JPH02270326A - Lsi配線パターン切れ込み除去方法 - Google Patents

Lsi配線パターン切れ込み除去方法

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Publication number
JPH02270326A
JPH02270326A JP9140289A JP9140289A JPH02270326A JP H02270326 A JPH02270326 A JP H02270326A JP 9140289 A JP9140289 A JP 9140289A JP 9140289 A JP9140289 A JP 9140289A JP H02270326 A JPH02270326 A JP H02270326A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
patterns
minimum width
manufacturing
pattern
manufacture
Prior art date
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Pending
Application number
JP9140289A
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English (en)
Inventor
Yukiharu Horiuchi
堀内 幸春
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPH02270326A publication Critical patent/JPH02270326A/ja
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  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 r産業上の利用分野] 本発明は、LSI配線パターン切れ込み除去に関するも
のである。
[従来の技術] LSIのマスクパターンデータ作成時に製造上問題とな
るU字状の切れ込みが発生してしまう事がある。第2図
(a)に例を示す、7はアルミニウムの配線材であり、
8は7のアルミニウムと絶縁処理しであるアルミニウム
配線材であり、9はコンタクト開口部であり、10は製
造上問題となるU字状の切れ込み部分である。従来は、
設計規則検証プログラムによりパターンデータよりこれ
らの製造上問題となるU字状の切れ込みの部分を検出し
1人手によって第2図(b)のように修正を行っていた
[発明が解決しようとする課題1 しかし、前述の方法では、パターンデータ作成後プログ
ラムによる製造上問題となるU字状の切れ込み部の検出
と手修正を行うことにより、設計に費やす時間が増え、
LSIの開発費増大、および、納期遅延を引き起こす、
そこで、本発明は、従来のこの様な問題を解決するもの
であり、その目的とするところは、製造上問題となるU
字状の切れ込み部を自動で削除することにより、設計期
間の短縮、による開発費の削減および、納期確保を目的
とする。
1課題を解決するための手段] 本発明のLSI配線パターン切れ込み除去方法は、LS
Iを製造するとき使用される1枚のフォトマスク上のパ
ターンにおいて、1つの島を形成する前記パターン毎に
、U字状の切れ込みの製造上問題となる最小の幅の1/
2の値によって全パターンを拡大し、得られた拡大パタ
ーンを前記拡大の対象となった島を形成するパターン毎
に、前記U字状の切れ込みの製造上問題となる最小の幅
の1/2の値によって縮小することを特徴とする。
[作 用] 本発明におけるLSI配線パターン切れ込み除去方法は
、1つの島を形成する複数の配線パターン毎に、U字状
の切れ込みの製造上問題となる最小の幅の1/2の値に
よって、全パターンを拡大することにより、製造上問題
となるU字状の切れ込みの部分が削除された拡大配線パ
ターンが得られる。これらのパターンデークを同一の値
で縮小することにより製造上問題となるU字状の切れ込
−みの部分が削除された本来の配線パターンが得られる
[実 施 例1 以下、この発明の1実施例を図について説明する。第1
図(a)は、アルミニウムパターンの一部である。U字
状の切れ込みの製造上問題となる最小幅を4μmとする
と第1図(a)中1の部分が製造上問題となるU字状の
切れ込みとなる。このパターンにおいて、1つの島を形
成するパターン毎に拡大するわけだが、1つの島とは、
2〜4の図形の様に、互いに接続している図形の集まり
である。この島毎に2μm拡大すると第1図(b)のパ
ターン5が作成される。この処理により製造上問題とな
るU字状の切れ込みがなくなる。パターン5に対して同
一の島毎に2μmの縮小を行うことにより第1図(C)
のパターン6が作成される。パターン6は、第1図(a
)のパターンと同一であるが製造上問題となるU字状の
切れ込みがなくなっている。
[発明の効果1 本発明の効果は、1つの島を形成する前記配線パターン
毎に、U字状の切れ込みの製造上問題となる最小の幅の
1/2の値によって全パターンを拡大し、得られたパタ
ーンを前記拡大の対象となった島を形成するパターン毎
に、前記U字状の切れ込みの製造上問題となる最小の幅
の1/2の値によって縮小することにより、製造上問題
となるU字状の切れ込みの部分を削除することができる
。この処理を汎用計算機上で行うことにより、自動で高
速に処理することが出来、設計期間の短縮、による開発
費の削減および、納期確保ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)〜(c)に、本発明による実施処理過程図
を示し、第2図(a)(b)は、従来の方法による実施
図である。 ■・・・・・・製造上問題となるU字状の切れ込み 2.3.4・・アルミニウムパターン 5=・=−2,3,4の4amの拡大 図形 6・・・・・ 5の4 IJmの縮小図形7・・・・・
・アルミニウム 8・・・・・・上記アルミニウムと絶縁処理しであるア
ルミニウム 9・・・・・・コンタクト開孔部の中心lO・・・・・
・製造上問題となるU字状の切れ込み 以上 出願人 セイコーエプソン沫式会社 代理人 弁理士 鈴 木 喜三部(使1名)第1図(a
) 第1図(b) 第1図(C) 7.8.アルミニウム 10、製造上問題となるU字状の 第2図(a) 第2図(b)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. LSIを製造するとき使用される1枚のフォトマスク上
    のパターンにおいて、1つの島を形成する前記パターン
    毎に、U字状の切れ込みの製造上問題となる最小の幅の
    1/2の値によって全パターンを拡大し、得られた拡大
    パターンを前記拡大の対象となった島を形成するパター
    ン毎に、前記U字状の切れ込みの製造上問題となる最小
    の幅の1/2の値によって縮小することを特徴とするL
    SI配線パターン切れ込み除去方法。
JP9140289A 1989-04-11 1989-04-11 Lsi配線パターン切れ込み除去方法 Pending JPH02270326A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6536015B2 (en) 2000-07-05 2003-03-18 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Apparatus and method of correcting layout pattern data, method of manufacturing semiconductor devices and recording medium

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6536015B2 (en) 2000-07-05 2003-03-18 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Apparatus and method of correcting layout pattern data, method of manufacturing semiconductor devices and recording medium

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