JPH02268191A - Ｄ‐マンノースアミン誘導体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は式（１）又は（■） （Ｉ） （ＩＩ） （式中Ｒ，はアシル基、Ｒ１は場合により置換された芳
香族残基である。） なるＤ−マンノースアミン誘導体の製造方法に関する。

式（１）なる又は式（ＩＩ）なる付加的な保護基を有す
るＤ−マンノースアミン誘導体は合成の目的に、特にノ
イラミン酸の製造に有用である（マンーヨキムＭａｎ−
Ｊｏ　Ｋ１１Ｉ）等；　Ｊ、　Ａｍ、　Ｃｈｅｗ、　Ｓ
ｏｃ、　１１０（１９８８）６４８１−８６）　、従来
Ｎ−アセチルマンノースアミンを、塩基触媒作用された
エビ化によってＮ−アセチルグルコサミンから比較的少
ない収量の収得下に製造している。

本発明の目的は、Ｄ−マンノースアミン誘導体の製造方
法であり、それは比較的に簡単な方法で容認された収量
を生じ、かつ経費のかかる保護基の導入が不必要である
。

この目的のために発展した本発明による方法は。

式（ＩＩＩ）又は（ＴＶ） （式中Ｐ、及びＲ２は上述の意味を有する。）なる対応
するＤ−グルコサミン誘導体をウィッチヒ反応でホスホ
ルイリドとエビ化下に反応させ、形成されたオレフィン
性ローマンノースアミン誘導体を０−グルコサミン誘導
体の分離後オゾンで酸化することを特徴とする。

ホスホル−イリドとして特に式（Ｖ） （式中Ｘ及びＹは同−又は異っていてよく、水素原子、
フェニル−、ニトロフェニル−、クロルフェニル−、フ
ェニル−Ｃ，−Ｃ，アルコキシ、又はフリル基を示し、
但しその際Ｘ及びＹは同時に水素原子であってはならな
い。） なる化合物を使用する。

式（■）（式中Ｘは水素原子であり、他方Ｙはフェニル
−ニトロフェニル−、クロルフェニル−フェニル−Ｃ＋
−Ｃａアルコキシ−又はフリル基である。

なるホスホル−イリドが好ましい。

ウィッチヒ反応の実施に関して対応するホスホニウム塩
から出発するのが好都合である。その塩を不活性雰囲気
中で不活性溶剤中通する塩基を用いて式（Ｖ）なるホス
ホル−イリドに変える。

溶剤としてたとえばジオキサン、テトラヒドロフラン、
ホルムアミド、ジメチルホルムアミド。

ジメチルスルホキシド、エチレングリコール−ジメチル
エーテル、ジエチルエーテル、シクロヘキサン、ペンゾ
ール、ドルオール、キジロールが適する。特にホルムア
ミド又はジオキサン／ホルムアミド−混合物が特に９５
：５の割合で好ましい。

塩基としてたとえば水素化ナトリウム、炭酸カリウム、
炭酸ナトリウム、カリウム−１−ブチラード、ブチルリ
チウム、フェニルリチウムを使用する、特に炭酸カリウ
ムがジオキサン／ホルムアミドと併用して適する。

塩基及び溶剤に応じて相転移触媒、たとえばクロネンエ
ーテル、テトラブチルアンモニウムハロゲニド、　ＫＦ
／Ｍｅ３Ｎ−ＨＣＩ又はＫＦ／Ｒ５Ｎ−ＨＣｌを添加す
るのが有利である。

反応温度は通常−３０℃〜１８０℃、特に６０〜１２０
℃の範囲であり１反応は完全に変換するまで進行する。

通常反応時間は２４−３６時間である。

式（Ｖ）なるホスホランの製造及びこれとカルボニル化
合物との反応は、　“有機反応”、第１４巻。

第２７０頁、　Ｊ、　Ｗｉｌｅｙ及び５ｏｎｓ　；　　
ニューヨーク。

ロンドン、シトニー、トロント、　１９６５に並びにＪ
、　Ｍａｒｃｈ　；　Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｏｒｇａｎｉ
ｃ　Ｃｈｅｎ＋１ｓｔｒｙ、　ＷｉｌｅｙＩｎｔｅｒｓ
ｃｉｅｎｃｅ、ニューヨーク、キチェスター、プリスベ
ン、トロント、シンガポール１９８５．　第８４５頁並
びにそこに引用された文献に記載されている。

式（り又は（ＩＩ）なる化合物（式中アシル基をＣ＋−
Ｃ＋ｓ−アルカノイル−、ベンゾイル−トリフルオル−
アセチル−、ベンジルオキシカルボニル−又はｔ−ブチ
ルオキシカルボニル−基によって形成する。）を製造す
るのが好ましい。

ウィソヒ反応に従って式（Ｉ［［）又は（ＩＶ）なるＤ
−グルコサミン誘導体と式（Ｖ）なるホスホルイリドと
の反応で、先ずエビ化、すなわちグルコサミン誘導体の
０２一原子の立体配置の反転が行われる。次いで本来の
ウィッチヒーオレフィン化が式（ＶＴ）又は（■）なる
化合物の形成下に行われる。

この反応によって著しい割合のＤ−マンノースアミン誘
導体が得られ１反応の終了時に存在するＤマンノースア
ミン誘導体からローグリコサミン誘導体のカラムグロマ
トグラフィー分離を、比較的簡単に行うことができるこ
とは驚くべきことである。

（■）の場合、精製は更に簡単に再結晶によって行われ
る。

弐（Ｖｌ）又は（■）なるオレフィン性誘導体から、オ
ゾンによる酸化によって対応する式（１）又は（ｎ）な
るローマンノースアミン誘導体となすことができる。温
度の適する選択によって１式（■）なる化合物のオゾン
分解で直ちに式（１）なる化合物が得られる。

保護された式（ＩＩ）なる誘導体（式中残基Ｒ２はフェ
ニル−、メトキシフェニル−又はニトロフェニル基を意
味するのが好ましい。）はそのまま次の合成に使用する
ことができるか又は水素による接触水素化によって式（
１）なるローマンノースアミン誘導体に変えることがで
きる。

次に本発明を例によって記載する。

仕ｉ１飢二 Ｎ−アセチル−〇−グルコサミン　２２．１ｇ　　０．
１鋼〇１ベンジルトリフエニル ホスホニウムクロリド　　　　７７．６ｇ　　０．２　
ｍｏｌ炭酸カリウム　　　　　　　　２７．６ｇ　　０
．２　ｍｏｌホルムアミド　　　　　　　　約２０　ｍ
ジオキサン　　　　　　　　　　５００−実施： Ｇ　１　ｃ　−Ｎ　Ａ　ｃ　＋ホスホニウム塩、にｆｆ
１ｃＯ！及びジオキサンを攪拌器及び還流冷却器を有す
る！−三三ツフラスコ中加え、空気酸素をアルゴンを用
いて装置から除去する。ホルムアミド約２０−の添加後
、混合物を２４−３６時間還流加熱する０反応の終了（
クロロホルム／メタノール５：ｌを用いて薄層クロマト
グラフィーによって制御）１次いで冷却後。

メタノール５０ｍを加え、混合物を２０分攪拌する。

溶液を濾過し、残留物を徹底的にジオキサンで洗滌し、
濾液を蒸発乾固する（高減圧でホルムアミドの除去下）
。

得られた固体を水６００ｍ中に溶解し、水相をエーテル
／メチレンクロリド−頂金物（３：　１）　４ｏｏｄで
３回洗滌する。有機相を２回夫々水１００Ｗ１１で再抽
出し１次いで水相を一緒にして蒸発する。カラムクロマ
トグラフィー（クロロホルム／メタノール５：１）によ
って化合物（Ｖｌ）　１１．８ｇ及び化合物（■）　５
．９ｇが得られる。全収率〜６０％、（■）及び（■）
（２：１）から成る混合物は、融点１５３−１５５℃を
有する。

オゾン分解： 純粋な化合物（Ｖｌ）　１０ｓａｏｌをメタノール４０
−中に溶解し、オゾンで一６０℃で前駆物質がもはや認
められな（なるまで処理する（ＤＣ，クロロホルム／メ
タノール５：１）、過剰のオゾンを窒素原子を用いて排
出し２次Ｊ、１で溶液にジメチルスルフイツト１−２−
を加える。室温で１時間後、揮発性成分を減圧除去する
（生じたＤＭＳＯの除去のために：高減圧）、生じたベ
ンズアルデヒドの除去のために。

残留物をクロマトグラフィーで精製する（クロロホルム
／メタノール５：１）、交互に残留物を少量の水に取り
、数回エーテルで振出する０次いで水相を蒸発する。

Ｎ−アセチル−Ｄ−マンノースアミンの収１　ｘ　ｔｏ
、ｏ　：２．２７ｇ（〜９５％）。

例２ （Ｅ／Ｚ）−３−アセトアミド−５，７−０−ベンジリ
デン−１フェニル−１，２，３−トリデオキシ−Ｄ−マ
ンノ−ヘプト−１−エニトールの製造 前もって加熱されかつアルゴンで洗浄された装置中にジ
オキサン８０−を予め加える。これ中で２−アセトアミ
ド−２−ジオキシ−４，６−ｏ−ペンジルリデンーＯ−
グルコース５ｇ（１７＋＋＋ｍｏｌ）、　　トリフェニ
ル−ベンジル−ホスホニウム−クロリド１６．２ｇ（４
２ｓ＋ｍｏｌ）及び炭酸カリウム９．２ｇ（６６ｓｎｏ
ｌ）を懸濁する。ホルムアミド２．７　ｙｄ　（６６＋
＋ｖ＋ｏｌ）の添加によって反応を開始する０反応混合
物を１０時間還流加熱する。まだ熱い溶液に、過剰のイ
リドの除去のために水２−を加える。溶剤の除去後、帯
黄色シロップが残存する。

２つのエピマーをクロルトゲラフイーによって（ＣＨＣ
Ｉｓ／ＭｅＯ）Ｉ　１４　：　１）分離することができ
る（Ｒｆ−０，４（■）又はＲｇ・０．３（■−誘導体
））。

交互に分析上純粋な生成物（２，６ｇ）　（■）（４０
％）が、粗シロップをＥＥ／ＥｔＯＨ／エーテルから再
結晶して得られるＣＥＥ・酢酸エステル）　ＣＥ／Ｚ＝
　７　：　１．　　融点＝２０６℃）、（クロマトグラ
フィーによる収率：５０％；再結晶による；４０％母液
の後処理なし）。

−１．８０／１．９０　ｐｐｔａ ３．５０−５．２０　　ｐｐｍ ５．４５　　ｐｐｍ ５．６５−５．７５　ｐｐ− ６，４０−６，５５ｐｐｍ （ｓ、３Ｈ，（Ｈ−１０−１２）、Ｅ／Ｚ−７：　１）
。

（ｍ、８Ｈ，（Ｈ−８，１３−１９））（ｓ、ＩＨ，（
Ｈ−２０）） （ｄｄ、Ｊｔ、　ｔｇ１２Ｈｚ、Ｊｔ、　ｍ＝９．５Ｈ
ｚ、　（Ｈ−７））（ｍ＋Ｊａ、ｙ＝＝１２Ｈｚｊｈ、
ｙ＝１６Ｈｚ＋　（Ｅｌ−６，７））７．２０−７．５
０　ｐｐｍ　（ｍ、１ＯＮ、（Ｈ−１−５，２ｌ−２５
））７．８５／７．９５　　ｐｐ−軸、ＩＨ，（Ｈ−９
））。

ＨＲ−ＦｉＳ　　計算（ｔ［ＣＲｔＨｘｓＮＯ％ＣＭ　
　）　　：　３８３．１７４０測定値　　　　　　　　
：３８３．１７３６（１２％）３８４　（１，３％）、
　３８３（１２）、　３８２（４）、　３６６（２）、
　３６５（１０）。

２１６（２０）、　１７５（８０）、　１７４（８０）
、　１３２（１００）、　１１５（５０）。

１０３（４０）、　８４（２５）、　６０（１２）兄素
立捉菫　計算値：Ｃ・６８．９１％、■・６，５７％。

Ｎ・３．６５％ 測定値：Ｃ・６９．２３％、　Ｈ＝６．４８％。

Ｎ−３，６８％ 化合物（■）　（Ｒ−アセチル）３８３ｍｇ（１ｍｍｏ
ｌ）を例１に於ける様にオゾン分解する。その後溶液を
蒸発し、残留物に触媒量ｐｔｏｔを加え、８時間水素化
する。溶剤の濾過及び除去績、Ｎ−アセチルーＤ−マン
ノースアミンヒトラード２２０ａ＋ｇ　（９４％）が得
られる。

融点１１０−１１２℃。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）式（III）又は（IV） ▲数式、化学式、表等があります▼（III） ▲数式、化学式、表等があります▼（IV） （式中Ｒ＿１はアシル基、Ｒ＿２は場合により置換され
   た芳香族残基である。） なる対応するＤ−グルコサミン誘導体をウィッチヒ反応
   でホスホルイリドとエピ化下に反応させ、形成されたオ
   レフィン性Ｄ−マンノースアミン誘導体をＤ−グルコサ
   ミン誘導体の分離後、オゾンで酸化することを特徴とす
   る、式（ I ）又は（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （式中Ｒ＿１およびＲ＿２は上述の意味を有する。）な
   るＤ−マンノースアミン誘導体を製造する方法。 ２）得られた式（II）なる化合物を水素と接触水素化し
   て、対応する化合物となす請求項１記載の方法。 ３）Ｄ−マンノースアミン誘導体を、対応するＤ−グル
   コサミン誘導体（式中Ｒ＿１はＣ＿１〜Ｃ＿１＿８−ア
   ルカノイル−、ベンゾイル−、トリフルホルアセチル−
   、ベンジルオキシカルボニル−又はｔ−ブチルオキシカ
   ルボニル−残基である。）から製造する請求項１記載の
   方法。 ４）式（II）なるＤ−マンノースアミン誘導体を、対応
   するＤ−グルコサミン誘導体（式中Ｒ＿２はフェニル−
   、メトキシフエニル−又はニトロフエニル−残基である
   。）から製造する請求項１記載の方法。 ５）ホスホル−イリドとして式（Ｖ） ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｖ） （式中Ｘ及びＹは同一又は異っていてよく、水素原子、
   フェニル−、ニトロフェニル−、クロルフェニル−、フ
   エニル−Ｃ＿１−Ｃ＿■アルコキシ−又はフリル基を示
   し、但しその際Ｘ及びＹは同時に水素原子であってはな
   らない。） なる化合物を使用する請求項１ないし５のいずれかに記
   載した方法。 ６）ウィッチヒ反応が、不活性雰囲気中で不活性溶剤中
   −３０℃〜１８０℃で１〜３６時間にわたって進行する
   請求項１〜５のいずれかに記載した方法。 ７）ウィッチヒ反応によって形成されたオレフィン性Ｄ
   −マンノースアミン誘導体から、クロロホルム／メタノ
   ール（５：１）を用いるカラムクロマトグラフィーによ
   ってＤ−グルコースアミン誘導体を分離する請求項１〜
   ６のいずれかに記載した方法。 ８）ウィッチヒ反応によって形成された、式（VII）な
   るオレフィン性Ｄ−マンノースアミン誘導体から、特に
   酢酸／エタノール／エーテルから再結晶してＤ−グルコ
   サミン誘導体を分離する請求項１〜７のいずれかに記載
   した方法。