JPH02284130A - 情報記憶媒体および情報記憶装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、可逆的に超大容量のデータを記憶する情報記
憶媒体および情報記憶装置に関し、特に非線形光学効果
を用いて記録を行う情報記憶媒体およびその情報記憶装
置に関する。

［従来の技術］ 現在、光記憶方式は大容量かつランタムアクセスに優れ
たものとして実用化されている。その方式も多岐にわた
り、再生専用としてディジタルオーディオディスク（Ｃ
Ｄ）やレーザービデオディスク（ＬＤ）が実用化されて
いる。光記録か回部なものとしては追記型光ディスク（
ＷＯ）　、光カード（ＯＣ）が知られており、金属薄膜
の相変化を用いるものや、有機染料のピット形式を用い
るものかある。

さらに、書き換え型光ディスクの研究か進められており
、光磁気効果を用いたもの、相変化を用いたものの実用
化が図られている。その中にあって高分子液晶も情報記
憶媒体として提案されている（特開昭５９−１（１９３
０号公報、特開昭５９−３５ｇ１ｌｌＱ号公報、　＃［
［１（６２−１５４３４０号公報）、ソノ中テハ、記録
方式としてコレステリック性高分子液晶のらせんピッチ
長を変えるか、あるいは無配向状態のピット形成によっ
て光反射率を多値的に変化せしめる方式も提案されてい
る（特開昭６２−１０７４４８号公報、特開昭６２−１
２９３７号公報）、その他、情報記録媒体以外にも高分
子液晶を用いた表示装置も提案されている。（特開昭６
２−２７８５２９号公報、特開昭６２−２７８５３０号
公報） これらは、大容量なデータを記憶することか可能であり
、優れた特性を有するものであるが、磁気記録の記録波
長が０．１終■程度まで可能となっている現状から、十
分に大容量であるとは言えなくなっている。

光記録による超大容量記憶の可能なものとして、ホログ
ラフィックメモリーか提案されている［ビー　ジェイ　
ヴアン　ハーデン［アプライド　オプティクスＪ　　（
Ｐ、Ｊ、ｖａｎ　ｌ１ｃｅｒｄｅｎ、　Ａｐｐｌ。

０ｐｔｉｃｓ）第２巻、３９３頁（１９６３年）］。

しかしながら、これらは超高密度なホログラムを記録す
ることが可能な可逆感光材料がなかったために実用的に
用いることか出来なかった。

最近、このような目的に適した可逆感光材料として、高
分子液晶の光異性化反応を用いたものが報告されている
。（特開昭６３−８７６２６号公報、４−シ開昭６２−
１９１８２６号公報） また、光吸収や光誘起フレデリック転移を用いて、ホロ
グラムを高分子液晶へ記録することも報告されている。

（特開昭６２−２８５２４５号公報、特開昭６２−２８
３４３３号公報） ［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上記従来例ては、光異性化反応を用いて
いるために、書き込み速度、消去速度が遅い欠点かあっ
た。さらに、上記従来例では、超大容量の記憶・再生を
行ったときには一１記録速度・再生速度か十分でなく、
データの入力・転送において入出力制御装置の性能を制
限する欠点があった。

また、光吸収や光誘起フレデリック転移を用いたものは
、それぞれ光吸収により回折効率の低下を生じるし、光
誘起フレデリック転移を用いて記録を行うものは大出力
レーザーが必要となり、装置か大型化し、記憶媒体が劣
化する欠点があった。

本発明の目的は、この様な従来技術の欠点を改善するた
めになされたも゛のであり、高感度の記録が可能て光吸
収がほとんどないために高い回折効率か得られ、これに
より高いＳ／Ｎを得ることかできる情報記憶媒体を提供
することにある。

本発明の他の目的は、情報記憶媒体に高速でホログラム
による超大容量データ記憶が可能となるとともに記録さ
れた超大容量データを高速で再生することを可能とした
情報記憶装置を提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 即ち２本発明の第一の発明は、レーザー光を非線形光学
効果により波長交換し、該変換された波長を吸収する非
線形光学材料からなる記録層を有することを特徴とする
情報記憶媒体である。

また１本発明の第二の発明は、レーザー光を照射する手
段と、該レーザー光を参照光と記録光に分離する手段と
、分離された記録光に強度変調からなるピット情報を与
える手段と、非線形光学効果によって波長交換を行ない
かつ交換された波長を吸収する情報記憶媒体に参照光と
記録光の干渉を記録する手段と、参照光を照射したとき
に生しる回折光を受光する光検出器からなる手段を備え
ていることを特徴とする情報記憶装置である。

以下１本発明の詳細な説明する。

本発明の情報記憶装置によれば、レーザー光を照射する
手段、該レーザー光を参照光と記録光に分離する手段１
分離された記録光に強度変調からなるビット情報を与え
る手段、非線形光学効果によって波長変換を行い、かつ
変換された波長を吸収する情報記憶媒体に参照光と記録
光の干渉を記録する手段、及び参照光を照射したときに
生じる回折光を受光する光検出器からな手段を設けたこ
とにより、前記情報記憶媒体に高速でホログラムによる
超大容量データ記憶か可能となるとともに記録された超
大容量データを高速で再生することを可能としたもので
ある。

また、本発明の非線形光学効果によって波長変換を行い
、かつ変換された波長を吸収する情報記憶媒体を用いる
ことにより、高感度の記録が可能で、吸収かほとんどな
いために、高い回折効率が得られるようにしたものであ
る。これにより、高いＳ／Ｎか得られる。

次に、本発明の情報記憶装置について第１図を用いて詳
細に説明する。第１図は、本発明の情報記憶装置の一例
を示す概略図である。同図において、まず２レーザー光
源駆動装３１１０１によってレーザー光源１０２の強度
およびパルス巾の制御な行うことにより、記録もしくは
再生のためのレーザー光の変調を行う。このような変調
か可能なレーザー光源としては半導体レーザーか最も適
しており、特にコヒーレンズ長の長い単一横モート半導
体レーザーが選択される。

得られたレーザー光は、コリメーターレンズ１０３によ
り平行光とされ、ハーフミラ−１０４により記録光１１
９と参照光１２０に分離される。

記録光１１９は、集光レンズ１０９により情報記憶媒体
１１６上の非線形光学材料からなる記録層１１４に集光
される。このとき記録光１１９は、記録のための入力デ
ータ転送装置１１０より発生する入力データ信号によっ
て、シャッターアレイ駆動回路１１１からシャッターア
レイ１１２の駆動信号を発生し、シャッターアレイ１１
２へ濃度変化によって与えられる入力データを与える。

シャッターアレイ１１２は、強誘体結晶やＰＬＺＴ等に
代表される強誘電性セラミックス、液晶９強誘電性液晶
等を用いることが可能である。特に、表面安定化強誘電
性液晶を用いたシャッターアレイは高速駆動が可能で、
かつそのメモリー性を用いた超大容量データ出力か可能
である。

シャッターアレイによって濃度変調を与えられた記録光
は、ミラー１１３によって情報記憶媒体１１［ｉの非線
形光学材料からなる記録層１１４に集光される。

一方、ハーフミラ−１０４によって分離された参照光１
２０はミラー１０５により反射され、さらに集光レンズ
１０８により記録光と同じ位置に集光される。集光され
た記録光１］９と参照光１２０は干渉を生じ、非線形光
学材料からなる記録層１１４に屈折率の変化として干渉
しまをホログラフィックに記録される。

情報記憶媒体１１６に用いられる非線形光学材料からな
る記録層１１４は、照射されたレーザー光を非線形光学
効果によって波長変換し、かつ変換された波長を吸収す
るものである。

この場合に、用いられる非線形光学効果としては次のよ
うなものかある。

■光第２高調波発生（ＳＩＩＧ） ■光第３高調波発生（Ｔ）ＩＧ） ■パラメトリック発振 ■電界誘起第２高調波発生 また、波長変換は前記の非線形光学効果のみでなく、用
いられる非線形光学材料の２次、３次非線形感受率に基
いて種々の波長変換が可能であるか、波長変換効率が高
く、かつ単一のレーザー光源にて波長変換可能な５ＩＩ
Ｇ、　ＴＨＧを用いたものか望ましい。

このとき５ＩＩＧへの変換効率は下記の（１）式にて表
わされる。

ρ：非線形光学材料の長さ ｐ＋２副：第２高調波強度 Ｐ（０：基本波の強度　　Ａ：；１本波の面積ル。：真
空の透磁率　ｎ１ｌｌ、　ｎ（２″）：屈折率ε。：真
空の誘電率　　ω：基本波の周波数ｄ（２°）　：２次
の非線形定数 Δに＝ｋ（２″）−に３″ｌｋ（ｌ＝ωｎ（（１１１／
Ｃ６５ＨＧによる高調波の強度は基本波の２乗して比例
しているために、記録時と再生時て十分な差をとること
が可能てあり、高感度な記憶媒体を用いても、再生時に
記憶内容をそこなうことなく高いＳ／Ｎが得られる。

また、Ｔ）ＩＧへの変換効率は下記の（２）式で表わさ
れる。

ｎ（（ｉｌｌ、　ｎ（：Ｉ“）：屈折率　　Ｃ：光速Ｃ
（１副二３次の非線形定数 Δ　ｋ＝に’コω）−３ｋ（ω） ＴＨＧによる高調波の強度は基本波の３乗に比例してい
るために、ＳＨＧに比較してさらに記録・再生光で十分
な感度差を得ることが出来る。

しかしながら、Ｃ（３″Ｉｌかｄ（２ω）に比較して小
さいために記録時の感度か低くなりやすく、場合により
５ＩＩＧによる第２高調波と基本波のパラメトリック混
合により第３高調波を得ることが望ましい。

以上のような変換は基本波レーザーパワーによるため、
厚み方向で参照光と記録光に強度差をつけることにより
均一なホログラム記録を行うことか可能となる。

レーザー光源１０２に用いることの出来るレーザーとし
ては、気体レーザー、固体レーザー、色素レーザー、エ
キシマ−レーザー等があるか、好ましくは半導体レーザ
ーか用いられる。

半導体レーザーによって得られるレーザー光の波長は６
８０〜１６００ｎｍであり、高出力で安定でかつ安価な
ものとしては７８０〜１３００ｎ■の波長のものか用い
られる。さらに好ましくは、７８０〜８５０ｎｍのもの
で、コヒーレンス長の長い半導体レーザーか用いられる
。

前記、半導体レーザーの発振波長範囲で半導体レーザー
光を本発明の情報記憶装置に用いると、変換波長は５Ｉ
ＩＧで３９０〜６５０ｎｍ　、より好ましくは３９０〜
４２５ｎｍ　、　ＴＨＧで２６（１−４３Ｏｒ＋鳳、よ
り好ましくは２６０〜２８０ｎｓとなる。

このような変換波長で用いられる吸収を有する非線形光
学材料としては、カットオフ波長が３０００１１１以下
の化合物もしくは組成物が用いられる。より好ましくは
、カットオフ波長が６５００■以下の非線形光学材料が
用いられる。

前記レーザー光波長に用いることの可能な非線形光学材
料としては次のようなものがある。

■有機結晶 ■高分子化合物 ■非線形化合物を含有する高分子化合物■高分子液晶化
合物 ■非線形化合物を含有する高分子液晶組成物有機結晶を
非線形光学材料からなる記録層として用いる場合は、薄
膜単結晶化していることが望ましく、物体光と参照先に
よって生じる干渉を波長変換して吸収することにより部
分的に加熱し。

溶融状態とすることて分子配列を乱し、屈折率の差とし
て記録再生することが可能となる。

有機結晶として用いることの可能な有機化合物としては
、下記に示す化合物か挙げられるか、これらに限定され
るものてはない。また、好ましくは２次の超分極率βは
０．４　Ｘ　１０−”ｅｓｕ以上であり、さらに好まし
くは２　Ｘ　１０−”ｅｓｕ以上のものか望ましい。

（Ｏ２Ｎ）ｘ　Ｃ０ ＮＯ□ ７゜Ｈ′ Ｈ，ＰＯ４゜・Ｏ２０ Ｏ Ｏ２ ｃ Ｆ３ Ｎ Ｈ２０Ｈ ＯＯＨ Ｏ２ ｏ２ Ｍｅ ！／４　Ｃｓ　Ｈａ Ｍｅ Ｍｅ Ｒ′ Ｒ′ Ｒ′ Ｒ′ Ｈ，Ｎ− ＨＣＯＭｅ Ｈ ｅＯ− Ｒ Ｒ′ （＋　）　ｐｓｅｕｃｌｏｅｐｂｅｄｒｉｎｅ（−）　
ｎｏｒｐｓｅｕｄｏｅｐｈｅｄｒｉｎｅＣＨ−・・（７
７ｄ） 次に、高分子化合物としては、特開昭６：ｌ−１７５８
３４号公報、特開昭５３−１７５８３５号公報、特開昭
６３−５４４２２号公報等に報告されているものか挙げ
られる。これらは単結晶化は困難であり、電場・磁場・
延伸等により配向して用いることか望ましい。

これらも前記有機結晶と同様に波長変換し吸収すること
により１部分的に加熱、溶融し、配向を乱して記録する
ことが可能である。

次に、非線形化合物を含む高分子組成物は、ホストポリ
マーとゲスト化合物からなり、ゲスト化合物としては前
記有機結晶として示した有機非線形化合物か用いられる
。ホストポリマーとしては、ポリエステル、ポリエーテ
ル、ポリアミド。

ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリスチレン
、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、ポリエーテ
ルスルフォン テルケトン、ポリスルフォン等が用いられる。

これ等の高分子組成物としては、特に好ましくは、特願
昭６２−　２３４９５０号，特願昭６３−　１２５７５
号。

特願昭６：ｌ−　２１４９７号，特願昭６３−　１８８
１２号等に記載されている高分子組成物か用いられる。

高分子組成物中における有機非線形化合物の添加量は１
〜８０ｗｔ％の範囲てあり、１ｗｔ％未満では非線形効
果が弱く、８０ｗｔ％をこえると相分離して好ましくな
い。

次に、高分子液晶化合物としては、特開昭６３−１５５
０３６号公報、特開昭６：ｌ−２０４２３５号公報、特
開昭６３−１９２０３０号公報、特開昭６３−１８３９
２７号公報、特開昭６３−１１３５２６号公報、＃開閉
６３−２６６３９号公報に示されるようなものが用いら
れる。これらは高分子液晶の通常の配向処理により配向
させることにより良好な特性が得られる。また、波長変
換し、吸収することにより部分的に加熱溶融し、配向を
乱すか、もしくは相転移により記録・再生を行う、この
とき電場・磁場を併用することは可能である。

次に、非線形化合物を含有する高分子液晶組成物として
は、前記高分子液晶化合物の他に下記の高分子液晶化合
物を用いることが可能であり、前述の有機非線形化合物
をゲストとして用いることか好ましい。このときゲスト
有機化合物の添加量は、１〜５０ｗｔ％の範囲が好まし
い。１ｗｔ％未満では有機非線形化合物の添加の効果が
弱く、５０ｗｔ％をこえると液晶性を失うために好まし
くない。

高分子液晶化合物として具体的には次のようなものが挙
げられる。

（下記式（１）　〜（１：ｌ）中、１５＞　ｎ≧１であ
る。）（下記式（１４）　〜（１７）中、　ｐ　＝　５
〜１０００．　ｐ、＋　ｐ２＝５〜１００（＋、　　ｑ
　＝　１〜１６．Ｑ＋＝　１〜１６．Ｑ２＝　１〜１６
である。） Ｃ１１３ →ＣＨ，−Ｃ→「 ＣＨ。

→Ｃ１＋、−Ｃ→「 （ｍ、＝２〜１０） （下記式（１８）〜（４６）中、 ＊は不斉炭素中心を 示し。

ｎ＝５〜１０００である。

（ａ２＝２〜ｌ５） −＋　ＣＨ，−Ｃ→− ｎ （−２＝２〜１５） し＋１３ Ｃ１１゜ （１１２＝２〜１５） （＋、＝２〜ｌ５） （ｘ＋ｙ＝１゜ ｑ＝ｌ〜１０．　Ｐ２＝　１〜１５） ＣＩ＋１ （ｘ　＋　ｙ　＝　１　、　ｔａ２＝　２〜１５）（Ｘ
＋ｙ＝１．ｍ、＝２〜ｌ５） （ｘ＋ｙ＝１．　　曹２＝２〜１５） （麿、＝１〜５） （＠Ｓ＝Ｏ〜５） （ｘ＋ｙ＝１） ｒ （以下、 ＋１６は１〜１８とする） ＣＩ！□ （り２ ＝５〜１Ｂ） 前記高分子液晶化合物は、 その相転位温度を調 整するために低分子液晶と組み合わせて用いることが出
来る。

具体的な低分子液晶の例としては、 次のような ものが挙げられる。

Ｐ−デシロキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−メチ
ルブチルシンナメー）−（ＤＯＢＡＭＢＣ）Ｐ−テトラ
デシロキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−メチルブ
チル−α−シアノシンナメート（ＴＤＯ８ＡＭＢＣＧ）
Ｐ−へキシロキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−ク
ロルプロビルシンナメート　（ＩＩＯＢＡＣＰＣ）Ｐ−
オクチルオキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−メチ
ルブチル− Ｐ−デシロキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−メチ
ルブチル−α−シアノシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣＣ
）Ｐ−オクチルオキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２
−メチルブチル−α−メチルシンナメート（２−メチル
ブチル） エステル ４−へキシルオキシフェニル−４−（２’−メチルブチ
ル）ビフェニル−４′−カルボキシレート−４′−オク
チルアニリン （ＭＢＲＡ ４−才クチルオキシフェニル−４−（２″−メチルブチ
ル）ビフェニル−４′−カルボキシレート４−（２’−
メチルブチル）フェニル−４′オクチルオキシビフェニ
ル−４−カルボキシレート４−へキシルオキシフェニル
−４−（２″−メチルブチル）ビフェニル−４′−カル
ボキシレート４−（２″−メチルブチル）フェニル−４
−（４″−メチルヘキシル）ビフェニル−４′−カルボ
キシレート（４’−（４−へキシルオキシ）フェニルオ
キシカルボニル）フェニル−ｐ−（４″−メチルへキシ
ルオキシ）ベンゾエート４−　（２′−（プロとルオキ
シ）プロピル）オキシフェニル−４−（デシロキシ）ビ
フェニル−４′−カルボキシレート高分子液晶化合物は
異なる数種の高分子液晶化合物と混合して用いることが
可能である。また。

高分子液晶化合物と低分子液晶との混合物として用いる
ことも可能で、その場合の重量比は高分子液晶化合物ｌ
に対して好ましくは５以下である。

高分子液晶化合物中には、必要によりポリマー（例えば
、オレフィン系樹脂、アクリル系樹脂。

ポリスチレン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリウレタ
ン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂等）や、オリゴマー
、各種可塑剤、各種安定剤、クエンチャ−等が含有され
ていてもよい。

前記高分子液晶組成物の薄膜化については１例えば、ガ
ラスもしくはプラスチックからなる一対のディスク基板
間に液晶材料を挟加熱加圧成形をする方法や液晶材料を
加熱などして適当な粘度にしておき、ディスク基板上に
スピンコード又はディッピング、バーコード、ロールコ
ート等により塗布する方法、七ツマー状態で塗布した後
、重合させ高分子液晶化する方法等がある。

用いられる高分子液晶化合物ｔ物の厚みは、　Ｏ，ＯＳ
〜１００終層であり、０．０５未満ではホログラムとし
て十分な解像度が得られず、１００濤■をこえると厚み
方向に均一な記録・再生を行うことが困難となる。

より好ましくは０．１〜８昨鵬で用いられる。

次に、第３図は、高分子液晶化合物または高分子液晶組
成物か適した記録層を有する本発明の情報記憶媒体の一
例を示し、第３図（ａ）は本発明の情報記憶媒体の断面
図、第３図（ｂ）はそのＡＡ線断面図である。

同第３図で示す情報記憶媒体７は、ガラス板又はプラス
チック板などからなる一対の基板１とｌａをスペーサ４
で所定の間隔に保持し、この−対の基板１．ｌａをシー
リングするために接着剤６で接着したセル構造を有して
おり、さらに基板１の上には透明電極２か所定パターン
て形成されている。また、基板１ａの上には、前述の透
明電極２と向いあう透明電極２ａからなる電極が形成さ
れている。

この様な透明電極２ａを設けた基板１ａには、例えば、
−酸化珪素、二酸化珪素、酸化アルミニウム、ジルコニ
ア、フッ化マグネシウム、酸化セリウム、フッ化セリウ
ム、シリコン窒化物、シリコン炭化物、ホウ素窒化物な
どの無機絶縁物質やポリビニルアルコール、ポリイミド
、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、ポリパラキ
シレリン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリビニ
ルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリスチ
レン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂やア
クリル樹脂などの有機絶縁物質を用いて被膜形成した配
向制御膜５を設けることができる。

この配向制御膜５は、前述の如き無機絶縁物質又は有機
絶縁物質を被膜形成した後に、その表面をビロード、布
や紙で一方向に摺擦（ラビング）することによって得ら
れる。

本発明の別の好ましい具体例では、ＳｉＯや５ｉ０２な
どの無機絶縁物質を基板１ａの上に斜め蒸着法によって
被膜形成することによって配向制御膜５を得ることかで
きる。

また、別の具体例ではガラス又はプラスチックからなる
基板１ａの表面あるいは基板１ａの上に前述した無機絶
縁物質や有機絶縁物質を被膜形成した後に、該被膜の表
面を斜方エツチング法によりエツチングすることにより
、その表面に配向制御効果を付与することができる。

前述の配向制御膜５は、同時に絶縁膜としても機能させ
ることが好ましく、このためにこの配向制御１１１５の
膜厚は一般に　１００人〜ｌ　ｇｍ　、好ましくは５０
０人〜５０００人の範囲に設定することかてきる。この
絶縁膜は記録層３に微量に含有される不純物等のために
生ずる電流の発生を防止てきる利点をも有しており、従
って動作を綴り返し行っても非線形光学材料を劣化させ
ることかない。

また、本発明の情報記憶媒体てはボＩ述の配向制御効果
５と同様のものをもう一方の基板ｌに設けることができ
る。また、分子配列を確実に行うものとしては、−軸延
伸、二軸延伸、インフレーション延伸等の延伸法やシェ
アリングによる再配列か好ましい。単独ではフィルム性
がなく延伸か困難なものはフィルムにサンドイッチする
ことで共延伸し、望ましい配向を得ることかできる。

本発明の非線形光学効果を示す高分子液晶組成物は配向
して用いられるが、ホログラフィによる記録方法として
は、書き込みレーザー光によって生じた干渉の強弱によ
る非線形光学効果で発生する波長変換光の吸収による高
分子液晶組成物の加熱を用いる。具体的には１等方相以
上に罪熱して急冷することで等吉相て固定するか、液晶
相へ戻った場合の配向の乱れにより記録を行う。等万引
以下に加熱もしくは等吉相以上に加熱した場合でも、液
晶相に戻る場合は電界・磁界等を印加することで高分子
液晶の配向方向を変化させ記録を行うことが出来る。

参照光１２０は、多兎記録用ミラーＸＹθ駆劫制御装置
１０６によってミラーＸＹθ駆動装置１０７を駆動し、
ミラー１０５の位置・角度を変化させることにより、種
々の角度て情報記憶媒体１１６へ集光される。参照光の
各角度で記録光１１９のデータ内容を変化させることに
よって、同一記録ピットに各角度毎に入力データをホロ
グラフィックに記ｔαさせ多重化することが可能となり
、超大容量情報記憶が行われる。

再生においては、参照光１２０のみを照射し１回折され
た光をフォトディテクターアレイ１１７によって読み取
り、ＰＤ（フォトディテクター）信号処理装置１１８に
より再生信号とする。このとき参照光１２０の照射角度
によって多重記録されたそれぞれの情報を再生すること
が回部である。

フォトディテクター１１７は、シャッターアレイ１１２
によって与えられる入力データをそのまま１工生するの
で高速で入力データを読み取ることか出来る。

再生光は、直線偏光を用いてもよく、その場合は再生の
Ｓ／Ｎがもっとも大きくなるように偏光方向を調整する
ことが望ましい。

フォトディテクター１１７としては、ＣｄＳラインセン
サー、　ａ−Ｓｉラインセンサー、　ＣＣＤ（ｃｈａｎ
ｇｅｃｏｕｐｌｅｄ　ｄｅｖｉｃｅ）、　ＭＯＳ（ａ＋
ｅｔａｌ　ｏｘｉｄｅ　ｓｅ＋５ｉｃｏｎｄｕｃ−ｔｏ
ｒ）　、サチコン、ビジコン、　ＣＰＤ（ｃｈａｎｇｅ
　ｐｒｉｍｉ＋１＋Ｃｄｅｖｉｃｅ）等がある。これら
のフォトディテクターアレイは再生光波長に応して選択
される。

記憶内容を消去する方法としては、情報記憶媒体全体を
加熱し、記録された情報部分を再度配向させることによ
って行われる。また、記録部分に記録時よりも低パワー
のレーザー光を長時間照射することで部分的に再配向す
ることも可能である。上記の消去時には、電界・磁界等
によって再配向を促進してもよい。

［実施例］ 以下、実施例を示し本発明をさらに具体的に説ｉｆする
。

実施例１ 第２図は本発明の情報記憶媒体の一実施例を示す部分模
式図である。

ＩＴＯの透明電極２を設けたガラス基板１トにポリアミ
ック酸溶液（日立化成工業輛製ＰＩＱ：不揮発分濃度：
１．Ｏｗｔ％）をスピナー塗布機によって塗布し、１２
０℃で３０分、２００℃で６０分、３５０℃で３０分加
熱処理してポリイミド層を設け、これＴｔうピンク法に
よって一軸配向性を与えて配向制御膜５を形成した。

次に、下記の構造式（Ｉ）で表わされる高分子液晶化合
物に、下記の構造式（ＩＴ）で表わされる非線形光学化
合物を５ｗｔ％添加し、シクロヘキサンに溶解したもの
を、上記基板にスピナー塗布した。乾燥後の膜厚は５終
ｌであった。

ｎ＝１．０　　　　　　　　　　　（１）０２Ｎ−４ラ
ー旧（２ （ｎ　） 次に、上記の高分子液晶組成物を塗布した基板に、前記
ポリイミド配向制御膜を同様の処理をして形成したもう
一方の基板を配向方向を合わせて貼り合わせた。その後
、１２０°Ｃに加熱し、徐冷することにより一軸配向し
た情報記憶媒体を得た。

第１図に示す装置を使用し、この情報記憶媒体に、波長
７８０ｎｍ　、出カニｌＯｍＷの半導体レーザーを用い
てビット情報を記録し、参照光のみをｌｓＷて再生した
ところ、４０ｄＢのＳ／Ｎでビット情報が再生された。

この記憶媒体を１２０°Ｃに加熱し、徐冷することによ
り消去することかでき、再度記録を行ったがＳ／Ｎは変
らなかった。

この情報記憶媒体に：１（ｌｓＷで照射した場合に、透
過光をモノクロメータ−で分光したところ、３９０ｎ１
１の第２高調波および２６０ｎ■の第３高調波がＩｌｌ
測された。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明の情報記憶媒体によれば、
非線形光学効果を用いることによって、高感度で再生時
に劣化のない、高い回折効率を得ることが可能となり、
良好なＳ／Ｎが得られる効果がある。

また１本発明の情報記憶装置によれば、情報記憶媒体の
非線形光学材料からなる記録層へビット情報をホログラ
フィックな手段により記録し、再生することにより、感
度か良好で大容量のデータを高速で記録し、再生するこ
とかできる効果がある。

【図面の簡単な説明】 第１図本発明の情報記憶装置の一例を示す概略図、第２
図は本発明の情報記憶媒体の一実施例を示す部分模式図
および第３図は本発明の情報記憶媒体の一例を示し、第
３図（ａ）は情報記憶媒体の断面図、第３図（ｂ）はそ
のＡＡ線断面図である。 １、　ｌａ、　１１５・・・基板　　２，２ａ・・・透
明電極３．１１４・・・記録層　　　　４・・・スペー
サー５．５ａ・・・配向制御膜　６・・・接着剤７．１
１６・・・情報記憶媒体 １０１・・・レーザー光源駆動装置 １０２・・・レーザー光源 １０３・・・コリメーターレンズ １０４・・・ハーフミラ− ＋０５．　Ｉｌｌ・・・ミラー １０６・・・多重記録用ミラーＸＹθ駆動制御装置１０
７・・・ミラーＸＹθ駆動装置 １０８、１０９・・・集光レンズ １１０・・・入力データ転送装置 ｌ・・・シャッターアレイ駆動回路 １２・・・シャッターアレイ １７・・・フォトディテクター １８・・・ＰＤ（フォトディテクター）信号処理装置１
９・・・記録光 ＋２０・・・参照光

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）レーザー光を非線形光学効果により波長交換し、
   該変換された波長を吸収する非線形光学材料からなる記
   録層を有することを特徴とする情報記憶媒体。
2. （２）前記非線形光学効果が光第２高調波発生である請
   求項１記載の情報記憶媒体。
3. （３）前記非線形光学効果が光第３高調波発生である請
   求項１記載の情報記憶媒体。
4. （４）前記記録層が高分子液晶化合物を含有している請
   求項１記載の情報記憶媒体。
5. （５）レーザー光を照射する手段と、該レーザー光を参
   照光と記録光に分離する手段と、分離された記録光に強
   度変調からなるビット情報を与える手段と、非線形光学
   効果によって波長交換を行ないかつ交換された波長を吸
   収する情報記憶媒体に参照光と記録光の干渉を記録する
   手段と、参照光を照射したときに生じる回折光を受光す
   る光検出器からなる手段を備えていることを特徴とする
   情報記憶装置。
6. （６）前記レーザー光が半導体レーザーによって与えら
   れるレーザー光である請求項５記載の情報記憶装置。