JPH02270326A - Lsi配線パターン切れ込み除去方法 - Google Patents
Lsi配線パターン切れ込み除去方法Info
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- JPH02270326A JPH02270326A JP9140289A JP9140289A JPH02270326A JP H02270326 A JPH02270326 A JP H02270326A JP 9140289 A JP9140289 A JP 9140289A JP 9140289 A JP9140289 A JP 9140289A JP H02270326 A JPH02270326 A JP H02270326A
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- Japan
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Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000011161 development Methods 0.000 abstract description 4
- 101100008044 Caenorhabditis elegans cut-1 gene Proteins 0.000 abstract 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
r産業上の利用分野]
本発明は、LSI配線パターン切れ込み除去に関するも
のである。
のである。
[従来の技術]
LSIのマスクパターンデータ作成時に製造上問題とな
るU字状の切れ込みが発生してしまう事がある。第2図
(a)に例を示す、7はアルミニウムの配線材であり、
8は7のアルミニウムと絶縁処理しであるアルミニウム
配線材であり、9はコンタクト開口部であり、10は製
造上問題となるU字状の切れ込み部分である。従来は、
設計規則検証プログラムによりパターンデータよりこれ
らの製造上問題となるU字状の切れ込みの部分を検出し
1人手によって第2図(b)のように修正を行っていた
。
るU字状の切れ込みが発生してしまう事がある。第2図
(a)に例を示す、7はアルミニウムの配線材であり、
8は7のアルミニウムと絶縁処理しであるアルミニウム
配線材であり、9はコンタクト開口部であり、10は製
造上問題となるU字状の切れ込み部分である。従来は、
設計規則検証プログラムによりパターンデータよりこれ
らの製造上問題となるU字状の切れ込みの部分を検出し
1人手によって第2図(b)のように修正を行っていた
。
[発明が解決しようとする課題1
しかし、前述の方法では、パターンデータ作成後プログ
ラムによる製造上問題となるU字状の切れ込み部の検出
と手修正を行うことにより、設計に費やす時間が増え、
LSIの開発費増大、および、納期遅延を引き起こす、
そこで、本発明は、従来のこの様な問題を解決するもの
であり、その目的とするところは、製造上問題となるU
字状の切れ込み部を自動で削除することにより、設計期
間の短縮、による開発費の削減および、納期確保を目的
とする。
ラムによる製造上問題となるU字状の切れ込み部の検出
と手修正を行うことにより、設計に費やす時間が増え、
LSIの開発費増大、および、納期遅延を引き起こす、
そこで、本発明は、従来のこの様な問題を解決するもの
であり、その目的とするところは、製造上問題となるU
字状の切れ込み部を自動で削除することにより、設計期
間の短縮、による開発費の削減および、納期確保を目的
とする。
1課題を解決するための手段]
本発明のLSI配線パターン切れ込み除去方法は、LS
Iを製造するとき使用される1枚のフォトマスク上のパ
ターンにおいて、1つの島を形成する前記パターン毎に
、U字状の切れ込みの製造上問題となる最小の幅の1/
2の値によって全パターンを拡大し、得られた拡大パタ
ーンを前記拡大の対象となった島を形成するパターン毎
に、前記U字状の切れ込みの製造上問題となる最小の幅
の1/2の値によって縮小することを特徴とする。
Iを製造するとき使用される1枚のフォトマスク上のパ
ターンにおいて、1つの島を形成する前記パターン毎に
、U字状の切れ込みの製造上問題となる最小の幅の1/
2の値によって全パターンを拡大し、得られた拡大パタ
ーンを前記拡大の対象となった島を形成するパターン毎
に、前記U字状の切れ込みの製造上問題となる最小の幅
の1/2の値によって縮小することを特徴とする。
[作 用]
本発明におけるLSI配線パターン切れ込み除去方法は
、1つの島を形成する複数の配線パターン毎に、U字状
の切れ込みの製造上問題となる最小の幅の1/2の値に
よって、全パターンを拡大することにより、製造上問題
となるU字状の切れ込みの部分が削除された拡大配線パ
ターンが得られる。これらのパターンデークを同一の値
で縮小することにより製造上問題となるU字状の切れ込
−みの部分が削除された本来の配線パターンが得られる
。
、1つの島を形成する複数の配線パターン毎に、U字状
の切れ込みの製造上問題となる最小の幅の1/2の値に
よって、全パターンを拡大することにより、製造上問題
となるU字状の切れ込みの部分が削除された拡大配線パ
ターンが得られる。これらのパターンデークを同一の値
で縮小することにより製造上問題となるU字状の切れ込
−みの部分が削除された本来の配線パターンが得られる
。
[実 施 例1
以下、この発明の1実施例を図について説明する。第1
図(a)は、アルミニウムパターンの一部である。U字
状の切れ込みの製造上問題となる最小幅を4μmとする
と第1図(a)中1の部分が製造上問題となるU字状の
切れ込みとなる。このパターンにおいて、1つの島を形
成するパターン毎に拡大するわけだが、1つの島とは、
2〜4の図形の様に、互いに接続している図形の集まり
である。この島毎に2μm拡大すると第1図(b)のパ
ターン5が作成される。この処理により製造上問題とな
るU字状の切れ込みがなくなる。パターン5に対して同
一の島毎に2μmの縮小を行うことにより第1図(C)
のパターン6が作成される。パターン6は、第1図(a
)のパターンと同一であるが製造上問題となるU字状の
切れ込みがなくなっている。
図(a)は、アルミニウムパターンの一部である。U字
状の切れ込みの製造上問題となる最小幅を4μmとする
と第1図(a)中1の部分が製造上問題となるU字状の
切れ込みとなる。このパターンにおいて、1つの島を形
成するパターン毎に拡大するわけだが、1つの島とは、
2〜4の図形の様に、互いに接続している図形の集まり
である。この島毎に2μm拡大すると第1図(b)のパ
ターン5が作成される。この処理により製造上問題とな
るU字状の切れ込みがなくなる。パターン5に対して同
一の島毎に2μmの縮小を行うことにより第1図(C)
のパターン6が作成される。パターン6は、第1図(a
)のパターンと同一であるが製造上問題となるU字状の
切れ込みがなくなっている。
[発明の効果1
本発明の効果は、1つの島を形成する前記配線パターン
毎に、U字状の切れ込みの製造上問題となる最小の幅の
1/2の値によって全パターンを拡大し、得られたパタ
ーンを前記拡大の対象となった島を形成するパターン毎
に、前記U字状の切れ込みの製造上問題となる最小の幅
の1/2の値によって縮小することにより、製造上問題
となるU字状の切れ込みの部分を削除することができる
。この処理を汎用計算機上で行うことにより、自動で高
速に処理することが出来、設計期間の短縮、による開発
費の削減および、納期確保ができる。
毎に、U字状の切れ込みの製造上問題となる最小の幅の
1/2の値によって全パターンを拡大し、得られたパタ
ーンを前記拡大の対象となった島を形成するパターン毎
に、前記U字状の切れ込みの製造上問題となる最小の幅
の1/2の値によって縮小することにより、製造上問題
となるU字状の切れ込みの部分を削除することができる
。この処理を汎用計算機上で行うことにより、自動で高
速に処理することが出来、設計期間の短縮、による開発
費の削減および、納期確保ができる。
第1図(a)〜(c)に、本発明による実施処理過程図
を示し、第2図(a)(b)は、従来の方法による実施
図である。 ■・・・・・・製造上問題となるU字状の切れ込み 2.3.4・・アルミニウムパターン 5=・=−2,3,4の4amの拡大 図形 6・・・・・ 5の4 IJmの縮小図形7・・・・・
・アルミニウム 8・・・・・・上記アルミニウムと絶縁処理しであるア
ルミニウム 9・・・・・・コンタクト開孔部の中心lO・・・・・
・製造上問題となるU字状の切れ込み 以上 出願人 セイコーエプソン沫式会社 代理人 弁理士 鈴 木 喜三部(使1名)第1図(a
) 第1図(b) 第1図(C) 7.8.アルミニウム 10、製造上問題となるU字状の 第2図(a) 第2図(b)
を示し、第2図(a)(b)は、従来の方法による実施
図である。 ■・・・・・・製造上問題となるU字状の切れ込み 2.3.4・・アルミニウムパターン 5=・=−2,3,4の4amの拡大 図形 6・・・・・ 5の4 IJmの縮小図形7・・・・・
・アルミニウム 8・・・・・・上記アルミニウムと絶縁処理しであるア
ルミニウム 9・・・・・・コンタクト開孔部の中心lO・・・・・
・製造上問題となるU字状の切れ込み 以上 出願人 セイコーエプソン沫式会社 代理人 弁理士 鈴 木 喜三部(使1名)第1図(a
) 第1図(b) 第1図(C) 7.8.アルミニウム 10、製造上問題となるU字状の 第2図(a) 第2図(b)
Claims (1)
- LSIを製造するとき使用される1枚のフォトマスク上
のパターンにおいて、1つの島を形成する前記パターン
毎に、U字状の切れ込みの製造上問題となる最小の幅の
1/2の値によって全パターンを拡大し、得られた拡大
パターンを前記拡大の対象となった島を形成するパター
ン毎に、前記U字状の切れ込みの製造上問題となる最小
の幅の1/2の値によって縮小することを特徴とするL
SI配線パターン切れ込み除去方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9140289A JPH02270326A (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | Lsi配線パターン切れ込み除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9140289A JPH02270326A (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | Lsi配線パターン切れ込み除去方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02270326A true JPH02270326A (ja) | 1990-11-05 |
Family
ID=14025387
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9140289A Pending JPH02270326A (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | Lsi配線パターン切れ込み除去方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02270326A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6536015B2 (en) | 2000-07-05 | 2003-03-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus and method of correcting layout pattern data, method of manufacturing semiconductor devices and recording medium |
-
1989
- 1989-04-11 JP JP9140289A patent/JPH02270326A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6536015B2 (en) | 2000-07-05 | 2003-03-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus and method of correcting layout pattern data, method of manufacturing semiconductor devices and recording medium |
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