JPH02264316A - Icメモリカード - Google Patents

Icメモリカード

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Publication number
JPH02264316A
JPH02264316A JP1085985A JP8598589A JPH02264316A JP H02264316 A JPH02264316 A JP H02264316A JP 1085985 A JP1085985 A JP 1085985A JP 8598589 A JP8598589 A JP 8598589A JP H02264316 A JPH02264316 A JP H02264316A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
primary cell
primary battery
voltage
battery
principal
Prior art date
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Pending
Application number
JP1085985A
Other languages
English (en)
Inventor
Shuichi Shirato
白土 修一
Yoshikado Sanemitsu
良門 實光
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPH02264316A publication Critical patent/JPH02264316A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野」 本発明は揮発性メモリICを自薦するICメモリカード
に関し、特にそのICメモリカードのメモリバックアッ
プ技術に関するものである。
〔従来の技術〕
従来、この種のメモリバンクアップ方法としては、第2
図に示すようなものがある。同図において、1は駆動電
源(図示せず)よシ所定の電圧が供給される電源端子1
7と接地端子18との間に挿入された揮発性メモリIc
、2はこのメモリIc1をバンクアップするための主電
池としての主たる1次電池、3は同じくその副電池とし
ての副たる1次電池、4は基準電源、5は一方の入力端
子Tに供給される主たる1次電池(以下、主1次電池)
2の電圧と他方の入力端子8に供給される基準電源4の
電圧を比較する比較器であり、この比較器5の出力6に
よって半導体スイッチ14をオン、オフ制御するととも
に、その出力6を反転する反転増幅器19の反転出力に
より半導体スイッチ20をオン、オフ制御するものとな
っている。
このとき、半導体スイッチ14の一端は副たる1次電池
(以下、副1次電池)3の正極に接続され、その他端が
抵抗10.ダイオード16t−介してメモリIC1の電
源側に接続されている。また、半導体スイッチ20の一
端は主1次電池2の正極に接続され、その他端が抵抗9
.ダイオード15を介してメ七IJICI の電源側に
接続されている。
また、第3図は従来の主たる1次電池の容量をチエツク
するための回路構成図であシ、この回路は、揮発性メモ
1JIc1  をバックアップする主1次電池2に対し
、チエツク用スイッチ22と抵抗11および発光ダイオ
ードなどの表示装置12から成る直列体が並列に接続さ
れていて、その副1次電池3と抵抗10との間にはスイ
ッチ21が挿入された構成をとっている。なお、第3図
において第2図と同一符号は同一または相当部分を示し
ている。
次に動作について説明する。
第2図において、電源端子17に主1次電池2または副
1次電池3の電圧よシ低い電圧しか印加されなかつ九場
合、即ち揮発性メモリIcI が主1次電池2tたは副
1次電池3によってバックアップされる場合を説明する
まず主1次電池2の起電力が基準電源4の電圧よシ高い
場合、比較器5の出力6はrLJレベルとなシ、半導体
スイッチ14はオフとなる。一方、反転増幅器19の出
力はrHJレベルとなって半導体スイッチ20をオンさ
せる。したがって、揮発性メモリICIは、半導体スイ
ッチ20.抵抗9及びダイオード15を介して主1次電
池2によってバックアップされる。
次に1主1次電池2に例えばリチウム電池を使用した場
合、第4図にその放電負荷特性を示す。
同図において放電の末期のようにその起電力が基準電源
4の電圧よシ低くなつ九場合、比較器5の出力6はrH
Jレベルとなシ、半導体スイッチ14はオンとなる。こ
れと同時に、反転増幅器19の出力は「L」レベルとな
って半導体スイッチ2゜をオフさせ、揮発性メモリIC
1は、半導体スイッチ14.抵抗10及びダイオード1
6を介して副1次電池3によってバックアップされる。
一方、第3図において、第2図での説明と同様に一1揮
発性メモ1JIc1が主1次電池2または副1次電池3
によってバックアップされる場合を説明する。主1次電
池2の容量をチエツクするために、スイッチ22をオン
させ抵抗11を介して表示装置12になんらかの表示を
させる(例えば発光ダイオードの場合、点灯させる)。
この事によって主1次電池2の容量があると判断されれ
ばスイッチ22をオフとし、揮発性メ七りICI は抵
抗9及びダイオード15t−介して主1次電池2によっ
てバックアップされる。
次に主1次電池2の容量がないと判断されれば(例えば
発光ダイオードが暗くなつ九)、点灯しなかったシした
場合)、スイッチ22をオフすると同時にスイッチ21
をオンさせ、揮発性メモリICI を抵抗10及びダイ
オード16を介して副1次電池3によ”りて、主1次電
池2t−交換するまで一時的にバックアップさせる。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来のICメモリカードは、第2図の構成において主1
次電池−2と揮発性メモリIC10間に半導体スイッチ
′20が直列に接続されておシ、この半導体スイッチ2
0がオンの場合は揮発性メモリICI K流れ込む電流
が主1次電池2の負荷となシ、半導体スイッチ20がオ
フの場合は主1次電池2の負荷は開放となる。第5図に
主1次電池1として用いるリチウム電池の放電負荷と作
動電圧の特性グラフを示しである。こむで、揮発性メモ
リICIK流れ込む電流を周囲温度20〔℃コの時5〔
μA〕 とすると、半導体スイッチ20がオンした時と
オフした時の電池の作動電圧差はlOOloo(以上と
なる。この事は主1次電池2が放電の末期になって起電
力が低下し、基準電源4の電圧′よシ低くなった時、比
較器5の出力6がrHJレベルになると同時に、半導体
スイッチ20がオフとなシ、主1次電池2の電圧は負荷
が開放となるため上昇する。そして基準電源4の電圧よ
シ高くなると、再び半導体スイッチ20がオンとなシ負
荷が接続され、主1次電池2の電圧が低下するという具
合に見損モードになる。この事は揮発性メモリICIK
’流れみむ電流が大きくなる程悪化する。
ま九、第3図の回路においては、主1次電池2の容量が
まだ残っているかどうかをチエツクするために、主1次
電池2そのものの電力を、発光ダイオードなどの表示装
置12を駆動するために消費するように構成されている
ので、チエツクの回数が増える稚虫1次電池を消耗させ
るなどの問題があった。
本発明は上記のような問題点を解消するためになされた
もので、高信頼なデータ保持が可能なICメモリカード
を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
本発明に係るICメモリカードは、主1次電池の放電の
末期にその低下した電圧を基準電源と比較し、その出力
によって制御される半導体スイッチを介して主1次電池
の容量が残シ少ないことを表示させるようにしたもので
ある。
〔作用〕
本発明においては、主1次電池の放電の末期にその低下
した電圧を基準電源と比較し、その出力によって副1次
電池に切換えた時、主1次電池の負荷が開放となってそ
の電圧が上昇しようとするのを表示装置を負荷とするこ
とにより上昇しないようにする。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を第1図について説明する。第
1図において、1は揮発性メモリIc。
2はそのメモリICIをバックアップするための主1次
電池、3は同じくその副1次電池、4は基準電源、5は
主1次電池2の電圧と基準電源4の電圧を比較する比較
器であシ、その出力によって半導体スイッチ13及び1
4をオン、オフ制御するものとなっている。このとき、
半導体スイッチ13の一端は主1次電池2の正極と比較
器5の一方の入力端子7との接続点に接続されるととも
に、抵抗9.ダイオード15を介して揮発性メモリIC
1の電源側に接続され、その他端が抵抗119表示装置
12を介して接地端子18に接続されている。また、半
導体スイッチ14の一端は副1次電池3の正極に接続さ
れ、その他端が抵抗10.ダイオード16を介して揮発
性メモリIC1の電源側に接続されている。ここで、抵
抗9及び10はそれぞれ逆流防止用ダイオード15.1
6が破壊(ショート)シた場合に各主1次電池2.副1
次電池3いわゆる1次電池への充電電流を制限するため
のもので、抵抗11は表示装置12への電力を制御する
ためのものである。なお、図中、同一符号は同一または
相当部分を示している。
次に、上記実施例構成の動作について説明する。
第1図において、電源端子1Tに主1次電池2または副
1次電池3の電圧よシ低い電圧しか印加されない場合、
即ち揮発性メモリIC1が主1次電池2または副1次電
池3によってバンクアップされる場合を説明する。
まず、主1次電池2の起電力が基準電源4の電圧よシ高
い場合、比較器5の出力6はILJレベルとなシ、半導
体スイッチ13及び14はオフとなる。したがって、メ
モ1JIc1は、抵抗9及びダイオード15t−介して
主1次電池2によってバンクアップされる。
次に、主1次電池2の起電力がその放電の末期のように
基準電源4の電圧よシ低くなった場合、比較器5の出力
6は「H」レベルとなり、半導体スイッチ13及び14
はオンとなる。したがって、メモリIC1は、抵抗10
及びダイオード16f。
介して副1次電池3によってバックアップされる。
これと同時に、主1次電池2の残った電気量は、半導体
スイッチ13を介して、主1次電池2の容量が残り少な
いことを表示するための表示装置12の電力として消費
されることになる。
〔発明の効果〕
以上のように本発明によれば、メモリICのバンクアッ
プは、通常は主たる1次電池よ構成る主電池により行い
、その主電池の放電の末期に副たる1次電池よ構成る副
電池に切替え、かつ主電池の残った電気量によって表示
装置を駆動するように構成したので、安価で小形な、高
信頼なデータ保持が可能なICメモリカードを提供する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例によるICメモリカ−ドのブ
ロック図、第2図及び第3図は従来のICメモリカード
のブロック図、第4図は1次電池にリチウム電池を用い
たときの放電負荷特性を示すグラフ、第5図は同じくそ
の放電負荷と作動電圧を示すグラフである。 1・・・・揮発性メモQIC,2・・・・主たる1次電
池(主電池)、3・・・−副たる1次電池(副電池)、
4・・・・基準電源、5・・・・比較器、12・・・・
表示装置、13.14・・・・半導体スイッチ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 揮発性メモリICを内蔵し、これに格納された情報を保
    持するバックアップ用の主電池と副電池とを備えてなる
    ICメモリカードにおいて、前記主電池の電圧と基準電
    圧を比較する比較器と、この比較器の出力によつて制御
    され、かつ前記副電池の起電力を前記揮発性メモリIC
    に伝達するための第1の半導体スイッチと、前記主電池
    の電圧が前記基準電圧より低下したことを知らしめるた
    めの表示装置と、前記比較器の出力によつて制御され、
    かつ前記主電池の起電力を前記表示装置に伝達するため
    の第2の半導体スイッチを備えたことを特徴とするIC
    メモリカード。
JP1085985A 1989-04-05 1989-04-05 Icメモリカード Pending JPH02264316A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1085985A JPH02264316A (ja) 1989-04-05 1989-04-05 Icメモリカード

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JPH02264316A true JPH02264316A (ja) 1990-10-29

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JP1085985A Pending JPH02264316A (ja) 1989-04-05 1989-04-05 Icメモリカード

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JP (1) JPH02264316A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6306538B1 (en) 1996-02-26 2001-10-23 Citizen Watch Co., Ltd. Portable information device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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