JPH0228576A - 磁気センサ - Google Patents
磁気センサInfo
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- JPH0228576A JPH0228576A JP63180018A JP18001888A JPH0228576A JP H0228576 A JPH0228576 A JP H0228576A JP 63180018 A JP63180018 A JP 63180018A JP 18001888 A JP18001888 A JP 18001888A JP H0228576 A JPH0228576 A JP H0228576A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、強磁性薄膜層に生じる磁気抵抗効果を利用し
て回転体等の対象物の速度１回転数を検出する磁気セン
サに関する。
て回転体等の対象物の速度１回転数を検出する磁気セン
サに関する。
（従来の技術）
この種の磁気センサの従来例として第４図。
第５図に示すものが知られている。
同図に示す磁気センサ２０は、Ｎ ａ＋ 、 Ｃａ＋Ｃ
，ｉｌ’−Ｆ″″等の不純物イオンを含むガラス製の基
板１１と、この基板２０上に形成された凹状の強磁性＠
膜層１２と、この強磁性薄膜層１２全体を被うようにガ
ラス基板１１の大部分の領域に形成された例えばＳｉＮ
製の絶縁保護層１３と、前記強磁性薄膜層１２０両端部
及び中間部に対し、絶縁保護層１３の上側からこの絶縁
保護層１３を部分的に貫いた状態で接触するように形成
されたＡｕ又はＴ１製のり＋）電極部子Ｑａ、中点電極
部１０ｂ、（−）電極部１０Ｇとを具備している。
，ｉｌ’−Ｆ″″等の不純物イオンを含むガラス製の基
板１１と、この基板２０上に形成された凹状の強磁性＠
膜層１２と、この強磁性薄膜層１２全体を被うようにガ
ラス基板１１の大部分の領域に形成された例えばＳｉＮ
製の絶縁保護層１３と、前記強磁性薄膜層１２０両端部
及び中間部に対し、絶縁保護層１３の上側からこの絶縁
保護層１３を部分的に貫いた状態で接触するように形成
されたＡｕ又はＴ１製のり＋）電極部子Ｑａ、中点電極
部１０ｂ、（−）電極部１０Ｇとを具備している。
そして、前記（＋）電極部１０ａに例えば＋５０（Ｖ）
、（−）電極部１０ｂｋ−例えば−５０（Ｖ）を印加し
、中点電極部１０ｂの電位を２５００（ｍＶ）程度に維
持した状態で、前記絶縁保護層１３の近傍でＮ、Ｓの磁
極を有する回転体を回転させ、この回転体からの磁束に
暴き強磁性薄膜層１２に磁気抵抗効果による抵抗変化を
生じさせることにより、回転体の回転速度等を検出する
ようになっている。
、（−）電極部１０ｂｋ−例えば−５０（Ｖ）を印加し
、中点電極部１０ｂの電位を２５００（ｍＶ）程度に維
持した状態で、前記絶縁保護層１３の近傍でＮ、Ｓの磁
極を有する回転体を回転させ、この回転体からの磁束に
暴き強磁性薄膜層１２に磁気抵抗効果による抵抗変化を
生じさせることにより、回転体の回転速度等を検出する
ようになっている。
しかしながら、上記構成の磁気センサ２０においては、
基板１１中に含まれる拡散係数の大きいＮａ＋やＣａ＋
又はＣλ−２Ｆ−等の各種イオンがガラス基板１１の中
を移動し、強磁性薄膜層１２における（−）電極部１０
Ｇの付近にイオン集中現象が生じる。
基板１１中に含まれる拡散係数の大きいＮａ＋やＣａ＋
又はＣλ−２Ｆ−等の各種イオンがガラス基板１１の中
を移動し、強磁性薄膜層１２における（−）電極部１０
Ｇの付近にイオン集中現象が生じる。
この現象が生じると、基板１１の結晶構造が変り基板１
１自体が変質する。又、Ｎａ＋とＮａ”とのイオン同士
のリークが生じ又は強磁性薄膜層１２を構成するＮｉＦ
ｅとＮａ＋とが反応してアルカリ金属が析出する。この
結果、磁気センサ２０自体の検出特性を劣化させたり磁
気薄膜層１２の断線を起すという問題がある。
１自体が変質する。又、Ｎａ＋とＮａ”とのイオン同士
のリークが生じ又は強磁性薄膜層１２を構成するＮｉＦ
ｅとＮａ＋とが反応してアルカリ金属が析出する。この
結果、磁気センサ２０自体の検出特性を劣化させたり磁
気薄膜層１２の断線を起すという問題がある。
更に、上述したようなイオン集中現象により強磁性薄膜
層１２の磁気抵抗分布が不均一となり、特に、磁気セン
サ２０が高温、過負荷状態で使用された場合、中点電位
が第６図に示すようにプラス側又はマイナス側に大きく
変動し、検出特性の劣化が著しくなるという問題がある
。尚、第６図は第４図に示す磁気センサ２０を８０℃の
温度条件、９０乃至９５％の負荷状態で用いた場合を示
すものである。
層１２の磁気抵抗分布が不均一となり、特に、磁気セン
サ２０が高温、過負荷状態で使用された場合、中点電位
が第６図に示すようにプラス側又はマイナス側に大きく
変動し、検出特性の劣化が著しくなるという問題がある
。尚、第６図は第４図に示す磁気センサ２０を８０℃の
温度条件、９０乃至９５％の負荷状態で用いた場合を示
すものである。
また、第７図は、ガラス基板１１の変りにグレーズ基板
を用いて構成した磁気センサの中点電位の変化状態を示
すものでおる。
を用いて構成した磁気センサの中点電位の変化状態を示
すものでおる。
（発明が解決しようとする課題）
上述したように従来の磁気センサにおいては、イオン移
動による断線や特性劣化を招くという問題がある。
動による断線や特性劣化を招くという問題がある。
そこで本発明は、イオン阻止層を設けることによって、
上述した欠点を解消し、信頼性向上を図ることができる
磁気センサを提供することを目的とするものである。
上述した欠点を解消し、信頼性向上を図ることができる
磁気センサを提供することを目的とするものである。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明の磁気センサは、不純物イオンを包含する基板上
に強磁性薄膜層を形成し、この強磁性薄膜層に生じる磁
気抵抗効果を利用して対象物の検出を行う磁気センサに
おいて、前記基板と強磁性情ｌｌｌ５との間にイオン阻
止層を設けたものである。 （作 用） 上記構成の磁気センサによれば、不純物イオンを包含す
る基板と強磁性薄膜層との間にイオン阻止層を設けたこ
とによって、基板中の不純物イオンが強磁性薄膜層に到
達することがなく、これにより、強磁性薄膜層の断線や
検出特性劣化が防止される。
に強磁性薄膜層を形成し、この強磁性薄膜層に生じる磁
気抵抗効果を利用して対象物の検出を行う磁気センサに
おいて、前記基板と強磁性情ｌｌｌ５との間にイオン阻
止層を設けたものである。 （作 用） 上記構成の磁気センサによれば、不純物イオンを包含す
る基板と強磁性薄膜層との間にイオン阻止層を設けたこ
とによって、基板中の不純物イオンが強磁性薄膜層に到
達することがなく、これにより、強磁性薄膜層の断線や
検出特性劣化が防止される。
（実施例）
以下に本発明の実施例による詳細を説明する。
尚、第１図、第２図に示す磁気センサ１において第４図
に示す従来例と同一の機能を有するものには同一の符号
を付して示す。
に示す従来例と同一の機能を有するものには同一の符号
を付して示す。
この磁気センサ１が第４図に示すものと相違する点は、
基板１１と強磁性薄膜層１２及び絶縁保護層１２との間
にイオン阻止層２を形成したことである。このイオン阻
止層２の材質としては、ＳｉＯ２，５ｉ３Ｎａ 、Ｓｉ
Ｎ、 Ａｊ！２０３ 。
基板１１と強磁性薄膜層１２及び絶縁保護層１２との間
にイオン阻止層２を形成したことである。このイオン阻
止層２の材質としては、ＳｉＯ２，５ｉ３Ｎａ 、Ｓｉ
Ｎ、 Ａｊ！２０３ 。
ＳｉＣ，５ｉＯＮ、サイボス又はこれらを積層したもの
等を挙げることができる。
等を挙げることができる。
又、イオン阻止層２は、基板１１の片面にスパッタリン
グ法またはＣＶＤ法により１０００Ａ乃至３０００Ａ程
度の厚さとなるように形成され、このイオン阻止層２の
基板１１とは反対の面に従来例と同様な強磁性薄膜層１
２．絶縁保護層１３及び各電極部１０ａ、１０ｂ、１０
ｃが形成されている。
グ法またはＣＶＤ法により１０００Ａ乃至３０００Ａ程
度の厚さとなるように形成され、このイオン阻止層２の
基板１１とは反対の面に従来例と同様な強磁性薄膜層１
２．絶縁保護層１３及び各電極部１０ａ、１０ｂ、１０
ｃが形成されている。
尚、前記イオン阻止層２は、既述した不純物イオンの（
＝）電極部１０ｃ側への集中現象を考慮して、（−）電
極部１０ｃの部分のみに形成するようにしてもよい。
＝）電極部１０ｃ側への集中現象を考慮して、（−）電
極部１０ｃの部分のみに形成するようにしてもよい。
上記構成の磁気センサ１によれば、基板１１中のＮａ”
、 Ｃａ十等の不純物イオンが（−）電極部１０Ｃ側
へ移動しようとしても、イオン阻止層２の作用でその移
動が阻止され、これにより、基板１１の変質や強磁性薄
膜層１２の断線が無くなると共に、中点電極部１０ｂに
おける中点電位の変動も無くなり、この磁気センサ１の
検出特性が安定し信頼性向上を図れる。
、 Ｃａ十等の不純物イオンが（−）電極部１０Ｃ側
へ移動しようとしても、イオン阻止層２の作用でその移
動が阻止され、これにより、基板１１の変質や強磁性薄
膜層１２の断線が無くなると共に、中点電極部１０ｂに
おける中点電位の変動も無くなり、この磁気センサ１の
検出特性が安定し信頼性向上を図れる。
第３図は、本発明の他の実施例を示すものである。
同図に示す磁気センサ１Ａは、基板１１Ａとして、セラ
ミックス基板３Ａの片面にガラスグレーズ層３Ｂを形成
したものを用い、他の構成要素は第１図に示すものと同
一とすることにより構成したものである。
ミックス基板３Ａの片面にガラスグレーズ層３Ｂを形成
したものを用い、他の構成要素は第１図に示すものと同
一とすることにより構成したものである。
このような磁気センサ１Ａの場合も、第１図に示す磁気
センサ１の場合と同様な機能を発揮させることができる
。
センサ１の場合と同様な機能を発揮させることができる
。
本発明は上述した実施例に限定されるものではなく、そ
の要旨の範囲内で種々の変形が可能である。
の要旨の範囲内で種々の変形が可能である。
［発明の効果］
以上詳述した本発明によれば、イオン阻止層を不純物イ
オンを包含する基板と強磁性薄膜層との間に介在させた
ことによって、不純物イオンが強磁性薄膜層へ移動する
ことが阻止され、これにより検出特性が安定し信頼性向
上を図ることができる磁気センサを提供することができ
る。
オンを包含する基板と強磁性薄膜層との間に介在させた
ことによって、不純物イオンが強磁性薄膜層へ移動する
ことが阻止され、これにより検出特性が安定し信頼性向
上を図ることができる磁気センサを提供することができ
る。
第１図は本発明の磁気センサの実施例を示す平面図、第
２図は第１図のＩ−Ｉ線断面図、第３図は本発明の他の
実施例を示す断面図、第４図は従来の磁気センサを示す
平面図、第５図は第４図の■−■断面図、第６図は第４
図に示す磁気センサの中点電位の変動を示す電圧−時間
特性図、第７図は従来の別の磁気センサの中点電位の変
動を示す電圧−時間特性図である。 １・・・磁気センサ、 ２・・・イオン阻止層、
１２・・・強磁性薄膜層。 第 図 第 図 第 図
２図は第１図のＩ−Ｉ線断面図、第３図は本発明の他の
実施例を示す断面図、第４図は従来の磁気センサを示す
平面図、第５図は第４図の■−■断面図、第６図は第４
図に示す磁気センサの中点電位の変動を示す電圧−時間
特性図、第７図は従来の別の磁気センサの中点電位の変
動を示す電圧−時間特性図である。 １・・・磁気センサ、 ２・・・イオン阻止層、
１２・・・強磁性薄膜層。 第 図 第 図 第 図
Claims (1)
- 不純物イオンを包含する基板上に強磁性薄膜層を形成し
、この強磁性薄膜層に生じる磁気抵抗効果を利用して対
象物の検出を行う磁気センサにおいて、前記基板と強磁
性薄膜層との間にイオン阻止層を設けたことを特徴とす
る磁気センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63180018A JPH0228576A (ja) | 1988-07-18 | 1988-07-18 | 磁気センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63180018A JPH0228576A (ja) | 1988-07-18 | 1988-07-18 | 磁気センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0228576A true JPH0228576A (ja) | 1990-01-30 |
Family
ID=16076021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63180018A Pending JPH0228576A (ja) | 1988-07-18 | 1988-07-18 | 磁気センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0228576A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5146460A (en) * | 1990-02-16 | 1992-09-08 | International Business Machines | Logic simulation using a hardware accelerator together with an automated error event isolation and trace facility |
| US6239503B1 (en) | 1999-05-12 | 2001-05-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Electric starter motor |
-
1988
- 1988-07-18 JP JP63180018A patent/JPH0228576A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5146460A (en) * | 1990-02-16 | 1992-09-08 | International Business Machines | Logic simulation using a hardware accelerator together with an automated error event isolation and trace facility |
| US6239503B1 (en) | 1999-05-12 | 2001-05-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Electric starter motor |
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