JPH022888A - 塗布装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、塗布装置に関する。

（従来の技術） 半導体の製造においては、ウェハ上にレジストを塗布す
る工程がある。このようなレジストを塗布する装置とし
て、例えば処理容器の内部に配置した回転可能なスピン
ヘッドの上にウェハを載置吸着して仮固定し、ウェハを
回転させながらレジスト液をウェハ表面に供給してレジ
スト塗布処理を行なうものが知られている（特公昭５３
−３７１８９）。

この装置においては、実行すべき一連の塗布動作を予め
プログラム装置にプログラムしておき、プログラムされ
た各工程を順次、連続して実行することによって１枚の
ウェハに対する塗布材の塗布を行なう。すなわち以下の
ような一連の工程により塗布材例えばレジストの塗布が
行われる。先ず、搬送装置により搬送されてきたウェハ
をスピンヘッド上にセンタリングし、次いでウェハをバ
キューム吸着によってヘッド上に仮固定し、更に。

レジスト液の飛散を防止するためのカップをセットする
。その後、ヘッドを回転させつつレジスト液の滴下及び
塗布動作を実行する。また、レジスト塗布後際にウェハ
の裏面にレジスト液等が付着するので、この付着物が搬
送装置に触れる前に、これを塗布装置内で除去する必要
がある。このためにウェハ裏面側を洗浄するための洗浄
ノズルを配置している。そして、レジスト塗布後に、ウ
エハを回転しながら、洗浄ノズルよりウェハの裏面に向
けて洗浄液を吐出し、ウェハの裏面を洗浄している。

（発明が解決しようとする課題） このような従来の装置においては、ウェハにレジスト液
塗布の動作に際しては、上述の一連の動作を連続して実
行することに何等問題はないが、装置の調整段階等の各
工程の間にチエツクしたい項目がある場合（メインテナ
ンス時）、塗布工程の途中即ち特定された工程部分の動
作状態に停止する必要がある。

しかしながら、従来の塗布装置は、塗布工程の途中で動
作を停止する機能がなく、動作を停止して調整を実施す
るためには電源をＯＦＦにせざるを得ない。従って、各
工程での動作の適正性を順次確認しながら調整を行なう
場合に、作業性が極めて悪く、調整に長時間を要し、作
業者の負担が大きくなってしまう。

この発明は、上述した従来技術の欠点を解消するために
なされたものであり、その目的は、塗布材を塗布する際
の装置の調整及びメインテナンスが容易な塗布装置を提
供することにある。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段） 本発明は、被塗布体の表面に塗布材を回転塗布する塗布
装置において、予めプログラムされた一連の塗布動作工
程を１ステップづつ動作させるための指令を入力する入
力手段を設け、この入力手段での入力があった際に次の
１ステップを実行する構成としたことを特徴とする塗布
装置を得るものである。

（作用効果） 即ち、本発明によれば、入力手段に入力があった場合に
のみ、塗布のための一連の工程のうちの１ステップを実
行し、この入力手段に対する次の入力により始めて次の
ステップが実施されるので、一連の塗布動作工程での各
ステップで適正な動作が行なわれているか否かの確認、
及び各ステップの調整を各ステップ終了後に塗布装置の
動作を停止して実施することができる。また、入力手段
の更新入力によって、塗布装置を一旦ＯＦＦにすること
なく各工程を順次実行することができる。従って、塗布
動作の調整、塗布装置のメインテナンスを容易に実施す
ることができる。

（実施例） 以下、本発明装置を半導体ウェハのレジスト塗布装置に
適用した一実施例について、図面を参照して説明する。

第１図は被塗布体例えば半導体ウェハのレジスト塗布シ
ステムを示すブロック図であり、図中参照符号１は、レ
ジスト塗布システムの動作を制御するためのＣＰＵ　（
Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　ＩＪｎｉｔ）
である。このＣＰＬＩ　１にはウェハにレジストを塗布
するための塗布装置２、ウェハを塗布装置２に搬送する
ための搬送装置３、予めプログラムされた一連の塗布動
作工程を１工程づつ動作させるための信号を入力する手
段としてのステップ更新キー４、搬送装置３の動作プロ
グラムを記憶するためのメモリ５、及び塗布装置２の動
作プログラムを編集及び記憶するためのレシピ（ｒｅｃ
ｉｐｅ）コントローラ６が接続されている。

塗布装置２は、第２図に示すように構成されている。ス
ピンチャック１０は、真空吸着によって半導体ウェハ１
１を支持するためのものであり、モータ２０により回転
駆動させることができる。なお。

ウェハ１１の真空吸着は図示しない真空ポンプを作動さ
せることによりなされる。モータ２０は加速性に優れた
高性能モータであり、このモータ２０は、上部にフラン
ジ２１が形成されている。そして、モータ２０のフラン
ジ２１が塗布装置のハウジング（図示せず）に固定され
ている。

なお、第３図に示すように、温度調節装置２２によりフ
ランジ２１の温度を調節して、モータ２０の熱が上方に
伝達することを防止するようにすることもできる。この
温度調節装置２２は、熱電対２３からの信号を制御装置
２４に入力し、熱電対２３が検知した温度が所定温度を
超えた際にポンプ２５を作動させてタンク２７からパイ
プ２６及びフランジ２１の内部に循環水を通流させてフ
ランジ２１を冷却して温度調節を行なう。

チャック１０に支持されたウェハ１１の上方には、ウェ
ハ１１のほぼ中心にレジスト液を滴下させるためのレジ
ストノズル３０が設けられている。レジストノズル３０
はスキャナー３１によって水平面内で回動することが可
能であり１例えばロットの切れ目でノズル３０からのレ
ジスト液のディスペンスがある時間実行されない場合に
、ノズル３０をスキャナー３１によって回動させてウェ
ハ１１の外側に退避させ、ダミーディスペンスを実行す
ることにより、ノズル先端でレジス１〜液が長時間空気
と接触して固まることを防止することができる。

レジスト液は、レジスト液容器３２に収容されており、
ベローズポンプ３５を駆動させることによりパイプ３３
を通流してノズル３０まで供給され、ノズル３０の先端
からディスペンスされる。また、パイプ３３の容器３２
とポンプ３５の間には逆止弁３４が設けられており、ポ
ンプ３５とノズル３０との間には、ポンプ３５と連動し
て開閉されるバルブ３６、及び表面張力によってノズル
３０の先端から露出したレジスト液をノズル３０内に引
き戻すためのサックバックバルブ３７が設けられている
。

チャックＩＯの周囲にはチャック１０を囲繞するように
、レジスト液を塗布する際にレジスト液が塗布装置外へ
飛散することを防止するためのカップ４０が設けられて
いる。このカップ４０は図示しない昇降装置により上下
動が可能であり、レジスト液を塗布する際には第２図に
示す位置に配置され、ウェハ１１の搬入・搬出の際には
下方に退避する。

カップ４０の下面には、ドレイン管４１及び排気管４２
が接続されている。

フランジ２１の上面には、その長手方向を鉛直にして洗
浄ノズル５０が設けられている。この洗浄ノズル５０か
らは洗浄剤（例えば適宜の溶剤）がウェハ１１の裏面に
向けて噴出され、これによりウェハ１１の裏面が洗浄さ
れる。ノズル５０の洗浄剤吐出端は、ウェハ１１の外周
端に向けて傾斜しており、ウェハ１１の裏面のみならず
、その端面をも洗浄できるようになっている。溶剤は溶
剤容器５１に収容されており、ポンプ５３を駆動させる
ことによりパイプ５２を通流してノズル５０まで供給さ
れ、ノズル５０の先端から噴出される。

搬送装置３は、塗布装置２の上方に設けられでおり、第
４図に示すように構成されている。一対のウェハチャッ
ク６０ａ、　６０ｂは、ウェハを挟持するためのもので
あり、夫々ウェハの外周に対応する円弧状の窪みが形成
されている。また、チャック６０ａには、　ウェハをク
ランプするためのクランパ６１が設けられている。これ
らウェハチャック６０ａ。

６０ｂは、夫々サポート６２ａ、　６２ｂに移動可能に
支持されており、モータ及びベルト（図示せず）により
矢印六方向に駆動される。サポート６２ａ、　６２ｂは
支持棒６４ａ、　６４ｂ、　６４ｃに移動可能に支持さ
れており、エアシリンダ６３によって矢印Ｂ方向に駆動
できるようになっている。従って、搬送しようとするウ
ェハのサイズに応じてサポート６２ａと６２ｂとの間隔
を適宜調節することができる。なお、支持棒６４ａ、　
６４ｂ、　６４ｃの両側は、側板６５ａ、　６５ｂに固
定されており、これら側板６５ａ、　６５ｂは、底板６
７により連結されている。

サポート６２ａの先端部近傍にはウェハストップピン６
６ａが突出しており、これによりウェハの搬送位置を規
定する。このピン６６ａは、サポート６２ａの内部に設
けられたエアシリンダ（図示せず）により溝６６ｂに沿
って移動することができ、ウェハが塗布装置のチャック
の直上位置にきた時点で停止されるようにその位置が設
定される。

この搬送装置３には、底板６７の下に昇降装置（図示せ
ず）が設けられており、サポート６０ａ、　６０ｂに沿
って搬送されてきたウェハを下降させて、塗布装置２の
チャック１０上に載置させることができる。

この搬送装置３においては、搬送されてきたウェハをチ
ャック６０ａ、　６０ｂで支持し、これらチャック６０
ａ、　６０ｂをサポート６２ａ　、　６２ｂに沿って移
動させることによりウェハを搬送する。そして、ウェハ
がピン６６ａに当接した時点で搬送を停止し、ウェハを
下降させてチャックｌＯ上に載置させる。

メモリ５には、前述したように、搬送装置３の動作プロ
グラムが記憶されている。この実施例においては、搬送
装置３の動作プログラムは、二一ザにおいて変更を要し
ないものであり、メモリ５に予め組込まれている。

レシピコントローラ６は、キーボード及びデイスプレー
を備えていて、塗布装置２の動作プログラムを編集する
ことができる。また、コントローラ６は不揮発性メモリ
としてプログラムを記憶することができるレシピモジュ
ールストアを備えており、編集されたプログラムをこれ
にストアする。

ＣＰＵ　１は、　メモリ５及びレシピコントローラ６の
プログラム、及びステップ更新キー４からの信号に基づ
き、搬送装置３及び塗布装置２による一連の工程を適正
に実行させる。

ステップ更新キー４は、各ステップが実行されている最
中には操作されないが、１つのステップが終了した後、
次のステップを実行する際に操作される。つまり、ＣＰ
Ｕ　１は、ステップ更新キー４が操作される度毎に、プ
ログラムされた一連の工程のうちの１ステップのみを実
行させ、このステップの終了後は次のステップ更新キー
４の操作があるまで次のステップを実行させないように
塗布動作を制御している。従って、各ステップの間で装
置の調整及びメインテナンスを容易に実行することがで
きる。

次に、このように構成された塗布システムの動作につい
て、第５図（ａ）及び第５図（ｂ）を参照しながら説明
する。

先ず、塗布装置２のチャック１０にウェハ１１を真空吸
着させるための真空ポンプを作動させる（ＳＴＥＰ　ｌ
　’）。この際に、バキュームセンサによりチャック１
０上にウェハ１１が存在しているか否かを検知して、ウ
ェハが存在している場合にはウェハを取除く。

次に、バキュームポンプの作動を停止する。

（ＳＴＥＰ　２　）。

ウェハをウェハチャック６０ａ、　６０ｂにより挟持し
、且つセンタリングする（ＳＴＥＰ３）　、この工程の
後。

ウェハが適正に支持されているか否か、すなわち、ウェ
ハの支持は確実か否か、及びセンタリングの位置が適切
か否かをセンサによってチエツクし。

適切でない場合には調整を行なう。

ウェハチャック６０ａ、　６０ｂに支持されたウェハを
搬送し、　ウェハがピン６６ａに当接した時点で搬送ベ
ルトの動作を停止する（ＳＴＥＰ　４　）。その後、ウ
ェハの搬送された位置が適当か否かをセンサによりチエ
ツクし、適当でない場合に装置の調整を行なう。

ウェハチャック６０ａ、　６０ｂを下降させ、ウェハを
塗布装置２のチャックＩＯ上に載置させる（ＳＴＥＰ５
）。

なお、この際には、ウェハ載置の支障にならないように
、カップ４０は下方に退避した状態にある。

その後、ウェハが確実にチャック１０上に載置されてい
るか否かをセンサによりチエツクし、載置状態が適正で
なければ装置の調整を行なう。

真空ポンプを作動させ、ウェハをチャック１０に真空吸
着により固定する（ＳＴＥＰ　６）。その後、ウェハが
チャックに確実に固定されているか否かをバキュームセ
ンサによりチエツクする。固定が不十分な場合には、バ
キューム系の調整を行なう。

カップ４０を所定の位置まで上昇させる（ＳＴＥＰ　７
　）。

その後、センサによりカップ４０の位置が適正か否かを
チエツクし、位置がずれている場合には、装置の調整を
行なう。

以上の５ＴＥＰ　１〜７までの操作・搬送・動作は。

マニュアル選択により１ステップづつボタン操作で実行
させることもできるようになっている。勿論、自動選択
の場合には、総て自動的に進行する。

前述したような各５ＴＥＰは予め組込まれたメモリ５に
従って実行される。次にレシピコントローラ６にユーザ
が組込んだプログラムに基づいて、レジスト塗布のため
の一連の工程が自動的に実施される。

モータ２０を駆動させて、ウェハを例えば回転数１１０
０Ｏｒｐ、加速度１０Ｋｒｐｍ／ｓｅｅで回転させる工
程、この回転中、バルブ３６及び３７を開にしておき、
ベローズポンプ３５を駆動させることにより、レジスト
ノズル３０からレジスト液をウェハ表面のほぼ中心に滴
下させる工程（ＳＴＥＰ　８　）を実行する。この時、
レジストノズル３０をウェハ中心部に移動させレジスト
液滴下する工程、滴下後ウェハを高速回転させてレジス
ト液を塗布する工程の塗布法もある。この所要時間は例
えば３秒である。その後、レジスト液の滴下が正常か否
かをチエツクし、レジスト液が正常に滴下されない場合
、レジスト液供給系の調整を行なう。なお、チャックｌ
Ｏの回転数をセットした場合に、サーボ系を調整して回
転数合せを実施するようにすることもできる。

ウェハの回転数を４００Ｏｒｐｍにし、加速度１０Ｋｒ
ｐｍ／ｓｅｅにしてレジスト液を振切り、遠心力によっ
てウェハの表面に均一な厚みでレジスト液を塗布する（
ＳＴＥＰ　９　）。この際に、遠心力によりウェハの外
側へ飛散したレジスト液はカップ４０の底部に導かれ、
ドレイン管４１から排出される。塗布の後、塗布が適切
か否かをチエツクし、均一に塗布されていない場合には
装置の調整を行なう。

上述のレジスト液塗布工程において汚染されたウェハの
裏面を洗浄剤によって洗浄する（ＳＴＥＰｌｏ）。

このステップでは、　ウェハを回転数２０００ｒｐｍ、
加速度１０Ｋｒｐｍ／、ｓｅｃで回転させつつ、洗浄ノ
ズル５０から洗浄剤として例えば適宜の溶剤をウェハ裏
面に吹付ける。この場合の所要時間は１例えば１０秒で
ある。この場合に、洗浄ノズル５０は、モータ２０の取
付は用フランジ２１に固定されているので、−旦つエバ
との相対的位置関係を調整すれば、常時確実な洗浄効果
を確保することができる。また、吐出開始時及び終了時
等のように、洗浄剤の吐出圧が低い場合には、洗浄剤が
即座にノズル５０の先端よりフランジ５０の基端部近傍
に落下する虞れがある。これを放置すれば洗浄剤がモー
タ２０内に侵入する虞れがある。これを防止するために
はノズル５０の周囲にドレイン管を配置して洗浄剤を排
出するようにすることが好ましい。このステップの後、
ウェハの裏面が適切に洗浄されたか否かをチエツクし、
適切に洗浄されていない場合には洗浄液供給系を調整す
る。

ウェハを回転数２００Ｏｒｐｍ、加速度１０Ｋｒｐｍ／
ｓｅｃで回転させて洗浄剤をウェハから振切って除去す
る（ＳＴＥＰＩＩ）　、その後、このステップが適切か
否かをチエツクし、適切でない場合には、装置の調整を
行なう。

カップ４０を所定の位置まで下降させる（ＳＴＥＰ１２
）。

その後、カップ４０が適正な位置まで下降したか否かを
センサによりチエツクし、位置がずれている場合には、
装置の調整を行なう。

そして、真空ポンプをオフにしてウェハのウェハチャッ
ク１０に対する真空吸着による固定を解除する（ＳＴＥ
Ｐ１３）。

ウェハをウェハチャック６０ａ、　６０ｂにより挟持す
る（ＳＴＥＰ１４）。この際に、ウェハが適正に挟持さ
れているか否かをセンサによりチエツクし、適正に挟持
されていない場合には搬送装置３の調整を行なう。

その後、前述したウェハ搬送動作と全く逆の動作により
ウェハを塗布装置２から搬出させる。この際にも搬出動
作が適正か否かをチエツクし、適正でなければ調整を行
なう。

以上の動作により、−枚のウェハにレジストを塗布する
ステップが終了し、処理すべきウェハが存在する限り、
これらのステップが繰返し実行される。

前述したように、各ステップが終了した後は、更新キー
４を押して始めて次のステップが開始され、更新キー４
の操作があるまでは、装置は待機状態となっている。す
なわち、最初にステップ更新キー４が押圧されると、そ
の信号がＣＰＵ　１に入力される。ＣＰＵ　１は一連の
工程の最初の１ステップ、すなわち前述した５ＴＥＰ　
１のみを実行するように、搬送装置３を制御する。５Ｔ
ＥＰ　１が終了しても、ステップ更新キー４が押圧され
ない限り、　　ＣＰＬＩＩから次のステップの動作を開
始する信号が出力されず１次のステップに移行しない。

移行は、ステップ更新キー４が押圧される度毎に次のス
テップが実行される。従って、上述のように各ステップ
の間に装置の調整及び適正動作の確認を行なうことがで
きる。なお、上述の例では、各ステップの大部分におい
てステップ終了後に適正な動作が行われたか否かのチエ
ツクを行なっているが、これらチエツクは必要な場合の
み行なうようにしてもよい。また、装置の調整及びメイ
ンテナンスが終了した後の実際の工程においては、動作
のチエツクを省略することもできる。

なお、５ＴＥＰ　８〜１１の各ステップにおいて、レジ
スト液又は洗浄剤のディスペンス信号を何回でも入力で
きるようにすることもできる。この場合には、ウェハの
回転中のディスペンス信号を何回か繰返して入力し、ポ
ンプ及びバルブ等の調整を厳密に行なうことができる。

以上の実施例における各ステップは一例に過ぎず、ステ
ップを更に細分化してもよいし、幾つかのステップをま
とめて一つのステップにすることもできる。さらに選択
により１ステップ内や各工程を繰り返し実行も選択でき
る。

次に、この発明の他の実施例について説明する。

この実施例においては、第６図に示すように、この発明
をレジスト塗布から現像に至るまでの一連の処理を行な
う塗布装置に適用している。第６図において、塗布袋［
１００は、ウェハをウェハカセット（図示せず）から取
出して搬出するためのローダ１０１、　ウェハにレジス
トを塗布するためのレジスト塗布機構１０２、塗布され
たレジスト中に残留する溶剤を加熱蒸発させるためのプ
リベーク機構１０３、ウェハを塗布装置外の露光装置１
１０へ搬送するためのセンダー１０４．露光装置１１０
による処理が終了した後のウェハを受取るレシーバ１０
５と、ウェハに現像液を塗布してレジストパターンを形
成する現像機構１０６、　ウェハとレジストとの密着性
を強化するためのボストベーク機構１０７、及び以上の
処理が終了したウェハをウェハカセット（図示せず）に
収容するためのアンローダ１０８を備えている。ローダ
１０１からセンダー１０４まで、及びレシーバ１０５か
らアンローダ１０８までは、夫々直列に配置されており
、これら二つのシリーズが並列状になっている。なお、
ウェハは各機構の間をベルト搬送機構により搬送される
。

ローダ１０１は、　基本的に前述の搬送装置３と同様に
構成されている。なお、センダー１０４．レシーバ１０
５．　　及びアンローダ１０８もローダ１０１と同様の
構造を有している。

レジスト塗布機構１０２は基本的に前述の実施例と同様
の塗布装置を備えており、そのウェハ載置台（チャック
）にローダ１０１によりウェハが載置される。

プリベーク機構１０３及びポストベーク機ｎ１０４は。

ウェハを適切な温度に加熱することができるものであれ
ばよく、例えばオーブンを用いることができる。

現像機構１０６に用いる現像装置としては、スピン法に
よって現像するものを用いることができ、この場合には
、レジスト塗布装置と類似の装置が用いられる。すなわ
ち１回転可能なチャック上にウェハを固定し、ウェハを
高速回転しつつウェハ上に現像液を滴下して、現像液を
ウェハ表面に塗布する。

このような塗布袋［１００を備えた塗布システムは、第
７図に示すように構成される。この塗布システムは、前
述の実施例における塗布システムと同様に、ステップ更
新キーの操作があって始めて次のステップが開始される
構成になっている。

ＣＰＵ２００には、塗布装置１００、ステップ更新キー
３００、及びメモリ４００が接続されており、このＣＰ
Ｕ２００により塗布システム全体がコントロールされる
。メモリ４００には、塗布装置１００における各機構が
実施する一連の工程の動作プログラムが記憶される。こ
のメモリ４００は塗布装置１００の動作プログラムを編
集することが可能な構造となっている。

ステップ更新キー３００が操作された場合には、その信
号がＣＰＵ２００に入力される。そして、ＣＰＵ２００
は、メモリ４００に記憶された動作プログラムに基づい
て、塗布装置１００に動作信号を出力する。　この場合
に、ＣＰＵ２００は、前述のＣ２Ｏ４と同様に、ステッ
プ更新キー３００が操作される度毎に、プログラムされ
た一連の工程のうちの１つのステップのみを塗布装置１
００に実施させ、　このステップの終了後、次にステッ
プ更新キー３００が操作されるまで次のステップを実行
させないように塗布袋［１００を制御している。

なお、このような塗布システムにおいては、処理する半
導体ウェハの種類が極めて多い。従って、この実施例に
おいては、夫々の種類のウェハに対応する処理条件を記
憶する装置を設け、この記憶装置から塗布装置１００に
搬入されたウェハに対応する処理条件を読出して、この
処理条件により塗布装置１００の各機構による処理工程
を制御するようにしている。

具体的には、ウェハの予め定められた位置に形成された
識別表示記号１例えばアルファベット、数字、バーコー
ド等からなるＩＤマークと、塗布装置の各機構の処理条
件とを予め前述のメモリ４００に入力しておき、　この
メモリ４００から読み出された情報に基づいてＣＰＵ２
００が塗布装置１００の各機構の動作を制御している。

この場合に、例えばウェハがローダ１０１に存在する際
に、読取り装置（図示せず）がウェハの識別表示記号を
読取って、その信号をＣＰＵ２００に出力するようにな
っている。

メモリ４００への処理条件の記憶は、処理するウェハ毎
であってもよいが、ウェハの種別単位で記憶することが
好ましい。これによりメモリ容量を少なくすることがで
きる。

メモリ４００の処理条件記憶部分は、前述の識別表示記
号（ＩＤマーク）に対応して各ウェハのデータ領域が確
保されている。塗布装置１００における各処理機構の条
件は、各データ領域の同一アドレスに記憶されている。

このような塗布システムにおいては、レジスト塗布機構
１０２に搬送されたウェハが、　ＩＤマークによってメ
モリ４００のうち、　ある一種のウェハの処理条件で処
理すべき旨を指定されると、この処理条件をＣＰＵ２０
０によって読み出す。そして、このウェハに対応する処
理条件を塗布機構１０２に出力して、この条件で塗布処
理を実行させる。このレジスト塗布処理が終了した後、
ステップ更新キー３００の操作があると、　ウェハは次
のステップのプリベーク機構１０３に搬送される。　そ
して、この場合に、　レジスト塗布機構１０２で処理さ
れたウェハに対応する処理条件で処理が行われるように
ＣＰＵ２００から信号が出力される。以下の処理機構に
おいても同様な動作が繰返される。この場合に、各ステ
ップが終了後、　ステップ更新キー３００を操作して次
のステップに移行する前に、装置の調整を行なえること
は勿論である。

なお、ウェハの識別表示記号の読取りは、必ずしもロー
ダ１０１で行なう必要がなく、　いずれの機構で行なっ
てもよい。

次に、この発明を第８図に示すような塗布装置５００に
適用した実施例について説明する。基台５０１の中央部
には、矢印Ｙ方向（横方向）に延長する通路５０２が設
けられており、その一方の側に予備加熱機構５０３．冷
却機構５０４、第１の加熱機構５０５、第２の加熱機構
５０６が設けられており、他方の側には第１の塗布機構
５０７、第２の塗布機構５０８が設けられている。−な
お、冷却機構５０４は、予備加熱機構５０３の下に設け
られている。

通路５０２には、この通路５０２中を移動するウェハ搬
送装置５１０が設けられている。この搬送装置５１０は
、本体５１１及び２つのウェハ吸着保持用ピンセット５
１２．５１３を有している。これらピンセット５１２、
５１３は上下に配設されており、夫々、Ｙ方向（横方向
）、ｘ方向（縦方向）、Ｚ方向（垂直方向）、θ方向（
回転移動）に単独で移動することが可能である。なお、
搬送装置５１０の本体５１１も回転可能に構成されてお
り、　この搬送装置５１０におけるピンセット５１２．
５１３及び本体５１１の回転移動は、ステッピングモー
タ及びこれに連結されたボールスクリュー等で構成され
た回転駆動機構によってなされる。この搬送装置５１０
はウェハＷを前述の各機構に搬送するために用いられる
。

基台５０１の側方には、ウニ八搬出搬入機構５２０が設
けられている。　この搬出搬入機構５２０には、処理前
の半導体ウェハｗｎを収容したウェハカセット５２２及
び処理後のウェハＷＦを収容するウェハカセット５２３
が設けられている。　また、搬出搬入機構５２０はＸ、
Ｙ方向に移動が可能でウェハＷを吸着保持するピンセッ
ト５２１を有しており、　このピンセット５２１により
処理前のウェハをカセット５２２から取出し、また処理
済みのウェハを搬送装置５１０のピンセットから受取る
。通路５０２と搬出搬入機構５２０とのインターフェー
スにおいて前述の搬送装置５１０のピンセット５１２．
５１３と搬出搬入機構５２０のピンセット５２１との間
でウェハＷの受渡しができるようになっている。

搬送袋［５１０のピンセット５１２．５１３は、各処理
機構（５０３〜５０８）のうち任意の機構との間でウェ
ハＷの搬出搬入を行なうことができる。

この実施例の塗布システムにおいては、以上のような塗
布装置５００を、基本的に第７図に示す制御システムに
より制御することができる。

次に１以上のような塗布装置５００を有する塗布システ
ムの動作について説明する。この動作は、基本的に予め
メモリ装置に記憶されたプログラムに基づいて実施され
る。　先ず、搬出搬入機構５２０のピンセット５２１に
よりカセット５２２からウェハを一枚取出して、通路５
０２の左端に待機している搬送袋［５１０の近傍まで搬
送する。次いで、搬送袋［５１０の一方のピンセット、
例えばピンセット５１２を移動させて、　ピンセット５
２１に吸着保持されているウェハＷを受取る。この際に
、前述の実施例と同様に、ウェハに表示されたＩＤコー
ドを読取り。

そのウェハに対応する製造工程のプログラムを選択する
。

例えば、ウェハＷを受取ったピンセット５１２を予備加
熱機構５０３に向かって移動させ、ウェハＷを予備加熱
機構５０３にセットして予備加熱する。

この際にピンセット５２１を移動させて、　次のウェハ
をカセット５２２から取出して、搬出搬入機構５２０と
通路５０２とのインターフェース近傍に待機させておき
、従前のウェハの予備加熱機構５０３への搬入が終了し
た時点で、待機している次のウェハをピンセット５１２
で受取り、ＩＤコードを読み同−主のウェハであること
を確認した時点で、ピンセット５１２上に待機させる。

予備加熱処理が終了した時点で、搬送装置５１Ｏを動作
させてピンセット５１３を回転及び移動させて予備加熱
処理が終了したウェハを予備加熱機構５０３から取出す
。そして、ピンセット５１２に保持されている処理前の
ウェハを予備加熱機構５０３にセットし、同時にピンセ
ット５１３を下降させ更に移動させて予備加熱処理後の
ウェハを冷却機構５０４にセットする。　この際に、ピ
ンセット５２１により次に処理するウェハを搬出搬入機
構５２０と通路５０２とのインターフェースに待機させ
ておく。

次いで、搬送装置５１０を動作させ、ピンセット５１２
で処理前のウェハを受取待機させる。冷却工程が終了す
ると、搬送装置１ｉ５１０のピンセット５１３により冷
却機構５０４内のウェハを取出し、次にプログラムされ
たフォトレジストの塗布工程に供する。

この工程は、・例えば第１の塗布機構５０７によって実
施され；る、この塗布処理の間に予備加熱中のウェハの
処理が終了すると、　ピンセット５１３によって予備加
熱機構５０３からウェハを取出して、冷却機構５０４に
セットする。

第１の塗布機構５０７にセットされたウェハの塗布動作
が終了すると、　ピンセット５１３により第１の塗布機
構５０６からウェハを取出し、ピンセラ１−５１３をＹ
方向に沿って移動させ、　このウェハを第１の加熱機構
５０５にセットして加熱処理を行なう。

この処理の間に、、冷却機構５０４内のウェハの冷却処
理が終了し、　その中のウェハをピンセット５１３にて
取出し、第１の塗布機構５０７にセットして塗布処理を
開始する。このような一連の処理動作をカセット内のウ
ェハがなくなるまで続ける。

なお、第２の加熱機構５０６及び第２の塗布機構５０８
をも用いて、　２つのウェハを同時に同一プロセスで処
理することも可能である。

このような塗布システムにおいても、一連の動作を適当
な単位の工程に区切ってメモリにプログラムされており
、ステップ更新キーの操作があって始めて次の工程に移
行する。従って、各工程の間で装置の調整等を行なうこ
とができることは前述の実施例と同様である。

この実施例の場合は、塗布装置５００の搬送装置５１０
が２つのピンセットを有していて夫々独立の動作をする
ことから、処理の自由度が高く、次工程の機構にウェハ
を存在しているとその工程のウェハの入替えができない
といった不都合がない。

また、このような塗布装置では、搬送装置５１０が通路
５０２を自由に移動することができ、　しかも各処理機
構を通路に沿ってその両側に配設しているため、処理工
程の順序を任意に選択することができ、動作プログラム
の自由度が極めて高い。従って、任意の処理工程に対し
て即座に対応することができ、プロセスの変更にも柔軟
に対応することができる。すなわち、処理すべきウェハ
に応じて。

最良の処理プログラムを選択することが可能となる。な
お、搬送装置５１０のピンセットは、必ずしも２つであ
る必要はなく、１つであってもよいし。

３つ以上であってもよい。

なお、この塗布装置の第２の塗布機構を現像機構に適用
し、通路５０２の右端で露光装置へのウェハの受渡し及
び露光装置からのウェハの受取をできるようにすること
により、レジスト塗布から現像までの一連の動作が可能
な塗布装置を達成することができる。

なお、この発明はこれら実施例に限定されるものでなく
、この発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形が可能で
ある。例えば、上記実施例では半導体ウェハへのレジス
ト等の塗布について示したが、マスク、プリント基板、
　ＬＣＤ基板に対するレジスト塗布等、磁性塗料の塗布
による磁気ディスク、磁気テープの塗布システムなど種
々の塗布システムに適用することができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば装置の調整段階ま
たはメインテナンス時等には、一連の塗布動作工程の１
ステップのみを実施し、その後に入力あるまでは次のス
テップに移行せず、入力をまって初めて次のステップを
実施することができるので、各ステップでの調整、確認
作業を、ステップ間での稼動停止時間内に容易に実施す
ることができ、７１１Ｊ整作業等の作業の簡易化を図る
ことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例に係る塗布システムを示す
ブロック図、第２図は第１図に適用された塗布装置の概
略構成図、第３図は第２図塗布装置の回転モータのフラ
ンジを冷却するための冷却機構を示す概略図、第４図は
第１図の塗布システムに用いられる搬送装置の斜視図、
第５図（ａ）及び第５図（ｂ）は第１図の塗布システム
の動作を示すフローチャート、第６図はこの発明の他の
実施例に適用される塗布装置のブロック図、第７図は第
６図に示す塗布装置を使用した塗布システムを示すブロ
ック図、第８図はこの発明の更に他の実施例に適用され
る塗布装置の概略構成図である。 １・・・ＣＰＵ ２・・・塗布装置 ４・・・ステップ更新キー　１１・・・ウェハ第１図 特許出願人　東京エレクトロン株式会社図 第 図（ａ） ■ 第 図 第 図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 被塗布材の表面に塗布材を回転塗布する塗布装置におい
   て、 予めプログラムされた一連の塗布動作工程を１ステップ
   づつ動作させるための指令を入力する入力手段を設け、
   この入力手段での入力があった際に次の１ステップを実
   行する構成としたことを特徴とする塗布装置。