JPH09283573A - Tape carrier package - Google Patents

Tape carrier package

Info

Publication number
JPH09283573A
JPH09283573A JP8096821A JP9682196A JPH09283573A JP H09283573 A JPH09283573 A JP H09283573A JP 8096821 A JP8096821 A JP 8096821A JP 9682196 A JP9682196 A JP 9682196A JP H09283573 A JPH09283573 A JP H09283573A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tape carrier
inner lead
carrier package
alignment mark
inner leads
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP8096821A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3410898B2 (en
Inventor
Kenji Toyosawa
健司 豊沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP09682196A priority Critical patent/JP3410898B2/en
Publication of JPH09283573A publication Critical patent/JPH09283573A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3410898B2 publication Critical patent/JP3410898B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/79Apparatus for Tape Automated Bonding [TAB]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make a tape carrier package stable by providing respective alignment marks on a pair of opposite corners of a device hole wherein the alignment mark is formed with a bar with a plurality of inner leads connected and a plurality of protrusions on a side not formed with the bar. SOLUTION: Alignment marks 6 are respectively provided on a pair of opposite corners of a device hole 8, while each alignment mark 6 is formed with one or a plurality of bars 6b with two inner leads 4 connected. One or a plurality of protrusions 6a are formed on an opposite side without the bars 6b formed. The alignment mark 6 enables the bars 6b to be formed to a tip of the two inner leads 4. Further the alignment mark 6 can be formed with a through hole provided at the bars 6b. Therefore a tape carrier package can be stable and reliability in quality can be improved.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、テープキャリアパ
ッケージに関するものであり、特に、テープキャリアパ
ッケージに形成されるアライメントマークの形状に関す
るものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a tape carrier package, and more particularly to a shape of an alignment mark formed on a tape carrier package.

【0002】[0002]

【従来の技術】以下に、従来のテープキャリアパッケー
ジの製造工程を説明する。
2. Description of the Related Art A conventional process for manufacturing a tape carrier package will be described below.

【0003】まず、ウエハ上の電極(パッド)にめっき
することによって金バンプを形成する。この金バンプの
高さやサイズはバンプピッチによって変わるが、バンプ
サイズは40〜100μm、バンプ高さは10〜20μ
mである。
First, gold bumps are formed by plating electrodes (pads) on a wafer. The height and size of this gold bump vary depending on the bump pitch, but the bump size is 40 to 100 μm and the bump height is 10 to 20 μm.
m.

【0004】次に、バンプを付けたウエハをダイシング
シートに張り付けて、ダイシング装置で、チップサイズ
にダイシングする。液晶ドライバ用のチップの場合、縦
と横のサイズのアスペクト比は10〜20程度で細長い
形状をもつ。
Next, the bumped wafer is attached to a dicing sheet and diced into a chip size by a dicing device. In the case of a chip for a liquid crystal driver, the aspect ratio of the vertical and horizontal sizes is about 10 to 20 and has an elongated shape.

【0005】次に、インナリードボンディング工程で
は、チップ上のバンプとポリイミド等の絶縁フィルムの
上に接着剤層を介して導体パターンを積層した構造若し
くは絶縁フィルムの上に接着剤層を介して導体パターン
を積層した構造のテープキャリアのインナリードとをイ
ンナリードボンド装置を使って接合する。接合はバンプ
の金とインナリードの錫が共晶合金を形成することによ
って完了する。インナリードは銅箔からエッチングで形
成されるが、共晶合金を形成させるため、インナリード
表面には、0.1〜0.3μmの錫めっき層を形成させ
る。
Next, in the inner lead bonding process, a structure in which a conductor pattern is laminated on bumps on a chip and an insulating film such as polyimide via an adhesive layer, or a conductor is formed on the insulating film via an adhesive layer Inner leads of a tape carrier having a structure in which patterns are laminated are joined using an inner lead bonding apparatus. Bonding is completed by the bump gold and the inner lead tin forming a eutectic alloy. The inner leads are formed by etching from a copper foil, but in order to form a eutectic alloy, a tin plating layer of 0.1 to 0.3 μm is formed on the inner lead surface.

【0006】インナリードボンド装置には、リール状に
巻かれたテープキャリアとダイシングテープに張り付け
られてダイシングされたチップをセッティングする。以
下に、インナリードボンド装置の動作について説明す
る。
In the inner lead bonding apparatus, a tape carrier wound in a reel shape and a chip diced by being attached to a dicing tape are set. The operation of the inner lead bond device will be described below.

【0007】テープキャリアとなるポリイミドテープと
シリコンチップがアライメントできるように、予めテー
プキャリアの一部を2カ所とシリコンチップの一部の2
カ所を画像認識しておく。次に、ダイシングテープに張
り付けたチップをピックアップし、ボンディングステー
ジに移動させて載せ、真空で吸着してボンディングステ
ージに固定する。固定したチップのパターンを先に認識
した画像パターンと比較してチップの位置を認識する。
In order to align the polyimide tape, which is the tape carrier, with the silicon chip, two parts of the tape carrier and two parts of the silicon chip are previously prepared.
Image recognition is performed at the places. Next, the chip attached to the dicing tape is picked up, moved to and mounted on the bonding stage, adsorbed in a vacuum, and fixed to the bonding stage. The position of the chip is recognized by comparing the fixed chip pattern with the previously recognized image pattern.

【0008】尚、認識時には、チップの2つの角をパタ
ーン認識する。このチップの認識は、チップ上のアルミ
配線がフォトリソグラフィ工程で正確に形成されている
ので、比較的正確に認識可能である。また、認識はCC
Dカメラから取り込まれる画像で行う。
At the time of recognition, the two corners of the chip are pattern-recognized. The chip can be recognized relatively accurately because the aluminum wiring on the chip is accurately formed in the photolithography process. Also, the recognition is CC
D The image taken from the camera is used.

【0009】テープキャリアを所定の位置まで搬送する
と、先に認識させた画像と搬送されてきたテープキャリ
アの画像を比較してテープ位置を把握する。テープキャ
リアのアライメントは図7(a)、図7(b)に示すよ
うに、シリコンチップ1とソルダレジスト3との間でイ
ンナリード4を利用して、アライメント検出エリアにお
いて、X方向とY方向のそれぞれの直線部分間の幅から
重心を求め、それをアライメントマークとして認識した
り、図7(a)〜図7(c)に示すようにデバイスホー
ル付近に形成されたアライメントマーク10a〜10c
等を利用して実施する。
When the tape carrier is conveyed to a predetermined position, the position of the tape is grasped by comparing the previously recognized image with the image of the conveyed tape carrier. As shown in FIGS. 7A and 7B, the tape carrier is aligned by using the inner leads 4 between the silicon chip 1 and the solder resist 3 in the X and Y directions in the alignment detection area. The center of gravity is calculated from the width between the respective straight line portions of the above, and it is recognized as an alignment mark, or the alignment marks 10a to 10c formed near the device hole as shown in FIGS.
Etc.

【0010】次に、シリコンチップ1やテープキャリア
の位置を認識した後に、ボンディングステージ11がテ
ープキャリアの下に移動して、シリコンチップ1とテー
プキャリアの位置合わせが完了する。この時点では、図
8に示すように、テープキャリアの下に位置合わせした
シリコンチップ1があり、テープキャリアの上にボンデ
ィングツール11が位置している。
Next, after recognizing the positions of the silicon chip 1 and the tape carrier, the bonding stage 11 moves below the tape carrier, and the alignment between the silicon chip 1 and the tape carrier is completed. At this point, as shown in FIG. 8, the aligned silicon chip 1 is located under the tape carrier, and the bonding tool 11 is located on the tape carrier.

【0011】尚、図7(a)〜図7(c)は第1〜第3
の従来のテープキャリアパッケージにおけるインナリー
ドボンド後のインナリードボンド装置のパターン認識エ
リア内の平面図、図8はインナリードボンド時の説明に
供する図である。図7及び図8において、1はシリコン
チップ、2はポリイミドテープ、3はソルダレジスト、
4はインナリード、8はデバイスホール、9はバンプ、
10はアライメントマーク、11はボンディングツー
ル、12はボンディングステージ、13はボンディング
ステージのシリコンチップ吸着口を示す。
Incidentally, FIGS. 7A to 7C show the first to third parts.
FIG. 8 is a plan view in the pattern recognition area of the inner lead bonding apparatus after inner lead bonding in the conventional tape carrier package of FIG. 8 and FIG. 8 is a diagram for explaining the inner lead bonding. 7 and 8, 1 is a silicon chip, 2 is a polyimide tape, 3 is a solder resist,
4 is an inner lead, 8 is a device hole, 9 is a bump,
Reference numeral 10 is an alignment mark, 11 is a bonding tool, 12 is a bonding stage, and 13 is a silicon chip suction port of the bonding stage.

【0012】次に、ボンディングステージ12が上が
り、ボンディングツール11が下降してシリコンチップ
1上の金バンプに、錫めっきされたインナリード4がボ
ンディングツール11で熱圧着される。この熱圧着は、
480℃以上で実施し、圧着荷重は1つのバンプ当たり
20g以上である。加圧時間は0.8秒以上とする。圧
着後、ボンディングツール11が上昇し、ボンディング
ステージ12が下降してボンディングが完了する。シリ
コンチップ1はテープキャリアに接合され、インナリー
ド4を介して保持される。
Next, the bonding stage 12 rises, the bonding tool 11 descends, and the tin-plated inner leads 4 are thermocompression bonded to the gold bumps on the silicon chip 1. This thermocompression bonding
It is carried out at 480 ° C. or higher, and the pressure bonding load is 20 g or more per bump. The pressing time is 0.8 seconds or more. After the pressure bonding, the bonding tool 11 moves up and the bonding stage 12 moves down to complete the bonding. The silicon chip 1 is bonded to the tape carrier and held via the inner leads 4.

【0013】尚、テープキャリアの認識は、形状が変化
しやすい銅箔のエッチング部分を利用するので、シリコ
ンチップ1の認識とは異なり不安定である。また、イン
ナリードボンドの精度はピッチ間隔が狭いほどより精度
を向上させる必要があり、70μmピッチでも±7μm
以下にする必要がある。このとき、アライメントが良好
になされていないと、インナリードボンド装置が停止し
たり、位置合わせが精度良く行われていないので、良好
なインナリードボンドが行われない。
The recognition of the tape carrier is unstable unlike the recognition of the silicon chip 1 because it uses the etched portion of the copper foil whose shape is likely to change. Further, the accuracy of the inner lead bond needs to be improved as the pitch interval is narrower, and is ± 7 μm even at a pitch of 70 μm.
It must be: At this time, if the alignment is not properly performed, the inner lead bonding apparatus is stopped and the alignment is not performed accurately, so that the inner lead bonding is not performed well.

【0014】従来技術のアライメントマークは、図7
(a)〜(c)に示すような形状がある。バンプピッチ
が100μm程度のときは図7(a)に示すように、イ
ンナリードの片側に突起を設けたアライメントマーク1
0aがある。しかし、バンプピッチが70〜80μmま
でのファインピッチになると、インナリード幅も狭くな
り、図7(a)に示すようなアライメントマークでは、
インナリード自身が非対称であるので、ボンディング精
度が悪い場合には、インナリードが捻れてボンディング
されるので、バンプ下に大きな応力が発生して、インナ
リードが剥がれたり、バンプ下地が抉れてしまうことも
あり、品質・信頼性上問題があった。
A prior art alignment mark is shown in FIG.
There are shapes as shown in (a) to (c). When the bump pitch is about 100 μm, as shown in FIG. 7A, the alignment mark 1 having a protrusion on one side of the inner lead is formed.
There is 0a. However, when the bump pitch becomes a fine pitch of 70 to 80 μm, the inner lead width also becomes narrow, and in the alignment mark as shown in FIG.
Since the inner leads themselves are asymmetrical, if the bonding accuracy is poor, the inner leads will be twisted and bonded, resulting in large stress under the bumps, causing the inner leads to peel off or the bump base to be scooped out. In some cases, there was a problem in terms of quality and reliability.

【0015】そのため、図7(b)に示すような、対称
形のアライメントマーク10bを使用して、問題なくア
センブリが可能となった。尚、図7(c)のアライメン
トマーク10cも存在するが、テープ側にアライメント
するスペースが必要となるので、特に多出力のデバイス
にはスペースを取ることができず、アライメントマーク
を設けることができないので、あまり使用されていな
い。このように、従来のアライメントマークの形状は、
ファインピッチ化や多出力化に対して必ずしも適切な形
状ではなくなってきている。
Therefore, using the symmetrical alignment mark 10b as shown in FIG. 7B, the assembly can be performed without any problem. Although the alignment mark 10c shown in FIG. 7C is also present, since a space for alignment on the tape side is required, it is not possible to provide space for a device with a large number of outputs, and an alignment mark cannot be provided. So it's not used much. In this way, the conventional alignment mark shape is
The shape is not always suitable for fine pitch and multi-output.

【0016】次に、インナリードボンド後、シリコンチ
ップ1はインナリード4で保持されているので、液状樹
脂14を描画して所定のエリアにポッティングし、キュ
アして、図9に示すように、シリコンチップ1及びイン
ナリード4をコーティングする。図9はテープキャリア
パッケージの樹脂封止後の断面図であり、図9におい
て、5a、5bはアウターリードを示す。尚、ポッティ
ングキュアは、100℃以上で数時間行われる。キュア
後、マークしてファイナルテスト、その後は、テープキ
ャリアパッケージをリール状のまま出荷する。
Next, after the inner lead bonding, the silicon chip 1 is held by the inner leads 4, so the liquid resin 14 is drawn, potted in a predetermined area, and cured, as shown in FIG. The silicon chip 1 and the inner leads 4 are coated. FIG. 9 is a cross-sectional view of the tape carrier package after resin sealing. In FIG. 9, 5a and 5b indicate outer leads. The potting cure is performed at 100 ° C. or higher for several hours. After curing, mark and final test, and then tape carrier package is shipped in reel form.

【0017】また、図10の液晶ドライバとなるテープ
キャリアパッケージ15を液晶パネル16に実装した後
の平面図に示すように、液晶パネル等の電子部品類への
テープキャリアパッケージ15の実装は、リール状態に
あるテープキャリアパッケージを打ち抜いて個片にカッ
トしてから、ハンダや異方性導電性接着剤(ACF)を
用いて行われる。
Further, as shown in the plan view of FIG. 10 after the tape carrier package 15 serving as the liquid crystal driver is mounted on the liquid crystal panel 16, the tape carrier package 15 is mounted on an electronic component such as a liquid crystal panel by a reel. The tape carrier package in the state is punched out and cut into individual pieces, and then soldering or anisotropic conductive adhesive (ACF) is used.

【0018】[0018]

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来技術のイ
ンナリードのアライメントマーク形状をそのまま70μ
mよりファインピッチ、例えばバンプピッチが40〜5
0μmのテープキャリアパッケージに利用するとアライ
メント精度が大きく低下するという問題が生じる。
However, the alignment mark shape of the inner lead of the prior art is 70 μm as it is.
Fine pitch from m, for example bump pitch 40 to 5
When it is used for a tape carrier package of 0 μm, there arises a problem that the alignment accuracy is greatly reduced.

【0019】また、図7(b)の形状は、現在、70〜
80μmのバンプピッチでは問題はないが、更にファイ
ンピッチ化されると、アライメントが困難になるという
問題が生じてきた。即ち、バンプピッチがファインピッ
チ化するとインナリードとインナリードとの間のスペー
スが狭まり、アライメントマーク10bにおいて、イン
ナリード間を連ねたバーが図11のようになり、インナ
リードとバーとの交差部分で角が丸くなり、X方向の直
線部分がほとんど無くなってきてしまう。尚、図11は
従来技術の問題点の説明に供する図である。
The shape shown in FIG. 7B is currently 70-
There is no problem with the bump pitch of 80 μm, but there is a problem that alignment becomes difficult when the pitch is further reduced. That is, when the bump pitch becomes finer, the space between the inner leads becomes narrower, and the bar connecting the inner leads in the alignment mark 10b becomes as shown in FIG. 11, and the intersection of the inner leads and the bar becomes. The corners are rounded, and the linear part in the X direction is almost gone. FIG. 11 is a diagram for explaining the problems of the conventional technique.

【0020】その結果、インナリードボンド装置による
パターン認識エリアにおいて、位置認識時に図7や図1
1におけるX方向の直線部分が認識困難になり、Y方向
へアライメントズレが発生したり、更には全く認識する
ことができなくなり、インナリードボンド装置が停止す
ることがあった。そして、インナリードボンド装置は停
止するとオペレータがインナリードボンド装置のところ
まで移動して、オペレータがマニュアルで、インナリー
ドボンド装置を操作しなければならないので多くの労力
を要し、うまくテープキャリアパッケージを製造するこ
とが困難であった。
As a result, when recognizing the position in the pattern recognition area by the inner lead bonding apparatus, as shown in FIG.
The straight line portion in the X direction in 1 becomes difficult to recognize, alignment deviation occurs in the Y direction, and further it becomes impossible to recognize at all, and the inner lead bonding apparatus may stop. Then, when the inner lead bond device stops, the operator moves to the inner lead bond device, and the operator has to manually operate the inner lead bond device, which requires a lot of labor, and the tape carrier package can be successfully installed. It was difficult to manufacture.

【0021】また、アライメント精度が低下すると、バ
ンプの中心にインナリードの接合ができないので、イン
ナリードがバンプからはみ出して落ちてしまい、中には
インナリードがチップ表面と接触してインナリードとチ
ップとの間でリークやショート不良を起こしていた。イ
ンナリードがチップに接触していなくても、インナリー
ドがバンプからはみ出すので、バンプとインナリードと
の接触面積が減少し、バンプからインナリードが剥がれ
て品質・信頼性上大きな問題となっていた。
Further, when the alignment accuracy is lowered, the inner leads cannot be joined to the center of the bumps, so that the inner leads stick out from the bumps and fall off. In some cases, the inner leads come into contact with the surface of the chip and the inner leads and the chip. There was a leak or short circuit between them. Even if the inner leads were not in contact with the chip, the inner leads would protrude from the bumps, reducing the contact area between the bumps and the inner leads, causing the inner leads to peel off from the bumps, which was a major problem in terms of quality and reliability. .

【0022】[0022]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の本発明の
テープキャリアパッケージは、デバイスホールを有する
絶縁フィルム上で、上記デバイスホールに突出するよう
にインナリードが形成され、該インナリードと半導体チ
ップとが接続されたテープキャリアパッケージにおい
て、上記デバイスホールの少なくとも1組の対向するコ
ーナー部にそれぞれ少なくとも一のアライメントマーク
が設けられ、且つ、該アライメントマークが複数のイン
ナリードと、該インナリードを連ねる一又は複数のバー
部と、上記インナリードの上記バー部が形成されていな
い側に形成された一又は複数の凸部とを有してなること
を特徴とするものである。
According to a first aspect of the tape carrier package of the present invention, an inner lead is formed on an insulating film having a device hole so as to project into the device hole, and the inner lead and the semiconductor. In a tape carrier package to which a chip is connected, at least one alignment mark is provided at each of at least one pair of opposing corner portions of the device hole, and the alignment mark includes a plurality of inner leads and the inner leads. It is characterized by comprising one or a plurality of continuous bar portions and one or a plurality of convex portions formed on the side of the inner lead where the bar portion is not formed.

【0023】また、請求項2記載の本発明のテープキャ
リアパッケージは、上記アライメントマークとなる複数
のインナリードの先端に上記バー部が形成されているこ
とを特徴とする、請求項1記載のテープキャリアパッケ
ージである。
The tape carrier package of the present invention as defined in claim 2 is characterized in that the bar portions are formed at the tips of a plurality of inner leads serving as the alignment marks. It is a carrier package.

【0024】更に、請求項3記載の本発明のテープキャ
リアパッケージは、上記アライメントマークとなる複数
のインナリードの、バー部が形成されていない側にそれ
ぞれ少なくとも一の上記凸部が形成されていることを特
徴とする、請求項1又は請求項2記載のテープキャリア
パッケージである。
Further, in the tape carrier package of the present invention as defined in claim 3, at least one of the convex portions is formed on each of the plurality of inner leads serving as the alignment marks on the side where the bar portion is not formed. It is a tape carrier package of Claim 1 or Claim 2 characterized by the above-mentioned.

【0025】[0025]

【実施の形態】以下、実施の形態に基づいて本発明につ
いて詳細に説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail based on embodiments.

【0026】図1は本発明の第1の実施の形態のテープ
キャリアパッケージのインナリードボンド後の平面図で
あり、図2(a)〜図2(e)は本発明のインナリード
ボンド装置のパターン認識エリアにおける、第1〜第5
のアライメントマークの形状を示す図、図3、図4、図
5及び図6は本発明の第2〜第5の実施の形態のテープ
キャリアパッケージのインナリードボンド後の平面図で
ある。図1〜図6において、1はシリコンチップ、2は
ポリイミドテープ、3はソルダレジスト、4はインナリ
ード、5aは入力側アウタリード、5bは出力側アウタ
リード、6はインナリードを利用したアライメントマー
ク、7はインナリードボンド装置のパターン認識エリ
ア、8はデバイスホールを示す。尚、本実施の形態にお
いて、X方向とは、図2に示すX方向として説明する。
FIG. 1 is a plan view of a tape carrier package according to a first embodiment of the present invention after inner lead bonding, and FIGS. 2A to 2E show an inner lead bonding apparatus of the present invention. First to fifth in the pattern recognition area
FIG. 3, FIG. 4, FIG. 5 and FIG. 6 are views showing the shape of the alignment mark, and are plan views of the tape carrier packages of the second to fifth embodiments of the present invention after inner lead bonding. 1 to 6, 1 is a silicon chip, 2 is a polyimide tape, 3 is a solder resist, 4 is an inner lead, 5a is an input side outer lead, 5b is an output side outer lead, 6 is an alignment mark using the inner lead, 7 Indicates a pattern recognition area of the inner lead bonding apparatus, and 8 indicates a device hole. In the present embodiment, the X direction will be described as the X direction shown in FIG.

【0027】本発明は、デバイスホール8のコーナー部
に2本のインナリードをバーで連ね更にデバイスホール
8のインナリード外側に凸部を設けた、インナリードを
利用したアライメントマーク6を形成したことを特徴と
する。この凸部6aは例えば30〜150μmの長さを
有し、図2(a)に示すように、50〜100μm幅の
バー部6bと一直線上に形成されてもよいし、図2
(b)に示すように、一直線上に形成されていなくて
も、凸部6aの先端部及びバー部6bがインナリードボ
ンド装置のパターン認識エリア7内にあれば同様の効果
が得られる。図2(a)、(b)に示すアライメントマ
ーク6は非対称の形状ではあるが、バー部5bを設けて
いるので、従来のような問題点はない。
According to the present invention, the alignment mark 6 using the inner leads is formed in which the two inner leads are connected to the corners of the device hole 8 by the bar and the convex portion is provided on the outer side of the inner hole of the device hole 8. Is characterized by. The convex portion 6a has a length of, for example, 30 to 150 μm, and may be formed in a straight line with the bar portion 6b having a width of 50 to 100 μm, as shown in FIG.
As shown in (b), even if they are not formed on a straight line, the same effect can be obtained if the tip portion of the convex portion 6a and the bar portion 6b are within the pattern recognition area 7 of the inner lead bond device. The alignment mark 6 shown in FIGS. 2A and 2B has an asymmetrical shape, but since the bar portion 5b is provided, there is no problem as in the conventional case.

【0028】また、図2(c)に示すように、2本のイ
ンナリードのそれぞれバー部6bが形成されていない側
に、例えば30〜150μmの長さの凸部6aを設けて
も良い。尚、凸部6aの長さは、上記パターン認識エリ
ア7内に先端部があるように適宜設定する。また、凸部
6aはパターン認識エリア7内において、インナリード
の片側に複数存在するように形成してもよい。
Further, as shown in FIG. 2C, a projection 6a having a length of, for example, 30 to 150 μm may be provided on each of the two inner leads on the side where the bar 6b is not formed. The length of the convex portion 6a is appropriately set so that the tip end portion is in the pattern recognition area 7. In addition, the protrusions 6 a may be formed so as to be present on the one side of the inner lead in the pattern recognition area 7.

【0029】また、本発明において、図2(d)に示す
ように、アライメントマーク6は、2本のインナリード
を連ねた、幅が50〜100μmのバー部6bがインナ
リードの先端部に形成されていてもよい。この際、イン
ナリードのバー部6bが形成されている側と反対側に凸
部6aを設けても良い。この場合、よりX方向の直線部
分を多く取ることができる。
Further, in the present invention, as shown in FIG. 2 (d), the alignment mark 6 has a bar portion 6b having a width of 50 to 100 μm, which is formed by connecting two inner leads, at the tip of the inner lead. It may have been done. At this time, the convex portion 6a may be provided on the side opposite to the side where the bar portion 6b of the inner lead is formed. In this case, more linear portions in the X direction can be taken.

【0030】また、本発明において、図2(e)に示す
ように、アライメントマーク6は、100〜150μm
の幅のバー部6bに貫通孔を設けた形状、又は、幅が5
0〜100μmのバー部6bを2本以上設けた形状にし
てもよい。
Further, in the present invention, as shown in FIG. 2 (e), the alignment mark 6 has a width of 100 to 150 μm.
The width of the bar portion 6b having a through hole, or the width is 5
You may make it the shape which provided two or more bar parts 6b of 0-100 micrometers.

【0031】更に、本発明において、アライメントマー
ク6は、上述の凸部6a及びバー部6bの形状を組み合
わせてもよい。また、バー部が連ねるインナリードの本
数は2本に限定されるものではない。
Further, in the present invention, the alignment mark 6 may be formed by combining the shapes of the above-mentioned convex portion 6a and bar portion 6b. Further, the number of inner leads in which the bar portions are connected is not limited to two.

【0032】そして、このように、アライメントマーク
6を図2(a)〜図2(e)の形状にすることにより、
X方向の直線部分を多く取ることができる。
By thus forming the alignment mark 6 in the shapes shown in FIGS. 2 (a) to 2 (e),
Many straight line portions in the X direction can be taken.

【0033】また、このアライメントマーク6は、他の
インナリード4と同じ材料で、インナリード4形成時に
形成することが可能である。具体的には、接着剤を付け
たポリイミドテープ2に金型でデバイスホール8等を形
成した後、銅箔を貼付け、その後レジストを塗布し、所
定の形状にパターニングする。次に、該パターニングさ
れたレジストをマスクに銅箔をエッチングし、レジスト
を除去した後、ソルダレジスト塗布/キュアを行い、S
nメッキ及びSnメッキキュアを行う。
The alignment mark 6 is made of the same material as the other inner leads 4 and can be formed when the inner leads 4 are formed. Specifically, after forming the device hole 8 and the like on the polyimide tape 2 to which an adhesive has been applied with a mold, a copper foil is attached, and then a resist is applied and patterned into a predetermined shape. Next, the copper foil is etched using the patterned resist as a mask, the resist is removed, and then solder resist coating / curing is performed.
N plating and Sn plating cure are performed.

【0034】また、アライメントマーク6となるインナ
リードは、インナリードボンドを実施し、シリコンチッ
プ1の信号線として利用してもよいが、信号線として使
用しないダミーリードとして使用し、シリコンチップ1
にダミーパッドを設け、該ダミーパッドにインナーリー
ドボンドする方がよい。なぜならば、外部からの衝撃や
外力に対して最も応力が発生し易いのは、デバイスホー
ル8のコーナー部であり、シリコンチップ1の端部のイ
ンナリードだからである。
The inner leads serving as the alignment marks 6 may be used as signal lines of the silicon chip 1 by performing inner lead bonding, but may be used as dummy leads that are not used as signal lines.
It is better to provide a dummy pad on and to perform inner lead bonding to the dummy pad. This is because it is the inner lead of the end of the silicon chip 1 which is the corner of the device hole 8 where the stress is most likely to be generated due to external impact or external force.

【0035】更に、アライメントマーク6は、図1に示
すように、デバイスホール8の4隅に2個づつ、又は、
図3〜図6に示すようにデバイスホール8の4隅に1個
づつ、或は、図6に示すようにデバイスホール8の2隅
に1個づつ形成する。このように、1隅にアライメント
マーク6を1又は2つ配置することもできるので、本発
明において、1つのシリコンチップ1に対してアライメ
ントマーク6は2〜8個形成することができるが、4隅
に2個づつ形成する方が設計マージンを大きくできるの
で好ましい。
Further, as shown in FIG. 1, two alignment marks 6 are provided at each of the four corners of the device hole 8, or
One is formed at each of the four corners of the device hole 8 as shown in FIGS. 3 to 6, or one at each of the two corners of the device hole 8 as shown in FIG. As described above, since one or two alignment marks 6 can be arranged at one corner, 2 to 8 alignment marks 6 can be formed for one silicon chip 1 in the present invention. It is preferable to form two pieces at each corner because the design margin can be increased.

【0036】以下に、チップサイズが1.5nm×1
7.4nmの細長いチップであり、バンプピッチは出力
側に50μmピッチ、入力側に80〜100μmピッチ
を採用し、出力数は384個、入力数を合わせると約5
00ピンを有する液晶ドライバを、ポリイミドテープと
接着剤と銅箔とからなる3層構造をとるテープキャリア
に実装した場合について説明する。
Below, the chip size is 1.5 nm × 1
It is a long and narrow chip of 7.4 nm, and the bump pitch is 50 μm pitch on the output side and 80 to 100 μm pitch on the input side.
A case where a liquid crystal driver having 00 pins is mounted on a tape carrier having a three-layer structure composed of a polyimide tape, an adhesive and a copper foil will be described.

【0037】この際、インナリードの幅は30μmにエ
ッチングし、インナリードの錫めっきは0.25μm厚
とし、アライメントマークは、図1の形状とし、デバイ
スホール8の4隅に計8個配置し、チップの信号線とは
接続せず、ダミーのリードとして設け、ダミーバンプに
インナリードボンドを実施した。また、テープキャリア
のインナリード累積ピッチ精度を安定化させるために、
テープキャリアは48時間、25℃、相対湿度を50%
RHの環境下で調湿した。更に、インナリードボンド精
度を高めるため、インナリードボンド装置には、多値化
認識が可能な装置を使用し、CCDカメラは40万画素
のものを使用した。
At this time, the width of the inner leads was etched to 30 μm, the tin plating of the inner leads was 0.25 μm thick, the alignment marks had the shape shown in FIG. 1, and a total of eight alignment marks were arranged at the four corners of the device hole 8. , Was provided as a dummy lead without being connected to the signal line of the chip, and inner lead bonding was performed on the dummy bump. In addition, in order to stabilize the inner lead cumulative pitch accuracy of the tape carrier,
Tape carrier 48 hours, 25 ℃, relative humidity 50%
The humidity was adjusted under the environment of RH. Further, in order to improve the accuracy of the inner lead bond, a device capable of multi-valued recognition was used as the inner lead bond device, and a CCD camera having 400,000 pixels was used.

【0038】このような条件の下で、インナリードボン
ド装置を全自動で実施したところ、インナリードボンド
装置が停止することなく、しかも、インナリードボンド
の精度は、X方向、Y方向共、3σ(σは標準偏差を示
す。)を加味しても±5μmであった。そして、テープ
キャリアパッケージのアセンブリ後のファイナルテスト
不良もインナリードボンドに起因するものはなく、安定
したしかも高品質なテープキャリアパッケージを製造す
ることができた。
Under such conditions, when the inner lead bonder was fully automated, the inner lead bonder did not stop, and the accuracy of the inner lead bond was 3σ in both the X and Y directions. It was ± 5 μm even if (σ represents a standard deviation) is taken into consideration. The final test failure after assembly of the tape carrier package was not caused by the inner lead bond, and a stable and high-quality tape carrier package could be manufactured.

【0039】[0039]

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明を
用いることにより、40〜50μmのファインピッチに
対応するテープキャリアパッケージを安定良く、しかも
品質信頼性を大幅に向上させることができる。具体的に
は、アライメントズレは突発的に10μm発生したもの
が、ほとんど無くなり、アライメントできずに、インナ
リードボンド装置が停止する回数は、従来技術のアライ
メントマーク形状で50μmピッチに利用すると1%の
割合でインナリードボンド装置が停止していたのが、ほ
とんど、具体的には0.01%の割合でしか停止しなく
なって安定した生産が可能となった。
As described above in detail, by using the present invention, a tape carrier package corresponding to a fine pitch of 40 to 50 μm can be stably provided and the quality reliability can be greatly improved. Specifically, the alignment deviation that occurred suddenly at 10 μm almost disappeared, and the number of times that the inner lead bonding apparatus stopped due to alignment failure was 1% when the conventional alignment mark shape was used at a pitch of 50 μm. Although the inner lead bond device was stopped at a ratio of almost 40%, specifically, it stopped only at a ratio of 0.01%, which enabled stable production.

【0040】したがって、液晶ドライバの1チップ当た
りのピン数を増加させることができ、液晶パネルで使用
する液晶ドライバの数を減らすことが可能となり、液晶
パネルのコストを大幅に下げることができる。
Therefore, the number of pins per chip of the liquid crystal driver can be increased, the number of liquid crystal drivers used in the liquid crystal panel can be reduced, and the cost of the liquid crystal panel can be significantly reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態のテープキャリアパ
ッケージのインナリードボンド後の平面図である。
FIG. 1 is a plan view of a tape carrier package according to a first embodiment of the present invention after inner lead bonding.

【図2】(a)は本発明における、インナリードボンド
装置のパターン認識エリア内の第1のアライメントマー
クの形状を示す図であり、(b)は同第2のアライメン
トマークの形状を示す図であり、(c)は同第3のアラ
イメントマークの形状を示す図であり、(d)は同第4
のアライメントマークの形状を示す図であり、(e)は
同第5のアライメントマークの形状を示す図である。
FIG. 2A is a diagram showing a shape of a first alignment mark in a pattern recognition area of the inner lead bonding apparatus according to the present invention, and FIG. 2B is a diagram showing a shape of the second alignment mark. FIG. 4C is a diagram showing the shape of the third alignment mark, and FIG.
It is a figure which shows the shape of the said alignment mark, and (e) is a figure which shows the shape of the same 5th alignment mark.

【図3】本発明の第2の実施の形態のテープキャリアパ
ッケージのインナリードボンド後の平面図である。
FIG. 3 is a plan view of the tape carrier package according to the second embodiment of the present invention after inner lead bonding.

【図4】本発明の第3の実施の形態のテープキャリアパ
ッケージのインナリードボンド後の平面図である。
FIG. 4 is a plan view of a tape carrier package according to a third embodiment of the present invention after inner lead bonding.

【図5】本発明の第4の実施の形態のテープキャリアパ
ッケージのインナリードボンド後の平面図である。
FIG. 5 is a plan view of a tape carrier package according to a fourth embodiment of the present invention after inner lead bonding.

【図6】本発明の第5の実施の形態のテープキャリアパ
ッケージのインナリードボンド後の平面図である。
FIG. 6 is a plan view of a tape carrier package according to a fifth embodiment of the present invention after inner lead bonding.

【図7】(a)は第1の従来のテープキャリアパッケー
ジにおけるインナリードボンド後のインナリードボンド
装置のパターン認識エリア内の平面図であり、(b)は
第2の従来のテープキャリアパッケージにおけるインナ
リードボンド後のインナリードボンド装置のパターン認
識エリア内の平面図であり、(c)は第3の従来のテー
プキャリアパッケージにおけるインナリードボンド後の
インナリードボンド装置のパターン認識エリア内の平面
図である。
FIG. 7A is a plan view in a pattern recognition area of an inner lead bonding apparatus after inner lead bonding in a first conventional tape carrier package, and FIG. 7B is a plan view in a second conventional tape carrier package. It is a top view in the pattern recognition area of the inner lead bond device after the inner lead bond, (c) is a plan view in the pattern recognition area of the inner lead bond device after the inner lead bond in the third conventional tape carrier package. Is.

【図8】インナリードボンドの説明に供する図である。FIG. 8 is a diagram for explaining an inner lead bond.

【図9】テープキャリアパッケージの樹脂封止後の断面
図である。
FIG. 9 is a cross-sectional view of the tape carrier package after resin sealing.

【図10】液晶ドライバを液晶パネルに実装した後の平
面図である。
FIG. 10 is a plan view after the liquid crystal driver is mounted on the liquid crystal panel.

【図11】従来技術の問題点の説明に供する図である。FIG. 11 is a diagram for explaining a problem of the conventional technique.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 シリコンチップ 2 ポリイミドテープ 3 ソルダレジスト 4 インナリード 5a 入力側アウタリード 5b 出力側アウタリード 6 インナリードを利用したアライメントマーク 6a 凸部 6b バー部 7 インナリードボンド装置のパターン認識エリア 8 デバイスホール 1 Silicon Chip 2 Polyimide Tape 3 Solder Resist 4 Inner Lead 5a Input Outer Lead 5b Output Outer Lead 6 Alignment Mark Using Inner Lead 6a Convex 6b Bar 7 Inner Lead Bonding Device Pattern Recognition Area 8 Device Hole

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 デバイスホールを有する絶縁フィルム上
で、上記デバイスホールに突出するようにインナリード
が形成され、該インナリードと半導体チップとが接続さ
れたテープキャリアパッケージにおいて、 上記デバイスホールの少なくとも1組の対向するコーナ
ー部にそれぞれ少なくとも一のアライメントマークが設
けられ、且つ、該アライメントマークが複数のインナリ
ードと、該インナリードを連ねる一又は複数のバー部
と、上記インナリードの上記バー部が形成されていない
側に形成された一又は複数の凸部とを有してなることを
特徴とするテープキャリアパッケージ。
1. A tape carrier package in which an inner lead is formed on an insulating film having a device hole so as to project into the device hole, and the inner lead and a semiconductor chip are connected to each other. At least one alignment mark is provided on each of the opposite corner portions of the set, and the alignment mark has a plurality of inner leads, one or a plurality of bar portions connecting the inner leads, and the bar portion of the inner lead. A tape carrier package, comprising: one or a plurality of convex portions formed on the side not formed.
【請求項2】 上記アライメントマークとなる複数のイ
ンナリードの先端に上記バー部が形成されていることを
特徴とする、請求項1記載のテープキャリアパッケー
ジ。
2. The tape carrier package according to claim 1, wherein the bar portions are formed at the tips of the plurality of inner leads that serve as the alignment marks.
【請求項3】 上記アライメントマークとなる複数のイ
ンナリードの、バー部が形成されていない側にそれぞれ
少なくとも一の上記凸部が形成されていることを特徴と
する、請求項1又は請求項2記載のテープキャリアパッ
ケージ。
3. The at least one convex portion is formed on each of the plurality of inner leads serving as the alignment mark on the side where the bar portion is not formed, and the at least one convex portion is formed. The listed tape carrier package.
JP09682196A 1996-04-18 1996-04-18 Tape carrier package Expired - Fee Related JP3410898B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP09682196A JP3410898B2 (en) 1996-04-18 1996-04-18 Tape carrier package

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP09682196A JP3410898B2 (en) 1996-04-18 1996-04-18 Tape carrier package

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09283573A true JPH09283573A (en) 1997-10-31
JP3410898B2 JP3410898B2 (en) 2003-05-26

Family

ID=14175247

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP09682196A Expired - Fee Related JP3410898B2 (en) 1996-04-18 1996-04-18 Tape carrier package

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3410898B2 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002280477A (en) * 2001-03-16 2002-09-27 Sony Corp Circuit board
KR100476528B1 (en) * 1998-02-11 2005-07-07 삼성전자주식회사 TPC and TF bonding structure of LCD module
KR101989946B1 (en) * 2017-12-06 2019-06-14 주식회사 엘비루셈 Film for use in COF Package with Alignment Mark

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100476528B1 (en) * 1998-02-11 2005-07-07 삼성전자주식회사 TPC and TF bonding structure of LCD module
JP2002280477A (en) * 2001-03-16 2002-09-27 Sony Corp Circuit board
KR101989946B1 (en) * 2017-12-06 2019-06-14 주식회사 엘비루셈 Film for use in COF Package with Alignment Mark

Also Published As

Publication number Publication date
JP3410898B2 (en) 2003-05-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6593648B2 (en) Semiconductor device and method of making the same, circuit board and electronic equipment
KR100459970B1 (en) Semiconductor device and method of fabrication thereof, circuit board, and electronic equipment
KR100606945B1 (en) The semiconducutor device and the method of manufacturing the same
JP2916915B2 (en) Method of manufacturing ball grid array semiconductor package
US5949142A (en) Chip size package and method of manufacturing the same
US20090051029A1 (en) Flip-chip type semiconductor device
KR0185570B1 (en) Chip scale package and method of making the same
KR20050111515A (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2002007218A1 (en) Multi-metal layer circuit
JPH07321244A (en) Electronic part, and manufacture of electronic part
JP3360669B2 (en) Semiconductor package element, three-dimensional semiconductor device, and manufacturing method thereof
KR100618542B1 (en) Method for manufacturing stack package
JPH08306724A (en) Semiconductor device, manufacturing method and its mounting method
JP3410898B2 (en) Tape carrier package
JP2000150560A (en) Bump forming method, bump forming bonding tool, semiconductor wafer, semiconductor chip, semiconductor device, manufacture thereof, circuit substrate and electronic machine
JPH11186439A (en) Substrate for semiconductor package and its manufacture
JP3827978B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JPH03129745A (en) Mounting of semiconductor device
JPH06252334A (en) Semiconductor device
JP3670466B2 (en) Semiconductor device package manufacturing method
KR100246848B1 (en) Land grid array and a semiconductor package having a same
JP2000299399A (en) Semiconductor device
KR940004278Y1 (en) Cot package
JP3367512B2 (en) Memory element
KR20040023188A (en) Stack package and it's favrication method of center pad chips

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20030310

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080320

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090320

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100320

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100320

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110320

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120320

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120320

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130320

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130320

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140320

Year of fee payment: 11

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees