JPH0226414A - 周波数変換回路 - Google Patents
周波数変換回路Info
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- JPH0226414A JPH0226414A JP63177311A JP17731188A JPH0226414A JP H0226414 A JPH0226414 A JP H0226414A JP 63177311 A JP63177311 A JP 63177311A JP 17731188 A JP17731188 A JP 17731188A JP H0226414 A JPH0226414 A JP H0226414A
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- Japan
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- capacitor
- voltage
- output
- circuit
- clock pulse
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 69
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical group [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
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- Manipulation Of Pulses (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
C産業上の利用分野]
本発明は、デジタル回路の分周回路として用いる周波数
変換回路に関するものである。
変換回路に関するものである。
[従来の技術]
従来、デジタル回路の分周回路として用いるこの種の周
波数変換回路は、第3図に示すように、フリップフロ7
1回路FF、〜FF、を用いて形成されており、入力端
子T11に入力されるクロックパルスCLが初段のフリ
ップフロップFF、のクロック端子Tに印加され、前段
のフリップフロップFF1.FF2の出力Qを次段のフ
リップフロップpp、FF、のクロック端子Tに入力し
、初段のフリップフロップFF、のクロック端子Tに入
力されるクロックパルスCLの周期の23倍の周期のク
ロックパルスCL’がフリップフロップFF、出力Qと
して出力端子Toから出力されるようになっている。な
お、各フリップフロップFF、〜FF、のリセット端子
Rにはリセット入力端子T、lに入力されるリセット信
号REが印加され、リセット信号REの”H”のときに
分周動作を行い、リセット信号REがIILNのときに
各フリップフロップFF、〜FF3をリセットして分周
動作を停止するようになっている。
波数変換回路は、第3図に示すように、フリップフロ7
1回路FF、〜FF、を用いて形成されており、入力端
子T11に入力されるクロックパルスCLが初段のフリ
ップフロップFF、のクロック端子Tに印加され、前段
のフリップフロップFF1.FF2の出力Qを次段のフ
リップフロップpp、FF、のクロック端子Tに入力し
、初段のフリップフロップFF、のクロック端子Tに入
力されるクロックパルスCLの周期の23倍の周期のク
ロックパルスCL’がフリップフロップFF、出力Qと
して出力端子Toから出力されるようになっている。な
お、各フリップフロップFF、〜FF、のリセット端子
Rにはリセット入力端子T、lに入力されるリセット信
号REが印加され、リセット信号REの”H”のときに
分周動作を行い、リセット信号REがIILNのときに
各フリップフロップFF、〜FF3をリセットして分周
動作を停止するようになっている。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、上述の従来例にあっては、高い周波数の
クロックパルスCLを低い周波数に変換する場合には、
周波数変換比に応じて多数のクリップフロップFF、〜
FF、・・・・・・・・・・・・を用いる必要があり2
回路構成が複雑になるとともに、IC化する場合に大き
な面積を必要とするという問題があった。また、2″以
外の周波数変換比を実現するには、フィードバック回路
を付加する必要があるので、回路構成がより複雑化する
という問題があった。
クロックパルスCLを低い周波数に変換する場合には、
周波数変換比に応じて多数のクリップフロップFF、〜
FF、・・・・・・・・・・・・を用いる必要があり2
回路構成が複雑になるとともに、IC化する場合に大き
な面積を必要とするという問題があった。また、2″以
外の周波数変換比を実現するには、フィードバック回路
を付加する必要があるので、回路構成がより複雑化する
という問題があった。
本発明は上記の点に鑑みて為されたものであり、その目
的とするところは、回路構成が簡単で、IC化時した場
合の面積を小さくすることができ、しかも任意の変換比
を容易に実現できる上、変換比のばらつきを少なくする
ことができる周波数変換回路を提供することにある。
的とするところは、回路構成が簡単で、IC化時した場
合の面積を小さくすることができ、しかも任意の変換比
を容易に実現できる上、変換比のばらつきを少なくする
ことができる周波数変換回路を提供することにある。
[課題を解決するための手段]
本発明の周波数変換回路は、入力端子に印加されるクロ
ックパルスの”H”期間にオンされる充電制御用スイッ
チ素子を介して回路電源電圧で充電される小容量の第1
コンデンサと、上記クロックパルスの”L”期間にオン
される電荷転送用スイッチ素子を介して第1コンデンサ
の電荷によって充電される大容量の第2コンデンサと、
第2コンデンサの両端電圧が基準電圧よりも大きくなっ
たかどうかを判定する電圧比較器と、電圧比較結果を記
憶して出力する記憶回路と、記憶回路出力に基づいて制
御され第2コンデンサの電荷を放電させる放電用スイッ
チ素子とで構成され、第1゜第2コンデンサの容量比お
よび回路電源電圧、基準電圧により周波数変換比を設定
し、記憶回路出力を変換出力としたものである。
ックパルスの”H”期間にオンされる充電制御用スイッ
チ素子を介して回路電源電圧で充電される小容量の第1
コンデンサと、上記クロックパルスの”L”期間にオン
される電荷転送用スイッチ素子を介して第1コンデンサ
の電荷によって充電される大容量の第2コンデンサと、
第2コンデンサの両端電圧が基準電圧よりも大きくなっ
たかどうかを判定する電圧比較器と、電圧比較結果を記
憶して出力する記憶回路と、記憶回路出力に基づいて制
御され第2コンデンサの電荷を放電させる放電用スイッ
チ素子とで構成され、第1゜第2コンデンサの容量比お
よび回路電源電圧、基準電圧により周波数変換比を設定
し、記憶回路出力を変換出力としたものである。
[作 用]
本発明は上述のように構成されており、小容量の第1コ
ンデンサをクロックパルスの”H”期間に回路電源電圧
で充電し、大容量の第2コンデンサを上記クロックパル
スのIILII期間に第1コンデンサの電荷によって充
電し、第2コンデンサの両端電圧が基準電圧よりも大き
くなったかどうかを電圧比較器にて判定し、電圧比較器
出力を記憶回路に記憶させるとともに、記憶回路出力に
基づいて第2コンデンサの電荷を放電させ、記憶回路出
力を周波数変換出力としたものであり、従来例のように
フリップフロップを用いて形成する場合に比べて回路構
成が簡単で、IC化した場合の面積を小さくすることが
できる。また、第1.第2コンデンサの容量比および回
路電源電圧、基準電圧により周波数変換比が設定できる
ので、任意の周波数変換比を容易に実現できるようにな
っている。
ンデンサをクロックパルスの”H”期間に回路電源電圧
で充電し、大容量の第2コンデンサを上記クロックパル
スのIILII期間に第1コンデンサの電荷によって充
電し、第2コンデンサの両端電圧が基準電圧よりも大き
くなったかどうかを電圧比較器にて判定し、電圧比較器
出力を記憶回路に記憶させるとともに、記憶回路出力に
基づいて第2コンデンサの電荷を放電させ、記憶回路出
力を周波数変換出力としたものであり、従来例のように
フリップフロップを用いて形成する場合に比べて回路構
成が簡単で、IC化した場合の面積を小さくすることが
できる。また、第1.第2コンデンサの容量比および回
路電源電圧、基準電圧により周波数変換比が設定できる
ので、任意の周波数変換比を容易に実現できるようにな
っている。
[実施例]
第1図は本発明一実施例を示すもので、入力端子TIN
に印加されるクロックパルスCLのH”期間はオンされ
るpMOs)ランジスタよりなる充電制御用スイッチ素
子5を介して回路電源電圧V0oで充電される小容量の
第1コンデンサ1と、上記クロックパルスCLの”L”
期間にオンされるpMOs)ランジスタよりなる電荷転
送用スイッチ素子4を介して第1コンデンサ1の電荷に
よって充電される大容量の第2コンデンサ2と、第2コ
ンデンサ2の両端電圧Vcが基準電圧Vrefよりも大
きくなったかどうかを判定する電圧比較器9と、電圧比
較結果を記憶して出力するD−フリップ70ツブよりな
る記憶回路10と、記憶回路10出力(D−7リツプフ
ロツプのQ出力)に基づいて制御され第2コンデンサ2
の電荷を放電させるnMO5)ランジスタよりなる放電
用スイッチ素子3とで構成され、第1.第2コンデンサ
1゜2の容量比および回路電源電圧Vo。、基準電圧■
refにより入力端子TrMに入力されるタロツクパル
スCLと出力端子T、から出力されるタロツクパルスC
”L”の周波数変換比Nを設定し、記憶回路10のQ出
力を変換出力としたものである。
に印加されるクロックパルスCLのH”期間はオンされ
るpMOs)ランジスタよりなる充電制御用スイッチ素
子5を介して回路電源電圧V0oで充電される小容量の
第1コンデンサ1と、上記クロックパルスCLの”L”
期間にオンされるpMOs)ランジスタよりなる電荷転
送用スイッチ素子4を介して第1コンデンサ1の電荷に
よって充電される大容量の第2コンデンサ2と、第2コ
ンデンサ2の両端電圧Vcが基準電圧Vrefよりも大
きくなったかどうかを判定する電圧比較器9と、電圧比
較結果を記憶して出力するD−フリップ70ツブよりな
る記憶回路10と、記憶回路10出力(D−7リツプフ
ロツプのQ出力)に基づいて制御され第2コンデンサ2
の電荷を放電させるnMO5)ランジスタよりなる放電
用スイッチ素子3とで構成され、第1.第2コンデンサ
1゜2の容量比および回路電源電圧Vo。、基準電圧■
refにより入力端子TrMに入力されるタロツクパル
スCLと出力端子T、から出力されるタロツクパルスC
”L”の周波数変換比Nを設定し、記憶回路10のQ出
力を変換出力としたものである。
実施例では、リセット入力端子T@に印加されるリセッ
ト信号REにて任意にリセットが行えるようにするため
、ナンド回路7.8を設けている。
ト信号REにて任意にリセットが行えるようにするため
、ナンド回路7.8を設けている。
なお、充電制御用スイッチ素子らは、インバータ6にて
反転されたクロックパルスCLによって制御され、電荷
転送用スイッチ素子4はクロックパルスCLによって制
御され、両スイッチ素子4゜5は交互◆ニオン、オフさ
れるようになっている。
反転されたクロックパルスCLによって制御され、電荷
転送用スイッチ素子4はクロックパルスCLによって制
御され、両スイッチ素子4゜5は交互◆ニオン、オフさ
れるようになっている。
以下、実施例の動作について説明する。いま、リセット
入力端子Tllに入力されるリセット信号REが”し”
の場合には、充電制御用スイッチ素子5がオン、電荷転
送用スイッチ素子4がオフされ、第1コンデンサ1が回
路電源電圧Vooまで充電されている。このとき、同時
に放電用スイッチ素子3がオンされて第2コンデンサ2
の電荷が放電されているので、電圧比較器9の非反転入
力端子に入力される第2コンデンサ2の両端電圧Vc2
(=O)が反転入力端子電圧Vrefよりも低くなって
電圧比較器9出力は”し”になり、タロツクパルスCL
が入力しても”L”を保持して周波数変換動作は行われ
ない。
入力端子Tllに入力されるリセット信号REが”し”
の場合には、充電制御用スイッチ素子5がオン、電荷転
送用スイッチ素子4がオフされ、第1コンデンサ1が回
路電源電圧Vooまで充電されている。このとき、同時
に放電用スイッチ素子3がオンされて第2コンデンサ2
の電荷が放電されているので、電圧比較器9の非反転入
力端子に入力される第2コンデンサ2の両端電圧Vc2
(=O)が反転入力端子電圧Vrefよりも低くなって
電圧比較器9出力は”し”になり、タロツクパルスCL
が入力しても”L”を保持して周波数変換動作は行われ
ない。
次に、リセット信号REがl+ H+1になると、放電
用スイッチ素子3がオフになるとともに、ナンド回路7
出力はクロックパルスCLに応じて反転され、充電制御
用スイッチ素子5および電荷転送用スイッチ素子4が交
互にオンオフされて第2コンデンサ2が徐々に充電され
て周波数変換動作が開始される。いま、クロックパルス
CLが”L”の場合には、充電制御用スイッチ素子5が
オン、電荷転送用スイッチ素子4がオフになって、第1
コンデンサ1が電源電圧Vooまで充電される。−方、
クロックパルスCL、(′H″になると、充電制御用ス
イッチ素子5がオフするとともに、電荷転送用スイッチ
素子4がオンし、第1コンデンサ1の電荷が電荷転送用
スイッチ素子4を介して第2コンデンサ2に転送される
。
用スイッチ素子3がオフになるとともに、ナンド回路7
出力はクロックパルスCLに応じて反転され、充電制御
用スイッチ素子5および電荷転送用スイッチ素子4が交
互にオンオフされて第2コンデンサ2が徐々に充電され
て周波数変換動作が開始される。いま、クロックパルス
CLが”L”の場合には、充電制御用スイッチ素子5が
オン、電荷転送用スイッチ素子4がオフになって、第1
コンデンサ1が電源電圧Vooまで充電される。−方、
クロックパルスCL、(′H″になると、充電制御用ス
イッチ素子5がオフするとともに、電荷転送用スイッチ
素子4がオンし、第1コンデンサ1の電荷が電荷転送用
スイッチ素子4を介して第2コンデンサ2に転送される
。
ここに、初期状態では、第1コンデンサ1が回路電源電
圧■。。によって充電され、第2コンデンサ2の電荷が
放電用スイッチ素子3のオンによって放電されているの
で、第1コンデンサ1の両端電圧V c l(0)およ
び第2コンデンサ2の両端電圧をV c z (0)は
、 VC+(0)=Vo口 Vcz(o)=。
圧■。。によって充電され、第2コンデンサ2の電荷が
放電用スイッチ素子3のオンによって放電されているの
で、第1コンデンサ1の両端電圧V c l(0)およ
び第2コンデンサ2の両端電圧をV c z (0)は
、 VC+(0)=Vo口 Vcz(o)=。
となっている。
次に、゛クロックパルスCLが最初にIIHllになっ
たときの両コンデンサ1,2の両端電圧Vc、(1)、
Vo2(1)は、 V c + (1) = V c x (1)= (C
I/(CI+C2))VD+1となる。但し、C,、C
2は、第1.第2コンデンサ1.2の容量である。
たときの両コンデンサ1,2の両端電圧Vc、(1)、
Vo2(1)は、 V c + (1) = V c x (1)= (C
I/(CI+C2))VD+1となる。但し、C,、C
2は、第1.第2コンデンサ1.2の容量である。
次に、クロックパルスCLが”L″になると、充電制御
用スイッチ素子5がオンして第1コンデンサ1が回路電
源電圧■。。まで充電されるが、電荷転送用スイッチ素
子4がオフしているので、第1コンデンサ1の電荷は保
存され、両端電圧はVo2(1)となっている。
用スイッチ素子5がオンして第1コンデンサ1が回路電
源電圧■。。まで充電されるが、電荷転送用スイッチ素
子4がオフしているので、第1コンデンサ1の電荷は保
存され、両端電圧はVo2(1)となっている。
次に、クロックパルスCLがH″になって電荷転送用ス
イッチ素子4がオンすると、第1コンデンサ1の電荷が
再び第2コンデンサ2に転送され、このときの両コンデ
ンサ1.2の両端電圧Vc1(2)、Vo2(2)は、 VC+<2)=VC2(2) したがって、クロックパルスCLがNUgJ” H”に
なると、両コンデンサ1.2の両端電圧Vc(N)、V
o2(N)は、 V c + (N ) = V C2(N )=(1−
(X)’)Vo。
イッチ素子4がオンすると、第1コンデンサ1の電荷が
再び第2コンデンサ2に転送され、このときの両コンデ
ンサ1.2の両端電圧Vc1(2)、Vo2(2)は、 VC+<2)=VC2(2) したがって、クロックパルスCLがNUgJ” H”に
なると、両コンデンサ1.2の両端電圧Vc(N)、V
o2(N)は、 V c + (N ) = V C2(N )=(1−
(X)’)Vo。
但し、X = C2/ (C+ 十C2)となる。
ここに、クロックパルスCLがN回”H”になったとき
の第2コンデンサ2の両端電圧V C2(N )が基準
電圧V r e fを越えると、電圧比較器9出力が反
転してH”になるので、次のクロックパルスCLにて記
憶回路10のD−フリップフロップに“H”が書き込ま
れ、D−フリップフロップのQ出力がH″になる。この
とき、D−フリップフロップのQ出力によって放電用ス
イッチ素子3がオンされ、第2コンデンサ2の電荷が放
電されて両端電圧が0になるので、電圧比較器9出力が
”L”になって記憶回路10のQ出力も“L”になり初
期状態に戻る。したがって、再び入力端子T r++に
クロックパルスCLが入力されると、上記動作を繰り返
して行うことにより、出力端子T。に周波数変換された
クロックパルスCL’が出力されることになる。
の第2コンデンサ2の両端電圧V C2(N )が基準
電圧V r e fを越えると、電圧比較器9出力が反
転してH”になるので、次のクロックパルスCLにて記
憶回路10のD−フリップフロップに“H”が書き込ま
れ、D−フリップフロップのQ出力がH″になる。この
とき、D−フリップフロップのQ出力によって放電用ス
イッチ素子3がオンされ、第2コンデンサ2の電荷が放
電されて両端電圧が0になるので、電圧比較器9出力が
”L”になって記憶回路10のQ出力も“L”になり初
期状態に戻る。したがって、再び入力端子T r++に
クロックパルスCLが入力されると、上記動作を繰り返
して行うことにより、出力端子T。に周波数変換された
クロックパルスCL’が出力されることになる。
この場合、第2コンデンサ2の両端電圧V c 。
がVrefになるのに要するクロックパルスCLの個数
すなわち周波数変換比Nは、次式で求められる。
すなわち周波数変換比Nは、次式で求められる。
なお、C+=1pF、C2=9PF、Vref=2.6
V、V。。=5Vとした場合には、N=6となる。
V、V。。=5Vとした場合には、N=6となる。
本発明は上述のように、小容量の第1コンデンサ1をク
ロックパルスCLの”H”期間に回路電源電圧Vanで
充電し、大容量の第2コンデンサ2を上記クロックパル
スCLのIIL11期間に第1コンデンサ1のtRによ
って充電し、第2コンデンサ2の両端電圧V c t
(N )が基準電圧Vrefよりも大きくなったかどう
かを電圧比較器9にて判定し、電圧比較器9出力を記憶
回路10に記憶させるとともに、記憶回路10出力に基
づいて第2コンデンサ2のtRを放電させ、記憶回路1
0出力を周波数変換出力としたものであり、従来例のよ
うにフリップフロップFF、、FF2・・・・・・を用
いて形成する場合に比べて回路構成が簡単で、IC化し
た場合の面積を小さくすることができる。
ロックパルスCLの”H”期間に回路電源電圧Vanで
充電し、大容量の第2コンデンサ2を上記クロックパル
スCLのIIL11期間に第1コンデンサ1のtRによ
って充電し、第2コンデンサ2の両端電圧V c t
(N )が基準電圧Vrefよりも大きくなったかどう
かを電圧比較器9にて判定し、電圧比較器9出力を記憶
回路10に記憶させるとともに、記憶回路10出力に基
づいて第2コンデンサ2のtRを放電させ、記憶回路1
0出力を周波数変換出力としたものであり、従来例のよ
うにフリップフロップFF、、FF2・・・・・・を用
いて形成する場合に比べて回路構成が簡単で、IC化し
た場合の面積を小さくすることができる。
また、第1.第2コンデンサ1.2の容量比および回路
電源電圧v0゜、基準電圧Vrefにより周波数変換比
Nが設定できるので、任意の周波数変換比Nを容易に実
現できるようになっている。さらにまた、第1.第2コ
ンデンサ1.2の容量比によって周波数変換比Nを設定
しているので、IC化した場合のばらつき誤差を小さく
することができる。
電源電圧v0゜、基準電圧Vrefにより周波数変換比
Nが設定できるので、任意の周波数変換比Nを容易に実
現できるようになっている。さらにまた、第1.第2コ
ンデンサ1.2の容量比によって周波数変換比Nを設定
しているので、IC化した場合のばらつき誤差を小さく
することができる。
[発明の効果]
本発明は上述のように構成されており、小容量の第1コ
ンデンサをクロックパルスの”H”期間に回路電源電圧
で充電し、大写1の第2コンデンサを上記クロックパル
スの”L”期間に第1コンデンサの電荷によって充電し
、第2コンデンサの両端電圧が基準電圧よりも大きくな
ったかどうかを電圧比較器にて判定し、電圧比較器出力
を記憶回路に記憶させるとともに、記憶回路出力に基づ
いて第2コンデンサの電荷を放電させ、記憶回路出力を
周波数変換出力としたものであり、従来例のようにフリ
ップフロップを用いて形成する場合に比べて回路構成が
簡単で、IC化した場合の面積を小さくすることができ
る。また、第1.第2コンデンサの容量比および回路電
源電圧、基準電圧により周波数変換比が設定できるので
、任意の周波数変換比を容易に実現できるという効果が
ある。
ンデンサをクロックパルスの”H”期間に回路電源電圧
で充電し、大写1の第2コンデンサを上記クロックパル
スの”L”期間に第1コンデンサの電荷によって充電し
、第2コンデンサの両端電圧が基準電圧よりも大きくな
ったかどうかを電圧比較器にて判定し、電圧比較器出力
を記憶回路に記憶させるとともに、記憶回路出力に基づ
いて第2コンデンサの電荷を放電させ、記憶回路出力を
周波数変換出力としたものであり、従来例のようにフリ
ップフロップを用いて形成する場合に比べて回路構成が
簡単で、IC化した場合の面積を小さくすることができ
る。また、第1.第2コンデンサの容量比および回路電
源電圧、基準電圧により周波数変換比が設定できるので
、任意の周波数変換比を容易に実現できるという効果が
ある。
第1図は本発明一実施例の回路図、第2図は従来例の回
路図である。 1は第1コンデンサ、2は第2コンデンサ、3は放電用
スイ・ソチ素子、4は電荷転送用スイッチ素子、5は充
電制御用スイッチ素子、9は電圧比較器、10は記憶回
路である。
路図である。 1は第1コンデンサ、2は第2コンデンサ、3は放電用
スイ・ソチ素子、4は電荷転送用スイッチ素子、5は充
電制御用スイッチ素子、9は電圧比較器、10は記憶回
路である。
Claims (1)
- (1)入力端子に印加されるクロックパルスの”H”期
間にオンされる充電制御用スイッチ素子を介して回路電
源電圧で充電される小容量の第1コンデンサと、上記ク
ロックパルスの”L”期間にオンされる電荷転送用スイ
ッチ素子を介して第1コンデンサの電荷によって充電さ
れる大容量の第2コンデンサと、第2コンデンサの両端
電圧が基準電圧よりも大きくなったかどうかを判定する
電圧比較器と、電圧比較結果を記憶して出力する記憶回
路と、記憶回路出力に基づいて制御され第2コンデンサ
の電荷を放電させる放電用スイッチ素子とで構成され、
第1、第2コンデンサの容量比および回路電源電圧、基
準電圧により周波数変換比を設定し、記憶回路出力を変
換出力としたことを特徴とする周波数変換回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63177311A JPH0226414A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 周波数変換回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63177311A JPH0226414A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 周波数変換回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0226414A true JPH0226414A (ja) | 1990-01-29 |
Family
ID=16028764
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63177311A Pending JPH0226414A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 周波数変換回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0226414A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5394292A (en) * | 1991-04-30 | 1995-02-28 | Tsuden Kabushiki Kaisha | Electronic car bumper |
DE102005042309A1 (de) * | 2005-09-06 | 2007-04-12 | Infineon Technologies Ag | Frequenzteiler-Schaltkreisanordnung |
US7534957B2 (en) | 2005-10-31 | 2009-05-19 | Hitachi Cable, Ltd. | Cord switch and detecting apparatus using the same |
-
1988
- 1988-07-15 JP JP63177311A patent/JPH0226414A/ja active Pending
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