JPH02278854A - 樹脂封止半導体装置 - Google Patents
樹脂封止半導体装置Info
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- JPH02278854A JPH02278854A JP1101429A JP10142989A JPH02278854A JP H02278854 A JPH02278854 A JP H02278854A JP 1101429 A JP1101429 A JP 1101429A JP 10142989 A JP10142989 A JP 10142989A JP H02278854 A JPH02278854 A JP H02278854A
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- Japan
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- resin
- semiconductor die
- sealed
- semiconductor device
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 66
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 28
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 28
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 29
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
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- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は温度変化に対する耐性が優れており、車載用電
子機器に使用する半導体装置として好適の樹脂封止半導
体装置に関する。
子機器に使用する半導体装置として好適の樹脂封止半導
体装置に関する。
［従来の技術］
第３図は従来の樹脂封止半導体装置を示す断面図である
。
。
半導体ダイ２１はアイランド２６上に固着されており、
このアイランド２６の周囲には複数本のり一ド２５が設
けられている。このリード２５は、半導体ダイ２１上に
設けられた電極とボンディングワイヤ２２により電気的
に接続されている。半導体ダイ２１、ボンディングワイ
ヤ２２及びアイランド２６等はトランスファー成型機に
より成型された樹脂封止部２４内に封止されている。リ
ード２５はこの樹脂封止部２４から側方に導出されてお
り、樹脂封止部２４の近傍で下方に屈曲している。
このアイランド２６の周囲には複数本のり一ド２５が設
けられている。このリード２５は、半導体ダイ２１上に
設けられた電極とボンディングワイヤ２２により電気的
に接続されている。半導体ダイ２１、ボンディングワイ
ヤ２２及びアイランド２６等はトランスファー成型機に
より成型された樹脂封止部２４内に封止されている。リ
ード２５はこの樹脂封止部２４から側方に導出されてお
り、樹脂封止部２４の近傍で下方に屈曲している。
上述した構造の従来の樹脂封止半導体装置において、半
導体ダイ２１は樹脂封止部２４の中心部に位置しており
、半導体ダイ２１の表面と樹脂封止部２４の表面との間
の距ｔｕｆｆ ａ ３は通常的１．３■■である。
導体ダイ２１は樹脂封止部２４の中心部に位置しており
、半導体ダイ２１の表面と樹脂封止部２４の表面との間
の距ｔｕｆｆ ａ ３は通常的１．３■■である。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、樹脂は温度の変化により膨張又は収縮す
るため、樹脂封止部２４の内部に応力が発生する。しか
も、従来の樹脂封止半導体装置においては、半導体ダイ
２１は樹脂封止部２４内において、この応力が最も集中
する中心部に位置しているため、温度変化に起因する不
都合が発生することがある。
るため、樹脂封止部２４の内部に応力が発生する。しか
も、従来の樹脂封止半導体装置においては、半導体ダイ
２１は樹脂封止部２４内において、この応力が最も集中
する中心部に位置しているため、温度変化に起因する不
都合が発生することがある。
従って、従来の樹脂封止半導体装置においては、耐温度
サイクル試験において信頼性が低く、例えば自動車に搭
載される電子機器等、温度変化が激しい環境において使
用することが前提となる場合には、他の種類の半導体装
置を使用するとか、その安全上程々の対策をとる必要が
あり、電子機器のコストを上昇させてしまうという問題
点がある。
サイクル試験において信頼性が低く、例えば自動車に搭
載される電子機器等、温度変化が激しい環境において使
用することが前提となる場合には、他の種類の半導体装
置を使用するとか、その安全上程々の対策をとる必要が
あり、電子機器のコストを上昇させてしまうという問題
点がある。
特に、半導体装置に搭載される半導体ダイか大きくなる
ほど、この欠点が顕箸に現れる。
ほど、この欠点が顕箸に現れる。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
温度変化により発生する応力による半導体ダイへの影響
を回避でき、信頼性が優れた樹脂封止半導体装置を提供
することを目的とする。
温度変化により発生する応力による半導体ダイへの影響
を回避でき、信頼性が優れた樹脂封止半導体装置を提供
することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明に係る樹脂封止半導体装置は、半導体ダイとリー
ドフレームとがボンディングワイヤにより接続されてお
り、この半導体ダイ及びボンディングワイヤが１．５５
ｍｍを超える厚さの樹脂部で封止された樹脂封止半導体
装置において、前記半導体ダイの少なくとも一方の面か
ら樹脂封止部の表面までの距離が０．５■ｌ以下である
ことを特徴とする。
ドフレームとがボンディングワイヤにより接続されてお
り、この半導体ダイ及びボンディングワイヤが１．５５
ｍｍを超える厚さの樹脂部で封止された樹脂封止半導体
装置において、前記半導体ダイの少なくとも一方の面か
ら樹脂封止部の表面までの距離が０．５■ｌ以下である
ことを特徴とする。
［作用］
本発明においては、半導体ダイの少なくとも一方の面か
ら樹脂封止部の表面までの距離が０．５ｍｍ以下である
。
ら樹脂封止部の表面までの距離が０．５ｍｍ以下である
。
本願発明者等が耐温度サイクル性能が良好な樹脂封止半
導体装置を得るべく種々実験を行ったところ、樹脂封止
部の厚さを１．５５ｍ５以下と薄くした半導体装置にお
いては、優れた耐温度サイクル性能を得ることができた
。即ち、−８５℃と １５０℃との間の温度サイクル試
験において、樹脂封止部の厚さが３．５■ｍと厚い場合
には７３サンプルの内、３０２サイクルで２個、５０５
サイクルで８個の不良が発生したが、樹脂封止部の厚さ
が１．５５ｍｍの場合にはいずれのサイクルでも不良品
はＯであった。
導体装置を得るべく種々実験を行ったところ、樹脂封止
部の厚さを１．５５ｍ５以下と薄くした半導体装置にお
いては、優れた耐温度サイクル性能を得ることができた
。即ち、−８５℃と １５０℃との間の温度サイクル試
験において、樹脂封止部の厚さが３．５■ｍと厚い場合
には７３サンプルの内、３０２サイクルで２個、５０５
サイクルで８個の不良が発生したが、樹脂封止部の厚さ
が１．５５ｍｍの場合にはいずれのサイクルでも不良品
はＯであった。
これは、樹脂封止部の厚さがこの程度であれば、半導体
ダイに加えられる応力の影響が小さいためと考えられる
。この場合、半導体ダイの位置は、Ｘ線透視により調べ
た結果、樹脂封止部の表面から０．５５■■であった。
ダイに加えられる応力の影響が小さいためと考えられる
。この場合、半導体ダイの位置は、Ｘ線透視により調べ
た結果、樹脂封止部の表面から０．５５■■であった。
本発明はこの実験結果に基づいてなされたものである。
即ち、半導体ダイの少なくとも一方の面と樹脂封止部の
表面との間の距離が短い場合には、樹脂封止部が厚い場
合であっても樹脂封止部が薄い半導体装置の場合と同様
の熱影響になるとの観点に立ってなされたものである。
表面との間の距離が短い場合には、樹脂封止部が厚い場
合であっても樹脂封止部が薄い半導体装置の場合と同様
の熱影響になるとの観点に立ってなされたものである。
本願発明者等の実験結果によると、樹脂封止部の厚さが
１．５５■■を超える半導体装置においても、半導体ダ
イの少なくとも一方の面から樹脂封止部の表面までの距
離を０．５龍以下とすることにより、半導体ダイに加え
られる応力の影響は半導体ダイか樹脂封止部の中心部に
位置している従来の半導体装置に比して極めて小さくな
る。これにより、樹脂封止半導体装置の耐温度サイクル
性能が著しく向上する。
１．５５■■を超える半導体装置においても、半導体ダ
イの少なくとも一方の面から樹脂封止部の表面までの距
離を０．５龍以下とすることにより、半導体ダイに加え
られる応力の影響は半導体ダイか樹脂封止部の中心部に
位置している従来の半導体装置に比して極めて小さくな
る。これにより、樹脂封止半導体装置の耐温度サイクル
性能が著しく向上する。
［実施例］
次に、本発明の実施例について添付の図面を参照して説
明する。
明する。
第１図は本発明の第１の実施例を示す断面図である。半
導体ダイ１は、従来と同様にアイランドｅ上に固着され
ており、このアイランド６の周囲にはり一ド５が配置さ
れている。半導体ダイ１の上面に設けられた電極はこの
リード５の先端部とボンディングワイヤ２により接続さ
れている。
導体ダイ１は、従来と同様にアイランドｅ上に固着され
ており、このアイランド６の周囲にはり一ド５が配置さ
れている。半導体ダイ１の上面に設けられた電極はこの
リード５の先端部とボンディングワイヤ２により接続さ
れている。
半導体ダイ１、ボンディングワイヤ２及びアイランド６
等は樹脂封止部４内に封止されている。
等は樹脂封止部４内に封止されている。
半導体ダイ１はこの樹脂封止部４の上面近傍に位置して
おり、樹脂封止部４の上面から半導体ダイ１の上面まで
の距離ａ、は０．５■■以下である。なお、通常ボンデ
ィングワイヤ２のループ高は０．３箇■以下であるので
、封止部４の表面から半導体ダイ１までの距ｔＲａ ｔ
は通常０．３乃至０．５■ｌであることになる。
おり、樹脂封止部４の上面から半導体ダイ１の上面まで
の距離ａ、は０．５■■以下である。なお、通常ボンデ
ィングワイヤ２のループ高は０．３箇■以下であるので
、封止部４の表面から半導体ダイ１までの距ｔＲａ ｔ
は通常０．３乃至０．５■ｌであることになる。
また、リード、５は樹脂封止部４内でアイランド６の近
傍から封止部４の側部中央に向けて屈曲しており、従来
と同様に、樹脂封止部４の側部中央から側方に導出して
いる。そして、封止部４の近傍で下方に向けて屈曲して
いる。
傍から封止部４の側部中央に向けて屈曲しており、従来
と同様に、樹脂封止部４の側部中央から側方に導出して
いる。そして、封止部４の近傍で下方に向けて屈曲して
いる。
本実施例に係る樹脂封止半導体装置は、上述の如く構成
されているため、温度変化により樹脂封止部４に発生す
る応力が半導体ダイ１に影響を与えることを回避できる
。従って、耐熱サイクル性能が極めて優れている。
されているため、温度変化により樹脂封止部４に発生す
る応力が半導体ダイ１に影響を与えることを回避できる
。従って、耐熱サイクル性能が極めて優れている。
第２図は本発明の第２の実施例を示す断面図である。
半導体ダイ１１は電極形成面を下方に向けてアイランド
１６の下面に固着されており、樹脂封止部１４内に封止
されている。アイランド１６の周囲にはリード１５が配
置されており、半導体ダイ１１の電極はこのリード１５
の先端部の下面側にボンディングワイヤ１２によって電
気的に接続されている。半導体ダイ１１は樹脂封止部１
４の下面近傍に位置しており、この半導体ダイ１１の下
面から樹脂封止部１４の下面までの距ｍ ａ ２は０．
５關以下である。
１６の下面に固着されており、樹脂封止部１４内に封止
されている。アイランド１６の周囲にはリード１５が配
置されており、半導体ダイ１１の電極はこのリード１５
の先端部の下面側にボンディングワイヤ１２によって電
気的に接続されている。半導体ダイ１１は樹脂封止部１
４の下面近傍に位置しており、この半導体ダイ１１の下
面から樹脂封止部１４の下面までの距ｍ ａ ２は０．
５關以下である。
リード１５はアイランド１６の近傍から封止部１４の側
部中央に向けて上方に屈曲しており、封止部１４の側部
中央から側方に導出された後、下方に屈曲している。
部中央に向けて上方に屈曲しており、封止部１４の側部
中央から側方に導出された後、下方に屈曲している。
上述の如く構成された本実施例の半導体装置も第１の実
施例と同様に、優れた耐温度サイクル性能を有する。
施例と同様に、優れた耐温度サイクル性能を有する。
本発明は上記各実施例に限定されないことは勿論である
。例えば、ボンディングワイヤは樹脂封止部の表面側で
はなく、内部側に位置してもよい。
。例えば、ボンディングワイヤは樹脂封止部の表面側で
はなく、内部側に位置してもよい。
［発明の効果］
以上説明したように本発明に係る樹脂封止半導体装置は
、半導体ダイの少なくとも一方の面から樹脂封止部の表
面までの距離が０．５ｍｍ以下であるから、半導体ダイ
に対する樹脂封止部の熱膨張又は収縮時に発生する応力
の影響を極めて小さく抑制することができる。このため
、耐温度サイクル性能が優れており、熱変化が激しい環
境において使用する半導体装置として、信頼性が極めて
高い。
、半導体ダイの少なくとも一方の面から樹脂封止部の表
面までの距離が０．５ｍｍ以下であるから、半導体ダイ
に対する樹脂封止部の熱膨張又は収縮時に発生する応力
の影響を極めて小さく抑制することができる。このため
、耐温度サイクル性能が優れており、熱変化が激しい環
境において使用する半導体装置として、信頼性が極めて
高い。
第１図は本発明の第１の実施例を示す断面図、第２図は
本発明の第２の実施例を示す断面図、第３図は従来の樹
脂封止半導体装置を示す断面図である。 １．１１，２１；半導体ダイ、２，１２，２２；ボンデ
ィングワイヤ、４，１４，２４；樹脂封止部、５，１５
，２５； リード、８．１６．２８；アイランド
本発明の第２の実施例を示す断面図、第３図は従来の樹
脂封止半導体装置を示す断面図である。 １．１１，２１；半導体ダイ、２，１２，２２；ボンデ
ィングワイヤ、４，１４，２４；樹脂封止部、５，１５
，２５； リード、８．１６．２８；アイランド
Claims (1)
- （１）半導体ダイとリードフレームとがボンディングワ
イヤにより接続されており、この半導体ダイ及びボンデ
ィングワイヤが１．５５ｍｍを超える厚さの樹脂部で封
止された樹脂封止半導体装置において、前記半導体ダイ
の少なくとも一方の面から樹脂封止部の表面までの距離
が０．５ｍｍ以下であることを特徴とする樹脂封止半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1101429A JPH02278854A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | 樹脂封止半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1101429A JPH02278854A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | 樹脂封止半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02278854A true JPH02278854A (ja) | 1990-11-15 |
Family
ID=14300461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1101429A Pending JPH02278854A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | 樹脂封止半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02278854A (ja) |
-
1989
- 1989-04-20 JP JP1101429A patent/JPH02278854A/ja active Pending
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