JPH02275651A - Transfer method of bump - Google Patents

Transfer method of bump

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JPH02275651A
JPH02275651A JP9721589A JP9721589A JPH02275651A JP H02275651 A JPH02275651 A JP H02275651A JP 9721589 A JP9721589 A JP 9721589A JP 9721589 A JP9721589 A JP 9721589A JP H02275651 A JPH02275651 A JP H02275651A
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JP
Japan
Prior art keywords
bump
bumps
marks
mark
film
Prior art date
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Pending
Application number
JP9721589A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Minoru Hirai
平井 稔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Priority to JP9721589A priority Critical patent/JPH02275651A/en
Publication of JPH02275651A publication Critical patent/JPH02275651A/en
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Abstract

PURPOSE:To position a bump and a lead easily, and to improve the accuracy of positioning by forming a first mark to a film, on which the bump is placed, and shaping a second mark to either film of upper and lower and left and right films. CONSTITUTION:First marks 2a are formed to films, which are located inside the bump forming region 2 of a bump forming substrate 3 and on which bumps 1 are placed in either one of each of the upper and lower and left and right sections on the inside, and second marks 2b are shaped to films in the other of either of each upper and lower and left and right section. Consequently, the accuracy of these marks 2a, 2b is made higher than the formation of the bumps 1, and the dispersion of the marks is made smaller than the formation of the bumps. Accordingly, the recognition of positions and the positioning of the bumps 1 and leads 5 are facilitated and errors to the recognition of positions can also be reduced by transferring the bumps 1 while using the marks 2a, 2b as references, and positioning accuracy to inner leads can be improved.

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野コ この発明は、バンプ転写方法に関し、詳しくは、テープ
キャリア方式(TAB)によって製造される半導体装置
において使用されるバンプ付きテープキャリアを製造す
るためのバンプ転写方法の改良に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] This invention relates to a bump transfer method, and more particularly, to a method for manufacturing a tape carrier with bumps used in a semiconductor device manufactured by a tape carrier method (TAB). This invention relates to improvements in bump transfer methods.

[従来の技術] 一般に、TAB方式は、ポリイミド等の合成樹脂の薄い
フィルム状テープの表面に銅等の金属箔をラミネートし
て、これをエツチングすることでリードを多数本形成す
る。そして、この各リードの先端側部分又は半導体チッ
プの端子部分に金バンプ等を転写して接着しておき、こ
の金バンブ等を介してリードと半導体チップとをボンデ
ィング接続する。その後、各リードを前記テープから切
り離すことで、リード付きの半導体チップを得ている。
[Prior Art] Generally, in the TAB method, a metal foil such as copper is laminated on the surface of a thin film-like tape made of synthetic resin such as polyimide, and a large number of leads are formed by etching this. Then, a gold bump or the like is transferred and adhered to the tip end portion of each lead or the terminal portion of the semiconductor chip, and the lead and the semiconductor chip are bonded via the gold bump or the like. Thereafter, each lead is separated from the tape to obtain a semiconductor chip with leads.

このような半導体装置の製造方法では、あらかじめリー
ド先端部又は半導体チップの端子にバンプを転写接着し
ておくことが必要となるが、そのための従来のバンプ転
写方法としては、バンプ形成基板が用いられ、ここで形
成されたバンプをこれからテープキャリアのリードの先
端部に転写している。この転写には、まず、基板上のバ
ンプをカメラ等で監視して認識し、リードの先端部とバ
ンプとの位置合わせをして、その後にこれらを重ね合わ
せて加熱加圧することで前記の転写が行われる。
In the manufacturing method of such semiconductor devices, it is necessary to transfer and adhere bumps to the lead tips or terminals of the semiconductor chip in advance, but the conventional bump transfer method for this purpose uses a bump-formed substrate. The bumps formed here are then transferred to the leading ends of the tape carrier leads. For this transfer, first, the bumps on the substrate are monitored and recognized with a camera, etc., the tips of the leads and the bumps are aligned, and then they are placed on top of each other and heated and pressed to complete the transfer process. will be held.

[解決しようとする課題] このような従来のバンプ転写方法では、バンプ形成基板
上のバンプの位置を認識する場合、バンプの位置を直接
認識することになるが、バンプは、通常、電気めっきで
形成され、その厚さが30±2μm程度で、その幅が8
0±4μm程度であり、その位置にはばらつきがある。
[Problem to be solved] In such conventional bump transfer methods, when recognizing the position of the bump on the bump forming substrate, the position of the bump is directly recognized. However, the bump is usually electroplated. The thickness is about 30±2 μm and the width is about 8
It is approximately 0±4 μm, and there are variations in its position.

そこで、バンプを直接認識した場合に認識誤差による位
置ずれが発生し易い。また、各バンプと各インナーリー
ドの先端部とが均一に位置決めされるように位置合わせ
することが難しく、バンプの転写に時間を要する欠点が
ある。
Therefore, when bumps are directly recognized, positional deviations due to recognition errors are likely to occur. Further, it is difficult to align each bump and the tip of each inner lead so that they are positioned uniformly, and there is a drawback that it takes time to transfer the bumps.

この発明は、このような従来技術の問題点を解決するも
のであって、効率よくバンプの転写ができるバンプ転写
方法を提供することを目的とする。
The present invention solves the problems of the prior art, and aims to provide a bump transfer method that can efficiently transfer bumps.

[課題を解決するための手段] このような目的を達成するためのこの発明のバンプ転写
方法の構成は、ICチップに対応してバンプを形成する
バンプ形成領域の内側であってかつこの内側の上下及び
左右のそれぞれのいずれか一方においてバンプが載置さ
れるバンプ形成基板の膜に第1のマークを形成しかつ上
下及び左右のそれぞれのいずれか他方において前記膜に
第2のマークを形成するマーク形成工程と、形成された
第1及び第2のマークを基準にして膜」−にバンプを形
成するバンプ形成工程と、第1及び第2の位置合わせマ
ークを基準にしてバンプ形成工程で形成されたバンプを
テープキャリア上のリードに転写するバンプ転写工程と
を備えるものである。
[Means for Solving the Problems] The configuration of the bump transfer method of the present invention for achieving the above object is such that the bumps are formed inside the bump forming area where bumps are formed corresponding to the IC chip. A first mark is formed on the film of the bump forming substrate on which the bump is placed on one of the top and bottom and the left and right, and a second mark is formed on the film on the other of the top and bottom and the left and right. a mark forming step, a bump forming step of forming a bump on the film based on the formed first and second marks, and a bump forming step using the first and second alignment marks as a reference. The method includes a bump transfer step of transferring the bumps formed on the tape carrier onto the leads on the tape carrier.

[作用] このように、バンプ形成基板のバンプ形成領域の内側で
かつこの内側の上下及び左右のそれぞれのいずれか一方
においてバンプが載置される膜に第1のマークを形成し
かつ上下及び左右のそれぞれのいずれか他方において前
記膜に第2のマークを形成するようにしているので、こ
れらのマークは、バンプの形成よりも精度が高く、かつ
、ばらつきが小さなものとなる。
[Function] In this way, the first mark is formed on the film on which the bump is placed inside the bump forming area of the bump forming substrate and on either the upper, lower, left, or right sides of this inner side. Since the second marks are formed on the film in either one of the two, these marks have higher accuracy and less variation than the formation of bumps.

その結果、このマークを基準としてバンプを転写するよ
うにすることで、位置認識及びバンプとリードとの位置
合わせが容易となり、かつ、位置認識に対する誤差も小
さくでき、インナリードに対する位置合わせ精度を向上
させることができる。
As a result, by transferring the bumps using this mark as a reference, position recognition and alignment between the bumps and the leads becomes easier, and errors in position recognition can also be reduced, improving alignment accuracy with respect to the inner leads. can be done.

[実施例コ 以下、この発明の一実施例について図面を参照して詳細
に説明する。
[Embodiment] Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第1図は、この発明のバンプ転写方法を適用した一実施
例のバンプ転写工程の説明図であり、第2図は、そのバ
ンプとテープキャリアきの状態についての各工程に対応
する説明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram of the bump transfer process of one embodiment to which the bump transfer method of the present invention is applied, and FIG. 2 is an explanatory diagram corresponding to each process regarding the state of the bump and tape carrier. be.

第1図の位置合わせマーク付きバンプ形成基板製造工程
Aでは、第2図の(a)に示ように、テープキャリアに
対応してバンプ形成基板3 kにおいて、それぞれのI
Cチップに対応するように配列され、かつ、それぞれが
矩形状に配列される点線で示すようなバンプ1,1.1
・・・の形成領域2に対応して、その内側に十字状に打
ち抜きされたパターンをバンプの位置合わせマーク2 
a +2b(以下、単にマーク2a、2b)として中心
を挟んで対角線上に十字の交点が配置されるように形成
する。
In the bump forming substrate manufacturing process A with alignment marks shown in FIG. 1, as shown in FIG.
Bumps 1, 1.1 as shown by dotted lines are arranged to correspond to the C chip and are each arranged in a rectangular shape.
. . . Corresponding to the formation area 2, a cross-shaped punched pattern is formed inside the bump alignment mark 2.
a + 2b (hereinafter simply referred to as marks 2a and 2b), which are formed so that the intersection points of the crosses are arranged diagonally across the center.

ここで形成されるマーク2a、2bは、第2図の(b)
の側面図の一点鎖線で示すように、形成されるバンプ1
の高さ(厚さ)を30±2μmとすると、これより薄く
、10±2μm〜20±2μm程度で形成される、バン
プ1が載置されるTl−Ptの金属膜層3aに点線で示
すよに刻印として形成するものである。
The marks 2a and 2b formed here are shown in FIG. 2(b).
As shown by the dashed-dotted line in the side view, the bump 1 to be formed is
Assuming that the height (thickness) of the bump 1 is 30±2 μm, the Tl-Pt metal film layer 3a on which the bump 1 is mounted is thinner than this and is formed to a thickness of about 10±2 μm to 20±2 μm, as shown by the dotted line. It is often formed as a stamp.

すなわち、この工程では、十字状のマーク2a。That is, in this step, the cross-shaped mark 2a.

2bとして、例えば、スパッタリングによりTトルtの
スパッタ膜をガラス基板3bJ−、にまず形成した後に
十字状にエツチングすることで得るものである。なお、
バンプ形成基板として使用する表面コーテング膜として
はITO膜等を使用してもよい。
2b is obtained by, for example, first forming a sputtered film of T tor t on the glass substrate 3bJ- by sputtering, and then etching it in a cross shape. In addition,
An ITO film or the like may be used as the surface coating film used as the bump forming substrate.

ここで、マーク2aと2bとの位置としては、それぞれ
がバンプ形成領域2の上ドのいずれか一方及び他方に配
置され、かつ、それぞれが左右のいずれか一方及び他方
に配置されるように割り当てられていれば十分であり、
これにより十字の交点からバンプの形成領域2の中心(
或は原点)位置を算出することができる。また、前記の
マーク2 a * 2 bは、別工程でバンプ形成基板
3の表面膜のコーテングと同時にあらかじめバンプ1を
形成する形成領域2の中心位置を得るものとしてバンプ
形成基板3にあらかじめ形成されたものを使用してもよ
い。
Here, the positions of the marks 2a and 2b are such that they are placed on one side and the other side of the upper part of the bump forming area 2, respectively, and the marks 2a and 2b are placed on one side and the other side of the left and right sides, respectively. It is sufficient that
This allows you to move from the intersection of the crosses to the center of bump formation area 2 (
Alternatively, the position (or origin) can be calculated. The marks 2 a * 2 b are formed in advance on the bump forming substrate 3 in a separate process to obtain the center position of the forming region 2 in which the bumps 1 are formed at the same time as coating the surface film of the bump forming substrate 3. You may also use

次のマークを基準としたバンプ形成工程Bでは、先の工
程Aで形成した十字状に打ち抜かれたマーク2a、2b
を基準にしてバンプ1,1,1・壷・の形成領域2に、
第2図の(C)に示すように、バンプ1.1,1・・・
を形成する。その結果、テープキャリアに対応してバン
プ形成基板3上にそれぞれのICチップに対応するよう
に配列され、かつ、それぞれが矩形状に配列されたバン
プ1゜1.1・Φ・が形成され、この形成と同時に、そ
の内側には、すでに形成済みの十字状のマーク2a +
  2 bが存在しているバンプ形成基板3をこの工程
で得ることができる。
In bump forming process B using the next mark as a reference, marks 2a and 2b punched out in a cross shape formed in the previous process A are used.
Based on the bump 1, 1, 1, pot, formation area 2,
As shown in FIG. 2(C), bumps 1.1, 1...
form. As a result, bumps 1°1.1·Φ· are formed on the bump forming substrate 3 corresponding to the tape carrier, and each bump is arranged in a rectangular shape, and is arranged in a manner corresponding to each IC chip. At the same time as this formation, the already formed cross-shaped mark 2a +
A bump-formed substrate 3 in which 2b is present can be obtained in this step.

第2図の(d)は、このときのバンプ1を中心とした側
面図である。
FIG. 2(d) is a side view centered on the bump 1 at this time.

次のキャリアテープとの位置合わせマーク位置合わせ工
程Cでは、このような位置合わせマーク付きバンプを有
するバンプ形成基板3を第2図(e)に示すように、テ
ープキャリア4の下側に配置して上下関係に保持して、
これらの上部に配置されているカメラ等の認識光学系(
図示せず)によりマーク2 a v 2 bを認識する
。そして、バンプの形成領域2の中心点を算出し、この
中心をリード5,5.・・・の先端部5 a * 5 
a +  ・壷・が形成する領域の中心に一致するよう
な位置決めすれば容易に位置合わせができる。また、こ
れとは別に、マーク2a、2bについてあらかじめ設定
されたマーク基準位置を設けておき、これに位置決めす
ることもできる。なお、この場合、マーク2 a + 
 2 bが位置決めされる基準位置は、テープキャリア
4が位置決めされる基準位置に対応して位置合わせマー
ク基準位置として認識光学観測系に設けるものである。
In the next alignment mark alignment process C with the carrier tape, the bump forming substrate 3 having such bumps with alignment marks is placed below the tape carrier 4 as shown in FIG. 2(e). and hold them in a vertical relationship.
A recognition optical system such as a camera is placed above these (
(not shown) to recognize marks 2 av 2 b. Then, the center point of the bump formation area 2 is calculated, and this center is set as the center point of the leads 5, 5, . Tip part 5 a * 5 of...
Alignment can be easily performed by positioning so that it coincides with the center of the area formed by a + and the pot. Moreover, apart from this, mark reference positions set in advance for the marks 2a and 2b can be provided and the marks 2a and 2b can be positioned at these positions. In this case, mark 2 a +
The reference position where 2b is positioned is provided in the recognition optical observation system as an alignment mark reference position corresponding to the reference position where the tape carrier 4 is positioned.

この基準位置にマーク2a、2bが位置決めすることで
、各リード5の先端f15aとバンプ1とが平均的な位
置合わせ状態で位置合わせされることになる。ここで、
各バンプ1と各リード5との全体的な関係を観測光学系
で観測して必要に応じて多少の位置修正を行ってもよい
By positioning the marks 2a and 2b at these reference positions, the tip f15a of each lead 5 and the bump 1 are aligned in an average alignment state. here,
The overall relationship between each bump 1 and each lead 5 may be observed using an observation optical system, and the position may be slightly corrected as necessary.

次のバンプ転写工程りでは、テープキャリア4側を降下
(或はバンプ形成基板3を上昇)させて、各リード5の
先端m5aと各バンプ1とを重ね合わせて加熱加圧(そ
の機構は図示していない)してこれらを転写する。この
転写後の状態を反転して示すのが第2図の(f)である
In the next bump transfer step, the tape carrier 4 side is lowered (or the bump forming substrate 3 is raised), and the tips m5a of each lead 5 and each bump 1 are overlapped and heated and pressed (the mechanism is shown in the figure). (not shown) and transcribe these. FIG. 2(f) shows the reversed state after the transfer.

以上のようにすれば、十字状マーク2a、2bの形成が
バンプが載置されるTl−Ptの金属膜層3aの薄い膜
として行われるので、そのパターンの形成精度は高くな
り、ばらつきがバンプよりはるかに小さくなる。したが
って、バンプの認識誤差よりこれに対する位置認識誤差
が小さくなり、インナリードに対する位置合わせ精度を
向上させることができる。また、この場合、2つの十字
位置合わせマークを認識することで位置合わせが行われ
るので、位置合わせが容易となり、位置合わせに要する
時間が短縮される。
With the above method, the cross-shaped marks 2a and 2b are formed as a thin film of the Tl-Pt metal film layer 3a on which the bumps are placed, so the pattern formation accuracy is high, and variations in the bumps are reduced. becomes much smaller. Therefore, the position recognition error for this is smaller than the bump recognition error, and the alignment accuracy with respect to the inner lead can be improved. Furthermore, in this case, alignment is performed by recognizing the two cross alignment marks, which facilitates alignment and reduces the time required for alignment.

以上説明してきがた、実施例では、位置合わせマークを
2つ設けているが、位置合わせマークは、3以上であれ
ばいくつあってもよく、位置合わせマークは十字状のパ
ターンに限定されない。また、これら位置合わせマーク
が上下及び左右に分散されて、いずれか1つが−L下及
び左右のそれぞれのうちの一方の領域に割り当てられ、
いずれか他方が上下及び左右のそれぞれのうちのいずれ
か他方に割り当てたれていればよい。
In the embodiment described above, two alignment marks are provided, but there may be any number of alignment marks as long as there are three or more, and the alignment mark is not limited to a cross-shaped pattern. Further, these alignment marks are distributed vertically and horizontally, and one of them is assigned to one of the areas below -L and on the left and right,
It is only necessary that the other one be assigned to the other of the upper and lower and left and right sides.

[発明の効果コ 以上の説明から理解できるように、この発明では、バン
プ形成基板のバンプ形成領域の内側でかつこの内側の上
下及び左右のそれぞれのいずれか一方においてバンプが
載置される膜に第1のマークを形成しかつ上下及び左右
のそれぞれのいずれか他方において前記膜に第2のマー
クを形成するようにしているので、これらのマークは、
バンプの形成よりも精度が高く、かつ、ばらつきが小さ
なものとなる。
[Effects of the Invention] As can be understood from the above explanation, in the present invention, the film on which the bump is placed is placed inside the bump forming area of the bump forming substrate and on either the upper, lower, left or right sides of this inner side. Since a first mark is formed and a second mark is formed on the film at either the top, bottom, left or right side, these marks are
The accuracy is higher than that of bump formation, and the variation is smaller.

その結果、このマークを基準としてバンプを転写するよ
うにすることで、位置認識及びバンプとリードとの位置
合わせが容易となり、かつ、位置認識に対する誤差も小
さくでき、インナリードに対する位置合わせ精度を向上
させることができる。
As a result, by transferring the bumps using this mark as a reference, position recognition and alignment between the bumps and the leads becomes easier, and errors in position recognition can also be reduced, improving alignment accuracy with respect to the inner leads. can be done.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、この発明のバンプ転写方法を適用した一実施
例のバンプ転写工程の説明図、第2図は、そのバンプと
テープキャリアの杖態についての各[程に対応する説明
図である。 1・・・バンプ、2・・・バンプ形成領域、2 a +
 2 b・・・位置合わせマーク、3・・・バンプ形成
基板、4・・・テープキャリア、5・・・リード、5a
・・・リードの先端部。 第 図 (d) (e) (f)
FIG. 1 is an explanatory diagram of the bump transfer process of one embodiment to which the bump transfer method of the present invention is applied, and FIG. 2 is an explanatory diagram corresponding to each degree of the shape of the bump and tape carrier. . 1... Bump, 2... Bump formation region, 2 a +
2 b... Alignment mark, 3... Bump forming substrate, 4... Tape carrier, 5... Lead, 5a
...The tip of the lead. Figures (d) (e) (f)

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)ICチップに対応してバンプを形成するバンプ形
成領域の内側であってかつこの内側の上下及び左右のそ
れぞれのいずれか一方において前記バンプが載置される
バンプ形成基板の膜に第1のマークを形成しかつ前記上
下及び左右のそれぞれのいずれか他方において前記膜に
第2のマークを形成するマーク形成工程と、形成された
第1及び第2のマークを基準にして前記膜上にバンプを
形成するバンプ形成工程と、前記第1及び第2の位置合
わせマークを基準にして前記バンプ形成工程で形成され
たバンプをテープキャリア上のリードに転写するバンプ
転写工程とを備えることを特徴とするバンプ転写方法。
(1) A first layer is placed on the film of the bump forming substrate, which is inside the bump forming area where bumps are formed corresponding to the IC chip, and where the bumps are placed on either the upper, lower, left or right side of this inner side. a mark forming step of forming a mark on the film and forming a second mark on the film at one of the upper and lower and left and right sides; A bump forming step of forming a bump; and a bump transferring step of transferring the bump formed in the bump forming step to a lead on a tape carrier based on the first and second alignment marks. bump transfer method.
JP9721589A 1989-04-17 1989-04-17 Transfer method of bump Pending JPH02275651A (en)

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