JPH02288610A - 表面波装置 - Google Patents
表面波装置Info
- Publication number
- JPH02288610A JPH02288610A JP10958289A JP10958289A JPH02288610A JP H02288610 A JPH02288610 A JP H02288610A JP 10958289 A JP10958289 A JP 10958289A JP 10958289 A JP10958289 A JP 10958289A JP H02288610 A JPH02288610 A JP H02288610A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric film
- finger electrodes
- wave device
- interdigital transducer
- duty ratio
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims description 19
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は表面波装置に関し、特にたとえばテレビ用表
面波フィルタなどの表面波装置に関する。
面波フィルタなどの表面波装置に関する。
（従来技術）
従来の表面波装置１としては、第７図に示すように、ガ
ラス基板２上に複数のフィンガ電照３を有するインタデ
ィジタルトランスデューサ４を形成し、このインタディ
ジタルトランスデユーサ４を覆うように圧電膜５を形成
したものがあった。
ラス基板２上に複数のフィンガ電照３を有するインタデ
ィジタルトランスデューサ４を形成し、このインタディ
ジタルトランスデユーサ４を覆うように圧電膜５を形成
したものがあった。
このような表面波装置１では、インタディジタルトラン
スデューサ４０入力側に電気信号が入力され、それによ
って圧電膜５に弾性表面波が励振される。この弾性表面
波を受けて、インタディジタルトランスデューサ４の出
力側から出力信号が取り出される。
スデューサ４０入力側に電気信号が入力され、それによ
って圧電膜５に弾性表面波が励振される。この弾性表面
波を受けて、インタディジタルトランスデューサ４の出
力側から出力信号が取り出される。
（発明が解決しようとする課題）
このような表面波装置では、第７図に示すように、イン
タディジタルトランスデユーサ４のフィンガ電極３の厚
みのため圧電膜５の表面に凹凸が生じる。第８図に示す
ように、弾性表面波の伝播方向の変位ｕｌおよび弾性表
面波の垂直方向の変位Ｕ、は圧電膜の表面付近で太き（
なっている。
タディジタルトランスデユーサ４のフィンガ電極３の厚
みのため圧電膜５の表面に凹凸が生じる。第８図に示す
ように、弾性表面波の伝播方向の変位ｕｌおよび弾性表
面波の垂直方向の変位Ｕ、は圧電膜の表面付近で太き（
なっている。
そのため、圧電膜の凹凸によって不要な反射波が発生す
る。従来の表面波装置では、このような反射波の影響が
太き（、その特性に悪影古を及ぼす。
る。従来の表面波装置では、このような反射波の影響が
太き（、その特性に悪影古を及ぼす。
それゆえに、この発明の主たる目的は、旧電膜の表面の
凹凸による反射波の影響を小さくすることができる、表
面波装置を提供することである。
凹凸による反射波の影響を小さくすることができる、表
面波装置を提供することである。
（課題を解決するための手段）
この発明は、基板と、基板上に形成され複数のフィンガ
電極を存するインタディジタルトランスデユーサと、基
板上にインタディジタルトランスデユーサを覆うように
形成される圧電膜とを含み、フィンガ電極の幅をｓ、隣
合うフィンガ電極間の間隔をｌとしたとき、２≦１ ／
ｓの関係を満足する、表面波装置である。
電極を存するインタディジタルトランスデユーサと、基
板上にインタディジタルトランスデユーサを覆うように
形成される圧電膜とを含み、フィンガ電極の幅をｓ、隣
合うフィンガ電極間の間隔をｌとしたとき、２≦１ ／
ｓの関係を満足する、表面波装置である。
（発明の作用効果）
この発明によれば、圧電膜表面の凹凸による不要な反射
波の減衰量を４５ｄＢ以上という実用的な値に抑えるこ
とができる。
波の減衰量を４５ｄＢ以上という実用的な値に抑えるこ
とができる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
（実施例）
第１図はこの発明の一実施例を示す斜視図である。この
表面波装置１０はガラス基板Ｉ２を含む。
表面波装置１０はガラス基板Ｉ２を含む。
ガラス基板１２の一方主面上には、その長平方向の両側
にインタディジタルトランスデユーサ１４がそれぞれ形
成される。インタディジタルトランスデューサ１４は、
複数のフィンガ電極１６を含む。そして、ガラス基板Ｉ
２上には、それらのインタディジタルトランスデューサ
１４を覆うようにして圧電膜１８が形成される。この圧
電膜１８としては、たとえばＺｎＯなどの薄膜が用いら
れる。
にインタディジタルトランスデユーサ１４がそれぞれ形
成される。インタディジタルトランスデューサ１４は、
複数のフィンガ電極１６を含む。そして、ガラス基板Ｉ
２上には、それらのインタディジタルトランスデューサ
１４を覆うようにして圧電膜１８が形成される。この圧
電膜１８としては、たとえばＺｎＯなどの薄膜が用いら
れる。
このような表面波装置１０では、一方のインタディジタ
ルトランスデユーサ１４に電気信号が入力され、それに
よって圧電膜１８に弾性表面波が励振される。この弾性
表面波を受けて、他方のインタディジタルトランスデュ
ーサ１４から出力信号が取り出される。
ルトランスデユーサ１４に電気信号が入力され、それに
よって圧電膜１８に弾性表面波が励振される。この弾性
表面波を受けて、他方のインタディジタルトランスデュ
ーサ１４から出力信号が取り出される。
この表面波装置１０では、第２図に示すように、フィン
ガ電極１６の幅をｓ、隣合うフィンガ電極１６間の間隔
をｌとすると、２≦ｌ ／ ｓの関係を満足するように
これらの寸法が設定される。このように設定することに
よって、圧電膜１８表面の凹凸による不要な反射波の減
衰量を４５ｄＢ以上という実用的な値に抑えることがで
きる。
ガ電極１６の幅をｓ、隣合うフィンガ電極１６間の間隔
をｌとすると、２≦ｌ ／ ｓの関係を満足するように
これらの寸法が設定される。このように設定することに
よって、圧電膜１８表面の凹凸による不要な反射波の減
衰量を４５ｄＢ以上という実用的な値に抑えることがで
きる。
次に、これらの寸法を上述のような関係になるように設
定する理由について説明する。
定する理由について説明する。
圧電膜１８の表面には、フィンガ電極１６の厚みのため
に凹凸が生じ、この凹凸のために不要な反射波が発生す
る。ところが、弾性表面波のデユーティ比を極端に大き
くしたり小さくしたりすることによってこのような反射
波が小さくなることから、圧電膜１８の凹凸の幅、言い
換えればフィンガ電極１６の幅や隣合うフィンガ電極１
６間の間隔を変えることによって反射波の影響を小さく
することができると考えられる。
に凹凸が生じ、この凹凸のために不要な反射波が発生す
る。ところが、弾性表面波のデユーティ比を極端に大き
くしたり小さくしたりすることによってこのような反射
波が小さくなることから、圧電膜１８の凹凸の幅、言い
換えればフィンガ電極１６の幅や隣合うフィンガ電極１
６間の間隔を変えることによって反射波の影響を小さく
することができると考えられる。
そこで、これらの寸法を決定するために、フィンガ電極
１６の厚みを６０００人、隣合うフィンガ電極１６間の
間隔Ａ＝７．５μｍ、圧電膜１８の厚みを２５μｍとし
て、弾性表面波のデユーティ比を変化させ、このデユー
ティ比に応じてフィンガ電極１６の幅Ｓを変えて、その
タイムドメインを第３図ないし第６図に示した。ここで
、第３図はデユーティ比０．４．第４図はデユーティ比
０．３５．第５図はデユーティ比０．３３．第６図はデ
ユーティ比０．２６におけるタイムドメインである。
１６の厚みを６０００人、隣合うフィンガ電極１６間の
間隔Ａ＝７．５μｍ、圧電膜１８の厚みを２５μｍとし
て、弾性表面波のデユーティ比を変化させ、このデユー
ティ比に応じてフィンガ電極１６の幅Ｓを変えて、その
タイムドメインを第３図ないし第６図に示した。ここで
、第３図はデユーティ比０．４．第４図はデユーティ比
０．３５．第５図はデユーティ比０．３３．第６図はデ
ユーティ比０．２６におけるタイムドメインである。
これらの第３図ないし第６図において、１．１μｓｅｃ
付近のピークがメインレスポンスであり、３．３μｓｅ
ｃ付近のものがインタディジタルトランスデューサ１４
における多重反射（ＴＴＥ）である。そして、２〜２．
５μｓｅｃ付近に見られるものが、圧電膜１８の凹凸に
よる反射波である。この圧電膜１８の凹凸による反射波
の減衰量は、第３図（デユーティ比０．４）では３８ｄ
Ｂ、第４図（デユーティ比０．３５＞では４３ｄＢ、第
５図（デユーティ比０．３３）では４５ｄＢ、第６図（
デユーティ比０．２６）では５１ｄＢとなっている。実
用上、・不要な反射波の減衰量は４０〜５０ｄＢ必要と
されているため、４５ｄＢ以上の減衰量を持つものをこ
の発明の範囲とした。
付近のピークがメインレスポンスであり、３．３μｓｅ
ｃ付近のものがインタディジタルトランスデューサ１４
における多重反射（ＴＴＥ）である。そして、２〜２．
５μｓｅｃ付近に見られるものが、圧電膜１８の凹凸に
よる反射波である。この圧電膜１８の凹凸による反射波
の減衰量は、第３図（デユーティ比０．４）では３８ｄ
Ｂ、第４図（デユーティ比０．３５＞では４３ｄＢ、第
５図（デユーティ比０．３３）では４５ｄＢ、第６図（
デユーティ比０．２６）では５１ｄＢとなっている。実
用上、・不要な反射波の減衰量は４０〜５０ｄＢ必要と
されているため、４５ｄＢ以上の減衰量を持つものをこ
の発明の範囲とした。
つまり、この実施例では、デユーティ比０．３３以下で
圧電膜１８の凹凸による反射波の減衰量が４５ｄＢ以上
となる。
圧電膜１８の凹凸による反射波の減衰量が４５ｄＢ以上
となる。
このように、デユーティ比０．３３以下、つまり２≦ｌ
／Ｓの関係を満足するとき、圧電膜１８の表面の凹凸に
よる反射波の減衰量を４５ｄＢ以上にすることができる
。
／Ｓの関係を満足するとき、圧電膜１８の表面の凹凸に
よる反射波の減衰量を４５ｄＢ以上にすることができる
。
第１図はこの発明の一実施例を示す斜視図である。
第２図は第１図に示す表面波装置の要部断面図である。
第３図ないし第６図は弾性表面波のデユーティ比を変化
させた場合のタイムドメインであり、第３図はデユーテ
ィ比０．４．第４図はデユーティ比０．３５．第５図は
デユーティ比０．３３．第６図はデユーティ比０．２６
におけるタイムドメインである。 第７図はこの発明の背景となる従来の表面波装置の要部
断面図である。 第８図は表面波装置の断面における弾性表面波の変位の
大きさを示す図解図である。 図において、１０は表面波装置、１２はガラス基板、１
４はインタディジタルトランスデユーサ、１６フインガ
電極、１８は圧電膜を示す。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 岡 １） 全 啓 図 第 図 １蓼＊Ａ も −ｊ 慮幕−毛 μ） 除 第 図 第 図 ←専＊ｐＡ侶 □変化の人さゴ
させた場合のタイムドメインであり、第３図はデユーテ
ィ比０．４．第４図はデユーティ比０．３５．第５図は
デユーティ比０．３３．第６図はデユーティ比０．２６
におけるタイムドメインである。 第７図はこの発明の背景となる従来の表面波装置の要部
断面図である。 第８図は表面波装置の断面における弾性表面波の変位の
大きさを示す図解図である。 図において、１０は表面波装置、１２はガラス基板、１
４はインタディジタルトランスデユーサ、１６フインガ
電極、１８は圧電膜を示す。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 岡 １） 全 啓 図 第 図 １蓼＊Ａ も −ｊ 慮幕−毛 μ） 除 第 図 第 図 ←専＊ｐＡ侶 □変化の人さゴ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板と、前記基板上に形成され複数のフィンガ電極を
有するインタディジタルトランスデューサと、前記基板
上に前記インタディジタルトランスデューサを覆うよう
に形成される圧電膜とを含み、前記フィンガ電極の幅を
ｓ、隣合う前記フィンガ電極間の間隔をｌとしたとき、 ２≦ｌ／ｓ の関係を満足する、表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10958289A JPH02288610A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10958289A JPH02288610A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02288610A true JPH02288610A (ja) | 1990-11-28 |
Family
ID=14513925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10958289A Pending JPH02288610A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02288610A (ja) |
-
1989
- 1989-04-28 JP JP10958289A patent/JPH02288610A/ja active Pending
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