JPH02278779A - 光集積回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔卒業上の利用分野］ 本発明は、ビームによる照射と入射ビームの検出とを行
なう光集積回路に関し、特に光学式記録再生装置等の光
ヘッドに用いて好適なものである。

〔発明の概要〕

本発明は、半導体基板上に形成される光検出器と、該光
検出器上に固定され、１つの半透過反射面を存するプリ
ズムと、同じ（半導体基板上に固定される半導体レーザ
とを有する光集積回路において、上記プリズムの１部に
迷光低減手段を設けて構成することにより、光学記録媒
体からの戻り光による本来の信号を高Ｓ／Ｎ比で検知で
きるようにして、その後の信号処理を容易に行えるよう
にしたものである。

〔従来の技術］ 近時、光学記録再生装置等で用いられている光学ヘッド
は、光学記録媒体（以後、単にディスクと記す）をビー
ムで照射してこのディスクからの変調されたビームを検
出することによって情報の記録や再生を行なう。

また、光学ヘッドは、ディスクに対して非接触で用いら
れるために、フォーカスサーボが必要である。フォーカ
ス誤差検出法としては、各種の方法があるが、一般に非
点収差法が多用されている。

そして、光学ヘッドは、従来においては半導体レーザ、
ビームスプリッタ、非点収差発生素子及び光検出器等の
光学部品にて構成されている。

具体的に従来の光ヘッド（Ｂ）の構成を第１４図に基づ
いて説明する。同図において、（３１）はディスク、（
３２）は光源である半導体レーザを示す。半導体レーザ
（３２）からの光ビームは回折格子（３３）ビームスプ
リンタ（３４）、　コリメータレンズ（３５）及び対物
レンズ（３６）を経てディスク（３１）上に集光される
。ディスク（３１）を反射した戻りの光ビームは、ビー
ムスプリッタ（３４）で９０°方向に反射され、凹レン
ズ（３７）、焦点検出レンズ（３８）を経て光検出器（
フォトダイオード）　（３９）により検出されて再生信
号が得られる。

しかし、この第１４図に示す光ヘッド（Ｂ）は、上記構
成の如く光学部品が互いに別個の部品であるために、光
路の調整に多くの工数を要し、また構成部品も多い（８
部品）ことから、小型化１価格低廉化が困難であった。

そこで、本出願人は、第１５図に示す光集積回路（Ｃ）
を提室した（特開昭６２−１９６８８０号参照）。

即ち、同図に示すように、半導体基Ｆｉ（４１）に形成
される２つの光検出器（４２ａ）、　（４２ｂ）と、こ
の光検出器（４２ａ）、　（４２ｂ）上に固定され、１
つの半透過反対面（４３ａ）と２つの反射面（４３ｂ）
　、　（４３ｃ）とを有するプリズム（４３）と、半導
体基板（４１）上にプリズム（４３）の半透過反射面（
４３ａ）と対向しかつスペーサであるＬ　ＯＰ　（Ｌｉ
ｎｅ　ｏｆ　ｐｏｓｉｔｉｏｎ）チップ（３４）を介し
て固定される半導体レーザ（４５）とを夫々具備し、こ
の半導体レーザ（４５）から射出されてプリズム（４３
）の半透過反射面（４３ａ）で反射されるビームを照射
ビームとして用いると共に、ディスクからの戻り光を半
透過反射面（４３ａ）に入射して、直接に又は反射面（
４３ｂ）、　（４３ｃ）で反射されるビームを光検出器
（４２ａ）、　（４２ｂ）で差動検出するようにしたも
ので、即ちプリズム（４３）を光結合器と光導波路の双
方に共用するようにしたものである。この光集積回路（
Ｃ）を光ヘッドに用いれば光ヘッドの小型化２価格低廉
化を図ることができる。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、第１５図に示す光集積回路（Ｃ）におい
ては、半導体レーザ（４５）から射出された光ビームが
プリズム（４３）の半透過反射面（４３ａ）に到達した
際、光ビームの一部がその反射面（４３ａ）からプリズ
ム（４３）内に侵入し、直接に又は反射面（４３ａ）　
、　（４３ｃ）で反射されて光検出器（４２ａ）　、　
（４２ｂ）に飛び込み（以後、半導体レーザ（４５）か
らプリズム（４３）内に直接入り込む光を単に迷光と記
す）、その迷光による信号（以後、単に迷光信号と記す
）が、ディスクを反射した戻りの光ビームによる本来の
信号（以後、単に本来の信号と記す）に対するＤＣ的な
所謂オフセント信号を生ぜしめ、後段でのアンプ処理に
大きな制限を加えることになる。

即ち、第１６図Ａに示すように、アンプに入力される信
号は、本来の信号（Ｓｉ）が迷光信号（Ｓｄ）によって
バイアスされたかたちの信号となり、同図Ｂに示すよう
に、該入力信号をアンプにおいてダイナミックレンジ（
Ｄ　Ｌ　）に準じて増幅した場合、本来の信号（Ｓｉ）
が飽和してしまう。従って、アンプ処理は同図Ｃに示す
ように、ダイナミックレンジ（ＤＬ）よりも小さい増幅
度をもって増幅しなければならず、その結果、本来の信
号（Ｓｉ）を高Ｓ／Ｎ比で検知することができない等の
不都合が生じる。特に、プリズム（４３）の半透過反射
面（４３ａ）を４５°とした場合、作製上容易で実用的
であるが、迷光が発生し易いという欠点を有する。

本発明は、このような点に鑑み成されたもので、その目
的とするところは、迷光を低減させることができ、本来
の信号を高Ｓ／Ｎ比で検知することができる光集積回路
を提供することにある。

〔課題を解決するための手段］ 本発明の光集積回路は、半導体基板（１）上に形成され
る光検出器（２ａ）、　（２ｂ）とこの光検出器（２ａ
）。

（２ｂ）上に固定され、１つの半透過反射面（３ａ）を
有するプリズム（３）と、同じく半導体基板（１）上に
固定される半導体レーザ（５）とを有する光集積回路（
Ａ）において、プリズム（３）の１部に迷光低減手段を
設けて構成する。

上記迷光低減手段としては、プリズム（３）の半透過反
射面（３ａ）の先端に面取り部（１１）を形成し、さら
に、その面取り部（１１）の表面を粗面化する。あるい
は該表面に金属庫着面等の反射面を形成する。

あるいは該表面に黒色塗料等による光吸収体を形成する
。また、プリズム（３）の半透過反射面（３ａ）に面取
り部（１１）は形成しないで、該反射面（３ａ）上に上
記面取り部（１１）表面に施したと同様の光を拡散反射
あるいは吸収する領域を形成する。また、プリズム（３
）の半透過反射面（３ａ）に溝（１５）又は（１８）を
形成する。この場合、溝（１５）内に光吸収体を充填し
てもよい。

尚、上記に列挙した手段と合わせて、更にプリズム（３
）の後部に黒色塗料等による光吸収ｆ＊（１２）を形成
してもよいし、プリズム（３）の後部に溝（１６）を形
成してその溝（１６）内に光吸収体（１７）を充填して
もよい。

（作用〕 上述の本発明の構成によれば、プリズム（３）の−部に
迷光低減手段を設けたので、プリズム（３）内に侵入す
る迷光が低減され、アンプに入力される信号中、ディス
クからの戻り光による本来の信号の成分が大半を占める
ようになり、その結果、本来の信号を高Ｓ／Ｎ比で検知
することができると共に、その後の信号処理が非常に容
易になり、フォーカス誤差及びトラッキング誤差等の検
出並びにサーボ系による制御等が高精度に行なえ、光ヘ
ッドとして用いた場合の信頼性を向上させることができ
る。

〔実施例〕

以下、第１図〜第１３図を参照しながら本発明の詳細な
説明する。

第１図は、第１実施例に係る光集積回路（Ａ、）を示す
斜視図である。この光集積回路（Ａ１）は、第２図に示
すように、対物レンズ（１９）と組合せることによって
ディスク（２０）に対しての光ヘッド（Ｈ）として構成
される。尚、後に述べる第２〜第４実施例についても、
対物レンズ（１９）と組合せることによって第２図と同
様の光ヘッド（Ｈ）が構成される。

第１図において、（１）は半導体（シリコン）基板であ
り、上部にフォトダイオード（以後、単にＰＤと記す）
から構成される２つの光検出２Ｎ　（２ａ）　。

（２ｂ）が形成され、内部に光検出器（２ａ）、　（２
ｂ）からの信号が人力される差動アンプ（図示せず）が
既知の半導体デバイス製造技術により形成されている。

そして、半導体基板（１）上、即ち光検出２’ｙ　（２
ａ）　。

（２ｂ）を含む半導体基板（１）表面には、底面とのな
す角が４５°の半透過反射面（３ａ）を存するプリズム
（３）が紫外線硬化型接着剤により固着され、他の表面
にはプリズム（３）の半透過反射面（３ａ）と対向し、
かつスペーサであるＬ　ＯＰ　（Ｌｉｎｅ　ｏｆ　ｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ）チップ（４）を介して半導体レーザ（５
）が固定される。尚、（６）は半導体レーザから射出さ
れるレーザ光の光強度を検出するためのモニタである。

上記構成において、半導体レーザ（５）からの光は、第
３図Ａに示すようにプリズム（３）の半透過反射面（３
ａ）にて反射され、対物レンズ（１９）を経てディスク
（２０）上に集光される。尚、半透過反射面（３ａ）上
に示す領域（ｉ）は、レーザ光の対物レンズ（１９）に
対する作動視野に対応した領域（以後、単に有効視野領
域と記す）を示すものであり、このときのレーザ光の中
心線ｎからの角度はαである。

ディスク（２０）を反射した戻りの光ビームは、プリズ
ム（３）の半透過反射面（３ａ）において所定の屈折率
をもって屈折されてプリズム（３）内に入り込むと共に
、まず光検出器（２ａ）にて検知され、次いで反射面（
３ｂ）及び（３ｃ）を順に反射して光検出器（２ｂ）に
て検知される。

各光検出器（２ａ）、　（２ｂ）は第３図Ｂに示すよう
に幅の広いＰＤを両側に、幅の狭いＰＤを中央に配置し
た３分割ＰＤの構成を有する。尚、これらＰＤを区別す
るため、光検出器を示す符号にそれぞれ添字１，２．３
を付す。

次に、光検出器（２ａ）及び（２ｂ）によるフォーカス
誤差検出とトラッキング誤差検出をそれぞれ第４図〜第
６図に基づいて説明する。

まず、フォーカス誤差検出は、第４図に示すように、光
検出器（２ａ）におけるＰ　Ｄ　（２ａＩ）の検出信号
（Ｓａｄ）とＰ　Ｄ　（２ａｚ）の検出信号（Ｓａｚ）
による加算信号（Ｓａｓ）とＰ　Ｄ　（２ａｚ）の検出
信号（Ｓａ４）とをそれぞれ差動アンプ（７）に供給す
ると共に、光検出器（２ｂ）におけるＰ　Ｄ　（２ｂｌ
）の検出信号（ＳｂＩ）とＰＤ（２ｂｚ）の検出信号（
Ｓｂｚ）による加算信号（ｓｂ：ｔ）とＰＤ　（Ｓｂ３
）の検出信号（Ｓｂ４）とをそれぞれ差動アンプ（８）
に供給し、更に各差動アンプ（力及び（８）の出力信号
（Ｓ、）及び（Ｓ８）をそれぞれ差動アンプ（９）に供
給して、これら差動アンプ（７Ｌ　（８）及び（９）の
出力ゲインを比較することによってフォーカス誤差を検
出するようになす。例えば、第５図の特性図にも示すよ
うに、差動アンプ（７）、　（８）、　（９）とも出力
ゲインが雰であれば、合焦点（Ｊｕｓｔ　ｆｏｃｕｓ）
であることを示しく第４図Ｃ参照）、差動アンプ（７）
、　（８）、　（９）の出力ゲインがそれぞれ（−）、
　　（＋）、　　（−）であればディスク近過ぎ（ｎｅ
ａｒ）を示しく第４図Ｃ参照）、差動アンプ（７）、　
（８）、　（９）の出力ゲインがそれぞれ（＋）、　　
（−）、　　（＋）であれば、ディスク遠過ぎ（ｆａｒ
）を示す（第４図Ｃ参照）。そして、これらの信号を後
段のフォーカシング・サーボ系に供給して対物レンズ及
び光集積回路自体をディスクの面の振れに追従させるよ
うにフォーカシング制御卸する。

次に、トランキング誤差検出は、原理的にはＯ次回折光
と１次回折光との重なる部分におけるビームスポットの
強度分布（Ｔｏ）、（Ｔ＋）の変化を幅広のＰＤ（２ａ
ｌ）、（２ａ２）、（２ｂｌ）、（２ｂＺ）　　（所謂
２分割ＰＤ）により検出する方法である。即ち、光検出
器（２ａ）におけるＰＤ（２ａ＋）の検出信号と光検出
器（２ｂ）におけるＰ　Ｄ　（２ｂ２）の検出信号によ
る加算信号（Ｓａｄ）と、光検出器（２ａ）におけるＰ
　Ｄ　（２ａｚ）の検出信号と光検出器（２ｈ）におけ
るＰ　Ｄ　（２ｂ、）の検出信号による加算信号（Ｓａ
６）とをそれぞれ差動アンプ（１０）に供給して、この
差動アンプ（１０）の出力ゲインを比較することによっ
て、トラッキング誤差を検出する。例えば、差動アンプ
（ｌＯ）の出力ゲインが零であれば正常トラッキングを
示しく第４図Ｃ参照）、（＝）又は（＋）であれば異常
トラッキングを示す（第６図Ａ、Ｃ参照）。そして、こ
の信号を後段のトラッキング・サーボ系に供給して対物
レンズ及び光集積回路自体をディスクのトラック振れに
追従させるようにトラッキング制御する。

しかして、この第１実施例においては、プリズム（３）
の半透過反射面（３ａ）の先端部を面取りし、その表面
（以後、面取り部と記す）　（１１）を粗面加工（例え
ば砂掛は加工等）して光拡散面となす。

面取りの範囲、即ち面取り部（１１）の寸法！は、レン
ズ光学系の有効視野（ＮＡ）（即ち、対物レンズ（１９
）の開口率）とプリズム（３）の屈折率（本実施例にお
いては、屈折率″−，１，７６６のプリズムを使用）で
決まる全反射臨界角βとの関係で決定される。

ここで、全反射臨界角とは、レーザ光の中心線ｎを基準
としてレーザ光がプリズム（３）と接着剤との界面にお
いて全反射される臨界の角度をいう。そして、本実施例
では、面取り部（１１）の寸法ｌを全反射臨界角βに対
応する寸法ｍよりもやや大きめに設定しである（即ち、
全反射臨界角βに対応する位置よりもやや後方に位置す
るように設けである）。

通常、全反射臨界角β以下の光は、プリズム（３）と接
着剤との界面で全反射されるため、直接光検出２’ａ　
（２ａ）　１（２ｂ）には入らないが全反射臨界角βよ
りも大きい角度に関する光は直接迷光となって光検出器
（２ａ）、　（２ｂ）に入るおそれがある。ところが、
この第１実施例においては、面取り部（１１）を上記の
条件で設けるようにしたので、全反射臨界角βより大き
い角度に関する迷光を液面取り部（１１）により低減さ
せることができる。

一方、全反射臨界角β以下における光は、一部プリズム
（３）内に侵入して反射面（３ｂ）及び（３Ｃ）を順に
反射したのち更には後部反射面（３ｄ）をも反射したの
ち光検出器（２ａＬ　（２ｂ）に飛び込んで迷光信号を
発生させるが、この場合、第７図の第２実施例に係る光
集積回路（Ａ２）に示すように、プリズム（３）の後部
に光吸収体（１２）を形成（例えば、黒色エポキシ樹脂
を塗布）すれば、後部反射面（３ｄ）に到達した迷光を
吸収することができる。尚、上記第１実施例と対応する
ものについては同符号を記す。

この第２実施例によれば、先端部の面取り部（１１）と
後部の光吸収体（１２）との相乗作用により迷光を大幅
に低減させることができる。

そして、上述の面取り部（１１）及びプリズム（３）後
部の光吸収体（１２）が迷光を低減する作用があるとい
うことの裏付けとして、第８図に示す如く、第１実施例
と同様の構成ををするもの（実施例１）、第２実施例と
同様の構成を有するもの（実施例２）実施例２の面取り
部（１１）に光吸収体（１３）を形成したもの（実施例
３）及び迷光低減手段を全く施さないもの（比較例）の
それぞれにおける迷光の出力強度を測定した。尚、実施
例１〜３におけるプリズム（３）の上面２後面及び面取
り部の各寸法ａｂ及びＣはそれぞれ１．０ｍｍ、　０．
６ｍｍ及び０　、２８ｍｍであり、比較例のプリズム（
３）の上面及び後面の各寸法ｄ及びｅはそれぞれ０．７
ｍｍ及び０．６ｍｍである。また、各実施例１〜３及び
比較例における各半透過反射面（３ａ）を反射した後の
上方への光出力を一定、例えば１．５ｍＷとした。この
場合、半導体レーＩｆ　（５）の光出力は３ｍＷ以上と
推定され、この光出力は光ヘッドとして通常に使用した
場合の光出力に相当する。

測定の結果、第９図に示すように、比較例の場合、迷光
信号の出力強度は光検出器（２ａ）では２００ｍ　Ｖ以
上、光検出器（２ｂ）ではＬｏｏｍ　Ｖ以上と大きく、
戻り光信号即ち本来の信号レベルと同等の強度となった
。ところが実施例１の場合は、比較例の約１／３に低減
され、実施例２の場合は、比較例の約１／１０に低減さ
れた。更に実施例３の場合は、実施例２の約７５％に低
減された。尚、参考として、比較例に示すプリズムの後
部に光吸収体を形成したもの（参考例）については比較
例の約１／２にしか低減できなかった。この結果、プリ
ズム（３）の半１反射面（３ａ）への迷光低減手段の形
成（この場合、面取り部（１１）の形成）が大きく迷光
の低減に寄与していることがわかる。

上述の如く第１及び第２実施例によれば、迷光低減手段
としてプリズム（３）の半透過反射面（３ａ）の先端部
に面取り部（１１）を形成し、この面取り部（１１）に
粗面加工を施して光拡散面としたので、プリズム（３）
内に侵入する半導体レーザ（５）からの直接光即ち迷光
を低減することができ（迷光低減手段を全く施さない場
合の約１７３に低減）、そのため差動アンプ（７）、　
（８）、　（９）、　（１０）等に入力される信号中、
ディスクからの戻り光による本来の信号の成分が大半を
占めるようになる。その結果、本来の信号を高Ｓ／Ｎ比
で検出することができると共に、その後の信号処理が非
常に容易になり、フォーカス誤差及びトラッキング誤差
等の検出並びにサーボ系による制御等が高精度に行なえ
、光ヘッドとして用いた場合の信頼性を向上させること
ができる。

特に、第２実施例の如く、プリズム（３）の後部に光吸
収体（１２）を形成すれば、迷光を大幅に低減すること
ができ（迷光低減手段を全く施さない場合の杓１／１０
に低減）、本来の信号に対する高Ｓ／Ｎ比検出、光ヘッ
ドの高信頼化をより効果的に図ることができる。

また、面取り部（１１）を形成したのでプリズム（３）
の頂角部（二点鎖線で示す）　（３ｅ）での割れや欠け
の心配がなくなり、プリズム（３）単体に関する品質の
向上を実現できると共に、半導体基板（１）へのプリズ
ム（３）及び半導体レーザ（５）の取付けの際の位置決
めが容易にでき、光集積回路の高歩留り化を図ることが
できる。また、プリズム（３）と半導体レーザ（５）の
間の距離を充分とることが可能になるため、両方の接着
剤を介しての干渉（例えばプリズム（３）又は半導体レ
ーザ（５）の浮上がり等）が生じな（なり、ビーム照射
及び戻り光入射をより高精度に行なうことができる。

上記第１及び第２実施例は、プリズム（３）の半透過反
射面（３ａ）の先端部に面取り部（１１）を形成し、接
面取り部（１１）に粗面加工を施して光拡散面としたが
その他、面取り部（１１）に金属蒸着面等の光反射面や
光吸収体の形成（黒色塗料塗布等）などによる光吸収面
を形成してもよい。

また、第１０図及び第１１図に示す第３実施例に係る光
集積回路（Ａ：＋＋）、（Ａｚｚ）の如くプリズム（３
）の半透過反射面（３ａ）に面取り部（１１）を形成し
ないで、該反射面（３ａ）上の所定領域に上述と同様の
方法で光反射面、光拡散面、光吸収面（以後、単に迷光
低減領域と記す）を形成してもよい。第１０図に示す光
集積回路（Ａ　３１　）は、有効視野領域（ｉ）とその
近傍以外に迷光低減領域（１４）を形成した場合を示し
、第１１図に示す光集積回路（Ａ３□）は、有効視野領
域（ｉ）を含むストライブ状の領域（ｈ）を除く面に迷
光低減領域（１４ａ）、　（１４ｂ）を該領域（ｈ）を
挾むようにしてストライプ状に形成したものである。

また、第１２図及び第１３図に示す第４実施例に係る光
集積回路（Ａ４１）、（Ａ＝２）の如く、プリズム（３
）の半透過反射面（３ａ）の先端部に溝（１５）を形成
してもよい。溝（１５）の形成は、例えばダイヤモンド
ブレードを用いることによりその幅４０〜５０μｍ以下
の狭い溝を形成することが可能であり、プリズム単体で
形成したのち、光集積回路（Ａ４□）に組み込む（即ち
、半導体基板（１）に接着する）か又は光集積回路組立
てプロセス途中において、溝（１５）を例えばダイシン
グ装置を用いて形成する場合とがあり得る。第１２図の
例はプロセス途中でｉＭ（１５）を形成した場合を示す
。この場合は、プリズム（３）を半導体基板（１）に接
着した後に講（１５）をハーフ・カット・プロセス等に
より形成できるため、溝（１５）の深さを極限まで深く
、例えば残り量を５０〜８０μｍ程度に制御することが
可能となる。この実施例においても上記第１〜第３実施
例と同様にプリズム（３）の前方部分で迷光成分の一部
を低減あるいは除去するが、溝（１５）を形成すること
によって、プリズム（３）の先端部（３ｆ）を入射光に
対する障壁として機能させるところに特徴がある。即ち
、プリズム（３）の前方部分に到達した光は、まず先端
部（３ｆ）の表面にてその一部が反゛射・減衰され、次
いで溝（１５）の両面（１５ａ）及び（１５ｂ）にて更
にその一部が反射・減衰される。ここで例えば、プリズ
ム（３）の屈折率を１　、７６６、半透過反射面（３ａ
）及び反射面（３ｂ）の反射率４５％として光検出器（
２ａ）、　（２ｂ）上に透過する光強度（ＴＥモード）
は、初期値の１５パーセント以下、即ち溝（１５）を形
成しない場合の約７５％以下に低下する。特に、溝（１
５）をダイシング装置で形成した場合は、溝（１５）内
面が粗面（光拡散面）となるため、半導体レーザ（５）
からの直接光は該粗面（１５ａＬ　（１５ｂ）により散
乱され、実際は小さな光しか透過せず、迷光は大きく低
減する。また、プリズム（３）の後部にも前方の溝（１
５）と同様にハーフ・カットを用いて溝（１６）を切り
、更に段溝（１６）内に光吸収体（例えば黒色塗料）　
（１７）を充填することにより、迷光信号を小さくする
ことが可能になる。この光集積回路（Ａ４．）における
迷光信号の測定結果は、上記第２実施例と同様に比較例
の約ｌ／１０に低下した。

一方、第１３図は、第１２図と同様に溝を用いた応用例
を示しており、この場合は、組立て前のプリズム（３）
単体にハーフカット講（１８ａ）　、　（１８ｂ）　、
　（１８ｃ）を入れることで、エアギャップ又は光吸収
体充填溝を形成し、迷光を低減させる。溝（１８ａ）　
、　（１８ｂ）　。

（１８ｃ）の位置関係は先ず溝（１８ａ）が光検出器（
２ａ）よりも前方に配され、溝（１８ｂ）が光検出）Ｓ
（２ｂ）よりも後方に配され、溝（１８ｃ）かプリズム
（３）の上部において、溝（１８ａ）と（１８ｂ）との
間に対応する位置に配される。

そして、更に第２実施例と同様にプリズム（３）の後部
に光吸収体（１２）を形成してもよいし、第１１図と同
様にプリズム（３）の後部に溝（１６）を設けたのら光
吸収体（１７）を充填するようにしてもよい。特にこの
場合、光吸収体（１２）の流れを問題にする必要がなく
なる。

尚、当然のこととして上記第１実施例から第４実施例間
で種々の組合せを施すようにしてもよい。

そして、上記第１〜第４実施例に係る光集積回路（Ａ１
）〜（Ａ４）は、第２図にも示した如く、対物レンズ（
１９）と組合せるだけで光ヘッド（Ｈ）が構成できるた
め、光ヘッドの小型化１価格低廉化をも図ることができ
る。

また、これら光集積回路（Ａ１）〜（Ａ４）は、光磁気
ディスク用光ヘッドにも適用可能である。

〔発明の効果〕

本発明に係る光集積回路は、半導体基板上に形成される
光検出器と、該光検出器上に固定され、１つの半透過反
射面を有するプリズムと、同じく半導体基板上に固定さ
れる半導体レーザとを有する光集積回路において、上記
プリズムの１部に迷光低域手段を設けて構成するように
したので、光学記録媒体からの戻り光による本来の信号
を高Ｓ／Ｎ比で検知でき、その後の信号処理を容易に行
なうことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は第１実施例に係る光集積回路を示す斜視図、第
２図は第１実施例に係る光ヘットを示す構成口、第３図
Ａ及びＢは第１実施例の側断面図及び一部省略平面図、
第４図はフォーカス誤差検出原理を示す説明図、第５図
はフォーカス誤差検出に伴なう特性図、第６図はトラッ
キング誤差検出原理を示す説明図、第７図Ａ及びＢは第
２実施例を示す側断面図及び一部省略平面図、第８図は
迷光信号の測定用サンプルを示す構成図、第９図は迷光
信号の測定結果を示す特性図、第１０図は第３実施例を
示す斜視図、第１１図は第３実施例の変形例を示す斜視
図、第１２図Ａ及びＢは第４実施例の側断面図及び一部
省略平面図、第１３図Ａ及びＢは第４実施例の変形例の
側断面図及び一部省略平面図、第１４図は従来例に係る
光ヘッドを示す構成図、第１５図は本発明の説明に供す
る光集積回路を示す斜視図、第１６図はアンプへの入力
信号及び信号処理状態を示す波形図である。 （Ａ）は光集積回路、（１）は半導体基板、（２ａ）（
２ｂ）は光検出器、（３）はプリズム、（３ａ）は半透
過反射面、（３ｂ）、　（３ｃ）は反射面、（３ｄ）は
後部反射面、（４）はＬＯＰチップ、（５）は半導体レ
ーザ、（７）〜（１０）は差動アンプ、（１１）は面取
り部、（１２）、　　（１３）は光吸収体、（１４）は
迷光低減領域、（１５）、　（１６）は溝、（１７）は
光吸収体、（１８ａ）　〜（１８ｃ）は溝、（１９）は
対物レンズ、（２０）はディスクである。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体基板上に形成される光検出器と、該光検出器上に
   固定され、１つの半透過反射面を有するプリズムと、同
   じく半導体基板上に固定される半導体レーザとを有する
   光集積回路において、上記プリズムの１部に迷光低減手
   段を設けて成る光集積回路。