JPH02288609A - 表面波装置 - Google Patents
表面波装置Info
- Publication number
- JPH02288609A JPH02288609A JP10958389A JP10958389A JPH02288609A JP H02288609 A JPH02288609 A JP H02288609A JP 10958389 A JP10958389 A JP 10958389A JP 10958389 A JP10958389 A JP 10958389A JP H02288609 A JPH02288609 A JP H02288609A
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- JP
- Japan
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- piezoelectric film
- thickness
- interdigital transducer
- finger electrodes
- wave device
- Prior art date
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- Granted
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 24
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 17
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は表面波装置に関し、特にたとえばテレビ用表
面波フィルタなどの表面波装置に関する。
面波フィルタなどの表面波装置に関する。
（従来技術）
従来の表面波装置１としては、第８図に示すように、ガ
ラス基板２上に複数のフィンガ電極３を有するインタデ
ィジタルトランスデユーサ４を形成し、このインタディ
ジタルトランスデューサ４を覆うように圧電膜５を形成
したものがあった。
ラス基板２上に複数のフィンガ電極３を有するインタデ
ィジタルトランスデユーサ４を形成し、このインタディ
ジタルトランスデューサ４を覆うように圧電膜５を形成
したものがあった。
このような表面波装置１では、インタディジタルトラン
スデューサ４０入力側に電気信号が入力され、それによ
って圧電膜５に弾性表面波が励振される。この弾性表面
波を受けて、インタディジタルトランスデユーサ４の出
力側から出力信号が取り出される。
スデューサ４０入力側に電気信号が入力され、それによ
って圧電膜５に弾性表面波が励振される。この弾性表面
波を受けて、インタディジタルトランスデユーサ４の出
力側から出力信号が取り出される。
（発明が解決しようとする課題）
このような表面波装置では、第８図に示すように、イン
タディジタルトランスデユーサ４のフィンガ電極３の厚
みのため圧電膜５の表面に凹凸が生じる。第９図に示す
ように、弾性表面波の伝播方向の変位ｕ、および弾性表
面波の垂直方向の変位Ｕ、は圧電膜の表面付近で大きく
なっている。
タディジタルトランスデユーサ４のフィンガ電極３の厚
みのため圧電膜５の表面に凹凸が生じる。第９図に示す
ように、弾性表面波の伝播方向の変位ｕ、および弾性表
面波の垂直方向の変位Ｕ、は圧電膜の表面付近で大きく
なっている。
そのため、圧電膜の凹凸によって不要な反射波が発生す
る。従来の表面波装置では、このような反射波の影響が
大きく、その特性に悪影響を及ぼす。
る。従来の表面波装置では、このような反射波の影響が
大きく、その特性に悪影響を及ぼす。
それゆえに、この発明の主たる目的は、圧電膜の表面の
凹凸による反射波の影響を小さくすることができる、表
面波装置を提供することである。
凹凸による反射波の影響を小さくすることができる、表
面波装置を提供することである。
（課題を解決するための手段）
この発明は、基板と、基板上に形成され複数のフィンガ
電極を有するインタディジタルトランスデユーサと、基
板上にインタディジタルトランスデユーサを覆うように
形成される圧電膜とを含み、フィンガ電極の幅をｓ、隣
合うフィンガ電極間の間隔をｌ、フィンガ電極の厚みを
ｈ、圧電膜の厚みをｄとしたとき、Ｓ≧ｌかつ１０ （
ｈ １） ’・’≦ｄの関係を満足する、表面波装置で
ある。
電極を有するインタディジタルトランスデユーサと、基
板上にインタディジタルトランスデユーサを覆うように
形成される圧電膜とを含み、フィンガ電極の幅をｓ、隣
合うフィンガ電極間の間隔をｌ、フィンガ電極の厚みを
ｈ、圧電膜の厚みをｄとしたとき、Ｓ≧ｌかつ１０ （
ｈ １） ’・’≦ｄの関係を満足する、表面波装置で
ある。
（発明の作用効果）
この発明によれば、圧電膜表面の凹凸による不要な反射
波の減衰量を４５ｄＢ以上という実用的な値に抑えるこ
とができる。
波の減衰量を４５ｄＢ以上という実用的な値に抑えるこ
とができる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
（実施例）
第１図はこの発明の一実施例を示す斜視図である。この
表面波装置１０はガラス基板１２を含む。
表面波装置１０はガラス基板１２を含む。
ガラス基板１２の一方主面上には、その長平方向の両側
にインタディジタルトランスデユーサ１４がそれぞれ形
成される。インタディジタルトランスデューサ１４は、
複数のフィンガ電極１６を含む。そして、ガラス基板１
２上には、それらのインタディジタルトランスデューサ
１４を覆うようにして圧電膜１８が形成される。この圧
電膜１８としては、たとえばＺｎＯなどの薄膜が用いら
れる。
にインタディジタルトランスデユーサ１４がそれぞれ形
成される。インタディジタルトランスデューサ１４は、
複数のフィンガ電極１６を含む。そして、ガラス基板１
２上には、それらのインタディジタルトランスデューサ
１４を覆うようにして圧電膜１８が形成される。この圧
電膜１８としては、たとえばＺｎＯなどの薄膜が用いら
れる。
このような表面波装置１０では、一方のインタディジタ
ルトランスデユーサ１４に電気信号が入力され、それに
よって圧電膜１８に弾性表面波が励振される。この弾性
表面波を受けて、他方のインタディジタルトランスデュ
ーサ１４から出力信号が取り出される。
ルトランスデユーサ１４に電気信号が入力され、それに
よって圧電膜１８に弾性表面波が励振される。この弾性
表面波を受けて、他方のインタディジタルトランスデュ
ーサ１４から出力信号が取り出される。
この表面波装置１０では、第２図に示すように、フィン
ガ電極１６の幅をｓ、隣合うフィンガ電極１６間の間隔
をｌ、フィンガ電極１６の厚みをり、圧電膜１８の厚み
をｄとすると、Ｓ≧２のとき、１０（ｈ／）’・６≦ｄ
の関係を満足するようにこれらの寸法が設定される。こ
のように設定することによって、圧電膜１８表面の凹凸
による不要な反射波の減衰量を４５ｄＢ以上という実用
的な値に抑えることができる。
ガ電極１６の幅をｓ、隣合うフィンガ電極１６間の間隔
をｌ、フィンガ電極１６の厚みをり、圧電膜１８の厚み
をｄとすると、Ｓ≧２のとき、１０（ｈ／）’・６≦ｄ
の関係を満足するようにこれらの寸法が設定される。こ
のように設定することによって、圧電膜１８表面の凹凸
による不要な反射波の減衰量を４５ｄＢ以上という実用
的な値に抑えることができる。
次に、これらの寸法を上述のような関係になるように設
定する理由について説明する。
定する理由について説明する。
圧電膜１８の表面には、フィンガ電極１６の厚みのため
に凹凸が生じ、この凹凸のために不要な反射波が発生す
る。この反射波の影響を小さくするためには圧電膜の凹
凸を小さくする必要があるが、そのためには、 （１）圧電膜１８の厚みを大きくする。
に凹凸が生じ、この凹凸のために不要な反射波が発生す
る。この反射波の影響を小さくするためには圧電膜の凹
凸を小さくする必要があるが、そのためには、 （１）圧電膜１８の厚みを大きくする。
（２）フィンガ電極１６の厚みを小さくする。
（３）隣合うフィンガ電極１６間の間隔を小さくする。
などの方法がある。しかしながら、それぞれ次のような
問題点があり、これらの寸法を簡単に変えることができ
ない。
問題点があり、これらの寸法を簡単に変えることができ
ない。
（１）圧電膜１８の厚みを大きくするためには、圧電膜
１８を形成するための時間が長くなる。
１８を形成するための時間が長くなる。
（２）フィンガ電極１６の厚みを小さくしすぎると、電
気抵抗が増加したり、断線しやすくなる。
気抵抗が増加したり、断線しやすくなる。
（３）隣合うフィンガ電極１６間の間隔を小さくしすぎ
ると、インタディジタルトランスデユーサ１４を形成す
るためのエツチングが困難となり、隣合うフィンガ電極
１６どうしが短絡したりする。
ると、インタディジタルトランスデユーサ１４を形成す
るためのエツチングが困難となり、隣合うフィンガ電極
１６どうしが短絡したりする。
そこで、これらの寸法を決定するために、ｄ＝２４μｍ
、ｊ！＝７．５μｍ、弾性表面波のデユーティ比を０．
５として、ｈを変化させ、そのタイムドメインを第３図
ないし第６図に示した。ここで、第３図はｈ＝０．７６
μｍ、第４図はｈ＝。
、ｊ！＝７．５μｍ、弾性表面波のデユーティ比を０．
５として、ｈを変化させ、そのタイムドメインを第３図
ないし第６図に示した。ここで、第３図はｈ＝０．７６
μｍ、第４図はｈ＝。
５５μｍ、第５図はｈ＝０．４μｍ、第６図はｈ＝ｏ、
、１６μｍにおけるタイムドメインである。
、１６μｍにおけるタイムドメインである。
これらの第３図ないし第６図において、１．１μｓｅｃ
付近のピークがメインレスポンスであり、３．３μｓｅ
ｃ付近のものがインタディジタルトランスデユーサ１４
における多重反射（ＴＴＥ）である。そして、２〜２．
５μｓｅｃ付近に見られるものが、圧電膜１８の凹凸に
よる反射波である。この圧電膜１８の凹凸による反射波
の減衰量は、第３図（ｈ＝０．７６、ｃｒｍ）では３８
ｄＢ。
付近のピークがメインレスポンスであり、３．３μｓｅ
ｃ付近のものがインタディジタルトランスデユーサ１４
における多重反射（ＴＴＥ）である。そして、２〜２．
５μｓｅｃ付近に見られるものが、圧電膜１８の凹凸に
よる反射波である。この圧電膜１８の凹凸による反射波
の減衰量は、第３図（ｈ＝０．７６、ｃｒｍ）では３８
ｄＢ。
第４図（ｈ＝０．５５．ｃｒｍ）では４３ｄＢ、第５図
（ｈ＝０．４μｍ）では４５ ｄ Ｂ、第６図（ｈ＝０
．１６μｍ）では５１ｄＢとなっている。実用上、不要
な反射波の減衰量は４０〜５０ｄＢ必要とされているた
め、４５ｄＢ以上の減衰量を持つものをこの発明の範囲
とした。つまり、この実施例では、ｈ≦０．４μｍで圧
電膜１８の凹凸による反射波の減衰量が４５ｄＢ以上と
なる。
（ｈ＝０．４μｍ）では４５ ｄ Ｂ、第６図（ｈ＝０
．１６μｍ）では５１ｄＢとなっている。実用上、不要
な反射波の減衰量は４０〜５０ｄＢ必要とされているた
め、４５ｄＢ以上の減衰量を持つものをこの発明の範囲
とした。つまり、この実施例では、ｈ≦０．４μｍで圧
電膜１８の凹凸による反射波の減衰量が４５ｄＢ以上と
なる。
このように、反射波の減衰ｆｉｌが４５ｄＢとなる表面
波装置１０のｈｘｚとｄ−との関係を測定し、第７図に
示した。そして、これらの測定点を結んだ曲線が、 ｄ＝１０ （ＩＷり Ｏ゛８ で表される曲線である。つまり、１０（ｈＩり’・８≦
ｄの関係を満足するとき、圧電膜１８の表面の凹凸によ
る反射波の減衰量を４５ｄＢ以上にすることができる。
波装置１０のｈｘｚとｄ−との関係を測定し、第７図に
示した。そして、これらの測定点を結んだ曲線が、 ｄ＝１０ （ＩＷり Ｏ゛８ で表される曲線である。つまり、１０（ｈＩり’・８≦
ｄの関係を満足するとき、圧電膜１８の表面の凹凸によ
る反射波の減衰量を４５ｄＢ以上にすることができる。
第１図はこの発明の一実施例を示す斜視図である。
第２図は第１図に示す表面波装置の要部断面図である。
第３図ないし第６図はフィンガ電極の厚みｈを変化させ
た場合のタイムドメインであり、第３図はｈ＝０．７６
μｍ、第４図はｈ＝０．５５μｍ、第５図はｈ＝０．４
μｍ、第６図はｈ＝０． １６μｍにおけるタイムドメ
インである。 第７図はこの発明の基準となる反射波の減衰■４５ｄＢ
になるようなｈＸｌとｄとの関係を示すグラフである。 第８図はこの発明の背景となる従来の表面波装置の要部
断面図である。 第９図は表面波装置の断面における弾性表面波の変位の
大きさを示す図解図である。 図において、１０は表面波装置、１２はガラス基板、１
４はインタディジタルトランスデユーサ、１６フインガ
電極、１８は圧電膜を示す。 １図 ２図 １゜ ≧７ 噛輛−こ ト フ ε ス 第 図 第 図 一一麦イ仁の人でで
た場合のタイムドメインであり、第３図はｈ＝０．７６
μｍ、第４図はｈ＝０．５５μｍ、第５図はｈ＝０．４
μｍ、第６図はｈ＝０． １６μｍにおけるタイムドメ
インである。 第７図はこの発明の基準となる反射波の減衰■４５ｄＢ
になるようなｈＸｌとｄとの関係を示すグラフである。 第８図はこの発明の背景となる従来の表面波装置の要部
断面図である。 第９図は表面波装置の断面における弾性表面波の変位の
大きさを示す図解図である。 図において、１０は表面波装置、１２はガラス基板、１
４はインタディジタルトランスデユーサ、１６フインガ
電極、１８は圧電膜を示す。 １図 ２図 １゜ ≧７ 噛輛−こ ト フ ε ス 第 図 第 図 一一麦イ仁の人でで
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板と、前記基板上に形成され複数のフィンガ電極を
有するインタディジタルトランスデューサと、前記基板
上に前記インタディジタルトランスデューサを覆うよう
に形成される圧電膜とを含み、前記フィンガ電極の幅を
ｓ、隣合う前記フィンガ電極間の間隔をｌ、前記フィン
ガ電極の厚みをｈ、前記圧電膜の厚みをｄとしたとき、 ｓ≧ｌかつ １０（ｈｌ）＾０＾．＾８≦ｄ の関係を満足する、表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1109583A JP2684214B2 (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1109583A JP2684214B2 (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 表面波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02288609A true JPH02288609A (ja) | 1990-11-28 |
| JP2684214B2 JP2684214B2 (ja) | 1997-12-03 |
Family
ID=14513949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1109583A Expired - Lifetime JP2684214B2 (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2684214B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51114934U (ja) * | 1975-03-12 | 1976-09-17 | ||
| JPS55123225A (en) * | 1979-03-15 | 1980-09-22 | Nec Corp | Elastic surface wave element |
| JPS5715514A (en) * | 1980-07-01 | 1982-01-26 | Nec Corp | Manufacture for reed screen electrode for elastic surface wave |
| JPS61269410A (ja) * | 1985-05-23 | 1986-11-28 | Toshiba Corp | 薄膜弾性表面波装置 |
-
1989
- 1989-04-28 JP JP1109583A patent/JP2684214B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51114934U (ja) * | 1975-03-12 | 1976-09-17 | ||
| JPS55123225A (en) * | 1979-03-15 | 1980-09-22 | Nec Corp | Elastic surface wave element |
| JPS5715514A (en) * | 1980-07-01 | 1982-01-26 | Nec Corp | Manufacture for reed screen electrode for elastic surface wave |
| JPS61269410A (ja) * | 1985-05-23 | 1986-11-28 | Toshiba Corp | 薄膜弾性表面波装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2684214B2 (ja) | 1997-12-03 |
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Legal Events
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