JPH0227498Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案はピン式電球に関し、一層詳細にはリー
ド線にニツケルめつきを施すことによつて、バル
ブのクラツク発生を有効に防止しうるピン式電球
に関する。

近年ピン式電球は安価に提供するため、第１図
に示すように、まず、リード線１２，１２として
鉄−ニツケル合金線に銅を被覆したジユメツト線
を用い、リード線１２，１２にガラス１０を溶着
したステム１４を形成し、このステム１４をバル
ブに組み込んで真空炉中で約700℃〜800℃で加熱
して排気・封止するいわゆる真空炉方式と呼ばれ
る方法でステム１４をバルブ１６に気密封止して
いる（第２図）。

ところでピン式電球は、フイラメント１８を支
持する内部リード線１２−１，１２−１をその中
途で外方にほぼくの字状にふくらむように屈曲
し、この両ふくらみ部がバルブ１６内壁に近接し
て、バルブ１６の径方向に対置するようにしてず
れ防止し、フイラメント１８をバルブ１６の中央
径方向に位置せしめるようにしている。このよう
に内部リード線１２−１，１２−１の両ふくらみ
部がバルブ１６内壁に近接しているため、真空炉
で加熱する際にしばしば前記ふくらみ部がバルブ
１６内壁に当接し、ふくらみ部がバルブ１６内壁
面のガラスによつてそのまま溶着されてしまう事
態が生ずる。そしてガラスの熱膨張率よりもリー
ド線の熱膨張率の方が大きいから、冷却時にリー
ド線に引張力が作用し、バルブ１６内壁面にクラ
ツクが発生するという難点がある。この場合にも
リード線の太さが0.25mm程の細いものであれば、
上記収縮による引張力作用時にリード線が伸長す
るからクラツク発生のおそれが少ないが、この種
ピン式電球は、外部リード線がそのままソケツト
等への接続ピンとして使用されるから、強度的な
面からリード線として0.3mm以上の太さのものが
要求され、この場合に前記引張力による伸長度が
小さいためバルブ１６のクラツク発生が免れな
い。

本考案は上記難点に鑑みてなされ、その目的と
するところは、バルブにクラツクが発生せず、強
度的に優れる信頼度の高いピン式電球を提供する
にあり、その特徴とするところは、リード線が太
さ0.3mm以上のジユメツト線からなり、その内部
リード線先端近傍にフイラメントが継線されると
共に、外部リード線がそのままソケツト等への接
続ピンとなるピン式電球において、リード線に、
少なくとも前記内部リード線のバルブに近接する
部分にニツケルめつきを施したところにある。

以下本考案の好適な実施例を添付図面に基づき
詳細に説明する。

第３図はステム２０の説明図、第４図はピン式
電球の説明図である。

２２，２２はジユメツト線からなるリード線で
あり、接続ピンとして必要な強度を有する太さ
0.3mm以上のものが用いられる。両リード線２２，
２２は所定の間隔を存してガラス２４によつて固
定される。次にリード線２２，２２の露出部の酸
化膜を酸処理して除去して後、無電解光沢ニツケ
ルめつき２６を施す。めつき厚は特に限定されな
いが、0.1μｍ〜1.2μｍ程度が好適である。なお内
部リード線２２−１，２２−１は通常のごとく中
途部で外方に、互いに反対方向にくの字状にふく
らむように屈曲され、両ふくらみ部の間隔はバル
ブ２８の内径とほぼ等しく形成されている。

内部リード線２２−１，２２−１の先端近傍に
はタングステンフイラメント３０が打込み等によ
つて継線される。タングステンフイラメント３０
を打込み継線する場合に、前述のニツケルめつき
層があまり厚いとニツケルが硬いことによつて打
込みが困難になる。したがつてめつき厚は前述の
ように最高1.2μｍが好適である。このように形成
したステム２０をバルブ２８に組み込み、通常の
ごとく真空炉中でバルブ２８内の空気を排出する
とともに、炉温を700℃〜800℃に昇温してガラス
２４をバルブ２８内壁に気密封止する。

ニツケルとガラスとの濡れ性は低いから、真空
炉中においてニツケルめつき２６を施したリード
線２２，２２のふくらみ部がバルブ２８内壁に当
接しても、バルブ２８内壁の当接部に小気泡が発
生してリード線２２，２２を濡らさず、溶着現象
がほとんど生じない。したがつて冷却時リード線
２２，２２が収縮しても、従来のようなバルブ２
８内壁のクラツク発生が皆無となり、歩留りよく
製造できる。また溶着現象が生じていないから、
電球の使用中にクラツクが発生するおそれもな
く、信頼性の高い電球を得ることができたもので
ある。

上記実施例においては外部リード部２２−２，
２２−２にもステムの段階でニツケルめつき２６
が施されているから、従来真空炉工程の後に外部
リード部２２−２，２２−２にニツケル、金等の
耐食めつきを施していたものが、ステム段階での
上記のニツケルめつきで替えることができ、従来
と同様の工数で行うことができる。

なお、本考案においては内部リード線２２−
１，２２−１のうちの、バルブ２８内壁に当接し
て溶着現象の生ずるおそれがある個所、すなわち
ふくらみ部のみに部分ニツケルめつきを施して
も、クラツク発生を防止する目的は達せられる。
この場合外部リード部２２−２，２２−２にはス
テム段階あるいは真空炉工程の後でニツケル等の
耐食めつきを行えばよい。

なおまた内部リード線２２−１，２２−１は第
５図に示すように、ガラス２４によつて溶着され
ている基端近傍でそれぞれ外方に屈曲されてその
ままほぼ直線状に伸び、先端部がバルブ２８内壁
に近接して、フイラメント３０をバルブ２８の径
方向へ向くように位置決めするものであつてもよ
い。

この場合にも少なくともバルブ２８内壁に近接
する内部リード線２２−１，２２−１の先端付近
にニツケルめつきを施すことによつて前記と同様
の作用効果を奏する。

以上のように本考案に係るピン式電球によれ
ば、接続ピンとして充分な強度を有する0.3mm以
上のジユメツト線を用いて、使用時等においても
バルブにクラツク発生のおそれがない信頼度の高
いピン式電球を提供できるという著効を奏する。

以上本考案につき好適な実施例を挙げて種々説
明したが、本考案はこの実施例に限定されるもの
ではなく、考案の精神を逸脱しない範囲内で多く
の改変を施し得るのはもちろんのことである。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図はそれぞれ従来のステム、ピン
式電球の説明図、第３図、第４図はそれぞれ本考
案におけるステム、ピン式電球の説明図である。
第５図はピン式電球の他の実施例を示す説明図で
ある。 １０……ガラス、１２……リード線、１２−１
……内部リード線、１４……ステム、１６……バ
ルブ、１８……フイラメント、２０……ステム、
２２……リード線、２２−１……内部リード線、
２２−２……外部リード部、２４……ガラス、２
６……ニツケルめつき、２８……バルブ、３０…
…タングステンフイラメント。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. リード線が太さ0.3mm以上のジユメツト線から
   なり、その内部リード線先端近傍にフイラメント
   が継線されると共に、外部リード線がそのままソ
   ケツト等への接続ピンとなるピン式電球におい
   て、リード線に、少なくとも前記内部リード線の
   バルブに近接する部分にニツケルめつきを施して
   成るピン式電球。