JPH02289537A - 光学活性6―t―ブトキシ―3,5―ジヒドロキシヘキサン酸エステルの製造法 - Google Patents
光学活性6―t―ブトキシ―3,5―ジヒドロキシヘキサン酸エステルの製造法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
[産業上の利用分野1
本発明は、医桑の合成原料の中間体として有用な光学活
性6−L−ブトキシ−3,5−ジヒドロキシヘキサン酸
エステルの製造法に関する。 [従来の技術] 6−L−ブトキシ−3,5−ジヒドロキシヘキサン酸エ
ステルの3位、5位の立体配置がそれぞれIRI 、
IsIである化合物は、コレステロール低下剤として注
目されているコンパクチンならびにメビノリンの化学構
造のラクトンの部分に容易に変換できることが知られて
いる(に、Prasadら:”Tetrahedron
Lett、 −、25,339111984))。こ
のラクトン部はコレステロール生合成をm!1する主要
酵素の一つである3−ヒドロキシ−3−メチルグルタリ
ル−CoA還元酵素の阻害剤の活性部分であると推定さ
れており、このラクトン部を有する多くの類縁体が合成
されている。 (J、 R,PROIIS編: −D
RUGS OF THt FUTURE″VOL、 1
2.No、 5.437光学活性な6−L−ブトキシ−
3,5−ジヒドロキシヘキサン酸エステルの合成に使用
できる方〆五としては、天然物の糖類であるD−グルコ
ースを利用して光学活性な1.3−ジオール体を合成す
る方法(T、 Leeら: “TeLrahedron
1.eLL。 26.4995(1985)、Y、Yangら: −
Tetrahedron LeLL。 ■、4305119821 )がある、また、2カ所の
不斉炭素原子を一つずつ構築する方法として、特定な反
応剤としてトリアルキルボロンを用いてジアステレオ選
択的に還元する方法(に、Chenら:”’reLra
hedron Left、 、 28.155(19
871) 、不斉アルドール反応による方法(J、 E
、 Lynchら:”Tetrahedron LeL
L、 ” 、 28.13811987)) 、不
斉エポキシ化を利用する方法(に、 Prasadら:
“Tetrahedron 1.eLL、 −、25,
339H19841) 、微生物を用いる方法i p、
R,0rtizo De MonLellanoら、
m、、^m、Chem、Soc、−、98,2018i
19761)等がある。 [発明が解決しようとする課題] 光学活性1.3−ジオールを得るために、出発原料に天
然物を用いる場合には目的物までの反応工程が艮い等の
欠点がある。また、出発原料の光学活性体を光学分割に
より人手する方法では、鏡像体が不要となり生産効率に
問題がある。更に。 微生物を用いる方法では、生成物のη体装置が限られて
いる例が多く、菌体と生成物の分離操作が煩雑である等
の欠点がある6本発明の1.3−ジオール体の合成にお
いて、糖類を原料とする以外では、lカ所の不斉点を利
用してもう1カ所の不斉点を誘起させるジアステレオ選
択的な方法を用いる手法があるが、この立体制御におい
ては一般に高価な試薬を必要とする。 本発明は、6−t−ブトキシ−3,5−ジヒドロキシヘ
キサン酸エステルの有利な製造法を提供しようとするも
のである。 [課題を解決するための手段〕 本発明者らは、上記の課題を解決しようとして研究を重
ねた結果。 (1)ジケテンから容易に合成できる4−t−ブトキシ
−アセト酢酸エステルを、ルテニウム−光学活性ホスフ
ィシ錯体を触媒とする不斉水素化反応で光学活性な4−
t−ブトキシ−3−ヒドロキシブタン酸ニスデルとし。 (2)つづいて酢酸ニスデルのリチウムエノラートとの
反応により光学活性な6−L−ブトキシ−5=ヒドロキ
シ−3−オキソ−ヘキサ〉酸エステルに誘導した後、 (3)更に、ルデニウムー光学活性ホスフィン錯体を触
媒としてジアスデレオ選択的水素化を行うこと によって収率よく、かつ、立体選択的に目的とする6−
し−ブトキシー3.5−ジヒドロキシヘキサン酸エステ
ルを有利に製造する方法を見出し、本発明を完成した。 本発明は、・数式(+) (ただし1式中の R1は低級アルキル基、 t−Buは(−ブチル基を示す) で表わされる4−L−ブトキシアセト酢酸ニスデルを1
次の一般式(l!) Ru (R” −B I NAP)(0,CRJ)。 (■1) (ただし1式中の R”−BINAPは式(10) %式%) で表わされる光学活性4−t−ブトキシ−3−ヒドロキ
シブタン酸ニスデルを得、これと酢酸エステルのリチウ
ムエノラートを反応させて、 数式で表される三級ホス
フィンを示し。 [?2は水素原子またはメチル基を示し。 R″は低級アルキル基またはトリフロロメチル基を示す
) で表わされるルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を触
媒として不斉水素化を行い、・数式(1■)(ただし、
式中のR1とt−Buは上記と同じ意(ただし1式中の R“は低級アルキル基を示し、 し−Buは上記と同じ、仏式を有する)で表される光学
活性6−し−ブトキシ−5−ヒドロキシ−3−オキソヘ
キサン酸ニスデルとし、次に・数式(Vl) Rug Cfi、(R”−BINAP)2 (NEL
、)(Vl) (ただし、式中の R”−BINAPは上記と同じ意義を有し、ELはエチ
ル基を示す) で表わされるルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を触
媒として不斉水素化を行うことを特徴とする−数式(■
) (ただし1式中のR4およびt−Buは上記と同じ意義
を有する) で表わされる光学活性6−L−ブトキシ−3,5−ジヒ
ドロキシヘキサン酸エステルの製造法を提供するもので
ある。 (原 料) 本発明に用いられる原料である化合物(1)は、市場で
容易に人手できる4−クロロアセト酢酸エステルからり
、 5eebachら: “5ynthesis371
19863に記載の方法で得ることができる。 (11)式のルテニウム−光学活性ホスフィン錯体Ru
(R” B INAP)(Ox CR” )(II
) は、特開昭62−265293号公報で開示されている
方法により得ることができる。すなわち、以下に記述1
“る Rug Cjl、(R”−BINAP)! (NEi
)とカルボン酸塩をメタノール、エタノール、しブタ
ノール等のアルコール溶媒中で反応させたのち、溶媒を
留去し、エーテル、エタノール等の溶媒で抽出して錯体
を得る。またトリフロロアセテート基を有する錯体は、
上記のようにして得たRu (R” −B INAP)
(Os CR’ )gにトリフロロ酢酸を、溶媒として
の塩化メチレン中で反応させることにより得られる。(
!1)式のルデニウムー光学活性ホスフィン錯体の例と
して1次のものが挙げられる。 Ru(BINAP)(OxCCH3)。 [BINAPは、2.2’−ビス(ジフェニルホスフィ
ノ)−1,1’ −ビナフチルを意味する〕 Ru (Tojl BINAP)(Oa CCHs
)2[ToI2−B I NAPは2.2°−ビス(ジ
−p−トリルホスフィノ)−1,1’ −ビナフチルを
意味する] Ru (B I NAP)(Os CCF−)=Ru(
Toε−B I NAP)(0,CCF、)。 また、(■)式のルテニウム−光学活性ホスフィン錯体 Rux Cjl−(R”−B I NAP)t (N
Eu3)は、T、 Ikariyaら: −J、Che
m、Soc、、 Che+w。 Commun、 ” 922(19851及び特開昭6
1−63690号公報で開示されている方法により得る
ことができる。すなわち、ルテニウムクロライドとシク
ロオクタ−1,5−ジエン(以下、CODと略記する、
)をエタノール溶液中で反応させることにより得られる
[ Ru CRz (COD ) ] nとR”−B
INAPをトリエチルアミンの存在下でトルエンまたは
エタノール等の溶媒中で加熱反応させることにより得ら
れる。 (Vl)式のルテニウム−光学活性ホスフィン錯体の例
として次のものが挙げられる。 Ru、C14(BINAP)g (NEt−)Ru=
CB−(ToI2− B I NAP ) xlNE
L31上にあげたルテニウム−光学活性ホスフィン錯体
中のホスフィン誘導体は、それぞれ鏡像体を有している
が、それらの表示は省略した。 (操作方法) 本発明を実施するには%4−t−ブトキシアセト酢酸エ
ステル(1)を、メタノール、エタノール、イソプロパ
、ノール等のアルコール溶媒に溶かしておき、つづいて Ru (R” −B I NAP)(Ox CR’ )
z(■1)を基質1モルに対してO,lないし0.00
1:eル、好ましくは、0.01ないし0.002モル
を添加し、水素圧5ないし150k g / c m’
、好ましくは30ないし70 k g / cdで1反
発温度25ないし100℃で基質が完全に消費されるま
で水素化を行い、光学活性4−1゜−ブトキシ−3−ヒ
ドロキシブタン酸エステル(+V )を得る。次に、T
、 E、 LinLhらの−TeLrahedron
LelL、−、28,1385(19871に記載の方
法により用意した酢酸エステルのエルレートと、光学活
性4−L−ブトキシ−3−ヒドロキシブタン酸エステル
(1v)をテトラヒドロフラン溶媒中1反発温度−50
℃(すなわち零下50℃)で反応させた後、常法により
処理して6−t−ブトキシー5−ヒドロキシ−3−オキ
ソヘキサン酸エステル(V)を得る。 こうして得た6−t−ブトキシ−5−ヒドロキシ−3−
オキソヘキサン酸エステル(Vlをメタノール、エタノ
ール、イソプロパツール等のアルコール溶媒に溶かして
おき、この中に Rus Cl2− (R”−B I NAP ) *
(NE us )(Vl)を基質1モルに対してO
,Iないし0.001モル、好ましくは、O,Olない
し0.002モルを添加し、水素圧10ないし120
k g / c m’、好ましくは50ないし100k
g / c m’ 、反応温度5ないし100℃、好
ましくは30ないし50℃で水素化を行い、溶媒を留去
した後、残置をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで
精製して5目的とする光学活性6− t、−ブトキシ−
3,5−ジヒドロキシヘキサン酸エステル(■)を得た
。 本発明において、原料の4−1−ブトキシアセト酢
酸エステルのエーテル基としてt−ブチル基を用いる理
由は、例えばベンジル基、トリアルキルシリル基等も保
護基として用いることができるが、次の工程において最
も安定かつ高収率を与える保護基としてt−ブチル基が
優れている。また、最後の工程であるジアステレオ選択
的不斉水素化で、光学活性5yn−ジオール体(■)を
得るためには、基質(V)の5位の炭素原子の立体配置
が(Slの場合、(R)B I NAPをルテニウムに
組み合わせることが必須となり、また、(R)の場合に
は(S)−BNAPをルテニウムに組み合わせることが
必要である。 〔実施例] 次に実施例により本発明を説明するが、本発明は下記の
実施例に制限されるものではない。 なお、実施例中の分析は1次の分析機器を用いて行った
。 ガスクロマトグラフィー二島1ac−9A(株式会社島
津製作所製) カラム、0V−101シリカキヤピラリーφ o、
25mmX25m (ガスクロ工業株式会社製) 測定温度:100ないし250℃で10℃/分で昇温 高速液体クロマトグラフィー: 日立を皮体クロマトグラフィーL−6000(株式会社
日立製作所製) カラム:デヴエロシル(Develosil) I
00−φ 4. 6mmX250mm (野村化学株式会社製) 展開溶媒:エーテル:ヘキサン=l:91mβ/分 検出器:UV検出器 L−4000 (UV−254nm) (株式会社日立製作所製) 実施例1 あらかじめ窒素置換した三方コック付100mJ2のナ
ス型フラスコに、 Ru((R)−BINAPI (0
*CCl1.L90階g (0,106ミリモル)を
はかりとり、4−t−ブトキシ−3−オンーブタン酸メ
チルエステル20g (106ミリモル)とメタノール
60mβを加えて溶液とした。あらかじめ窒素置換した
200mI2のオートクレーブに上記の溶液を加え、水
素圧100 k g / c m”、反応温度30℃で
16時間攪拌し、水素化を行い、溶媒を留去し、残留物
を減圧蒸留し、無色透明の(3S)−4−t−ブトキシ
−3−ヒドロキシブタン酸メチルエステル21.1gを
得た。収率100 %。 沸点=78℃72 m m Hg ’HNMRl5ppnn: 1.20(s、9H12、
50(d、 J・711z、 2H)3、31 (d、
JII6Hz、 2旧3、65 (s、3H) 、
4.10 (m、 I旧、得られた(3S)−4−t
−ブトキシ−3−ヒドロキシブタン酸メチルエステルを
(R)(+)−a−メトキシ−〇−トリフルオロメチル
フェニルアセチルク′ロライドと反応させてエステル体
を合成し、高速液体クロマトグラフィーで分折を行った
結果、(3S)−4−t−ブトキシ−3−ヒドロキシブ
タン酸メチルエステル98.2%と(3R) −4−t
−ブトキシ−3−ヒドロキシブタン酸メチルエステル!
、8%の混合物であり、(3S)−4−t−ブトキシ−
3−ヒドロキシブタン酸メチルエステルの光学純度は9
6.4%eeであった。 実施例2 あらかじめ窒素置換した三方コック付100mAのナス
型フラスコに、(Ru ((S) −To l −B
INAPI(LCCFsL 6.I mg (0,06
6ミリモル)をはかりとり、4−t−ブトキシ−3−オ
ンーブタン酸メチルエステルIg(7ミリモル)とメタ
ノール50mβを加えて溶液とした。あらかじめ窒素置
換した100mJ!のオートクレーブに上記の溶液を加
え、水素圧100kg/crn”、反応温度30℃で1
6時間攪拌し、水素化を行い、溶媒を留去し、残留物を
減圧蒸留し、無色透明の(3R)−4−t−ブトキシ−
3−ヒドロキシブタン酸メチルエステル649mgを得
た。収率65%。 得られた(3R)−4−t−ブトキシ−3−ヒドロキシ
ブタン酸メチルエステルを実施例1と同様にして、(R
)−(+)−a−メトキシ−〇−トリフルオロメチルフ
ェニルアセチルクロライドと反応させ、エステル体とし
た後、高速液体クロマトグラフィーで分析を行った結果
、(3R)−4−t−ブトキシ−3−ヒドロキシブタン
酸メチルエステルの光学純度は96.4%eeであった
。 実施例3 あらかじめ窒素置換した三方コック付100m1&のナ
ス型フラスコに、 Ru((R)−BINAPI (0
,CCll5L 90mg (0,I 06ミリモル)
をはかりとり、4−t−ブトキシ−3−オンーブタン酸
メチルエステル20g (106ミリモル)とエタノー
ル60mI2を加え溶液とした。あらかじめ窒素2換し
たI 00mI2のオートクレーブに上記の溶液を加え
、水素圧100 k g/ ctrl、反応温度30℃
で18時間攪拌し、水素化を行い、溶媒を留去し、残留
物を減圧蒸留し、無色透明の(3S)−4−t−ブトキ
シ−3−ヒドロキシブタン酸メチルエステル20gを得
た。収率95%。 得られた(3S)−4−t−ブトキシ−3−ヒドロキシ
ブタン酸メチルエステルな実施例1と同様にして、(R
)−(+)−a−メトキシ−a−トリフルオロメチルフ
ェニルアセチルクロライドと反応させ、エステル体とし
た後、高速液体クロマトグラフィーで分析を行った結果
、(3S)−4−t−ブトキシ−3−ヒドロキシブタン
酸メチルエステルの光学純度は90%eeであった。 実施例4 聚1 三頚フラスコに滴下ロート、温度計を付け、テトラヒド
ロフラン80mβを加え、氷水中で冷却して0℃とし、
これにリチウムジイソプロピルアミド60m12(60
ミリモル)を加え、さらに滴下ロートから酢酸t−ブチ
ルエステル6.7mA(50ミリモル)をテトラヒドロ
フラン15m2に溶かした溶液を、30分間で加えた。 滴下終了後、15分間攪拌して酢酸t−ブチルエステル
のリチウムエノラートを合成した0反応液をドライアイ
ス−アセトン中で冷却して一50℃にし、実施例1で得
た(3S) −4−t−ブトキシ−3−ヒドロキシブタ
ン酸メチルエステル3.3g (16,5ミリモル)を
テトラヒドロフラン15+nJlに溶かしたものを、滴
下ロートか620分間で加えた。さらに1時間30分間
攪拌した0反応の終了をガスクロマトグラフィーで確認
した後、飽和塩化アンモニウム水30mAとエーテル1
00mβを加えて抽出した。有機層を無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥後、溶媒を留去した。残置をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー(工一チル:ヘキサン=I:りで
精製し、(5S)−6−t−ブトキシ−5−ヒドロキシ
−3−オキソヘキサンfIit−ブチルエステル2.3
gを得た。 収率46%、このものの機器分析値は次のとおりである
。 HNMRδppm: 1.10(s、9旧 、 1
.45(s、9旧、2、65 (d、 J・6)1z、
2H13,35Id、 J・6Hz、 2旧 3.40(s、3H1、4,15(m、l1ll、実施
例5 あらかじめ窒素置換した三方コック付100rr+J2
のナス型フラスコに、Rug C12m ((RIBI
NAP)2 (NEt*ll 5mg (0,009ミ
リモル)をはかりとり、実施例4で合成した(5S)6
−t−ブトキシ−5−ヒドロキシ−3−オキソヘキサン
酸し一ブチルエステル500mg (1,75ミリモル
)とメタノール60mβを加えて溶液とした。あらかじ
め窒素置換した100mβのオートクレーブに上記の溶
液を加え、水素圧50 k g / c m” 、反応
温度30℃で16時間攪拌し、水素化を行った。溶媒を
留去し、残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
(エーテル:ヘキサン=5:I)で精製し、(3R,5
S)−6−t−ブトキシ−3,5−ジヒドロキシヘキサ
ン&2し一ブチルエステル340mgを得た。収率68
%、このものの機器分析値は次のとおりである。 ’IINMRδppm: 1.18(s、9)1t
、 1.42(s、9H1゜、65(d、J・6t
lz、2旧 2.35(d、J・7)1z、 2H13、25(d、
J駕511z、 2)1)4、05 (a+、 2旧 得られた(3R,5S)−6−t−ブトキシ−3,5−
ジヒドロキシヘキサン酸t−ブチルエステルをアセトン
ジメチルアセタールと反応させ、アセタールを合成し、
ガスクロマトグラフィーで分析を行った結果、(3R,
5S)−6−t−ブトキシ−3,5−ジヒドロキシヘキ
サン酸し一ブチルエステル91%、(3S、5S)−6
−t−ブトキシ−3,5−ジヒドロキシヘキサン酸し一
ブチルエステル9%の比率であった。したがって、(3
R,5S)−6−t−ブトキシ−3,5−ジヒドロキシ
ヘキサン酸し一ブチルエステルのジアステレオ選択性は
82%deであった。 実施例6 聚1 実施例5と同様にしてRui C12−((S)−To
l−BINAPlx(NELsl I 5.8mg
(0,009ミリモル)を計りとり、実施例4で合成し
た(5S)−6−t−ブトキシ−5−ヒドロキシ−3−
オキソヘキサン酸し一ブチルエステル500mg (1
,75ミリモル)とメタノール50m℃を加え溶液とし
た。あらかじめ窒素rIt換した100mj!のオート
クレーブに上記の溶液を加え、水素圧50kg/crn
”、反応温度30℃で21時間攪拌し、水素化を行った
。溶媒を留去し、残留物をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー(エーテル:ヘキサン=5:りで精製し、(3
3,5S)−a−t−ブトキシ−3,5−ジヒドロキシ
ヘキサンMF、−ブチルエステル345mgを得た。収
率70%。実施例5と同様の方法でジアステレオ選択性
を測定したところ、(3S、5S)−6−t−ブトキシ
−3,5−ジヒドロキシヘキサン酸し一ブチルエステル
のジアステレオ選択性は71%deであった。 実施例7 実施例4において、酢@1.−ブチルエステルに替えて
酢酸メチルエステルを用いて同様な操作により合成した
(5S)−6−t−ブトキシ−5−ヒドロキシ−3−オ
キソヘキサン酸メチルエステルを用いた。すなわち、実
施例5と同様にしてRug C12,1(R)−BIN
APlx(NEtsl I 6 、9 m g (0
,01ミリモル)を計りとり、(5S)−6−し=ブト
キシー5−ヒドロキシー3−オキソヘキサン酸メチルエ
ステル500mg (2,15ミリモル)とメタノール
50+nRを加え溶液とした。 あらかじめ窒素置換した100mI2のオートクレーブ
に上記の溶液を加え、水素圧50 k g / c rri’、反応温度30℃で21時間
攪拌し、水素化を行った。溶媒を留去し、残留物をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィー(エーテル:ヘキサン
=5:I)て精製し、(3R,5S)−6−し−ブトキ
シ−3,5−ジヒドロキシヘキサン酸メチルエステル3
23mgを得た。収率65%。 このものの機器分析値は次のとおりである。 墨11 NMRδ ppm: 1.201g、9
旧2、40 (d、 J・7Hz、 2)1)3、2
5 (d、 J・5Hz、 2H)3、 TOig、
3H) 4.10(驕621 実施例5と同様の方法でジアステレオ選択性を測定した
ところ、(3R,5S)−6−t−ブトキシ−3,5−
ジヒドロキシヘキサン酸メチルエステルのジアステレオ
選択性は65%deであった。 実施例8 1】 実施例5と同様にしてRu5C12a ((R)−BI
NAP) x(NELsll 5mg (0,009ミ
リモル)を計りとり、実施例4で合成した(5S)−6
−t−ブトキシ−5−ヒドロキシ−3−オキソヘキサン
酸し一ブチルエステル500mg (1,75ミリモル
)とエタノール50mβを加え溶液とした。あらかじめ
窒素置換した100mβのオートクレーブに上記の溶液
を加え、水素圧50 k g / c m″、反応温度
30℃で16時間攪拌し、水素化を行った。溶媒を留去
し、残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(エ
ーテル:ヘキサン=5:l)で精製し、(3R,5S)
−6−t−ブトキシ−3,5−ジヒドロキシヘキサン酸
し一ブチルエステル300mgを得た。収率60%。 実施例5と同様の方法でジアステレオ選択性を測定した
ところ、(3R,5S) −6−t−ブトキシ−3,5
−ジヒドロキシヘキサン酸し一ブチルエステルのジアス
テレオ選択性は60%deであった。
性6−L−ブトキシ−3,5−ジヒドロキシヘキサン酸
エステルの製造法に関する。 [従来の技術] 6−L−ブトキシ−3,5−ジヒドロキシヘキサン酸エ
ステルの3位、5位の立体配置がそれぞれIRI 、
IsIである化合物は、コレステロール低下剤として注
目されているコンパクチンならびにメビノリンの化学構
造のラクトンの部分に容易に変換できることが知られて
いる(に、Prasadら:”Tetrahedron
Lett、 −、25,339111984))。こ
のラクトン部はコレステロール生合成をm!1する主要
酵素の一つである3−ヒドロキシ−3−メチルグルタリ
ル−CoA還元酵素の阻害剤の活性部分であると推定さ
れており、このラクトン部を有する多くの類縁体が合成
されている。 (J、 R,PROIIS編: −D
RUGS OF THt FUTURE″VOL、 1
2.No、 5.437光学活性な6−L−ブトキシ−
3,5−ジヒドロキシヘキサン酸エステルの合成に使用
できる方〆五としては、天然物の糖類であるD−グルコ
ースを利用して光学活性な1.3−ジオール体を合成す
る方法(T、 Leeら: “TeLrahedron
1.eLL。 26.4995(1985)、Y、Yangら: −
Tetrahedron LeLL。 ■、4305119821 )がある、また、2カ所の
不斉炭素原子を一つずつ構築する方法として、特定な反
応剤としてトリアルキルボロンを用いてジアステレオ選
択的に還元する方法(に、Chenら:”’reLra
hedron Left、 、 28.155(19
871) 、不斉アルドール反応による方法(J、 E
、 Lynchら:”Tetrahedron LeL
L、 ” 、 28.13811987)) 、不
斉エポキシ化を利用する方法(に、 Prasadら:
“Tetrahedron 1.eLL、 −、25,
339H19841) 、微生物を用いる方法i p、
R,0rtizo De MonLellanoら、
m、、^m、Chem、Soc、−、98,2018i
19761)等がある。 [発明が解決しようとする課題] 光学活性1.3−ジオールを得るために、出発原料に天
然物を用いる場合には目的物までの反応工程が艮い等の
欠点がある。また、出発原料の光学活性体を光学分割に
より人手する方法では、鏡像体が不要となり生産効率に
問題がある。更に。 微生物を用いる方法では、生成物のη体装置が限られて
いる例が多く、菌体と生成物の分離操作が煩雑である等
の欠点がある6本発明の1.3−ジオール体の合成にお
いて、糖類を原料とする以外では、lカ所の不斉点を利
用してもう1カ所の不斉点を誘起させるジアステレオ選
択的な方法を用いる手法があるが、この立体制御におい
ては一般に高価な試薬を必要とする。 本発明は、6−t−ブトキシ−3,5−ジヒドロキシヘ
キサン酸エステルの有利な製造法を提供しようとするも
のである。 [課題を解決するための手段〕 本発明者らは、上記の課題を解決しようとして研究を重
ねた結果。 (1)ジケテンから容易に合成できる4−t−ブトキシ
−アセト酢酸エステルを、ルテニウム−光学活性ホスフ
ィシ錯体を触媒とする不斉水素化反応で光学活性な4−
t−ブトキシ−3−ヒドロキシブタン酸ニスデルとし。 (2)つづいて酢酸ニスデルのリチウムエノラートとの
反応により光学活性な6−L−ブトキシ−5=ヒドロキ
シ−3−オキソ−ヘキサ〉酸エステルに誘導した後、 (3)更に、ルデニウムー光学活性ホスフィン錯体を触
媒としてジアスデレオ選択的水素化を行うこと によって収率よく、かつ、立体選択的に目的とする6−
し−ブトキシー3.5−ジヒドロキシヘキサン酸エステ
ルを有利に製造する方法を見出し、本発明を完成した。 本発明は、・数式(+) (ただし1式中の R1は低級アルキル基、 t−Buは(−ブチル基を示す) で表わされる4−L−ブトキシアセト酢酸ニスデルを1
次の一般式(l!) Ru (R” −B I NAP)(0,CRJ)。 (■1) (ただし1式中の R”−BINAPは式(10) %式%) で表わされる光学活性4−t−ブトキシ−3−ヒドロキ
シブタン酸ニスデルを得、これと酢酸エステルのリチウ
ムエノラートを反応させて、 数式で表される三級ホス
フィンを示し。 [?2は水素原子またはメチル基を示し。 R″は低級アルキル基またはトリフロロメチル基を示す
) で表わされるルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を触
媒として不斉水素化を行い、・数式(1■)(ただし、
式中のR1とt−Buは上記と同じ意(ただし1式中の R“は低級アルキル基を示し、 し−Buは上記と同じ、仏式を有する)で表される光学
活性6−し−ブトキシ−5−ヒドロキシ−3−オキソヘ
キサン酸ニスデルとし、次に・数式(Vl) Rug Cfi、(R”−BINAP)2 (NEL
、)(Vl) (ただし、式中の R”−BINAPは上記と同じ意義を有し、ELはエチ
ル基を示す) で表わされるルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を触
媒として不斉水素化を行うことを特徴とする−数式(■
) (ただし1式中のR4およびt−Buは上記と同じ意義
を有する) で表わされる光学活性6−L−ブトキシ−3,5−ジヒ
ドロキシヘキサン酸エステルの製造法を提供するもので
ある。 (原 料) 本発明に用いられる原料である化合物(1)は、市場で
容易に人手できる4−クロロアセト酢酸エステルからり
、 5eebachら: “5ynthesis371
19863に記載の方法で得ることができる。 (11)式のルテニウム−光学活性ホスフィン錯体Ru
(R” B INAP)(Ox CR” )(II
) は、特開昭62−265293号公報で開示されている
方法により得ることができる。すなわち、以下に記述1
“る Rug Cjl、(R”−BINAP)! (NEi
)とカルボン酸塩をメタノール、エタノール、しブタ
ノール等のアルコール溶媒中で反応させたのち、溶媒を
留去し、エーテル、エタノール等の溶媒で抽出して錯体
を得る。またトリフロロアセテート基を有する錯体は、
上記のようにして得たRu (R” −B INAP)
(Os CR’ )gにトリフロロ酢酸を、溶媒として
の塩化メチレン中で反応させることにより得られる。(
!1)式のルデニウムー光学活性ホスフィン錯体の例と
して1次のものが挙げられる。 Ru(BINAP)(OxCCH3)。 [BINAPは、2.2’−ビス(ジフェニルホスフィ
ノ)−1,1’ −ビナフチルを意味する〕 Ru (Tojl BINAP)(Oa CCHs
)2[ToI2−B I NAPは2.2°−ビス(ジ
−p−トリルホスフィノ)−1,1’ −ビナフチルを
意味する] Ru (B I NAP)(Os CCF−)=Ru(
Toε−B I NAP)(0,CCF、)。 また、(■)式のルテニウム−光学活性ホスフィン錯体 Rux Cjl−(R”−B I NAP)t (N
Eu3)は、T、 Ikariyaら: −J、Che
m、Soc、、 Che+w。 Commun、 ” 922(19851及び特開昭6
1−63690号公報で開示されている方法により得る
ことができる。すなわち、ルテニウムクロライドとシク
ロオクタ−1,5−ジエン(以下、CODと略記する、
)をエタノール溶液中で反応させることにより得られる
[ Ru CRz (COD ) ] nとR”−B
INAPをトリエチルアミンの存在下でトルエンまたは
エタノール等の溶媒中で加熱反応させることにより得ら
れる。 (Vl)式のルテニウム−光学活性ホスフィン錯体の例
として次のものが挙げられる。 Ru、C14(BINAP)g (NEt−)Ru=
CB−(ToI2− B I NAP ) xlNE
L31上にあげたルテニウム−光学活性ホスフィン錯体
中のホスフィン誘導体は、それぞれ鏡像体を有している
が、それらの表示は省略した。 (操作方法) 本発明を実施するには%4−t−ブトキシアセト酢酸エ
ステル(1)を、メタノール、エタノール、イソプロパ
、ノール等のアルコール溶媒に溶かしておき、つづいて Ru (R” −B I NAP)(Ox CR’ )
z(■1)を基質1モルに対してO,lないし0.00
1:eル、好ましくは、0.01ないし0.002モル
を添加し、水素圧5ないし150k g / c m’
、好ましくは30ないし70 k g / cdで1反
発温度25ないし100℃で基質が完全に消費されるま
で水素化を行い、光学活性4−1゜−ブトキシ−3−ヒ
ドロキシブタン酸エステル(+V )を得る。次に、T
、 E、 LinLhらの−TeLrahedron
LelL、−、28,1385(19871に記載の方
法により用意した酢酸エステルのエルレートと、光学活
性4−L−ブトキシ−3−ヒドロキシブタン酸エステル
(1v)をテトラヒドロフラン溶媒中1反発温度−50
℃(すなわち零下50℃)で反応させた後、常法により
処理して6−t−ブトキシー5−ヒドロキシ−3−オキ
ソヘキサン酸エステル(V)を得る。 こうして得た6−t−ブトキシ−5−ヒドロキシ−3−
オキソヘキサン酸エステル(Vlをメタノール、エタノ
ール、イソプロパツール等のアルコール溶媒に溶かして
おき、この中に Rus Cl2− (R”−B I NAP ) *
(NE us )(Vl)を基質1モルに対してO
,Iないし0.001モル、好ましくは、O,Olない
し0.002モルを添加し、水素圧10ないし120
k g / c m’、好ましくは50ないし100k
g / c m’ 、反応温度5ないし100℃、好
ましくは30ないし50℃で水素化を行い、溶媒を留去
した後、残置をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで
精製して5目的とする光学活性6− t、−ブトキシ−
3,5−ジヒドロキシヘキサン酸エステル(■)を得た
。 本発明において、原料の4−1−ブトキシアセト酢
酸エステルのエーテル基としてt−ブチル基を用いる理
由は、例えばベンジル基、トリアルキルシリル基等も保
護基として用いることができるが、次の工程において最
も安定かつ高収率を与える保護基としてt−ブチル基が
優れている。また、最後の工程であるジアステレオ選択
的不斉水素化で、光学活性5yn−ジオール体(■)を
得るためには、基質(V)の5位の炭素原子の立体配置
が(Slの場合、(R)B I NAPをルテニウムに
組み合わせることが必須となり、また、(R)の場合に
は(S)−BNAPをルテニウムに組み合わせることが
必要である。 〔実施例] 次に実施例により本発明を説明するが、本発明は下記の
実施例に制限されるものではない。 なお、実施例中の分析は1次の分析機器を用いて行った
。 ガスクロマトグラフィー二島1ac−9A(株式会社島
津製作所製) カラム、0V−101シリカキヤピラリーφ o、
25mmX25m (ガスクロ工業株式会社製) 測定温度:100ないし250℃で10℃/分で昇温 高速液体クロマトグラフィー: 日立を皮体クロマトグラフィーL−6000(株式会社
日立製作所製) カラム:デヴエロシル(Develosil) I
00−φ 4. 6mmX250mm (野村化学株式会社製) 展開溶媒:エーテル:ヘキサン=l:91mβ/分 検出器:UV検出器 L−4000 (UV−254nm) (株式会社日立製作所製) 実施例1 あらかじめ窒素置換した三方コック付100mJ2のナ
ス型フラスコに、 Ru((R)−BINAPI (0
*CCl1.L90階g (0,106ミリモル)を
はかりとり、4−t−ブトキシ−3−オンーブタン酸メ
チルエステル20g (106ミリモル)とメタノール
60mβを加えて溶液とした。あらかじめ窒素置換した
200mI2のオートクレーブに上記の溶液を加え、水
素圧100 k g / c m”、反応温度30℃で
16時間攪拌し、水素化を行い、溶媒を留去し、残留物
を減圧蒸留し、無色透明の(3S)−4−t−ブトキシ
−3−ヒドロキシブタン酸メチルエステル21.1gを
得た。収率100 %。 沸点=78℃72 m m Hg ’HNMRl5ppnn: 1.20(s、9H12、
50(d、 J・711z、 2H)3、31 (d、
JII6Hz、 2旧3、65 (s、3H) 、
4.10 (m、 I旧、得られた(3S)−4−t
−ブトキシ−3−ヒドロキシブタン酸メチルエステルを
(R)(+)−a−メトキシ−〇−トリフルオロメチル
フェニルアセチルク′ロライドと反応させてエステル体
を合成し、高速液体クロマトグラフィーで分折を行った
結果、(3S)−4−t−ブトキシ−3−ヒドロキシブ
タン酸メチルエステル98.2%と(3R) −4−t
−ブトキシ−3−ヒドロキシブタン酸メチルエステル!
、8%の混合物であり、(3S)−4−t−ブトキシ−
3−ヒドロキシブタン酸メチルエステルの光学純度は9
6.4%eeであった。 実施例2 あらかじめ窒素置換した三方コック付100mAのナス
型フラスコに、(Ru ((S) −To l −B
INAPI(LCCFsL 6.I mg (0,06
6ミリモル)をはかりとり、4−t−ブトキシ−3−オ
ンーブタン酸メチルエステルIg(7ミリモル)とメタ
ノール50mβを加えて溶液とした。あらかじめ窒素置
換した100mJ!のオートクレーブに上記の溶液を加
え、水素圧100kg/crn”、反応温度30℃で1
6時間攪拌し、水素化を行い、溶媒を留去し、残留物を
減圧蒸留し、無色透明の(3R)−4−t−ブトキシ−
3−ヒドロキシブタン酸メチルエステル649mgを得
た。収率65%。 得られた(3R)−4−t−ブトキシ−3−ヒドロキシ
ブタン酸メチルエステルを実施例1と同様にして、(R
)−(+)−a−メトキシ−〇−トリフルオロメチルフ
ェニルアセチルクロライドと反応させ、エステル体とし
た後、高速液体クロマトグラフィーで分析を行った結果
、(3R)−4−t−ブトキシ−3−ヒドロキシブタン
酸メチルエステルの光学純度は96.4%eeであった
。 実施例3 あらかじめ窒素置換した三方コック付100m1&のナ
ス型フラスコに、 Ru((R)−BINAPI (0
,CCll5L 90mg (0,I 06ミリモル)
をはかりとり、4−t−ブトキシ−3−オンーブタン酸
メチルエステル20g (106ミリモル)とエタノー
ル60mI2を加え溶液とした。あらかじめ窒素2換し
たI 00mI2のオートクレーブに上記の溶液を加え
、水素圧100 k g/ ctrl、反応温度30℃
で18時間攪拌し、水素化を行い、溶媒を留去し、残留
物を減圧蒸留し、無色透明の(3S)−4−t−ブトキ
シ−3−ヒドロキシブタン酸メチルエステル20gを得
た。収率95%。 得られた(3S)−4−t−ブトキシ−3−ヒドロキシ
ブタン酸メチルエステルな実施例1と同様にして、(R
)−(+)−a−メトキシ−a−トリフルオロメチルフ
ェニルアセチルクロライドと反応させ、エステル体とし
た後、高速液体クロマトグラフィーで分析を行った結果
、(3S)−4−t−ブトキシ−3−ヒドロキシブタン
酸メチルエステルの光学純度は90%eeであった。 実施例4 聚1 三頚フラスコに滴下ロート、温度計を付け、テトラヒド
ロフラン80mβを加え、氷水中で冷却して0℃とし、
これにリチウムジイソプロピルアミド60m12(60
ミリモル)を加え、さらに滴下ロートから酢酸t−ブチ
ルエステル6.7mA(50ミリモル)をテトラヒドロ
フラン15m2に溶かした溶液を、30分間で加えた。 滴下終了後、15分間攪拌して酢酸t−ブチルエステル
のリチウムエノラートを合成した0反応液をドライアイ
ス−アセトン中で冷却して一50℃にし、実施例1で得
た(3S) −4−t−ブトキシ−3−ヒドロキシブタ
ン酸メチルエステル3.3g (16,5ミリモル)を
テトラヒドロフラン15+nJlに溶かしたものを、滴
下ロートか620分間で加えた。さらに1時間30分間
攪拌した0反応の終了をガスクロマトグラフィーで確認
した後、飽和塩化アンモニウム水30mAとエーテル1
00mβを加えて抽出した。有機層を無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥後、溶媒を留去した。残置をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー(工一チル:ヘキサン=I:りで
精製し、(5S)−6−t−ブトキシ−5−ヒドロキシ
−3−オキソヘキサンfIit−ブチルエステル2.3
gを得た。 収率46%、このものの機器分析値は次のとおりである
。 HNMRδppm: 1.10(s、9旧 、 1
.45(s、9旧、2、65 (d、 J・6)1z、
2H13,35Id、 J・6Hz、 2旧 3.40(s、3H1、4,15(m、l1ll、実施
例5 あらかじめ窒素置換した三方コック付100rr+J2
のナス型フラスコに、Rug C12m ((RIBI
NAP)2 (NEt*ll 5mg (0,009ミ
リモル)をはかりとり、実施例4で合成した(5S)6
−t−ブトキシ−5−ヒドロキシ−3−オキソヘキサン
酸し一ブチルエステル500mg (1,75ミリモル
)とメタノール60mβを加えて溶液とした。あらかじ
め窒素置換した100mβのオートクレーブに上記の溶
液を加え、水素圧50 k g / c m” 、反応
温度30℃で16時間攪拌し、水素化を行った。溶媒を
留去し、残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
(エーテル:ヘキサン=5:I)で精製し、(3R,5
S)−6−t−ブトキシ−3,5−ジヒドロキシヘキサ
ン&2し一ブチルエステル340mgを得た。収率68
%、このものの機器分析値は次のとおりである。 ’IINMRδppm: 1.18(s、9)1t
、 1.42(s、9H1゜、65(d、J・6t
lz、2旧 2.35(d、J・7)1z、 2H13、25(d、
J駕511z、 2)1)4、05 (a+、 2旧 得られた(3R,5S)−6−t−ブトキシ−3,5−
ジヒドロキシヘキサン酸t−ブチルエステルをアセトン
ジメチルアセタールと反応させ、アセタールを合成し、
ガスクロマトグラフィーで分析を行った結果、(3R,
5S)−6−t−ブトキシ−3,5−ジヒドロキシヘキ
サン酸し一ブチルエステル91%、(3S、5S)−6
−t−ブトキシ−3,5−ジヒドロキシヘキサン酸し一
ブチルエステル9%の比率であった。したがって、(3
R,5S)−6−t−ブトキシ−3,5−ジヒドロキシ
ヘキサン酸し一ブチルエステルのジアステレオ選択性は
82%deであった。 実施例6 聚1 実施例5と同様にしてRui C12−((S)−To
l−BINAPlx(NELsl I 5.8mg
(0,009ミリモル)を計りとり、実施例4で合成し
た(5S)−6−t−ブトキシ−5−ヒドロキシ−3−
オキソヘキサン酸し一ブチルエステル500mg (1
,75ミリモル)とメタノール50m℃を加え溶液とし
た。あらかじめ窒素rIt換した100mj!のオート
クレーブに上記の溶液を加え、水素圧50kg/crn
”、反応温度30℃で21時間攪拌し、水素化を行った
。溶媒を留去し、残留物をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー(エーテル:ヘキサン=5:りで精製し、(3
3,5S)−a−t−ブトキシ−3,5−ジヒドロキシ
ヘキサンMF、−ブチルエステル345mgを得た。収
率70%。実施例5と同様の方法でジアステレオ選択性
を測定したところ、(3S、5S)−6−t−ブトキシ
−3,5−ジヒドロキシヘキサン酸し一ブチルエステル
のジアステレオ選択性は71%deであった。 実施例7 実施例4において、酢@1.−ブチルエステルに替えて
酢酸メチルエステルを用いて同様な操作により合成した
(5S)−6−t−ブトキシ−5−ヒドロキシ−3−オ
キソヘキサン酸メチルエステルを用いた。すなわち、実
施例5と同様にしてRug C12,1(R)−BIN
APlx(NEtsl I 6 、9 m g (0
,01ミリモル)を計りとり、(5S)−6−し=ブト
キシー5−ヒドロキシー3−オキソヘキサン酸メチルエ
ステル500mg (2,15ミリモル)とメタノール
50+nRを加え溶液とした。 あらかじめ窒素置換した100mI2のオートクレーブ
に上記の溶液を加え、水素圧50 k g / c rri’、反応温度30℃で21時間
攪拌し、水素化を行った。溶媒を留去し、残留物をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィー(エーテル:ヘキサン
=5:I)て精製し、(3R,5S)−6−し−ブトキ
シ−3,5−ジヒドロキシヘキサン酸メチルエステル3
23mgを得た。収率65%。 このものの機器分析値は次のとおりである。 墨11 NMRδ ppm: 1.201g、9
旧2、40 (d、 J・7Hz、 2)1)3、2
5 (d、 J・5Hz、 2H)3、 TOig、
3H) 4.10(驕621 実施例5と同様の方法でジアステレオ選択性を測定した
ところ、(3R,5S)−6−t−ブトキシ−3,5−
ジヒドロキシヘキサン酸メチルエステルのジアステレオ
選択性は65%deであった。 実施例8 1】 実施例5と同様にしてRu5C12a ((R)−BI
NAP) x(NELsll 5mg (0,009ミ
リモル)を計りとり、実施例4で合成した(5S)−6
−t−ブトキシ−5−ヒドロキシ−3−オキソヘキサン
酸し一ブチルエステル500mg (1,75ミリモル
)とエタノール50mβを加え溶液とした。あらかじめ
窒素置換した100mβのオートクレーブに上記の溶液
を加え、水素圧50 k g / c m″、反応温度
30℃で16時間攪拌し、水素化を行った。溶媒を留去
し、残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(エ
ーテル:ヘキサン=5:l)で精製し、(3R,5S)
−6−t−ブトキシ−3,5−ジヒドロキシヘキサン酸
し一ブチルエステル300mgを得た。収率60%。 実施例5と同様の方法でジアステレオ選択性を測定した
ところ、(3R,5S) −6−t−ブトキシ−3,5
−ジヒドロキシヘキサン酸し一ブチルエステルのジアス
テレオ選択性は60%deであった。
本発明は、コレステロール合成酵素阻害剤として有用な
コンパクチン、メビノリン等及びその類縁体のラクトン
部の前駆体となる光学活性な6−し−ブトキシ−3,5
−ジヒドロキシヘキサン酸エステルを、有利に取得する
方法である。すなわち、光学活性ルテニウム錯体を触媒
とし不斉水素化反応、炭素鎖伸長反応、これに続いて光
学活性ルテニウム錯体を触媒とするジアステレオ選択的
水素化からなる合成プロセスを採用し、従来方法に見ら
れない高エナンチオ選択性及び高ジアステレオ選択的水
素化を可能にした、工業的に優れた方法である。
コンパクチン、メビノリン等及びその類縁体のラクトン
部の前駆体となる光学活性な6−し−ブトキシ−3,5
−ジヒドロキシヘキサン酸エステルを、有利に取得する
方法である。すなわち、光学活性ルテニウム錯体を触媒
とし不斉水素化反応、炭素鎖伸長反応、これに続いて光
学活性ルテニウム錯体を触媒とするジアステレオ選択的
水素化からなる合成プロセスを採用し、従来方法に見ら
れない高エナンチオ選択性及び高ジアステレオ選択的水
素化を可能にした、工業的に優れた方法である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (ただし、式中の R^1は低級アルキル基、 t−Buはt−ブチル基を示す) で表わされる4−t−ブトキシアセト酢酸エステルを、
次の般式(II) Ru(R^2−BINAP)(O_2CR^3)_2(
II) (ただし、式中の R^2−BINAPは式(III) ▲数式、化学式、表等があります▼ (III) で表される三級ホスフィンを示し、 R^2は水素原子またはメチル基を示し、 R^3は低級アルキル基またはトリフロロメチル基を示
す) で表わされるルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を触
媒として不斉水素化を行い、一般式(IV)▲数式、化学
式、表等があります▼(IV) (ただし、式中のR^1およびをt−Buは上記と同じ
意義を有する) で表わされる光学活性4−t−ブトキシ−3−ヒドロキ
シブタン酸エステルを得、これと酢酸エステルのリチウ
ムエノラートを反応させて、一般式(V) ▲数式、化学式、表等があります▼(V) (ただし、式中の R^4は低級アルキル基を示し、 t−Buは上記と同じ意義を有する) で表される光学活性6−t−ブトキシ−5−ヒドロキシ
−3−オキソヘキサン酸エステルとし、次に般式(VI) Ru_2Cl_4(R^2−BINAP)_2(NEt
_3)(VI) (ただし、式中の R^2−BINAPは上記と同じ意義を有し、Etはエ
チル基を示す) で表わされるルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を触
媒として不斉水素化を行うことを特徴とする一般式(V
II) ▲数式、化学式、表等があります▼(VII) (ただし、式中のR^4およびt−Buは上記と同じ意
義を有する) で表わされる光学活性6−t−ブトキシ−3.5−ジヒ
ドロキシヘキサン酸エステルの製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2039762A JPH0791223B2 (ja) | 1989-02-27 | 1990-02-22 | 光学活性6―t―ブトキシ―3,5―ジヒドロキシヘキサン酸エステルの製造法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1-43196 | 1989-02-27 | ||
JP4319689 | 1989-02-27 | ||
JP2039762A JPH0791223B2 (ja) | 1989-02-27 | 1990-02-22 | 光学活性6―t―ブトキシ―3,5―ジヒドロキシヘキサン酸エステルの製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02289537A true JPH02289537A (ja) | 1990-11-29 |
JPH0791223B2 JPH0791223B2 (ja) | 1995-10-04 |
Family
ID=26379144
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2039762A Expired - Fee Related JPH0791223B2 (ja) | 1989-02-27 | 1990-02-22 | 光学活性6―t―ブトキシ―3,5―ジヒドロキシヘキサン酸エステルの製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0791223B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6403804B1 (en) | 1998-12-07 | 2002-06-11 | Takasago International Corporation | Process for preparing optically active oxazolidinone derivative |
JP2004533481A (ja) * | 2001-07-06 | 2004-11-04 | テバ ファーマシューティカル インダストリーズ リミティド | 7−アミノsyn3,5−ジヒドロキシヘプタン酸誘導体の製造方法、それらの中間体及び中間体の製造方法 |
CN115286504A (zh) * | 2022-08-18 | 2022-11-04 | 上海博氏医药科技有限公司 | 一种合成(r)-2-(2-(叔丁氧基)-2-氧乙基)戊酸的方法 |
-
1990
- 1990-02-22 JP JP2039762A patent/JPH0791223B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6403804B1 (en) | 1998-12-07 | 2002-06-11 | Takasago International Corporation | Process for preparing optically active oxazolidinone derivative |
JP2004533481A (ja) * | 2001-07-06 | 2004-11-04 | テバ ファーマシューティカル インダストリーズ リミティド | 7−アミノsyn3,5−ジヒドロキシヘプタン酸誘導体の製造方法、それらの中間体及び中間体の製造方法 |
CN115286504A (zh) * | 2022-08-18 | 2022-11-04 | 上海博氏医药科技有限公司 | 一种合成(r)-2-(2-(叔丁氧基)-2-氧乙基)戊酸的方法 |
CN115286504B (zh) * | 2022-08-18 | 2024-01-26 | 上海博氏医药科技有限公司 | 一种合成(r)-2-(2-(叔丁氧基)-2-氧乙基)戊酸的方法 |
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---|---|
JPH0791223B2 (ja) | 1995-10-04 |
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