ブトキシ力ルボニル、場合によって
は例えば前記のように置換されているペンジルオキシ力
ルボニル、例えば4−ニトローペンジルオキシ力ルボニ
ルもしくはジフエニルメトキシカルポニル、又は2−ハ
ロゲノー低級一アルコキシ力ルボニル、例えば2,2.
2−}リクロ口エトキシ力ルボニル、又はアリルオキシ
力ルボニル及び後者に関連する保護基、又は特に9−フ
ルオレニルーメトキシカルボニルである。
カルボキシル保護71.は一般にエステル化基、特に1
位において分岐しているか又は1位もしくは2位におい
て適当に置換されている低級アルキル基である。エステ
ル化された形の好ましいカノレボキシル基は特に、te
rヒ低級アルコキシカルボニル、例えばtert−ブト
キシ力ルボニル基、了りールメトキシ力ルボニル基(1
個又は2個のアリール基を有し、これはフエニル基であ
り、これは場合によっては例えば低級アルキル、例えば
tert一低級アルキル、例えばter t−プチル、
低級アルコキシ、例えばメトキシ、ヒドロキシ、ハロゲ
ン、例えば塩素、及び/又はニトロにより置換されてい
る)、例えば、場合によっては例えば前記のように置換
されているペンジルオキシ力ルボニル、例えば4−メト
キシベンジルオキシカルボニルもしくは4−ニトロペン
ジルオキシカルポニル、又は場合によっては例えば前記
のように置換されているジフエニルーメトキシカルボニ
ル、例えばジフェニルメトキ2カルボニルもし《はジー
(4−メトキシフェニル)一メトキシ力ルボニル、1一
低級アルコキシ一低級アルコキシ力ルポニル、例えばメ
トキシメトキシ力ルポニル、l−メトキシエトキシ力ル
ボニルもしくは1−エトキシメトキシ力ルボニル、l一
低級アルキルチオー低級アルコキシ力ルボニル、例えば
1−メチルチオメトキシ力ルボニルもしくは1−エチル
チオエトキシ力ルボニル、アロイルメトキシ力ルボニル
(アロイル基はベンゾイルであり、このベンゾイルは場
合によっては例えばハロゲン、例えば臭素により置換さ
れている)、例えばフエナシルオキシカルボニル、2−
ハロゲノー低級一アルコキシカルボニル、例えば2,2
.2−}リクロ口エトキシ力ルホニル、2−プロモエト
キシ力ルボニルもしくは2−イオドエトキシカルボニル
、又は2−(置換シリル)一エトキシ力ルボニル〔置換
基は相互に独立に、場合によっては置換されている(例
えば、低級アルキル、低級アルコキシ、アリール、ハロ
ゲン及び/又はニトロにより置換されている)脂肪族、
芳香一脂肪族、脂環族又は芳香族炭化水素基、例えば対
応する場合によっては置換されている低級アルキル、フ
エニルー低級アルキル、シクロアルキル、又はフエニル
である〕、例えば2一トリ一低級アルキルシリルーエト
キシカルボニル、2−トリーメチルシリルエトキシ力ル
ボニルもしくは2−(ジーn−プチルーメチルシリル)
一エトキシ力ルボニル、又は2−トリアリールシリルエ
トキシ力ルボニル、例えば2−トリフエニルシリルエト
キシ力ルボニルである。
好ましい保護されたカルボキシル基は、ter t −
低級アルコキシカルボニル、例えばter t−ブトキ
シカルボニル、そして特に場合によっては例えば前記の
ように置換されているペンジルオキシ力ルボニル、例え
ば4−ニトロペンジルオキシ力ルボニル又はジフェニル
メトキシ力ルボニル、そして特に2−(トリメチルシリ
ル)一エトキシ力ルボニルである。
式(1)の化合物中の塩形成基は、例えば、遊離アミノ
基( R I − H )又は遊離力ルボキシル基(R
z”’H)である。R1が水素である式(1)の化合物
は、例えば無機酸、例えば塩酸、硫酸もしくはリン酸、
又は適当な有機カルボン酸もしくはスルホン酸、例えば
トリフルオロ酢酸と共に酸付加塩を形成することができ
る。R,が水素である式(1)の化合物は、金属塩又は
アンモニウム塩、例えばアルカリ金属塩もしくはアルカ
リ土類金属塩、例えばナトリウム塩、カリウム塩、マグ
ネシウム塩もしくはカルシウム塩、又はアンモニアもし
くは適当な有機アミンとの塩を形成することができ、塩
の形成のために特に適当なものは、脂肪族、脂環族、脂
環一脂肪族又は芳香脂肪族の第一級、二級又は三級七ノ
ー、ジー又はボリーアミン、並びに複素環塩基、例えば
低級アルキルアミン、例えばトリエチルアミン、ヒドロ
キシ一低級アルキルアミン、例えば2−ヒドロキシエチ
ルアミン、ビス−(2−ヒドロキシエチル)一アミン、
2−ヒドロキシーエチルージエチルアミン又はトリ−(
2−ヒドロキシエチル)一アミン、カルボン酸の塩基性
脂肪族エステル、例えば4−アミノー安息香酸2−ジエ
チルアミノエチル、低級アルキレンアミン、例えば1−
エチルピペリジン、シクロアルキルアミン、例えばジシ
クロヘキシルアミン、又はペンジルアミン、例えばN,
N’ジベンジルエチレンジアミン、さらにピリジンタイ
プの塩基、例えばビリジン、コリジン又はキノリンであ
る。
R1及びR2が水素である式(1)の化合物は内部塩を
形成することができる。
これらの塩は、特に、R,及び/又はR2が水素である
式(1)の化合物の単離又は精製のために使用すること
ができる。
R2が水素である式(1)の化合物の反応性カルボン酸
誘導体は特に、反応性活性化エステル又は反応性無水物
、さらには反応性環状アミドである。
酸の活性化エステルは特に、エステル化基の連結炭素原
子において不飽和のエステル、例えばビニルエステル形
、例えば実際のビニルエステル(例えば、対応するエス
テルと酢酸ビニルとのエステル交換により得られる;活
性化ビニルエステル法)、カルバモイルビニルエステル
(例えば、対応する酸をイソキサゾリウム試薬で処理す
ることにより得られる;1,2−オキサゾリウム法又ハ
Woodward法)、又は1一低級アルコキシビニル
エステル(例えば、対応する酸を低級アルコキシアセチ
レンで処理することにより得られる;エトキシアセチレ
ン法)、又はアミジノ型のエステル、例えばN,N’−
ジー置換アミジノエステル(例えば、対応する酸を適当
なN,N’−ジ置換カルボジイミド、例えばN,N’ 
−ジシクロへキシル力ルポジイミドで処理することによ
り得られる;カルボジイミド法)、又はN,N−ジ置換
アミジノエステル(例えば、対応する酸をN,N−ジー
置換シアナミドで処理することにより得られる;シアナ
ミド法)、適当なアリールエステル、特に、吸電子性置
換基により適当に置換されたフエニルエステル(例えば
、対応する酸を適当に置換されたフェノール、例えば4
−二トロフェノール、4一メチルスルホニルーフェノー
ル、2,4.5−トリクロ口フェノール、2,3,4,
5.6−ペンタクロ口フェノール、2,3.4,5.6
−ペンタフルオロフエニル又は4−フェニルジアゾフエ
ニルにより、縮合剤、例えばN , N’−ジシクロへ
キシルー力ルポジイミドの存在下で処理することにより
得られる;活性化アリールエステル法)、シアノメチル
エステル(例えば、対応する酸を塩基の存在下でクロロ
アセトニトリルで処理することにより得られる;シアノ
メチル法)、チオエステル、特に、場合によっては例え
ば二トロにより置換されているフェニルチオエステル(
例えば、対応する酸を場合によっては例えば二トロによ
り置換されているチオフェノールで処理することにより
、特に無水物法又はカルボジイミド法により得られる;
活性化チオエステル法)、アミノ又はアミドエステル(
例えば、対応する酸を、N−ヒドロキシーアミノー又は
N−ヒドロキシーアミドー化合物、例えばN−ヒドロキ
シーサクシンイミド、N−ヒドロキシ−5一ノルボルネ
ンー2,3−ジカルボキシミド、N−ヒドロキシーピペ
リジン、N−ヒドロキシーフタリミド、N−ヒドロキシ
ーベンゾトリアゾール又は3.4−ジヒドロ−3−ヒド
ロキシ−4−オキソー1.2.3−ペンゾトリアジンで
処理することにより、例えば無水物法又はカルボジイミ
ド法により得られる;活性化N−ヒドロキシエステル法
)、あるいはシリルエステル(例えば、対応する酸をシ
リル化剤、例えばヘキサメチルジシラザンで処理するこ
とにより得られ、そしてヒドロキシルとは反応するがア
ミノ基とは反応しない)である。
酸の無水物は対称無水物であることができ、あるいは好
ましくはこれらの酸の混合無水物であることができ、そ
して例えば、無機酸との無水物、例えば酸ハロゲン化物
、特に酸塩化物(例えば、対応する酸を塩化チオニル、
五塩化リン又は塩化オキサリルで処理することにより得
られる;酸塩化物法)、アジド(例えば、対応する酸の
エステルから対応するヒドラジドを介して、それを硝酸
で処理することにより得られる;アジド法)、炭酸のモ
ノ誘導体、例えば対応ずるエステル、例えば炭酸のモノ
一低級アルキルエステルとの無水物(例えば、対応する
酸を低級アルキルハロゲノ例えばクロロホルメートによ
り、又は1一低級アルコキシカルボニルー2一低級アル
コキシ−1,2−ジヒドローキノリン、例えば1一低級
アルコキシ力ルボニルー2−エトキシー1.2−ジヒド
ロキノリンで処理することにより得られる;混合〇一ア
ルキル炭酸無水物法)、又はジハロゲン化特にジ塩素化
リン酸との無水物(例えば、対応する酸をオキシ塩化リ
ンで処理することにより得られる;オキシ塩化リン法)
、有機酸との無水物、例えば有機カルボン酸との混合無
水物(例えば、対応する酸を、場合によっては置換され
ている低級アルカンー又はフエニルアルカンー力ルポニ
ルハライド、例えばフエニルアセチル、ピバロイル又は
トリフルオロアセチルクロリドで処理することにより得
られる;混合カルボン酸無水物法)、又は有機スルホン
酸との無水物例えば、対応する酸の塩、例えばアルカリ
金属塩を適当な有機スルホニルハライド、例えば低級ア
ルカンー又はアリ−ル、例えばメタンー又はp−}ルエ
ンスルホニルクロリドで処理することにより得られる;
混合スルホン酸無水物法)、あるいは対称無水物(例え
ば、対応する酸をカルボジイミド又は1−ジエチルアミ
ノプロビンの存在下で縮合せしめることにより得られる
;対称無水物法)である。
適当な環状アミドは特に、芳香族性の5一員ジアザ環と
のアミド、例えばイミダゾール類、例えばイミダゾール
とのアミド(例えば、対応する酸ヲN , N’ 一カ
ルポニルジイミダゾールで処理することにより得られる
;イミダゾリド法)、又はピラゾール、例えば3.5−
ジメチルーピラゾールとのアミド(例えば、酸ヒドラジ
ドを介して、アセチルアセトンで処理することにより得
られる;ピラゾリド法)である。
この明細書においてアミノ酸について用いられる略号は
一般に慣用されているものである。すなわち、Aspは
アスパラギン酸を、Asnはアスパラギンを、Glnは
グルタミンを、Serはセリンを、Leuはロイシンを
、ctyはグリシンを、Lysはリジンを、Hisはヒ
スチジンを、Proはプロリンを、Tyrはチロシンを
、Trpはトリプトファンを、Argはアルギニンを、
Vatはバリンを、そしてI1eはイソロイシンをそれ
ぞれ意味する。
国際的に認められた命名法に従い、本明細書におけるア
ミノ酸の略号、例えば上記の略号は有離酸を意味し、そ
して特にことわらない限りL体を意味する。α−アミノ
基は略号の左側に位置し、そしてカルボキシル基は右側
に位置する。α−アミノ基中の1個の水素原子の不存在
はアミノ酸略号の左側のダッシュにより表わし、そして
2個の水素原子の不存在は左側の2重ダッシュにより表
わす。カルポキシル基中のHO基の不存在は右側のダッ
シュにより表わす。アミノ酸の側鎖の置換基は、アミノ
酸記号のすぐ後のカツコ内に示される。すなわち、例え
ば、2−八sn(Trt)−OHは次の式(Ia): ?=C−NH−C(CJs) 3 により表わされる化合物を意味する。
ベブチド合成において式(I)の化合物の使用により達
成される利点は実施例の部で説明する。
すなわち、例えば、Gin残基が製造中にトリチルによ
り保護される場合、H−Gln−Gln−Gln−Gl
n−Gln−Ser−Leu−Gly−0旧よ92%の
純度の粗生成物として得られる。Merrif■iel
d合成の間にこの保護を用いなければ、粗生成物は上記
のように92%ではなく、わずか30%の目的生成物を
含有している。
一方においてAsn及びGlnのカルバモイル基のトリ
チル保護を用いてのFmoc−Lys−Gln−His
−Asn−Pro−Lys−Tyr−Gln−Trp−
Asn−OHの合成から得られた粗生成物(粗生成物A
)、及び他方において2,4.6−トリメトキシーベン
ジル保護を用いて得られた対応する粗生成物(粗生成物
B)は、粗生成物A中に95%の目的生成物を有し、そ
して粗生成物B中にわずか約8%の目的生成物を有して
いた。
式(1)の化合物は、グルタミン残基及び/又はアスパ
ラギン残基を含有する任意の目的ペプチドの合成におけ
る構成ブロックとして、又はこれらの構成ブロックを製
造するための中間体として用いることができる。R1が
アミノ保護基、例えば特に9−フルオレニルーメトキシ
カルボニル・又はter t−ブトキシカルボニルであ
り、R2が水素であり、そしてR,がトリフェニルメチ
ル、4ーモノメトキシ一トリチル又は4.4′−ジメト
キシ一トリチルである式(I)の化合物、及びその反応
性カルボン酸誘導体がMerrifieldペブチド合
成のために使用される。
式(1)の好ましい化合物は、R+がペンジルオキシ力
ルボニル、9−フルオレニルメトキシカルボニル、アリ
ルオキシ力ルボニル又はter t−ブトキシカルポニ
ルであり、R2が水素であり、そしてR3がトリフエニ
ルメチルである化合物である。
弐(1)の特に好ましい化合物は実施例に記載する化合
物である。
上に詳細に記載した反応性カルボン酸誘導体の内、特に
挙げるべきものは、2.4.5−トリクロローフェニル
エステル、ペンタフルオローフエニルエステル、1−ヒ
ド口キシベンゾトリアゾールとのエステル、3,4−ジ
ヒドロ−3−ヒドロキシ−4−オキソー1.2.3−ペ
ンゾトリアジンとのエステル、又はN−ヒドロキシ−5
一ノルボルネンー2.3−ジカルボキシド、酸塩化物、
及び対称無水物、特に、前に好ましいものとして指摘し
た化合物の反応性カルボン酸誘導体である.驚くべきこ
とに、本発明のアミド保護基は、アミノ保護基としての
R,又はペンジルオキシ力ルボニル又はカルボキシル保
護基としてのベンジルが容易に除去される条件下で、触
媒的水素化の間に安定である。保護基R,は、例えば、
トリフルオロ酢酸/水/1,2−エタンジチオール(9
0;5:5)により、室温〜+50゜Cの範囲の温度、
例えば+30゜Cにおいて除去することができる。
式(1)の化合物はそれ自体既知の方法で製造される。
本発明の製造方法は、 a)次の式(■): 0=C−NHZ (式中、R4は水素又は反応条件下で安定なアミノ保護
基であり、そしてn及びR2は前記の意味を有する) で表わされる化合物を、次の式(■):R3  0H 
             (III)(式中R,は前
記の意味を有する) で表わされる化合物と反応せしめ、そして得られた化合
物から式(1)の目的最終生成物の部分を構成しない保
護基を除去し;あるいは b)R.がアミノ保護基である式(1)の化合物を製造
するために、次の式(■): 0=C−NH−R3 (式中、R2及びR,は前記の意味を有する)で表わさ
れる化合物にアミノ保護基を導入し;あるいは C)次の式(■): o=Ic−on (式中、nは前記の意味を有し、R5は反応条件下で安
定なアミン保護基であり、そしてR6は反応条件下で安
定なカルボキシ保護基である)で表わされる化合物を、
次の式(■):R3  Nll, (式中、R,は前記の意味を有する) で表わされる化合物と反応せしめ、そして得られた化合
物から式(1)の目的最終生成物の部分を構成しない保
護基を除去し; そして所望により、方法a),b)、又はC)のいずれ
かを行った後、塩形成基を有する式(1)の得られる化
合物をその塩に転換し、又は得られる塩を遊離化合物に
転換し、又はR2が水素である式(1)の得られる化合
物を反応性カルボン酸誘導体に転換する; ことを特徴とする。
方抜エL 方法a)は適当な存機溶剤中で、例えば酢酸中で、触媒
量の無水強ルイス酸、例えば三化硼素、トリフルオロメ
タンスルホン酸又は好ましくは硫酸の存在下で、そして
脱水剤、例えば無水酢酸の存在下で、約0℃〜+100
″Cの範囲の温度において、好ましくは室温(約20″
C)〜+70℃の間の温度において、例えば+50℃に
おいて行われる。R4が水素である場合、R4がアミノ
保護基である場合よりも多くの、例えば1.1当量の無
水硫酸を用いるのが好都合であり、そして反応は特に式
(I[)の出発化合物中のR4が水素でありそしてnが
1である場合に約+60゜Cにおいて好適に行われる。
アミン保護基R4は酸性条件下で安定なアミノ保護基、
例えばアリルオキシカルポニル、トリフルオロアセチル
、又は好ましくはペンゾイルカルボニルもしくは9−フ
ルオレニルーメトキシ力ルボニルである。
式(1)の目的最終生成物においてR,及び/又はR2
が水素である場合、保護基R4及び/又はR2を除去す
ることが必要である。
ほとんどのカルポキシ保護基R2が反応条件下ですでに
除去される。安定なカルボキシ保護基は例えばメチル、
エチル又はアリルだけであり、これらは例えば塩基で触
媒される加水分解により除去することができる。
アミノ保護基R4としてのトリフルオロアセチル基は穏
和なアルカリ性加水分解により、例えばアンモニア水溶
液、水酸化ナトリウムもしくは水酸化バリウム、又は塩
基性イオン交換樹脂を用いて除去される。
アミノ保護基R4としてのペンジルオキシカルボニルは
水素化により、木炭上パラジウム触媒の存在下、水性メ
タノール性塩酸溶液中室温にて、そして大気圧下で除去
される。
アミノ保護基R4としての9−フルオレニルーメトキシ
カルボニルは室温にてピペリジン/ジメチルアセタミド
(1:4)を用いて除去される。
方法a)における収率は理論値の約60〜95%である
方1 方法b)は適当な、場合によっては水性の、有機溶剤又
は溶剤混合物中で、約0゜C〜+80゜Cの範囲の温度
、好ましくは室温〜+50゜Cの範囲の温度において行
われ、これを懸濁状で行うことができる。すなわち、例
えば、9−フルオレニルーメトキシ力ルボニルは、アミ
ノ保護基R,として、弐(■)の出発化合物を有機溶剤
、例えばテトラヒド口フラン又はジオキサン中で、水及
び無機塩基、例えば炭酸水素ナトリウム又は水酸化ナト
リウムの存在下で、そして所望により三級有機アミン、
例えばトリエチルアミンの存在下で、9−フルオニルメ
チルN− サクシンイミジルカルボネートと反応せしめ
るごとにより導入することができる.アミノ保護% R
 I としてのter t−ブトキシ力ルポニルは、例
えば、90%濃度の水性テトラヒド口フラン中で、トリ
エチルアミンの存在下で室温にて当モル量のジーter
 t−フ゛チノレジカノレボネートにより導入すること
ができる。
方法b)の収率は理論量の約90〜99%である。
方法a)と対比して、方法b)は任意の所望のアミノ保
sWaR.を導入することを可能にする。
方広且L 方法C)は、適当な有機溶剤、例えば1,2−ジクロ口
エタン中で、−20゜C〜+70″Cの範囲の温度にお
いて、例えば0゜Cにおいて、そして好ましくは保護ガ
スのもとで、例えばアルゴン雰囲気下で行われる。この
ために、例えば1−クロロ一N,N.2−}リメチルー
プロプ−1−エニルアミンによる弐(V)の出発物質中
の遊離力ルボキシル基のその場での活性化が必要である
方法C)における収率は理論量の約40〜70%である
反応条件下で安定なアミノ保護基R,の例は9ーフルオ
レニルーメトキシカルボニルである。反応条件下で安定
なカルボキシ保護基R,の例はベンジルである. 弐(1)の目的最終生成物の部分を構成しないカルボキ
シ保護基及び/又はアミノ保護基は、それ自体既知の方
法で、例えば加溶媒分解、特に加水分解、アルコール分
解又は酸分解により、あるいは還元により、例えば水素
化又は化学還元により行われ、適当であれば段階的に又
は同時に行われ、酸素的方法を用いることも可能である
特に、ベンジル基R,は木炭上パラジウム触媒の存在下
で室温にて水素化により除去することができ、この場合
9−フルオレニルーメトキシカルボニルRs及び保護基
R,は維持される。9−フルオレニルーメトキシカルボ
ニルR5は方法a)に記載したように除去することがで
きる。保護基の除去収率は理論量の約90〜99%であ
る。
式(1)の化合物は方法a)により、そして特にa)に
より製造される。
追■皇操] 塩形成基を有する式(1)の化合物の塩はそれ自体既知
の方法により製造することができる。すなわち、酸基を
有する式(I)の化合物の塩は適当な塩基との反応によ
り、例えば適当な金属化合物、例えば適当な有機カルボ
ン酸のアルカリ金属塩、例えばα一エチルカブロン酸の
ナトリウム塩、又は適当な無機アルカリ金属塩もしくは
アルカリ土類金属塩、特に、好ましくは揮発性の弱酸に
由来するそれ、例えば炭酸水素ナトリウム、又はアンモ
ニアもしくは適当な有機アミンとの塩であり、この場合
、化学量論的量又はわずかに過剰量の塩形成剤を用いる
のが好ましい。式(1)の化合物の酸付加塩は、常法に
従って、例えば酸で処理することにより又は適当な陰イ
オン交換試薬で処理することにより得られる。例えば遊
離力ルボキシル基及び遊離アミノ基を含有する式(I)
の化合物の内部塩は、例えば、塩、例えば酸付加塩を弱
塩基により等電点に中和することにより、又は液体イオ
ン交換剤による処理することにより生成せしめることが
できる。塩の形成は実質的に定量的に行われる。
塩は常法に従って実質上定量的に遊離化合物に転換する
ことができ、例えば金属塩及びアンモニウム塩は例えば
適当な酸で処理することにより、そして酸付加塩は例え
ば適当な塩基性剤で処理することにより遊離化合物に転
換することができる。
R2が水素である式(1)の化合物の反応性カルボン酸
誘導体は、反応性カルボン酸誘導体の詳細な特徴付けの
ためにすでに記載したようにして製造される。この目的
のため、例えばR1が適当なアミノ保護基でありそして
Rtが水素である式(1)の化合物から出発することが
できる。反応性カルボン酸誘導体の収率は理論量の約8
5〜98%である。
保護基の除去及び追加の工程を含めての前記の方法は特
にことわらない限り、それ自体既知の方法により、例え
ば、好ましくは不活性溶剤及び稀釈剤の存在下で、必要
により縮合剤又は触媒の存在下で、低温又は高温におい
て、例えば約−20゜C〜約iso゜C1特にo ’c
〜+70″C1好ましくは約+10’C〜約+50゜C
の温度において、主として室温で、適当な容器中でそし
て必要により不活性ガス、例えば窒素雰囲気下で行われ
る。
分子中に存在するすべての置換基を考慮して、所望によ
り、例えば容易に加水分解する基の存在下では、特に穏
和な反応条件、例えば短い反応時間、低濃度での穏和な
酸性剤及び塩基性剤、化学量論的量、適当な触媒、溶剤
、温度及び/又は圧力条件の選択が必要である。
本発明はまた、方法の任意の段階で中間体として得られ
る化合物から出発して残りの工程を行い、あるいは工程
を任意の段階で停止せしめ、あるいは出発物質を反応条
件下で生成せしめ、又は反応性誘導体又は塩の形で使用
する態様をも含む。これは好ましくは特に好ましいとし
て前に記載した化合物を導く出発物質から出発するのが
特に好ましい。
本発明はまた、例えばMerrifield合成のごと
き、特に固相でのペプチドの合成のための式(1)の化
合物の使用、特にR.がアミノ保護基、例えばペンジル
オキシカルボニル、アリルオキシ力ルボニル、tert
−ブトキシカルボニル、又は特に9一フルオレニルーメ
トキシカルボニルであり、R2が水素であり、そしてR
3が4−モノメトキシトリチル、4.4′−ジメトキシ
トリチル、又は特にトリフェニルメチル(トリチル)で
ある式(1)の化合物の使用、及びこれらの化合物の反
応性カルボン酸誘導体の使用に関する。
本発明はまた、次の式(■): ■ 0=C−NH−R:+ (式中、nは1又は2であり、R,はトリフェニルメチ
ル、4−モノメトキシートリチル又は4,4′−ジメト
キシ一トリチルである) で表わされる二価基を少なくとも1個含存する物質、そ
の製造方法、及びペプチド合成のためのその使用に関す
る。これらの物質は主としてペプチド誘導体であり、例
えばペブチド合成における中間体として製造される。従
って、これらのペプチド誘導体は合成樹脂に結合するこ
とができる。
次に、実施例により本発明を具体的に説明するが、これ
により本発明の範囲を限定するものではない。温度は゜
Cで示す。
蟇一号 But =tert−ブチル Boc =tert−ブトキシカルボニルBzl =ベ
ンジル Dhbt=3 . 4−ジヒドロ−3−ヒドロキシ−4
−オキソー1.2.3−ペンゾトリアジニノレ FAB−MS−ファスト・アトム・ボンバードメント・
質量スペクトル Pmoc=9−フルオレニルーメトキシ力ルボニルHP
LC =高圧液体クロマトグラフィーconc”濃厚 Pf9 =ペンタフルオ口フェニル Pmc = 2 . 2 , 5 , 7 . 8−ペ
ンタノチルークロマン−6−スルホニル m.p. =融点 Tcp −2 . 4 . 5−}リクロロフェニルT
HF =テトラヒド口フラン Tmob=2.4,6  hリメトキシーベンジルTr
t=}リチル(トリフェニルーメチル)Z−ペンジルオ
キシカルボニル ス』1丸LZ − A s n ( T r t ) 
− 0 813.3g  (50mmol)  のZ−
八sn−OH  ,26 g  (100mmol)の
トリフエニルメタノール、15Mの酢酸及び9. 5 
d (100mmol)の無水酢酸の混合物を50゜C
にて15分間撹拌する。0.25dの濃硫酸の添加が5
分間後に透明な黄色溶液をもたらす。1.5時間後、こ
れを冷却し、そして1.52の氷水にそそぐ。沈澱を濾
取し、水で十分に洗浄し、そして約500一の酢酸エチ
ルに溶解する。有機相を飽和塩化ナトリウム水溶液で洗
浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、そして減圧条件下で2
50gに濃縮する。250mlのヘキサンを添加するこ
とによりZ−^sn(Trt)−011が結晶化する。
融点195゜C−196゜C0尖施拠lII−Asn(
Trt)−OH1201dのメタノール及び20厩のI
M塩酸水溶液中10.2 g (20mmol)のZ−
AsnCTrt)−0Hの懸濁液を、木炭上10%パラ
ジウム0.5gの存在下で室温にて大気圧下で水素化し
た。水素の取り込みが完了した後、触媒を濾去し、そし
てメタノールで十分に洗浄し、そして濾液を減圧濃縮し
て100gの重量にした。2. 8 dのトリエチルア
ミン(20mmol)の添加の後さらに50gに濃縮し
、そして結晶性沈澱を濾取し、そしてメタノールと水と
の1:1混合物で洗浄しそして次に水により塩素がなく
なるまで洗浄した。H−Asn (Trt)−0tlは
0. 5モルの水を含有し、そして220’Cより高温
で徐々に分解する。
g  Fmoc−Asn(Trt)−OH20In1の
テトラヒドロフラン、10dの水及び1.4trdl 
(10mmol)のトリエチルアミン中3.8g(10
llmol)のH−Asn(Trt)−0Hの激しく撹
拌された溶液に、3. 4 g (10mmol)の9
−フルオレニルメチルN−サクシンイミジルカルボ不一
トを加え、そして同時に1. 4 dのトリエチルアミ
ンをpl{が8,3〜8.7になるように添加する。2
0分間後、混合物を水浴及び酢酸エチル中で冷却し、そ
して25成のIM炭酸水素ナトリウム水溶液を加える。
硫酸基がなくなるまで有機相を水で洗浄し、硫酸ナトリ
ウムで乾燥し、そして減圧下で約50gに濃縮する。
ジイソプ口プルエーテルを徐々に添加することによりF
moc−Asn (Trt)−OHを結晶化させること
ができる.融点210℃〜211 ”C (分解)。
m   FIIOC−八sn(Trt)−OH30mの
酢酸及び1.9 ml(20mmol)の無水酢酸中3
. 54 g ( 10mmo 1)のFmoc−As
n−OH及び5.2g(20m+++ol)のトリフエ
ニルメタノールの懸濁液を50″Cにて15分間撹拌し
、そして次に5−の酢酸中0.05dの濃硫酸の溶液を
加えた。50゜Cにて約1時間の後溶液が生成し、そし
て1.5時間後沈澱が生成し始めた。3時間後、この懸
濁液に200−の氷冷水を氷冷しながら徐々に加え、混
合物を短時間撹拌し、そして沈澱を濾取しそして水で十
分に洗浄した。湿った物質を酢酸エチルに溶解し、そし
て有機相を塩化ナトリウム飽和水溶液により洗浄し、硫
酸ナトリウムで乾燥し、そして減圧下で濃縮した。生成
物が結晶化を始める前に溶液を1.2一ジクロ口エタン
で稀釈し、再び濃縮し、そして50gのシリカゲルを通
して濾過した。過剰のトリフエニルメタノールを200
dの1 . 2−シクロ口エタンで溶出し、そして次に
Fn+oc−Asn (Trt) −OHを500dず
つの98:2及び96:4の1.2−ジクロ口エタン/
メタノール混合物で溶出した。蒸発乾固後の残渣を10
1dのテトラヒド口フランに溶解し、30戚の酢酸エチ
ルを加え、溶液を20gに濃縮し、そしてジイソプ口ピ
ルエーテルを加えて結晶化した。こうして得られるFm
oc−八sn(Trt)−OHの融点は210゜C〜2
11゜C(分解)である。
夫施開i シ匹口知正1α』旦 メタノールと水の9:l混合物10d中0.69gのF
moc−八sn(Trt)−0Bzlの溶液を、木炭上
10%パラジウム触媒0.07gの存在下で室温にて常
圧下で、出発物質が薄層クロマトグラム(溶剤:トルエ
ン/アセトン1:1混合物)中でもはや見えなくなるま
で水素化した。濾過によって触媒を除去した後の濾液を
蒸発せしめ、そして残渣を1.2−ジクロ口エタン/メ
タノール96:4混合物に溶解し、そして小シリカゲル
を通して濾過した。濾液を蒸発させてFmoc−Asn
 (Trt)−OHを得た。融点210゜C〜211゜
C(分解)。
出発物質は次の様にして得ることができる。
段旧l上 1.12gのH−Asp−OBzl ( 5 mmol
)及び1.05gの炭酸水素ナトリウムをジオキサン/
水9:1混合物25dに懸濁し、1.85gの固体9−
フルオレニルメチルN−サクシンイミジルカルボネート
を加え、そしてこの混合物を室温にて15時間撹拌する
。溶液を濃縮し、そして次に酢酸エチルで稀釈し、有機
相を0.5M硫酸水素ナトリウム水溶液及び水で洗浄し
、そして硫酸ナトリウムで乾燥しそして濃縮した.石油
エーテルを添加した後Pn+oc−Asp−OBzlが
結晶化した。
段囲i主 0. 8 7の1−クロロ一N,N,2−ジメチループ
ロプー1−エニルアミン(A.Devosら、J.Ch
em.Soc.Chem. Commun.Vo1 1
979、1180真)を、20dの1,2−ジクロロエ
タン中2.09gのFmoc−AspOBzlの撹拌さ
れた溶液にアルゴン雰囲気下で加える。IO分間の後、
4dの1.2−ジクロ口エタン中1.2gのトリチルア
ミンの溶液を加え、そして次にこの混合物を2時間撹拌
し、酢酸エチルで稀釈し、そして水で洗浄した。有機相
を乾燥しそして蒸発させた。残渣をクロロホルムに溶解
し、そして250gのシリカゲル上でクロマトグラフ処
理した。Pmoc−Asn(Trt)−0Bzlを含有
する両分を一緒にし、そして蒸発せしめ、生成物が非品
質泡状物として得られた。
実益貫炙Z − G l n ( T r t ) −
 0 H1. 1 dの無水酢酸(12mmol)を、
30−の酢酸中2. 8 g (10mmol)のZ−
Gln−OH及び5. 2 g (20mmol)のト
リフェニルメタノールの混合物に加え、そしてこの混合
物を50゜Cにて15分間撹拌した。次に0.05d 
(約1 a+s+ol)の濃硫酸を加え、数分間後に透
明な黄色溶液が生じた。2時間後、溶液を、撹拌及び氷
冷しなから500/dの水に滴加し、そして沈澱を濾取
しそして水で十分に洗浄した。湿った物質を酢酸エチル
に溶解し、水相を分離し、そして有機相を塩化ナトリウ
ム飽和水溶液で1回洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、
そして減圧下で20gに濃縮した。ヘキサンを少しずつ
添加することによりZ−Gin(Trt)−0Hが結晶
化した。融点161゜C〜162゜C. 実施flu  H−吐眩rrtL町 メタノール/水9:1混合物180滅及び20dのIN
塩酸水溶液中10.4 g (20mmol)のZ−G
ln(Trt)OHの懸濁液を、室温にて常圧下で、木
炭上60%パラジウム触媒0.5gの存在下で水素化し
、水素の取り込みが完了した後出発物質が溶解した。触
媒を濾取し、そしてメタノールで洗浄し、濾液を200
gに濃縮し、そして60’Cにて2. 8 ttdl 
(20mmol)のトリエチルアミンを加え、この後す
ぐに生成物は結晶化し始めた。混合物を100gに濃縮
し、そしてある時間にわたり約4℃に保持し、そして結
晶を濾取し、そして塩素がな《なるまでメタノールと水
との混合物で洗浄した.こうして得られるH−Gin(
Trt)−0Hは0. 5モルの水を含有し、ソシテ融
点は233゜C(分解)である。
ノL加d列」し Fmoc−Gin(Trt)−0H2
0dのテトラヒド口フラン及び10戚のIN水酸化ナト
リウム水溶液中4 g (10n+mol)のHG1n
 (Trt) −〇Hの半永和物の激しく撹拌された溶
液に、3.4g(10mmol)の9−フルオレニルメ
チルN−サクシンイミジルカーボネートを添加し、そし
て同時に1.4一のトリエチルアミンを滴加してpHを
約8.5とした。20分間後、この混合物を水浴中で冷
却し、酢酸エチル層で覆い、そして25dのIM硫酸水
素ナトリウム水溶液によりpH2〜2.5に酸性化した
有機相を水で中性になるまで洗浄し、硫酸ナトリウムで
乾燥し、そして減圧下で30gに濃縮した。
35−のジイソブ口ピルエーテルを少しずつ添加するこ
とにより生成物の結晶化を誘導した。長時間冷却した後
、結晶物質を濾取し、そして酢酸エチル/ジイソブ口ビ
ルエーテル1:4混合物中で1回そしてジイソブ口ビル
エーテルで3回洗浄した.高真空下60゜Cにて長時間
乾燥した後でさえFmoc−Gln (Trt)−OH
はなお0. 5モルのジイソプ口ピルエーテルを含有し
ている。融点125’Cより高い(ジイソプ口ピルエー
テルを喪失しながら徐々に融解する)。
大履拠天Fmoc−Gln(Trt)−0H300d 
(20mmo1)の酢酸中7.4gのFmoc−Gin
−Ol1及び10.4 g (40mmol)のトリフ
エニルメタノールの混合物を100゜CにてlO分間撹
拌した。0. 1 dの濃硫酸を添加した後、100゜
Cにてさらに15分間撹拌して透明な黄色溶液を得た。
これを60″Cにて減圧下で蒸発せしめ、そして次に残
渣を減圧下で10分間乾燥させた。固体残渣を60一の
酢酸に60゛Cにて溶解し、60゜Cに20分間保持し
、次に2d(20mmol)の無水酢酸を加え、そして
60゜Cにて1時間後、この混合物を減圧下で蒸発させ
た。油状残渣を60″CにてlO分間乾燥させ、次に1
00一の酢酸に溶解し、そして500IRflの氷冷水
に滴加した。沈澱を濾取し、水で十分に洗浄し、そして
酢酸エチル中に溶解し、水相を分離し、そして有機相を
塩化ナトリウム飽和水溶液で洗浄した。有機溶液を硫酸
ナトリウムで乾燥し、そして次に蒸発乾燥し、そして残
渣を50dの1,2−ジクロ口エタンに溶解し、そして
100 gのシリカゲルに適用し、そして1.2−ジク
ロ口エタン、及び2%そして次に4%のメタノールを含
有する1.2−ジクロ口エタンにより溶出した。Fmo
c−Gin (Trt)−OHを含有する両分を減圧下
で蒸発せしめ、そして生成物を酢酸エチルとジイソプ口
ピルエーテルとの混合物から結晶化する。融点125゜
Cより高い。
尖詣班則エH−Gin−Gin−Gin−Gin−Gl
n−Ser−Leu−GlOH ペプチドをMerrifield固相合成により2回、
1つの合成ではFmoc−Gfn−OHを用い、他方で
はFmocGln(Trt)−Offを用いて調製した
Novabiochem(スイス、Laufelf i
ngen)から供給された1gのいわゆるFmoc−G
ly−p−ペンジルオキシベンジルエステルーボリスチ
レン樹脂(1%架橋)〔アミノ基が9−フルオレニルー
メトキシ力ルボニル(Fmoc)により保護されている
グリシンのカルボキシル基が4−メトキシーベンジルア
ルコールによりエステル化されており、メトキシ基の炭
素原子がボリスチレン樹脂の芳香族環に連結されており
、該樹脂ジビニルベンゼンにより1%架橋されておりそ
して同時に支持体材料として役立つ〕から出発してMe
rrifield合成によりペプチド分子を組立てた。
アミノ保護基(本件の場合Fmoc基)の除去とN−F
moc保護されたアミノ酸化合物のカップリングを交互
に行うのに適した自動ペプチド合成装置を用いた。第一
段階において、Fmocc+y−p−ペンジルオキシベ
ンジルエステルーボリスチレン樹脂中のFmoc保護基
を除去し、そしてこうして得られたH−Gly−p−ペ
ンジルオキシベンジルエステルーボリスチレン樹脂にF
n+oc−Leu−OHをカップリングさせ、そして次
に更なるN−Fs+oc−アミノ酸を段階的にカップリ
ングさせ、順々に、FmocSer (Bu t)−0
1{そして次にFmoc−Gin−Of{, Fmoc
−Gln−OH+ Fa+oc−Gin−0)I+ F
moc−Gln−OH and Fmoc−Gln−O
ff、又はFmoc−Gin(Trt)−0H, Fw
oc−Gin(Trt)−0H, FmocGin(T
rt)−0H, Fmoc−Gin(Trt)−08及
びFmoc−Gln (Trt)−Oilを各場合に得
られたペプチド/樹脂中間体にカップリングさせる。個
々の段階は次のスキームに従って、各場合に約10dの
洗浄液を用い、個々の操作は特にことわらない限り室温
において行い、そして各場合において反応混合物は規則
的に振とうした。
1gの前記のFmoc−Gly/樹脂出発材料から出発
して、次の工程段階を行い各回に各段階を反復した。
1. イソブロパノールにより0.8分間1回洗浄;2
.減圧下で脱気した(ジメチルアミン不含有)ジメチル
アセタミドにより0. 5分間ずつ3回洗浄;36  
ピペリジンとジメチルアセタミドとのl:4混合物によ
り1.7分間ずつ5回処理(Fmoc保護基の除去); 4. イソプロパノールにより0.8分間1回洗浄;5
.減圧下で脱気した(ジメチルアミン不含有)ジメチル
アセタミドで0.5分間ずつ5回洗浄;6, イソブロ
パノールにより0.8分間1回洗浄;7. ピペリジン
とジメチルアセタミドとの1=4混合物で1.7分間ず
つ3回処理(Fmoc保護基の完全な除去のため); 8.減圧下で脱気した(ジメチルアミン不含有)ジメチ
ルアセタミドで0.5分間ずつ2回洗浄;9. イソプ
ロパノールで0.8分間1回洗浄;10. :$i圧下
で脱気した(ジメチルアミン不含有)ジメチルアセタミ
ドで0.5分間ずつ6回洗浄;11.インテリム中にす
でに作られたカップリング剤の添加。インテリムは次の
様にして得られる:1.4 mmolの特定のFmoc
−L−アミノ酸、l, 4 ■olの1−ヒドロキシー
IH−ペンゾトリアゾール及び1.55nusolのジ
イソプロビルカルボジイミドの4一のジメチルアセタミ
ド(ジメチルアミン不含有)中の混合物を室温に約30
分間置き、そして使用する。カップリング反応自体は室
温にて約60分間を要する。
12.無水酢酸、ビリジン及びジメチルアセタミド(ジ
メチルアミン不含有)の11:8混合物により5分間1
回アセチル化; 13.減圧下で脱気した(ジメチルアミン不含有)ジメ
チルアセタミドで0. 5分間ずつ3回洗浄;14.イ
ソブロパノールで0.8分間1回洗浄;及び 15.減圧下で脱気した(ジメチルアミン不含有)ジメ
チルアセタミドで0. 5分間2回洗浄。
最終アミノ酸がカップリングした後、上記処理段階1〜
10をFmoc基の除去の目的でもう一度行う。
Fn+oc−Gln−Otl又はFmoc−Gin(T
rt)−08による最後の5カップリング段階の各々の
収率を、Fmociの各除去に伴う副産物として生成す
る1−(9−フルオレニル)一ピペリジンにより決定し
た。この目的のため、段階3〜10からの濾液を一緒に
したものの各々を一定体積に稀釈し、そしてUV光度法
(λwax =299.8 mm、e =7,800)
により評価した。Fmoc−Gin−OHを用いる一連
の収量は99%、97%、98%、49%及び72%で
あり、そしてFfflocGln(Trt)−08を用
いた場合のそれは100%、100%、99%、99%
及び100%であった。
トリフルオ口酢酸/水/1,2−エタンジチオール(9
0:5:5)混合物約10一により8分間処理すること
により、樹脂からペプチドを除去し、反応混合物を濾過
し、濾液を減圧濃縮し、そしてジイソブ口ピルエーテル
/ヘキサンのl:1混合物によりベプチドを沈澱せしめ
そして乾燥した。
トリフルオ口酢酸/水/1,2−エタンジチオールによ
る上記の処理自体がトリチル基(存在する場合)及びt
er t−プチル基の部分的除去をもたらす。この除去
は、トリフルオロ酢酸/水/1,2一エタンジオール(
90:5:5)中でベプチドの沈澱を30゜Cにて30
分間加熱することにより完了した。トリチル保護基を用
いての又は用いない合成からの得られた粗生成物HPL
C (カラム: Nucleosil5C18. 25
0X 4. 6 mm ;移動相:A一水中0. 1%
トリフルオロ酢酸.B=アセトニトリル中0. 1%ト
リフルオロ酢酸。勾配:O→40%B/30分間;流速
1d/分;検出:  215ml)により調べた。
目的の標記化合物は17.98分間の保持時間を有して
いた。グルタミン残基のトリチル保護を用いる合成から
の粗生成物のHPLCプロフィールは、標記生成物(9
2%)のほかに18.65分の保持時間にシグナル(8
%)を示した。グルタミン残基のトリチル保護を用いな
い合成からの粗生成物のHPLCプロフィールは標記生
成物(わずか30%)のほかに18.38分の保持時間
を有するシグナル(70%)を示した。
標記ベブチドを実施例10に記載した合成のスキームに
より2回調製した。まず、保護されていないFmoc−
Asn−0}!及びPmoc−Gin−Otlを用い、
そして第二にPm6c−Asn(Trt)−011及び
Fmoc−Gln(Trt)−08を用いた, Fmo
c−Arg(Pmc)一樹脂(Novabiochem
)から出発して次のアミノ酸を逐状縮合させた:Fmo
c−ArgCPtsc>. Fraoc−G1y, F
moc−Gln or FmocGin(Trt). 
Fmoc41e, Fmoc−Asn又はFmoc−A
sn(Trt)+Fmoc−Gin or Fmoc−
Gln(Trt). Fmoc−val, Fwoc−
11e.Fmoc−Pro,  Fmoc−Tyr(B
ut)+  Fmoc−八sn  or  Fn+oc
Asn(Trt), Fmoc−Gin又はFmoc−
Gin(Trt), FmocSer(But), P
moc−Val, Fmoc−G1nor Fn+oc
−Gin(Trt)+Fmoc−Asn or Fmo
c−Asn(Trt),  Pmoc−Set(But
)+Fmoc−Arg(Pmc)及びFmoc−^rg
 (Pmc)。
トリフルオ口酢酸/水/1,2−エタンジチオール(9
0:5:5)により8分間N一末端Fmoc基の除去の
後樹脂からペプチドを除去し、そして次にトリフルオロ
酢酸/水/l,2−エタンジチオール/4−メチルメル
カプトフェノール(90:5:3:2)により30“C
にて90分間残りの保護基を除去した。合成a(トリチ
ル保護を用いる)からの粗生成物はFAB−MSにおい
て2414.1 (計算分子量2413.7)に(M+
H)’ シグナルをもたらした。
両合成(a:Asn及びGinのためにトリチル保護を
用いる; b : Asn及びGinのためにトリチル
保護を用いない)からの粗生成物のIIPLcプロフィ
ール(カラム: Nucleosil 7C18 , 
 125X 4. 6 m;移動相:A=水中0.1%
トリフルオロ酢酸:B−アセトニトリル中0. 1%ト
リフルオロ酢酸。勾配:O→90%B /30分間i1
.M/分。検出:  215mm)を第1図に示す。こ
の図中、横軸に保持時間C分)を示す。
3.35ait (23.4aemol)の2.6−ジ
クロローヘンゾイルクロリド(Pluka)を4回に分
けて5時間以内に、60M1のジメチルアセタミド中t
ogのいわゆる4−ペンジルオキシベンジルアルコール
ーポリスチレン(0.78a+mol OH/ g ;
ジビニルベンゼンにより1%架橋;ポリスチレンのフェ
ニル基は4位において4−ヒドロキシメチルフェニルオ
キシメチルにより置換されている; Novabioc
he園)、9. 3 g (15.6mmol)のFm
oc−Asn(Trt)−0H及び3.1d (38.
5mmol)のピリジンの懸濁液に添加し、そしてこの
混合物を24時間撹拌した.樹脂を濾取し、そしてメタ
ノール及び1.2−ジクロ口エタンにより非常に十分に
洗浄した.樹脂への負荷は0.48gaol/gであっ
た(測光法によるF閣ocの測定).残留OHMを無水
酢酸/ピリジン/ジメチルアセタミドi:t:sにより
アセチル化した後にペプチド合成を開始した.類似の方
法で(Fa+oc−Asn(Trt)−0Hの代りにF
moc−^sn (Tmob)−OHを用いて)F+a
oc−Asn (Tmob)一樹脂を調製した.後者は
0.44ms+ol/ gの負荷を有していた。0.5
gのFmoc−八sn(↑rt)一樹脂(0.24mm
olのAsn)及び0.5gのFmocAsn (Tm
ob)一樹脂( 0. 22mmo IのAsn)を、
実施例10に記載した合成法により次のアミノ酸1 :
 Fmoc−Trp,Fmoc−Gln(Trt)又は
Fmoc−Gin(Tmob). Fmoc−Tyr(
But),Fmoc−Lys(Boc), Fmoc−
Pro, Fmoc−八sn(Trt)又はF+oc−
Asn(Tmob), Fmoc−His(Trt),
 Fmoc−Gin(Trt)or Fa+oc−Gi
n(Tmob) 、及びFmoc− Lys(Boc)
を用いて逐次カップリングさせた。
生ずるペプチド樹脂をトリフルオロ酢酸/ジメチルスル
フィド/1,2−エタンジチオール(77:20:3)
と共に15分間振とうしてペプチドを樹脂から切り離し
た。次に、残った保護基をトリフルオロ酢酸/水/1,
2−エタンジチオール(90:5:5)により室温にて
40分間除去した。
一方においてAsn及びGln上のトリチル保護を用い
た合成から生じた粗生成物(粗生成物A)、並びに他方
においてAsn及びGin上のTmob保護を用いた合
成から生じた粗生成物(粗生成物B)をHPLC (カ
ラム: Nucleosil 5C18 .  250
X 4. 6 mm ;移動相:八一水中0.1%トリ
フルオ口酢酸.B=アセトニトリル中0. 1%トリフ
ルオロ酢酸。勾配0→90%B/30分間i1d/分。
検出:  215mm)により調べた。目的とする標記
生成物は29。8分間の保持時間を有していた。トリチ
ル保護を用いる合成からの粗生成物(粗生成物A)の肝
LCプロフィールは、標記生成物〔95%; FAB−
MSにおける(M 十H ) ” =1565.4 (
計算分子l : 1564.7)のほかに、30.9分
間の保持時間における、OH)−Asn−OH のシグナルを示した。
HPLCプロフィールは、 のシグナルのほかに、 る、 OCH3)−Asn−OH 粗生成物B (Tmob保護)の 標記化合物(わずか約8%) 33.7分間の保持時間におけ のシグナノレ(FAB−MSにおける(M+H)” =
1745.6 .計算分子量1744.9)及び他の非
常に小さい複数のシグナルを示した。
夫4  Fmoc−Asn(Trt)−0Tc10戚の
テトラヒド口フラン中1− 5 g ( 2.51mm
ol)のFmoc−八sn(Trt)−OH及び0.5
4g (2.75mmol)の2,4.5−トリクロロ
ーフェノールの溶液を0゜Cに冷却した。0. 57 
g ( 2. 75mmo l)の固体ジシクロへキシ
ル力ルポジイミドを添加し、そしてこの混合物を0゜C
にて30分間、室温にて2時間、そして再び0゜Cにて
30分間撹拌し、そして次に生じたジシクロヘキシル尿
素を濾去した。60dのへキサンを加えることにより濾
液からFmoc−八sn(Trt)−0Tcpが結晶化
した。融点133゜c〜135℃;((’r)o°=+
51.1’ (THF)。
z施炭旦エFmoc−Gin(Trt)−0Tc10 
g (15. 1maol)のF+woc−Gln(T
rt)−08−0. 5ジイソプロビルエーテル及び3
.26g (16.6mmol)の2.4.5−}リク
ロローフェノールを100dのテトラヒド口フランに溶
解し、そしてO′cに冷却した。3.41 g ( 1
6.6mmol)の固体ジシクロへキシル力ルポジイミ
ドを添加した後、0゜Cにて1時間、室温にて2時間、
そして再びO℃にて30分間撹拌した。結晶化したジシ
クロヘキシル尿素を濾去し、750dの石油エーテルを
添加することによりFmocGin(Trt)−0↑c
pを濾液からゲルとして沈澱せしめ、そして濾取し、乾
燥し、そして塩化メチレン/ヘキサンから結晶化した。
融点166゜C; 〔α〕6°=−16.1’ (T}
IF)。
夫旌桝垣=Fmoc−Asn Trt)−0Pf1− 
5 g  ( 2.51mmol)  のFmoc−A
sn(Trt)−011を15dのテトラヒド口フラン
に溶解した。0.51g (2.76m+nol)のペ
ンタフルオローフェノールを添加し、この溶液を0゜C
に冷却し、そして次に0.57g(2.76mmol)
の固体ジシクロへキシル力ルポジイミドを添加した。こ
れを0゜Cにて30分間、室温にて2時間、そして再び
0゛Cにて30分間撹拌した。
結晶化したジシクロヘキシル尿素を濾去し、そして濾液
を蒸発乾燥し、そして40m1のジイソプ口ピルエーテ
ルと共にすりつぶした。粉末状残渣を濾取し、乾燥し、
そして塩化メチレン/石油エーテルから再結晶化し、F
moc−Asn(Trt)−0Pfpを得た。
融点154−156゜C; 〔α〕6°= − 7. 
8゜(THF) .ス財l性秒ユFmoc−Gin(T
rt)−0Pf1. 5 g ( 2.27vwol)
のFmoc−Gin(Trt)−08 ・0. 5ジイ
ソプ口ビルエーテル及びO− 46 g ( 2. 5
 mmol)のペンタフルオローフェノールヲ351n
1の酢酸エチルに溶解し、0゜Cに冷却し、そして撹拌
しながら0.52 g ( 2. 5 1IIa+ol
)のジシクロへキシル力ルポジイミドを加えた。この混
合物を0゜Cにて1時間及び室温にて3時間撹拌し、そ
して不溶物を濾去し、そしてテトラヒド口フランにより
洗浄した。濾液を蒸発乾燥し、そして残渣を30rdの
テトラヒド口フランに溶解した。撹拌しながら石油エー
テルを徐々に添加してFmoc−Gin(Trt)−0
Pfpを結晶化させた。融点185゜C〜187゜C;
 〔α〕デー−16.4゜(THF)。
!IL!ニ7.    Fmoc−八sn(Trt)−
0Dhbt1. 5 g ( 2.51mmol) の
Fmoc−Asn (Trt)−OHを10一のテトラ
ヒド口フランに溶解し、そして5 mflのジメチルホ
ルムアミド中0.45g ( 2.761I+mol)
の3、4−ジヒドロ−3−ヒドロキシ−4−オキソー1
,2.3−ペンゾトリアジンの溶液と混合した。この混
合物をo ’cに冷却し、そして0.57g (2.7
6mmol)の固体ジシクロへキシルカルボジイミドを
添加し、そしてこの混合物を0゜Cにて1時間、室温に
て3時間、そして再びO℃にて1時間撹拌した。分離し
たジシクロヘキシル尿素を濾去し、濾液を蒸発乾固し、
そして残渣を30dのジイソプ口ピルエーテルと共にす
りつぶし、濾取し、そして乾燥した。粗生成物を塩化メ
チレン/ヘキサンからの沈澱により精製した。Fmoc
−Asn(Trt)−0Dhbtを非晶ftjl末とし
て得た。融点約140℃;〔α〕炉=−40.8’ (
THF)。
スJ1殊lエFmoc−Gin(Trt)−0Dhbt
1 g ( 1.51mmol)のFmoc−Gin(
Trt)−0H ・0. 5ジイソプロビルエーテルを
10dの酢酸エチルに溶解した. 0.27g ( 1
.66mmol)の3,4−ジヒドロ−3−ヒドロキシ
−4−オキソー1.2.3−ペンゾトリアジンを微粉末
の形で加え、この懸濁液をO℃に冷却した後、0.34
g ( 1.66mmol)の固体ジシクロへキシル力
ルポジイミドさらに加えた。0゜Cにて1時間撹拌した
後、さらに10mlの酢酸エチルを加え、この混合物を
室温にて3時間撹拌し、そしてジシクロへキシル尿素を
濾去しそして酢酸エチルで洗浄した。濾液を約10dに
濃縮し、そして50Inlの石油エーテルを加えること
により濃縮液からFa+oc−Gin(Trt)−0D
hbtを結晶化させた。融点約130〜133゜C;〔
α〕6°=−53.7゜(THF)。
裏巖±且エH−Asn (Trt) −OB  ・0.
 5 }1zO20g (0.1515mole)のH
−Asn−OH及び78.8g(0.303mole)
のTrt−OHを455dの酢酸に懸濁した。
9.28l!I1(0.174mole)の濃HzSO
aを加え、次に28.61RI.(0.303mole
)の無水酢酸を加え、そしてこの混合物を60゜Cにて
75分間撹拌した。約40〜50分間の後、すべてが溶
解した。910滅の氷冷水に徐々に導入することにより
反応生成物を沈澱させた。次に、850−のION N
aOHによりpHを約6に調整した。
0℃にて約1時間撹拌し、次に濾過し、水で敗回洗浄し
、そして次に、濾液がもはやTrt−OHを含有しなく
なるまでトルエンで洗浄した。生ずる標記生成物は22
0’Cより高温で徐々に分解した。
実遊雌lLuLB o c − A s n ( T 
r t ) − 0 II3.83g (10mmol
)の■−八sn (Trt)−Of{及び1. 37 
m(10mmol)のトリエチルアミンを38一の90
%濃度のテ1・ラヒドロフランに溶解した。2.2d(
10mmol)のジーLertブチルジカーボネートを
添加し、次に1.31dのトリエチルアミンを加えた。
反応を2.5時間室温にて行い、そして次にこの混合物
を250mlの酢酸エチル及び125III1のI M
 KHSO4水溶液により抽出した。有機相を中性にな
るまで沈澱し、Na.SO.により乾燥し、そして蒸発
乾固した。
この過渣をメタノール/酢酸エチル/ヘキサンから結晶
化した。融点201’C〜203゜C; 〔α〕6°一
−17.7±’ (THF)。
大旌拠■2BoC−Gin(Trt)−OH3.98g
 (1抛mol)のl−1−Gin(Trt)−0H 
 ・0. 5 HzO及び1.381n1(10mmo
+)のトリエチルアミンを60m2の90%濃度のテト
ラヒド口フランに懸濁し、次に2.28m (10.2
mmol)の(Boc) zO及びさらに1.38dの
トリエチルアミンを加え、そしてこの混合物を室温にて
2時間撹拌する。約30分間後に透明な溶液が生成する
.次に実施例20に記載したのと同様にし、但し残渣を
メタノール/CHzCez/石油エーテルから結晶化せ
しめる。融点約112゜C;〔α〕6°=−2±1 (
THF)。
【図面の簡単な説明】
第1図において、(a)はトリチル保護されたAsn及
びGlnを用いて固和合成したべブチドのHPLCの溶
出の様子を示し、(b)はトリチル保護されていないA
sn及びGinを用いて固和合成したべブチドのHPL
Cの溶出の様子を示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、次の式( I ): ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、nは1又は2であり、R_1は水素又はアミノ
    保護基であり、R_2は水素又はカルボキシ保護基であ
    り、そしてR_3はトリフェニルメチル、4−モノメト
    キシ−トリチル又は4,4′−ジメトキシ−トリチルで
    ある) で表わされる化合物、塩形成基を有する該化合物の塩、
    並びにR_2が水素である式( I )の前記化合物の反
    応性カルボン酸誘導体。 2、R_1がアミノ保護基であり、R_2が水素であり
    、そしてR_3がトリフェニルメチル、4−モノメトキ
    シ−トリチル又は4,4′−ジメトキシ−トリチルであ
    る式( I )の請求項1に記載の化合物、又はその金属
    塩もしくはアンモニウム塩。 3、R_1がベンジルオキシカルボニル、9−フルオレ
    ニル−メトキシカルボニル、アリルオキシカルボニル又
    はtert−ブトキシカルボニルであり、R_2が水素
    であり、そしてR_3がトリフェニルメチルである式(
    I )の請求項1に記載の化合物、又はその金属塩もし
    くはアンモニウム塩。 4、R_1が9−フルオレニル−メトキシカルボニルで
    ある式( I )の請求項1〜3のいずれか1項に記載の
    化合物、又はR_2が水素である該化合物の金属塩もし
    くはアンモニウム塩。 5、ベンジルオキシカルボニル−Asn(トリフェニル
    メチル)−OHである請求項1に記載の化合物、又はそ
    の金属塩もしくはアンモニウム塩。 6、9−フルオレニル−メトキシカルボニル−Asn(
    トリフェニルメチル)−OHである請求項1に記載の化
    合物、又はその金属塩もしくはアンモニウム塩。 7、H−Asn(トリフェニルメチル)−OHである請
    求項1に記載の化合物又はその塩。 8、tert−ブトキシカルボニル−Asn(トリフェ
    ニルメチル)−OHである請求項1に記載の化合物又は
    その塩。 9、ベンジルオキシカルボニル−Gln(トリフェニル
    メチル)−OHである請求項1に記載の化合物、又はそ
    の金属塩もしくはアンモニウム塩。 10、9−フルオレニル−メトキシカルボニル−Gln
    (トリフェニルメチル)−OHである請求項1に記載の
    化合物、又はその金属塩もしくはアンモニウム塩。 11、H−Gln(トリフェニルメチル)−OHである
    請求項1に記載の化合物又はその塩。 12、tert−ブトキシカルボニル−Gln(トリフ
    ェニルメチル)−OHである請求項1に記載の化合物又
    はその塩。 13、請求項2〜12のいずれか1項に記載の化合物の
    反応性カルボン酸誘導体。 14、2,4,5−トリクロロ−フェニルエステル、ペ
    ンタフルオロ−フェニルエステル、酸塩化物、対称無水
    物、1−ヒドロキシベンゾトリアゾールとのエステル、
    3,4−ジヒドロ−3−ヒドロキシ−4−オキソ−1,
    2,3−ベンゾトルアジンとのエステル又はN−ヒドロ
    キシ−5−ノルボルネン−2,3−ジカルボキシミドと
    のエステルの形態である、請求項13に記載の反応性カ
    ルボン酸エステル。 15、9−フルオレニル−メトキシカルボニル−Asn
    (トリフェニルメチル)−O−2,4,5−トリクロロ
    フェニルである請求項1に記載の化合物。 16、9−フルオレニル−メトキシカルボニル−Gln
    (トリフェニルメチル)−O−2,4,5−トリクロロ
    フェニルである請求項1に記載の化合物。 17、9−フルオレニル−メトキシカルボニル−Asn
    (トリフェニルメチル)−O−ペンタフルオロ−フェニ
    ルである請求項1に記載の化合物。 18、9−フルオロレニル−メトキシカルボニル−Gl
    n(トリフェニルメチル)−O−ペンタフルオロ−フェ
    ニルである請求項1に記載の化合物。 19、9−フルオレニル−メトキシカルボニル−Asn
    (トリフェニルメチル)−O−3,4−ジヒドロ−3−
    ヒドロキシ−4−オキソ−1,2,3−ベンゾトリアジ
    ニルである請求項1に記載の化合物。 20、9−フルオレニル−メトキシカルボニル−Gln
    (トリフェニルメチル)−O−3,4−ジヒドロ−3−
    ヒドロキシ−4−オキソ−1,2,3−ベンゾトリアジ
    ニルである請求項1に記載の化合物。 21、次の式(VII): ▲数式、化学式、表等があります▼(VII) (式中、nは1又は2であり、そしてR_3はトリフェ
    ニルメチル、4−モノメトキシ−トリチル又は4,4′
    −ジメトキシ−トリチルである)で表わされる二価基を
    少なくとも1個含有する物質。 22、次の式( I ): ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、nは1又は2であり、R_1は水素又はアミノ
    保護基であり、R_2は水素又はカルボキシル保護基で
    あり、そしてR_3はトリフェニルメチル、4−モノメ
    トキシ−トリチル又は4,4′−ジメトキシ−トリチル
    である) で表わされる化合物、塩形成基を有する該化合物の塩、
    あるいはR_2が水素である該化合物の反応性カルボン
    酸誘導体の製造方法であって、 a)次の式(II): ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (式中、R_4は水素又は反応条件下で安定なアミノ保
    護基であり、そしてn及びR_2は前記の意味を有する
    ) で表わされる化合物を、次の式(III): R_3−OH(III) (式中R_3は前記の意味を有する) で表わされる化合物と反応せしめ、そして得られた化合
    物から式( I )の目的最終生成物の部分を構成しない
    保護基を除去し;あるいは b)R_1がアミノ保護基である式( I )の化合物を
    製造するために、次の式(IV): ▲数式、化学式、表等があります▼(IV) (式中、R_2及びR_3は前記の意味を有する)で表
    わされる化合物にアミノ保護基を導入し;あるいは c)次の式(V); ▲数式、化学式、表等があります▼(V) (式中、nは前記の意味を有し、R_5は反応条件下で
    安定なアミノ保護基であり、そしてR_6は反応条件下
    で安定なカルボキシ保護基である)で表わされる化合物
    を、次の式(VI): R_3−NH_2 (式中、R_3は前記の意味を有する) で表わされる化合物と反応せしめ、そして得られた化合
    物から式( I )の目的最終生成物の部分を構成しない
    保護基を除去し; そして所望により、方法a)、b)、又はc)のいずれ
    かを行った後、塩形成基を有する式( I )の得られる
    化合物をその塩に転換し、又は得られる塩を遊離化合物
    に転換し、又はR_2が水素である式( I )の得られ
    る化合物を反応性カルボン酸誘導体に転換する; ことを特徴とする方法。 23、R_4がベンジルオキシカルボニル又は9−フル
    オレニル−メトキシカルボニルである式(II)の化合物
    を、適当な有機溶剤中、触媒量の無水強ルイス酸の存在
    下、及び脱水剤の存在下で、+20℃〜+70℃におい
    て反応せしめることを特徴とする、請求項22に記載の
    方法。 24、請求項1〜20のいずれかに記載の、R_2が水
    素である式( I )の化合物又はその反応性カルボン酸
    誘導体を使用することを特徴とする、固相上でのペプチ
    ドの合成方法。
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